KR970018231A - 금속배선 제조방법 - Google Patents
금속배선 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970018231A KR970018231A KR1019950029213A KR19950029213A KR970018231A KR 970018231 A KR970018231 A KR 970018231A KR 1019950029213 A KR1019950029213 A KR 1019950029213A KR 19950029213 A KR19950029213 A KR 19950029213A KR 970018231 A KR970018231 A KR 970018231A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- wiring
- diffusion barrier
- metal layer
- barrier layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 배선용 금속층 하부에 위치하는 확산장벽층의 응착력을 증대시켜 금속배선의 단락을 방지하고, 스텝커버리지 특성을 개선하기 위한 금속배선 제조방법에 관한 것으로, 반도체 소자 제조공정중 배선용 금속물질이 하부의 기판으로 확산하는 것을 방지하기 위한 확산장벽층, 상기 확산장벽층 상부에 형성되는 배선용 금속층을 포함하는 금속배선 제조방법에 있어서, 확산장벽층을 형성하는 제1단계, 상기 확산장벽층 상부에 실리사이드 금속층을 형성하는 제2단계; 및 상기 실리사이드 금속층 상부에 배선용 금속층을 형성한 후 리플로우하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속배선 형성후의 단면도.
Claims (6)
- 반도체 소자 제조공정중 배선용 금속물질이 하부의 기판으로 확산하는 것은 방지하기 위한 확산장벽층, 상기 확산장벽층 상부에 형성되는 배선용 금속층을 포함하는 금속배선 제조방법에 있어서, 확산장벽층을 형성하는 제1단계; 상기 확산장벽층 상부에 실리사이드 금속층을 형성하는 제2단계; 및 상기 실리사이드 금속층 상부에 배선용 금속층을 형성한 후 리플로우하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 배선용 금속층은 알루미늄층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 스텝커버리지 특성 개선을 위한 금속배선 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 실리사이드 금속층은 복합 타겟을 사용한 스퍼터링 증착법으로 형성되는 티타늄실리사이드(TiSi,)층인 것을 특징으로 하는 금속배선 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 티타늄실리사이드층은 50 내지 300Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속배선 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 알루미늄층은 300℃미만의 상온(room temperature)에서 증착되는 것을 특징으로 하는 금속배선 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 알루미늄층을 3000 내지 6000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속배선 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029213A KR970018231A (ko) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 금속배선 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029213A KR970018231A (ko) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 금속배선 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018231A true KR970018231A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66596452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950029213A KR970018231A (ko) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 금속배선 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018231A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458086B1 (ko) * | 2002-09-24 | 2004-11-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택 형성 방법 및 그를 이용한 피모스소자의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-09-06 KR KR1019950029213A patent/KR970018231A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458086B1 (ko) * | 2002-09-24 | 2004-11-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택 형성 방법 및 그를 이용한 피모스소자의 제조 방법 |
| US6949467B2 (en) | 2002-09-24 | 2005-09-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Forming method of contact in semiconductor device and manufacturing method of PMOS device using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0148325B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR940018699A (ko) | TiSi_2/TiN 피복 상호 연결 기술 | |
| KR970018231A (ko) | 금속배선 제조방법 | |
| US5798300A (en) | Method for forming conductors in integrated circuits | |
| KR970003513A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR100560289B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR100187677B1 (ko) | 반도체 소자의 확산방지층 형성방법 | |
| JPH10135150A (ja) | ワークピースの処理方法 | |
| KR0156126B1 (ko) | 반도체장치의 콘택형성방법 | |
| KR970018230A (ko) | 금속배선의 장벽금속 형성 방법 | |
| JPH05129226A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR970052243A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 | |
| KR970072318A (ko) | 반도체 장치의 배선 형성방법 | |
| KR950021135A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
| KR950009930A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| JPH0487328A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR960005797A (ko) | 반도체소자 배선 형성방법 | |
| KR960032644A (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| KR970008491A (ko) | 반도체장치의 다층배선 형성방법 | |
| KR0150185B1 (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성방법 | |
| KR940001277A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR950021425A (ko) | 다층 금속배선 형성방법 | |
| KR960002683A (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| KR960002911A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 제조방법 | |
| KR970052935A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |