KR950025777A - 반도체메모리장치 - Google Patents
반도체메모리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950025777A KR950025777A KR1019950002638A KR19950002638A KR950025777A KR 950025777 A KR950025777 A KR 950025777A KR 1019950002638 A KR1019950002638 A KR 1019950002638A KR 19950002638 A KR19950002638 A KR 19950002638A KR 950025777 A KR950025777 A KR 950025777A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- memory cell
- memory device
- semiconductor memory
- memory
- data read
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/221—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements using ferroelectric capacitors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/14—Dummy cell management; Sense reference voltage generators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
본 발명은 메모리셀커패시터를 가진 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 장수명화를 도모한 반도체 메모리장치를 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 복수개의 메모리셀(1)과, 이 메모리셀(1)로부터 판독한 데이터를 반전해서 메모리셀에 재기록하는 반전재기록수단(5)과, 메모리셀로부터 판독한 데이터를 재기록할 때에 반전했는지 어떤지를 기억해두는 판정용데이터기억수단(4)과, 메모리셀(1)로부터 판독한 데이터를 반전해서 출력하는지, 반전하는 일없이 출력하는지를 판정용 데이터기억수단(4)으로부터의 출력에 의해서 판정하는 판정수단(5)으로 이루어진 것을 특징으로 한 반도체 메모리장치이며 이들의 수단에 의해, 데이터“1”이 기록된 메모리 셀커패시터의 용량절연막에 걸리는 스트레스가 저감되고, 장수명령화를 실현할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 메모리장치에 있어서의 일태양의 회로블록도,
제2도는 그 회로 구성도.
Claims (4)
- 복수개의 메모리셀과, 상기 메모리셀로부터 판독한 데이터를 반전해서 상기 메로리셀에 재기록하는 반전재기록수단과, 상기 메모리셀로부터 판독한 데이터를 재기록할때에 반전했는지, 어떤지를 기억해 두는 판정용 데이터기억수단과, 상기 메모리셀로부터 판독한 데이터를 반전해서 출력하는지, 반전하는 일없이 출력하는지를 상기 데이터기억수단으로부터의 출력에 의해서 판정하는 판정수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 메모리셀이, 메모리셀커패시터와 트랜지스터로 이루어지고, 상기 판정용 데이터기억수단이, 상기 메모리셀과 동일한 구조의 더미메모리셀로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
- 제2항에 있어서, 상기 메모리셀커패시터가, 강유전체커패시터인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수개의 메모리셀이, 동시에 활성화되는 메모리셀의 블록으로 나누어지고 상기 블록에 적어도 1개의 상기 판정용 데이터기억수단이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체메모리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01826994A JP3191550B2 (ja) | 1994-02-15 | 1994-02-15 | 半導体メモリ装置 |
JP94-18269 | 1994-02-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950025777A true KR950025777A (ko) | 1995-09-18 |
Family
ID=11966943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950002638A KR950025777A (ko) | 1994-02-15 | 1995-02-14 | 반도체메모리장치 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5546342A (ko) |
EP (1) | EP0667621B1 (ko) |
JP (1) | JP3191550B2 (ko) |
KR (1) | KR950025777A (ko) |
CN (1) | CN1117192A (ko) |
DE (1) | DE69430944D1 (ko) |
TW (1) | TW293906B (ko) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5764561A (en) * | 1995-11-16 | 1998-06-09 | Rohm Co., Ltd. | Ferroelectric memory devices and method of using ferroelectric capacitors |
KR100396124B1 (ko) * | 1996-02-28 | 2004-01-31 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 반도체장치 |
US6330178B1 (en) | 1996-02-28 | 2001-12-11 | Hitachi, Ltd. | Ferroelectric memory device |
JPH09288891A (ja) * | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Matsushita Electron Corp | 半導体メモリ装置 |
JP3933736B2 (ja) * | 1996-12-09 | 2007-06-20 | ローム株式会社 | 強誘電体コンデンサを備えた半導体装置 |
JP3731130B2 (ja) * | 1997-06-05 | 2006-01-05 | 松下電器産業株式会社 | 強誘電体メモリ装置及びその駆動方法 |
JP4030076B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2008-01-09 | ローム株式会社 | 処理機能付記憶装置 |
JPH11120797A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-30 | Toshiba Microelectronics Corp | 強誘電体メモリ及びそのスクリーニング方法 |
US6545902B2 (en) | 1998-08-28 | 2003-04-08 | Hitachi, Ltd. | Ferroelectric memory device |
GB2346462B (en) * | 1999-02-05 | 2003-11-26 | Gec Marconi Comm Ltd | Memories |
TWI344625B (en) | 2005-03-08 | 2011-07-01 | Epson Imaging Devices Corp | Driving circuit of display device, driving circuit of electro-optical device, and electronic apparatus |
JP2008135136A (ja) | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Fujitsu Ltd | 強誘電体メモリおよび強誘電体メモリの動作方法 |
US9361965B2 (en) * | 2013-10-11 | 2016-06-07 | Texas Instruments Incorporated | Circuit and method for imprint reduction in FRAM memories |
US9721639B1 (en) | 2016-06-21 | 2017-08-01 | Micron Technology, Inc. | Memory cell imprint avoidance |
KR20230069128A (ko) * | 2020-09-22 | 2023-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 구동 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3768071A (en) * | 1972-01-24 | 1973-10-23 | Ibm | Compensation for defective storage positions |
US4045779A (en) * | 1976-03-15 | 1977-08-30 | Xerox Corporation | Self-correcting memory circuit |
US4337522A (en) * | 1980-04-29 | 1982-06-29 | Rca Corporation | Memory circuit with means for compensating for inversion of stored data |
JPS6148192A (ja) * | 1984-08-11 | 1986-03-08 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
US4873664A (en) * | 1987-02-12 | 1989-10-10 | Ramtron Corporation | Self restoring ferroelectric memory |
US5267204A (en) * | 1991-10-18 | 1993-11-30 | Texas Instruments Incorporated | Method and circuitry for masking data in a memory device |
-
1994
- 1994-02-15 JP JP01826994A patent/JP3191550B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-22 CN CN94116280A patent/CN1117192A/zh active Pending
- 1994-10-13 US US08/322,543 patent/US5546342A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-22 TW TW083109811A patent/TW293906B/zh active
- 1994-11-07 EP EP94117508A patent/EP0667621B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-07 DE DE69430944T patent/DE69430944D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-02-14 KR KR1019950002638A patent/KR950025777A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69430944D1 (de) | 2002-08-14 |
JP3191550B2 (ja) | 2001-07-23 |
CN1117192A (zh) | 1996-02-21 |
JPH07226086A (ja) | 1995-08-22 |
US5546342A (en) | 1996-08-13 |
EP0667621A3 (en) | 1996-02-07 |
TW293906B (ko) | 1996-12-21 |
EP0667621A2 (en) | 1995-08-16 |
EP0667621B1 (en) | 2002-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950025777A (ko) | 반도체메모리장치 | |
KR950015396A (ko) | 반도체 불휘발성 기억장치 | |
KR930022372A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR920001851A (ko) | 프로그램가능 논리장치의 전력 감소회로 | |
KR930020467A (ko) | 불휘발성 반도체 기억장치 | |
KR910003677A (ko) | 프로그래머블 반도체 메모리 장치 | |
KR880003328A (ko) | 반도체 메모리장치 | |
KR910015999A (ko) | 반도체 메모리장치 | |
KR860003551A (ko) | 기 억 회 로 | |
KR970017613A (ko) | 강유전성 반도체 메모리 및 그 억세스 방법 | |
KR870010549A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR920017115A (ko) | 반도체기억장치 | |
KR900013621A (ko) | 반도체장치 | |
KR920010624A (ko) | 반도체기억장치 | |
KR870002589A (ko) | 센스증폭기와 프로그래밍회로 각각에 독립으로 칼럼 트랜스퍼 게이트 트랜지스터 그롤을 갖게한 반도체 기억장치 | |
KR910005463A (ko) | 정보를 일시적으로 유지할 수 있는 불휘발성 메모리 셀을 포함하는 집적회로 | |
KR910014813A (ko) | 반도체메모리시스템 | |
KR910006994A (ko) | 센스 앰프회로 | |
KR920022301A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR860004349A (ko) | 시이퀀스 제어기의 프로세스 입출력장치 | |
KR960042732A (ko) | 반도체 메모리 셀 | |
KR970051327A (ko) | 데이타 기억 영역의 속성 데이타를 기억하는 속성 데이타 영역과 데이타 기억 영역을 갖는 비휘발성메모리 | |
KR950015394A (ko) | 스태틱 랜덤 억세스 메모리 | |
KR950020705A (ko) | 반도체 메모리 | |
KR870007511A (ko) | 데이타 판독회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |