KR970018230A - 금속배선의 장벽금속 형성 방법 - Google Patents
금속배선의 장벽금속 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 기판의 접합층 일부가 노출되도록 절연막의 일부를 식각하여 금속 콘택홀을 형성하는 단계, 전체구조 상부에 TiSi막을 스퍼터링 증착하는 단계; 인-시츄로 상기 TiSi막상에 TiN막을 스퍼터링 증착하는 단계; 및 인-시츄로 어닐링하여 상기 TiSi막을 TiS2으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선의 장벽금속 형성 방법에 관한 것으로, 접합층에 존재하는 Si원자들이 과도하게 빠져나와 접합층을 손상시키는 것을 방지하여 소자의 신뢰성 및 소자 제조 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도는 본 발명에 따른 장벽금속 형성 공정도.
Claims (4)
- 반도체 소자 금속배선 공정에서의 장벽금속 형성 방법에 있어서; 반도체 기판의 접합층 일부가 노출되도록 절연막의 일부를 식각하여 금속 콘택홀을 형성하는 단계;전체구조 상부에 TiSi막을 스퍼터링 증착하는 단계; 인-시츄로 상기 TiSi막상에 TiN막을 스퍼터링 증착하는 단계; 및 인-시츄로 어닐링하여 상기 TiSi막을 TiS2으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선의 장벽금속 형성 방법.
- 제1항에 있어서 상기 TiSi막의 스퍼터링 증착은 TiSi타켓을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선의 장벽금속 형성 방법.
- 반도체 소자 금속배선 공정에서의 장벽금속 형성 방법에 있어서; 반도체 기판의 집합층 일부가 노출되도록 절연막의 일부를 식각하여 금속 콘택홀을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 TiSi막을 스퍼터링 증착하는 단계; 인-시츄로 어닐링하여 상기 TiSi막을 TiS2으로 형성하는 단계; 및 인-시츄로 상기 TiS2막상에 TiN막을 스퍼터링 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선의 장벽금속 형성 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 TiSi막의 스퍼터링 증착은 TiSi 타겟을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선의 장벽금속 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950028818A KR970018230A (ko) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 금속배선의 장벽금속 형성 방법 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950028818A KR970018230A (ko) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 금속배선의 장벽금속 형성 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970018230A true KR970018230A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66597173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950028818A KR970018230A (ko) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 금속배선의 장벽금속 형성 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970018230A (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000057879A (ko) * | 1999-02-05 | 2000-09-25 | 가네꼬 히사시 | 고융점금속질화막 및 고융점금속실리사이드막을 이용한배선을 갖는 반도체장치 및 그 제조방법 |
KR100457408B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의텅스텐플러그형성방법 |
-
1995
- 1995-09-04 KR KR1019950028818A patent/KR970018230A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100457408B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의텅스텐플러그형성방법 |
KR20000057879A (ko) * | 1999-02-05 | 2000-09-25 | 가네꼬 히사시 | 고융점금속질화막 및 고융점금속실리사이드막을 이용한배선을 갖는 반도체장치 및 그 제조방법 |
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