KR930005179A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 Download PDF

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KR930005179A
KR930005179A KR1019910014535A KR910014535A KR930005179A KR 930005179 A KR930005179 A KR 930005179A KR 1019910014535 A KR1019910014535 A KR 1019910014535A KR 910014535 A KR910014535 A KR 910014535A KR 930005179 A KR930005179 A KR 930005179A
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KR
South Korea
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manufacturing
semiconductor device
film
semiconductor substrate
insulating film
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KR1019910014535A
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박선후
이형규
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 종래 블랭킷 텅스텐 공정순서를 나타낸 단면도,
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의한 블랭킷 텅스텐 공정순서를 나타낸 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체기판상에 형성된 절연막의 소정영역에 콘택홀이 형성되어 있는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 콘택홀내부 및 절연막상에 부착층(Adhesion layer)을 형성하는 공정과, 상기 부착층상에 CVD 턴스텐막을 증착하는 공정 및, 상기 CVD 턴스텐막을 에치백하되 에치가스가 반도체기판상에 입사되는 각도를 다단계 변화시켜 경사에치하는 공정이 구비된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 부착층은 TiN막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 CVD 텅스텐막을 경사에치하는 공정은 상기 반도체기판의 수평각도를 조절하면서 회전시켜 행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910014535A 1991-08-22 1991-08-22 반도체장치의 제조방법 KR930005179A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100443935B1 (ko) * 2001-07-31 2004-08-09 씨엔이티 주식회사 인조피혁 제조장치

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