KR950025777A - 반도체메모리장치 - Google Patents

반도체메모리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950025777A
KR950025777A KR1019950002638A KR19950002638A KR950025777A KR 950025777 A KR950025777 A KR 950025777A KR 1019950002638 A KR1019950002638 A KR 1019950002638A KR 19950002638 A KR19950002638 A KR 19950002638A KR 950025777 A KR950025777 A KR 950025777A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
memory cell
memory device
semiconductor memory
memory
data read
Prior art date
Application number
KR1019950002638A
Other languages
English (en)
Inventor
죠지 나카네
토시오 무쿠노키
노부유키 모리와키
타쯔미 스미
히로시게 히라노
테쯔지 나카쿠마
Original Assignee
모리시타 요이찌
미쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모리시타 요이찌, 미쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 filed Critical 모리시타 요이찌
Publication of KR950025777A publication Critical patent/KR950025777A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1006Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/22Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
    • G11C11/221Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements using ferroelectric capacitors
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/14Dummy cell management; Sense reference voltage generators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 메모리셀커패시터를 가진 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 장수명화를 도모한 반도체 메모리장치를 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 복수개의 메모리셀(1)과, 이 메모리셀(1)로부터 판독한 데이터를 반전해서 메모리셀에 재기록하는 반전재기록수단(5)과, 메모리셀로부터 판독한 데이터를 재기록할 때에 반전했는지 어떤지를 기억해두는 판정용데이터기억수단(4)과, 메모리셀(1)로부터 판독한 데이터를 반전해서 출력하는지, 반전하는 일없이 출력하는지를 판정용 데이터기억수단(4)으로부터의 출력에 의해서 판정하는 판정수단(5)으로 이루어진 것을 특징으로 한 반도체 메모리장치이며 이들의 수단에 의해, 데이터“1”이 기록된 메모리 셀커패시터의 용량절연막에 걸리는 스트레스가 저감되고, 장수명령화를 실현할 수 있다.

Description

반도체메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 메모리장치에 있어서의 일태양의 회로블록도,
제2도는 그 회로 구성도.

Claims (4)

  1. 복수개의 메모리셀과, 상기 메모리셀로부터 판독한 데이터를 반전해서 상기 메로리셀에 재기록하는 반전재기록수단과, 상기 메모리셀로부터 판독한 데이터를 재기록할때에 반전했는지, 어떤지를 기억해 두는 판정용 데이터기억수단과, 상기 메모리셀로부터 판독한 데이터를 반전해서 출력하는지, 반전하는 일없이 출력하는지를 상기 데이터기억수단으로부터의 출력에 의해서 판정하는 판정수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀이, 메모리셀커패시터와 트랜지스터로 이루어지고, 상기 판정용 데이터기억수단이, 상기 메모리셀과 동일한 구조의 더미메모리셀로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 메모리셀커패시터가, 강유전체커패시터인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수개의 메모리셀이, 동시에 활성화되는 메모리셀의 블록으로 나누어지고 상기 블록에 적어도 1개의 상기 판정용 데이터기억수단이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950002638A 1994-02-15 1995-02-14 반도체메모리장치 KR950025777A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP01826994A JP3191550B2 (ja) 1994-02-15 1994-02-15 半導体メモリ装置
JP94-18269 1994-02-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950025777A true KR950025777A (ko) 1995-09-18

Family

ID=11966943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950002638A KR950025777A (ko) 1994-02-15 1995-02-14 반도체메모리장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5546342A (ko)
EP (1) EP0667621B1 (ko)
JP (1) JP3191550B2 (ko)
KR (1) KR950025777A (ko)
CN (1) CN1117192A (ko)
DE (1) DE69430944D1 (ko)
TW (1) TW293906B (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5764561A (en) * 1995-11-16 1998-06-09 Rohm Co., Ltd. Ferroelectric memory devices and method of using ferroelectric capacitors
KR100396124B1 (ko) * 1996-02-28 2004-01-31 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 반도체장치
US6330178B1 (en) 1996-02-28 2001-12-11 Hitachi, Ltd. Ferroelectric memory device
JPH09288891A (ja) * 1996-04-19 1997-11-04 Matsushita Electron Corp 半導体メモリ装置
JP3933736B2 (ja) * 1996-12-09 2007-06-20 ローム株式会社 強誘電体コンデンサを備えた半導体装置
JP3731130B2 (ja) * 1997-06-05 2006-01-05 松下電器産業株式会社 強誘電体メモリ装置及びその駆動方法
JP4030076B2 (ja) * 1997-07-18 2008-01-09 ローム株式会社 処理機能付記憶装置
JPH11120797A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Toshiba Microelectronics Corp 強誘電体メモリ及びそのスクリーニング方法
US6545902B2 (en) 1998-08-28 2003-04-08 Hitachi, Ltd. Ferroelectric memory device
GB2346462B (en) * 1999-02-05 2003-11-26 Gec Marconi Comm Ltd Memories
TWI344625B (en) 2005-03-08 2011-07-01 Epson Imaging Devices Corp Driving circuit of display device, driving circuit of electro-optical device, and electronic apparatus
JP2008135136A (ja) 2006-11-29 2008-06-12 Fujitsu Ltd 強誘電体メモリおよび強誘電体メモリの動作方法
US9361965B2 (en) * 2013-10-11 2016-06-07 Texas Instruments Incorporated Circuit and method for imprint reduction in FRAM memories
US9721639B1 (en) 2016-06-21 2017-08-01 Micron Technology, Inc. Memory cell imprint avoidance
KR20230069128A (ko) * 2020-09-22 2023-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 구동 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3768071A (en) * 1972-01-24 1973-10-23 Ibm Compensation for defective storage positions
US4045779A (en) * 1976-03-15 1977-08-30 Xerox Corporation Self-correcting memory circuit
US4337522A (en) * 1980-04-29 1982-06-29 Rca Corporation Memory circuit with means for compensating for inversion of stored data
JPS6148192A (ja) * 1984-08-11 1986-03-08 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4873664A (en) * 1987-02-12 1989-10-10 Ramtron Corporation Self restoring ferroelectric memory
US5267204A (en) * 1991-10-18 1993-11-30 Texas Instruments Incorporated Method and circuitry for masking data in a memory device

Also Published As

Publication number Publication date
DE69430944D1 (de) 2002-08-14
JP3191550B2 (ja) 2001-07-23
CN1117192A (zh) 1996-02-21
JPH07226086A (ja) 1995-08-22
US5546342A (en) 1996-08-13
EP0667621A3 (en) 1996-02-07
TW293906B (ko) 1996-12-21
EP0667621A2 (en) 1995-08-16
EP0667621B1 (en) 2002-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950025777A (ko) 반도체메모리장치
KR950015396A (ko) 반도체 불휘발성 기억장치
KR930022372A (ko) 반도체 기억장치
KR920001851A (ko) 프로그램가능 논리장치의 전력 감소회로
KR930020467A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR910003677A (ko) 프로그래머블 반도체 메모리 장치
KR880003328A (ko) 반도체 메모리장치
KR910015999A (ko) 반도체 메모리장치
KR860003551A (ko) 기 억 회 로
KR970017613A (ko) 강유전성 반도체 메모리 및 그 억세스 방법
KR870010549A (ko) 반도체 기억장치
KR920017115A (ko) 반도체기억장치
KR900013621A (ko) 반도체장치
KR920010624A (ko) 반도체기억장치
KR870002589A (ko) 센스증폭기와 프로그래밍회로 각각에 독립으로 칼럼 트랜스퍼 게이트 트랜지스터 그롤을 갖게한 반도체 기억장치
KR910005463A (ko) 정보를 일시적으로 유지할 수 있는 불휘발성 메모리 셀을 포함하는 집적회로
KR910014813A (ko) 반도체메모리시스템
KR910006994A (ko) 센스 앰프회로
KR920022301A (ko) 반도체 기억장치
KR860004349A (ko) 시이퀀스 제어기의 프로세스 입출력장치
KR960042732A (ko) 반도체 메모리 셀
KR970051327A (ko) 데이타 기억 영역의 속성 데이타를 기억하는 속성 데이타 영역과 데이타 기억 영역을 갖는 비휘발성메모리
KR950015394A (ko) 스태틱 랜덤 억세스 메모리
KR950020705A (ko) 반도체 메모리
KR870007511A (ko) 데이타 판독회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application