KR950002576B1 - 방전소자 및 그의 응용장치 - Google Patents

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내용 없음.

Description

방전소자 및 그의 응용장치

제1도는, 본 발명의 방전소자의 일부를 절단한 사시도.

제2도는, 제1도의 확대단면도.

제3a도, 제3b도, 제3c도, 제4a도, 제4b도, 제4c도 및 제4d도는 본 발명에 의한 제1도 및 제2도에 나타낸 방전소자의 제조법의 설명도.

제5도 내지 제10도는, 본 발명에 의한 방전소자를 가스반응처리장치에 이용한 경우의 실시예의 단면도.

제11도 내지 제15도는, 본 발명에 의한 제1도 및 제2도와는 다른 방전소자 및 방전장치의 실시예의 확대단면도.

제16도 내지 제18도는, 본 발명에 의한 방전소자를 하전, 제전장치등에 응용한 경우의 구성 설명도.

제19도는, 본 발명에 의한 방전소자의 표면 평활화의 설명도.

제20도는 종래의 제2도에 상당하는 부분의 확대단면도.

제21도는, 또다른 종래예의 제2도에 상당하는 부분의 확대단면도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 세라믹 절연체(얇은판) 2,2a,2b : 도체 급전선

2a-4a-A,2a-4a-B : 소자 3 : 면상태의 전극

4,4a,4b : 선상태의 전극(피막전극)

2-4,2-4-1,2a-4a,2b-4b : 복합선조전극(선전극)

5 : 보호절연체층 6 : 전계

7 : 영역 8 : 접지

9,9-1,9-2,10 : 마스킹재 11,12 : 폭

14 : 냉각실 15 : 냉매체

16 : 방전실 17 : 입구

18 : 출구 19,20,21,27 : 스페이서

22 : 연통구멍 25 : 교류고압전원

26 : 화살표 28 : 설정부재

29 : 미소변위 30 : 간극

31 : 부착대 32 : 부착구

31a : 지지점 33 : 가력부재

34 : 아래로 향한 힘 35 : 장력방향

36 : 전위설정전원 37 : 대향전극, 집진전극

38,39,47a,48a : 화살표 40 : 집진먼지층, 도착도료층

41,43 : 공간 47,48 : 반사이클

51 : 세라믹 절연체 52 : 선상태의 전극

53 : 면상태의 전극 55 : 고주파 전원

52b : 부착물 56 : 전원

52a : 주변 둘레부 59 : 그레이딩층

본 발명은, 분말체의 하전·제전, 전자복사기에 적용된 광전도성 절연막의 하전·제전, 플라스틱의 표면처리, 산소로부터의 오존생성등의 목적에 사용되는 방전소자에 관한 것이다.

또한 이 방전소자와 이것을 구동하는 전원을 조립시켜서 이루어진 방전장치 및 보조전극·전원·대상물의 핸드링장치 등을 상기 방전장치와 조립시켜서 이루어진 방전처리장치 등에 관한 것이다.

이러한 종류의 목적에 사용되는 종래의 방전소자는 세라믹 절연체의 표면에 금속을 주성분으로 하는 도전성 선조전극을, 또는 그 내부에 면(面)상태의 전극을 마련하고 있었기 때문에, 이들 양전극간에 고주파 고전압을 인가하여 이 세라믹 절연체의 표면에 고주파 무성연면방전(無聲沿面放電)을 발생시킬때에, 그 선조전극이 소모하여 불규칙하게 변형하고, 또한 그 일부가 용해하여 세라믹 절연체의 표면에 비산하여 부착하여, 전계에 혼란을 일으켜, 이온원으로서의 능률이 저하된다.

이는, 또한, 전극의 응용이외에 전극의 표면이 산화되어, 생성하는 산화물의 응점이 낮다거나, 산화물이 벗겨져 떨어지기 쉬운 성질을 가지고 있다는 것에 유래하는 경우도 있다.

이 문제를 방지하기 위하여, 선조전극의 표면, 및 세라믹 절연체의 표면을, 용융한 유리질로 피복한 이른바 그레이딩(Grading)법이 있으나, 그것이 얇으면 장기간의 사용에 견디지 못하고, 너무 두꺼우면 그레이딩층의 절연성에 의하여 충분한 이온의 발생이 곤란하게 되어 그레이딩을 하지 않은 경우에 비교하여 보다 높은 전압을 인가하지 않으면 안되게 되어 있다.

또한, 그레이딩층의 응점은 그다지 높지 않기 때문에 방전에 따라 그레이딩층으로부터 미세한 입자가 발생하고, 방전소자를 가스처리에 이용한 경우에 생성하는 처리가스가 이 입자에 오염되어, 처리가스의 적용대상의 품질에 중대한 영향을 미치는 경우가 있다.

특히 이는, 그레이딩을 실시한 종래기술에 의한 방전소자로, 효소를 주원료로 하여 오존을 생성하고 이것을 반도체 제품의 제조에 사용하는 경우, 통상, 방전소자의 세라믹 절연체로서 알루미나를 사용하는 경우에 불가피적으로 그레이딩제에 함유시키는 붕소에 의하여 생성오존함유 가스가 오염되어 이것이 반도체 제품의품질에 중대한 악영향을 미치게 하는 경우가 있다.

또한, 종래의 기술에서는, 절연체로서 92% 이상의 알루미나로 대표되는 화인 세라믹스를 사용하고, 이것과 일체적으로 표면의 도전성 선조전극과, 또는 그 내부에 면상태의 전극을 형성하기 위하여, 그린시이트((Green Sheet)의 단계에서 양전극을 후막(厚膜)기술 등에 의하여 인쇄하고, 이것을 압접한 후 수소분위기중에서 장시간 고온 소성하여 메탈라이즈(Metalize)한다는 후막 다층 프린트 세라믹기판에서 주지의 제법이 적용되고 있다.

이와같이 하여 제조된 방전소자는, 절연체로서 사용되는 알루미나화인 세라믹스와 전극재료의 상온으로부터 1500℃부근까지의 극히 넓은 온도범위에 있어서의 열팽창을 일치시키기 위하여, 전극재료로서 텅스텐을 주재료로 하는 페이스트 이외의 것은 사용할 수 없다.

그렇기 때문에, 텅스텐은 고온에서는 비교적 산화에 약하기 때문에, 방전소자가 사용되는 대부분의 경우에 분위기중에 함유되는 산소에 의하여 전극이 소모하고 장시간에 걸쳐 안정된 성능유지의 점에서 문제가 발생한다.

또한, 상술한 후막 다층 프린트 세라믹기판에서 주지의 방전소자 제법등에 있어서는, 전극재료로서 반도체 세라믹을 사용하는 취지의 기술이 보이나, 반도체는 문자 그대로 전기저항이 높기 때문에, 기존의 제발명에 있어서의 전극구조에서 재료만을 반도체로 교체하여도 전극에 있어서의 발열이나 전극저항의 전압강하에 의하여 공급전부로부터 떨어진 전극부위에 있어서의 인가전압의 저하 등의 이유에 의하여 효율이 저하하여, 실용에 제공할 수 있는 전계장치를 얻을 수 없다.

더우기, 이들 제법은, 제조설비가 고가이고, 제조에 요하는 시간이 길기 때문에, 제조원가가 비싸진다고 하는 중대한 결점을 가지고 있다.

본 발명은, 상기한 종래의 방전소자의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 극 양전극간에 고주파 고전압을 인가할때에, 선상태의 전극이 소모하여 불규칙하게 변형하거나, 국부적으로 비산하여 그것이 세라믹 절연체의 표면에 부착하거나 하지 못하게 하는 것을 목적으로 하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은, 이 선상태의 전극의 표면에 피막을 형성하여 방전소자의 내구성능을 향상시키더라도 인가전압을 높이지 않아도 되도록 하는데에 있다.

본 발명의 또다른 목적은, 방전소자의 제조법을 간이화하여 제조코스트를 싸게 하고, 사용목적에 따라 이용할 수 있는 재료의 범위를 넓게하여, 방전소자의 적용범위를 넓게하는 것이다.

본 발명은 세라믹, 유리, 결정화유리, 법랑등의 절연체(이하, 이것들을 "세라믹 절연체"라 총칭한다)를 개재하여 도전성의 선상태의 전극과 면상태의 전극을 마련하여, 이 선상태의 전극을 도체 급전선을 내장한 고융점 반도체 선상태의 전극으로 한 방전소자 및 이것을 대량으로, 또한 싼값으로 제조하는 방법에 관한 것이다.

또한, 이 방전소자와 이것을 구동하는 전원과를 조립하여 이루어지는 방전소자 및 이 방전소자를 각종의 주변장치, 보조전극, 전위설정전원, 대상물의 핸드링장치등과 조립시킴으로써 얻어지는 방전처리장치 등도 본 발명에 포함된다.

세라믹 절연체를 개재하여 높은 도전성을 가진 평면상태의 전극과, 급전선을 내장하고 표면이 고융점 반도체로써 형성된 선상태의 전극과의 사이에 교류고압전원을 접속하여 고전압교류를 인가하면, 이들 전극간의 선상태의 전극쪽의 세라믹 절연체표면에 선상태의 전극을 중심으로 하여 교류무성연면방전이 발생하고 이 방전영역으로부터 대량의 단극성의 이온을 인출하여, 분말체나 막 등의 물품의 하전을 고능률로 실시하든지, 대량의 단극성이온을 정부(正負) 교대로 인출하여 물품의 제전을 실시하거나, 이 방전영역에서 들품을 처리하여 표면이나 분말체의 개질을 실시하거나, 이 방전영역에 있어서의 가스반응에 의하여 화학반응-예를들면 산소의 오존화-을 실시하든가 하는 것이다.

이런 경우에 있어서, 선상태의 전극은 고주파 무성연면방전의 중심으로 되어, 강한 전계에 의한 이온이나 전자의 충돌을 받게되지만, 그의 표면에 형성되어 있는 피막전극은, 타나니야, 크로미야, 실리콘 카바이드, 지르코니야, 세리야 혹은 이것들을 주재료로 하는 혼합물 또는 화합물등의 고융점 반도체이기 때문에 화학적으로 매우 안정하고, 내구력도 뛰어나기 때문에 소모되는 일이 없다.

동시에, 선상태의 전극표면의 피막전극은 1 내지 300μm정도의 두께이기 때문에 그 표면은 상기한 각종 반도체의 전기전도도에서도 내부의 도체 급전선-통상 알루미늄, 니켈, 스텐레스강, 니크롬 등 싼값의 금속이 사용된다. -과 확실히 같은 전위로 되기 때문에, 매우 긴 선상태의 전극이라도, 하나의 급전점으로부터 용이하게 전체에 전기를 공급할 수 있다.

더우기, 이들 고융점 반도체는, 그것만으로서는 견고하지 못하고 부착하기 어렵다는 특징이 있는 반면에, 일반적으로 부서지기 쉽다는 결점이 있으나, 그의 내부의 급전선으로서 사용되고 있는 금속과의 복합화에 의하여 전체로서의 기계적 특성은 홈이 잘 나지 않고, 또한 잘 부서지지 않는다는 극히 뛰어난 성질을 가지게 할 수 있고, 조립이나 보수때의 전극의 취급도 극히 용이하다는 실용적인 특징을 가지게 되었다.

본 발명의 바람직한 실시예를, 첨부된 도면에 따라 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.

제1도 및 제2도에 나타낸 바와 같이, 얇은 판형상의 세라믹 절연체(1), 예를들면 고순도 알루미나기판의 표면에, 알루미늄, 알루미늄합금, 니켈, 니크롬, 스테인레스강등의 도전성 금속을 마스킹을 사용하여 용사(溶射)하여 세라믹 절연체(1)에 부착한 도체 급전선(2)을 복수본평행으로 형성하고, 그의 바깥측에 티타니야, 크로미야, 실리콘 카바이드, 지르코니야, 세리야 등, 혹은 이들을 주재료로 하는 혼합물 또는 화합물인 고융점 반도체 선상태의 전극(4)을 용사등의 방법에 의하여 형성하여 복합선조전극(2-4)으로 한다.

다음에, 얇은 판상태의 세라믹 절연체(1)의 상기 도전성 선상태의 전극의 뒤쪽에 도전성 면상태의 전극(3)을 용사등의 방법에 의하여 형성한다.

또한, 이 면상태의 전극(3)의 보호절연체층(5)을 필요에 따라 설치하는 경우도 있다.

이것을 방전장치로서 사용할때에는, 제2도에 나타낸 바와 같이, 상기 급전선(2), 즉 복합선조전극(2-4)과 면상태의 전극(3)과의 사이에 교류고압전원(25)을 접속하고, 피막전극(4)의 표면과 면상태의 전극(3)과의 사이에 교류고전압을 인가하여 전계(6)(전기력선으로 나타내고 있음)를 발생시켜, 이것에 의하여 피막전극(4)과 절연체(1)의 표면부근의 점선에 의하여 둘러싸인 영역(7)에 교류무성연면방전을 일으켜, 이 영역에 플라스틱을 존재시켜 표면개질을 행하든지, 이것으로부터 이온을 인출하여 하전이나 제전에 이용하든지, 이영역에서 일어나는 방전화학반응에 의하여 산소로부터 오존을 생성시키거나, 다양한 공업적 이용이 가능하다.

그때의 방전전류는 피막전극(4)의 표면과 절연체(1)의 표면과의 사이에서 방전에 의하여 흐르고, 이 피막전극(4)의 표면에는, 전류가 급전선(2)의 표면의 전체길이에서, 고융점 반도체 피막전극(4)의 두께를 통해 공급된다.

또한 급전선(2)은 복수본 평행하게 설치하여 사용되는 일이 많고, 그 경우에는 도면에는 나타내지 않은 연결선에 의하여 같은 전위로 되도록 되어 있다.

그러나, 복합선조전극(2-4)이 단선으로 사용되는 경우도 있으나, 이것도 본 발명에 포함된다.

본 발명에 의한 방전소자는 이상의 실시예에 한정되는 것이 아니고, 다음에 기술하는 여러종류의 변형도 가능하다.

세라믹 절연체의 재질은 알루미나, 지르코니야 등의 화인세라믹스·유리·결정화·유리·법랑등의 절연성이 뛰어난 넓은 의미의 세라믹스재료의 얇은 판으로 된 것을 사용목적에 따라 선정사용할 수 있고, 그 형상은 펑판·원통형상이 통상 사용되고 있으나, 특수한 사용목적의 경우에는 그것이외의 곡면판형상의 절연물세라믹을 사용할 수도 있다.

면상태의 전극은 절연물 세라믹의 얇은 판에 밀접하고 있어 정전기 공학적으로 면으로 인정되는 형상을 하고 있으면 좋으며, 따라서 그물눈형상 내지는 도전성 선상태의 전극에 대응한 스트라이프전극이 사용되는 경우도 있다.

제조방법으로서는 얇은 판의 절연물 세라믹의 뒤쪽에 금속을 용사하는 이외에, 후막기술에 의하여 도전성 페이스트를 구어도 좋고, 또는 도전성 도료를 도포하여 제작하여도 좋다.

면상태의 전극의 뒤쪽의 보호절연체층은 면상태의 전극형성후에, 별도의 재질, 예를 들면 실리콘수지 등으로 피복하여도 좋고, 용사에 의하여 세라믹 절연체을 형성하여도 좋으나, 이들 방법은 냉간공정이기 때문에, 후막기술 다층 세라믹 메탈라이즈기판 제조법에 의한 일체적 전극형성법과는 달리, 세라믹과 전극재료의 열팽창율의 차이를 문제로 하지 않고 고속도로 싼값으로 면상태의 전극 및 보호절연체층을 형성할 수 있다.

그러나 면상태의 전극(3) 및 보호절연체층(5)은 세라믹 절연체(1)와 다층 세라믹 메탈라이즈기판 제조법에 의하여 일체적으로 제조하여도 좋다.

본 발명에 의한 방전소자의 급전선(2)의 작성법은, 상기와 같은 용사에 의한 방법이 냉간가공법이기 때문에, 가공속도가 빠르다는 것과, 열팽창율등의 점에 관하여도 재료선택의 유연성이 커서 통상의 금속재료이면 거의 무엇이든 적용가능하다는 것과, 코스트가 싸다는 것등, 미리 가공하지 않아도 즉시 다음의 고융점 반도체 피막전극의 형성에 적합한 표면조도가 얻어지는 등의 많은 점에 있어서 매우 뛰어난 특징을 가지고 있으나, 이외에도 필요에 따라 통상의 세라믹 프린트기판의 제조에 적용되는 후막기술, CVD, PVD 등의 가공법을 적용할 수도 있다.

고융점 반도체 피막전극(4)의 작성법에 관하여도, 이 경우에는 특히 재료의 응점이 높기 때문도 있어, 용사법이 우수한 수단이지만, 그 외에 후막기술 등에 의한 세라믹 코팅, PVD, CVD 등의 방법을 적용할 수도 있다.

급전선(2) 및 고융점 반도체 피막전극(4)의 형성에 있어서도, 전극의 형상 칫수를 규정하는데는 통상 마스킹법이 적용된다. 제3a도에 있어서 세라믹 절연체(1)의 표면에 도전성 급전선(2)을 형성할 폭(12)를 떼어 마스킹재(9)를 배치하고 상기와 같은 용사 등의 방법에 의해, 급전선(2)을 형성하고, 다음에 제3b도와 같이, 마스킹재(10)를 폭[(11)+(12)+(11)]만큼을 떼어 배치하고, 상기와 같이 용사등의 방법에 의하여 고융점 반도체 피막전극(4)을 형성하면, 제3c도에 단면형상을 나타낸 바와 같이 본 발명에 의한 도체 급전선(2)을 내장한 고융점 반도체 복합선상태의 전극(2-4-1)이 완성한다.

이와같이 하여 제작한 전극은, 방전의 중심이 되는 끝단부가 중앙부에 비교하여 얇기 때문에 끝단부의 폭(11)을 균일하고 정확하게 마무리하는 것이 소자의 성능과 내구력 향상을 위하여 필요할때가 있고, 그때문에 고안된 마스킹재 및 그것을 이용한, 끝단부도 중심부도 균일한 두께를 가진 복합선상 전극의 제조방법을 나타낸 것이 제4도이다.

제4도에 있어서 마스킹재는 고융점 반도체 피막전극을 형성할 [(11)+(12)+(11)]의 폭을 가진 마스킹재(9-1)의 안측의 양쪽에 급전선(2)과 고융점 반도체 피막전극(4)의 폭의 차의 반의폭(11)을 가진 안측 마스킹재(9-2)를 배설하여 이루어지고 이것을 우선 제4a도에 나타낸 바와 같이 세라믹 절연체(1)의 표면에 설치시켜, 상기와 같이 용사등의 방법에 의하여 급전선(2)을 형성한다.

다음에 안측 마스킹재(9-2)를 제거하면 급전선(2)의 양측에 균일한 폭의 세라믹 절연체의 노출면이 확실하게 형성된다.

이를 향하여 고융점 반도체 피막전극을 상기한 바와 같이 용사등의 방법에 의하여 형성하면 제3도(3-3)에 나타낸 바와 같은 단면형상의 복합전극을 형성할 수 있으나, 제4d도와 같은 단면을 가진 고성능 복합전극을 작성하려면, 안측전극(9-2)을 제거한후에, 제4b도에 나타낸 바와 같이 이미 형성된 급전선(2)상에 거의 같은 폭의 마스킹재(9-3)를 접속배치하여, 마스킹재(9-1)와 이미 형성되어 있는 급전선(2)과의 사이에 같은 두께로 고융점 반도체 피막(4-1)을 형성하고, 다음에 제4c도에 나타낸 바와 같은 마스킹재(9-3)을 제거하여 [(11)+(12)+(11)]의 폭에, 고융점 반도체 피막(4-2)을 형성하여 이미 형성되어 있는 피막(4-1)과 일체화하고, 제4d도에 나타낸 바와 같이, 전체로서 끝단부도 중앙부도 동일한 두께를 가진 고성능 고내구성능 전극을 공업적으로 제조할 수 있다.

통상 전극의 칫수는 제4c도에 있어서 [(11)+(12)+(11)]가 0.5 내지 1.5mm, (11)의 폭이 0.1 내지 0.25mm, 전극의 두께가 전체로서 0.02 내지 0.2mm정도이고, 다수의 전극을 병렬로 구성하여 사용하는 경우가 많기 때문에, 제4도, 제3도에서 상세하게 설명한 복합전극을 고속·싼값으로 제조하는 방법·장치는 산업상 매우 높은 의의가 있는 것이다.

이상의 실시예에 있어서는, 본 발명에 의한 방전소자를 제작하는 경우, 모든 세라믹 절연체의 얇은 판으로부터 출발하는 방법에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이것에만 한정되는 것은 아니고, 면상태의 전극으로서 금속판, 금속원통 등 기계적 강도가 우수한 부재를 사용하고, 그 위에, 용사, 법랑, 세라믹코팅 등의 방법으로 세라믹 절연체를 제작하고, 그 위에 복합선조전극을 만드는 것에 의하는 등, 본 발명의 기본이념을 기초로 하여 여러가지의 변형응용도 가능하다.

본 발명에 의한 방전소자에 교류고압전류를 접속한, 예를들면 제2도와 같은 본 발명에 의한 방전장치에 있어서는, 운전전력의 일부는 필히 열에너지로 되기 때문에 무엇인가의 방열수단이 필요하게 된다.

장치가 소형인 경우에는, 제2도에 나타낸 바와 같이 방전소자 전체로부터의 자연방열로서 좋으나, 대용량의 장치에서는 통상 방열수단을 면상태의 전극(3)의 옆에 설치한다.

방열수단은, 제2도에 있어서 면상태의 전극(3)의 옆에 보호절연체층(5)을 개재하여 설치하여도 좋으나, 제5도와 같이 면상태의 전극자체를 방열장치로 하는 방법도 있고, 또한 제6도와 같이, 면상태의 전극측에 냉각실(14)을 설치하여, 냉매체(15)에 의하여 방열을 실시할 수도 있다. 냉매체로서는 기체, 액체의 어느것을 사용하여도 좋다.

본 발명에 의한 방전장치에 있어서는, 교류고압전원을 접속한 면상태의 전극(3)과 복합선조전극(2-4)은 필요에 따라 제2도, 제5도와 같이, 면상태의 전극(3)을 접지(8)로 하여도 좋고, 이것은 통상 오존의 발생등에 사용되나, 플라스틱 피막의 표면개량과 같이 복합선조전극(2-4)측에 사람이나 물품이 스치기 쉬운 상황의 경우에는 제6도에 나타낸 바와 같은 복합선조전극(2-4)측에 접지(8)를 마련할 수도 있다.

본 발명에 의한 방전장치를 분위기 탈취등에 적용하는 경우에는, 운전중의 방전소자를 감전등의 대책을 한 다음에, 처리를 필요로 하는 장소에 설치하는 것만으로 좋으나, 오존의 제조등의 목적에 사용하는 경우에는, 제7도에 나타낸 바와 같이, 세라믹 절연체의 복합선조전극(2-4)측의 면에 입구(17) 출구(18)를 가진 방전실(16)을 설치하여 처리한 가스만을 분리 포집하도록 한 가스방전처리장치로 하는 것이 좋다.

또한 (14)는 냉각실이다.

제8도에 나타낸 것은, 방전실(16), 냉각실(14)을 구성하기 위하여 절연체(1)를 이용하여 다층구조로 한 본 발명의 실시예이고, 필요에 따라 측벽의 스페이서(20), 방전실의 스페이서(19)가 적용된다.

이 경우, 본 발명에 의한 방전소자의 기계적 강도를 면상태의 전극(3)에 의하여 갖게 하는 경우에는, 이것을 주체로 하여 방전실(16), 냉각실(14)을 교대로 구성할 수도 있고, 이것도 본 발명의 실시예에 포함된다.

또한, 방전실의 스페이서(19)는 강도상 필요한 경우에 필요한 개소만에 설치하여도 좋다.

제8도에서는 전원과 연결선의 도시는 생략하고 있다.

제9도에 나타낸 것은 방전소자가 원통형인 경우의 방전실(16), 냉각실(14)을 구성하기 위한 실시예 1예를 도시한 것으로서, 스페이서(21)는 냉매체의 유속을 적정치로 하기 위하여 사용된다.

또한 이 예의 변형으로서, 복합선조전극(2-4)을 원통절연체(1)의 안쪽에, 면상태의 전극(3)을 원통절연체(1)의 바깥측에 설치하여 본 발명을 실시할 수도 있고, 이 경우에는, 냉각은 냉각실을 설치하는 방법이외에 냉각팬에 의한 공냉 또는 이것과 동등한 방법을 써서 장치의 간단화를 꾀할 수 있다.

본 발명에 의한 방전소자가 원통형 혹은 이것에 가까운 형상을 하고 있어, 이것에 의하여 가스방전처리장치를 구성하는 경우는 처리가스나 냉매체를 방전소자에 대하여 접선방향 성분을 가진 방향으로 도입하고, 필요에 따라 배출도 이것에 준하는 것이 장치의 효율향상을 위하여 유리한 경우가 있고, 이와같은 수단의 적용도 본 발명의 실시에 포함된다.

제10도에 나타낸 것은 본 발명에 의한 가스방전처리장치의 다른 실시예로서, 절연체(l)에는, 복합선조전극(2-4)측으로부터 뒷면에 연이어 통하는 원통구멍(22)이 필요한 개소에 마련되어 있고, 처리가스는 입구(17)으로부터 들어가 각 전극에 분배되고 처리가 끝난 가스는 연통구멍(22)을 개재하여 집합되어 출구(18)에서 배출된다.

이와같이 함으로써, 가스의 처리조건을 정밀하게 제어하는 것이 가능하게 된다.

제11도에 나타낸 것은, 본 발명에 의한 방전소자 및 이것을 이용한 방전처리장치의 또다른 1예로써, 제12도는, 제11a도에 있어서의 C-C 단면도를 주로 하여 나타낸 것이다.

제11도 및 제12도에 있어서, 복합선조전극(2a-4a)은 내부의 급전선(2a)과 이것을 피복하는 고융점 반도체 피막전극(4a)으로 구성되어, 이것이 세라믹 절연체의 얇은 판(1)의 표면에 간극(30)을 개재하여 배설되어 있다.

면상태의 전극(3), 보호절연체층(5), 전원(25), 배선등에 관하여서는 제1도 내지 제10도의 실시예와 같다.

이 실시예에 나타낸 방전소자에 있어서는 급전선(2a)에 금속선등을 사용함으로써 복합선전극(2a-4a)의 지름을 가늘게하는 것이 용이하기 때문에 방전개시전압을 낮게 잡을 수 있고, 넓은 범위의 전압에 있어서 안정된 방전을 얻을 수 있어, 예를들면 오존발생장치에 적용한 경우에는, 전압에 의하여 오존발생량을 안정 또는 광범위에 걸쳐 조정할 수 있다.

또한, 복합선전극(2a-4a)의 길이방향에 걸친 방전의 강도의 균일성이 양호하다.

또한 제11a도, 제12a도에 나타낸 본 발명의 실시예에 있어서는, 제12도의 화살표(26)에 나타낸 바와 가팅 선전극(2a-4a)과 절연체의 얇은 판(1)의 표면과의 간극(30)을 조절함으로써 전원(25)의 전압이 일정하더라도 방전의 강도를 넓은 범위에 걸쳐 조절할 수 있다.

또한 간극(30)을 없게 하여, 즉 선전극(2a-4a)을 절연체의 얇은 판(1)의 표면에 맞닿아 접한 상태에서도, 전압의 조정에 의하여 넓은 범위의 방전의 강도의 조절이 용이하다.

또한, 이 실시예에 나타낸 본 발명에 의한 방전소자는 간극(30)이 없어지는 경우에도, 선전극(2a-4a)의 절연체의 얇은 판(1)의 표면에 대한 전기적 결합이 약하기 때문에, 예를들면 오존의 발생에 사용하는 경우에 처리가스의 온도가 높아져도 방전개시전압의 상승이 현저하지 못하다는 큰 특징을 가지고 있다.

또한 제11a도에 있어서의 급전선(2a) 대신에 제11b도, 제12b도에 단면도를 나타낸 바와 같이 도전성의 얇은 판 내지는 칼날형 급전선(2b)을 사용하여 그것의 첨단부에 고융점 반도체 피막전극(4b)을 형성하여 복합얇은 칼날전극(2b-4b)을 구성하고, 이것에 의하여 제11a도 및 제12a도의 실시예와 같이 방전소자를 형성하여도 좋고, 이 경우에 복합 얇은 칼날전극(2b-4b)은 기계적 강도를 크게 잡을 수 있고 간극(30)의 조정이나 소자 전체의 조립이 용이하게 된다는 큰 잇점이 있고, 이것도 본 발명의 중요한 실시예의 하나이다.

이하, 제11a도 및 제12a도에 나타낸 복합선조전극(2a-4a) 및 제11b도 및 제12b도에 나타낸 복합 얇은 킬날전극(2b-4b)을 "선전극"이라 총칭한다.

제13도에 나타낸 것은, 복합선전극(2a-4a)과 세라믹 절연체의 얇은 판(1)의 표면과의 간극(30)을 조절하는 다른 구조를 나타낸 것으로서, 얇은 판(1)은 부착대(3l)에 고정하여 힘을 가하여도 변형을 일으키지 않도록 하고, 복합선전극(2a-4a)과 얇은 판(1)과의 사이에 스페이서(27)를 개재시켜 이 상태에서는 간극(30)이 균일하게 되도록 하여, 약한 균일한 방전이 일어날 정도의 전압을 전원(25)에 의하여 양 전극간에 인가하고, 이것에 의하여 방전을 강하게 하고자 할 경우에는, 복합선전극(2a-4a)에 설정부재(28)에 의하여 미소변위(29)를 가하여 간극(30))을 연속적으로 변화시켜, 방전의 강도를 연속적으로 넓은 범위에 걸쳐 조절한다.

제14도, 제15도에 나타낸 것은, 본 발명에 의한 복합선전극(2a-4a)을 절연체의 얇은 판(1)의 표면에 밀접시켜 이루어진 본 발명의 다른 실시예이다.

또한, 제15도는 제14도의 B-B 단면도이다.

이 실시예는, 복합선전극(2a-4a)이 가느다란 경우에는, 이것과 절연체의 얇은 판(1)의 표면과의 상호관계를 전극의 전체 길이에 걸쳐서 일정하게 유지하는 것이 곤란하여지기 때문에, 이 문제를 해결하기 위한 것이다.

제14도, 제15도에 있어서, 복합선전극(2a-4a)은, 그의 길이방향으로 장력(35)이 가해진 상태에서, 부착구(32)에 의하여 그의 양끝단부에 있어서 절연체의 얇은 판(1)의 표면에 밀접되어 있다.

이 상태에서 방전소자 전체는 고정 칼날형 지지점(31a)에 의하여 아래로부터 지지되는 동시에, 복합선전극(2a-4a)의 양끝단의 가력(加力)부재(33)에 의하여 아래로 향한 힘(34)이 가해지기 때문에 제15도에 있어서, 방전소자 전체가 약간 위로 볼록하게 완곡하고, 복합선전극(2a-4a)이 전체 길이에 걸쳐 절연체의 얇은 판(1)의 표면에 균일하게 밀접하도록 되어, 균일한 방전을 현실화할 수 있다.

또한, 제11도 내지 제15도의 실시예에서 설명한 실시의 태양은 도시한 것에만 한정되는 것이 아니고, 여러가지의 변형이 가능하고, 예를들면 절연체의 얇은 판(1)은 평판에만 한정되는 것은 아니고, 제9도에 나타낸 것같이 두께가 얇은 원통형상의 절연체의 안쪽에 면상태의 전극(3)을 설치하고, 바같쪽에 복합선전극을 다연(多連)평행링형상으로 설치하여도 좋고, 또한, 나선형상으로 감아 설치하여도 좋고, 또한 원통형상의 절연체가 가느다란 경우에는, 원통과 평행하게 복합선전극을 설치하고, 원통형상의 절연체를 약간 완곡시킴으로서, 복합선전극과의 밀접을 현실화하는 등, 본 발명에 기초하여, 여러가지의 구체적인 실시가 가능하게 된다.

또한, 원통형 절연체인 경우에 면상태의 전극을 원통의 외면측에 설치하고, 복합선전극은 원통의 안쪽면에 설치할 수도 있고, 그 경우에 원통형 절연체와 밀접하게 되는데에 복합선전극 자체의 탄력성을 이용할 수도 있다.

제16도에 나타낸 것은, 상기에서 상세하게 설명한 방전소자를 이온발생장치, 하전장치, 제건장치 등에 이용하기 위하여, 시스템에 관한 발명의 기본적 구성을 나타낸 것이다.

제16도에 있어서 사용된 방전소자는, 제11도 내지는 제15도에 있어서 설명한 형태의 것을 나타내고 있으나, 제1도 내지 제6도에 나타낸 형태의 방전소자를 이용할 수도 있다.

단, 원칙적으로는, 제11도 내지는 제15도의 형태의 쪽이 공기중에서 운전한 경우, 낮은 전압으로 대량의 이온을 발생시킬 수 있고, 오존의 발생이 적기 때문에, 이온발생, 하전, 제전등에는 그 형태가 사용되는 일이 많다.

이와는 반대로, 제1도 내지는 제6도에 나타낸 형태의 방전소자는, 원칙적으로는 오존발생등의 방전화학반응에 적합한 특성을 가지고 있다.

제16도에 있어서 방전소자의 복합선전극(2a-4a)측의 표면에는 교류전원(25)에 의하여 발생하는 불평등 교류전계에 의하여 전원 주파수와 일정한 관계를 가진 교류무성연면방전이 발생하고 정부의 이온 및 전자로 이루어진 플라즈머가 주기적으로 발생하고 있다.

그래서, 예를들면 방전소자와 접지(8)와의 사이에 전위설정전원(36)을 설치하고, 다시 방전소자에 대향하여 접지한 대향전극(37)을 설치하면, 전위설정전원(36)의 극성과전압에 의하여 방전소자와 대향전극과의 사이에 전계가 발생하고, 그것에 의하여 상기 플라즈머등으로부터 특정 극성의 이온이 인출되어 대향전극(37)으로 향한 공간(43)을 통하여 비행한다.

예를들면, 전위설정전원(36)에 부(-)의 직류전원을 사용하면 음이온이 방전소자로부터 인출되고, 양이면 양, 교류이면 음양의 이온이 공간(43)을 향하여 교대로 인출된다.

단, 이 경우에 원칙으로서는, 전원(36)의 주파수는 전원(25)의 수파수보다 낮은것이 필요하다.

이와같이 하여 제16도에 나타낸 본 발명에 의한 장치는 이온발생장치로서, 전원(25)을 조정함으로써 넓은범위에 걸쳐 이온발생량을 조정할 수 있고, 이것과는 독립하여 이온이 존재하는 공간의 전계강도와 이온의 극성을 자유로이 선택할 수 있다는 현저한 특징을 가지며, 또한 제1도 내지 제15도에 의하여 상세하게 설명한 많은 특징에 의하여, 실용장치로서의 긴 수명과 넓은 운전범위를 확보하는 것이 가능하게 된 것이다.

이 제16도에 나타낸 이온발생장치는 전위설정전원(36)에 소정의 극성의 직류전원을 사용하여, 공간(43)을 (38),(39)와 같이 빠른 기류에서 분말체나 입자체를 통과시키면, 이들을 소망하는 극성으로 하전할 수 있어, 하전장치로서 사용할 수 있게 된다.

또한 동일하게 하여, 전위설정전원(36)에 교류를 적용하고 물품을 화살표(38),(39)와 같이 통과시키는 경우는, 교대로 다량의 음양의 이온이 없어지므로 인하여, 고성능 제전장치로서 사용할 수 있게 된다.

또한, 공간(43)에 서서히 고체나 액체의 입자를 통과시킨 경우에는 하전과 클롱의 힘의 양쪽의 작용을 생기게 하여, 고성능 전기집진장치 내지는 정전도장장치로서 이용할 수 있게 된다.

이 경우에, (37)은 집진전극 내지는 피도장물이고, (40)은 집진먼지층 내지는 도착도료층을 나타내는 것이다.

또한, 대향전극(37)이 전자복사기의 도전성 베이스이고, (40)이 그 위에 형성되어 있는 고저항광 반도체층인 경우등에는, 반도체층의 하전장치, 전사용 하전장치, 제전장치로서, 전자복사기의 고속화, 계조(階調)의 유연화·써비스 사이클의 장기화 등의 뚜렷한 잇점을 본 발명에 의하여 얻을 수 있다.

전자복사기의 도전성 베이스(37) 및 고저항 반도체층(40)은 통상, 화살표(38),(39)의 방향으로 평행이동한다.

또한 이들은, 평면에 한정되는 것은 아니고 필요에 따라서 원통 또는 기타의 형상의 것을 사용한다.

미립자의 존재를 전제로 한 하전장치로서의 본 발명의 응용은, 본 발명에 의한 이온발생장치가 복합선전극(2a-4a)과 (3)과의 사이에서 형성되는 불평등 전계의 입자반발작용에 의하여, 본질적으로 전극으로의 입자의 집합부착이 방지된다는 뚜렷한 특징을 가지는 것이다.

그 효과는 제1도 내지 제17도에 나타낸 모든 본 발명의 큰 특징이고, 제20도, 제21도에 나타낸 재래의 장치에서도 이들의 특징이 주장되고 있으나, 원리적으로는 어떠하든지간에, 실용공업장치에 있어서는 본 발명에 의한 복합선조전극 및 복합선전극에 의한 소자수명의 획기적인 향상에 의하여 처음으로 그 특징이 생겼다고 할 수 있다.

제17도에 나타낸 것은, 통과하는 물품을 양쪽으로부터 대칭으로 하전 또는 제전할 수 있는 장치의 실시예에 대하여 나타낸 것이다.

제17도에 있어서 전원(25A),(36A),(25B),(36B)를 제18도에 나타낸 바와 같은 시간적 관계를 유지하면서 동작시키면, 반사이클(47)에 있어서는 소자(2a-4a-A)로부터 화살표(47a)의 방향으로 이온이 인출되어, 반사이클(48)에 있어서는 소자(2a-4a-B)로부터 화살표(48a)의 방향으로 이온이 인출되어 어느 반사이클에 있어서도 인출되는 이온의 극성은 양으로 되고, 화살표(38),(39)의 사이에 공간(41)를 통과하는 물품을 양쪽으로부터 같은 극성의 이온으로 하전할 수 있고, 또한 양쪽의 소자의 평균전위는 항상 0으로 되기 때문에, 물품이 클롱의 힘에 의하여 어느 한쪽의 소자로 가까이 끌어당겨지는 일이 없고, 특히 고저항 물품의 하전에 뚜렷한 고성능을 발휘한다.

하전의 극성을 음으로 하였을때에는 (36A)와 (25A) 및 (36B)와 (25B)의 상대관계를 반사이클만큼 어긋나게 하면 좋다.

또한 (25A), (25B)를 항상 동작시키면, 양쪽의 방전소자보다 반사이클마다 음양의 이온이 교대로 인출되기 때문에, 강력한 제전장치로서 사용할 수도 있다.

제19도에 나타낸 것은, 본 발명에 의한 방전소자의 절연물 표면의 오염방지에 관한 실시예에 대하여 나타낸 것이다.

본 발명에 의한 방전소자의 절연물의 표면은 원칙으로 평활한 쪽이 가스중의 먼지등의 부착이 적기 때문에 필요에 따라 연마레이저등에 의한 용융등의 평활화처리를 행하는 경우가 있고, 그 외에도 유약을 칠하는 처리, 그레이딩 처리등을 적용하여도 좋다.

제19a도, 제19b도와 같이 절연물 표면전체에 평활화처리를 한후에, 선전극( 2a-4a), 선상전극(2-4)을 마련하는 경우와, 제19c도와 같이 선상전극(2-4)이 없는 부분만에 평활화처리를 실시하는 경우가 있으며 어느것이나 본 발명의 중요한 실시예이다.

이상 설명에 있어서 제1도 내지 제10도에 나타낸 복합선전극(2-4)과 제11a도 및 제11b도 내지 제17도에 나타낸 복합선전극(2a-4a),(2b-4b)의 양쪽을 총칭하는 경우에는, 선상태의 전극이라고 청하기로 한다.

본 발명은 상기와 같은 것으로서, 도체 급전선의 표면에 고융점의 세라믹 반도체의 전극을 형성하여 복합반도체 선상 전극으로 하였기 때문에, 그의 전극표면으로부터 면상태의 전극을 향하여 방전을 행하였을때에, 이 피막전극이 고온으로 되더라도, 그것이 고융점 세라믹 반도체이기 때문에, 이온충돌등에 의한 고열로 소모되는 일이 뚜렷하게 적어지고 또한 녹아서 세라믹 절연체의 표면에 비산 부착하는 일도 없기 때문에 상기 방전에 혼란이 없고 전면에 걸쳐 균일하게 방전이 행하여진다.

또한 피막전극은 고융점 세라믹 반도체이기 때문에 그 표면의 전위는 급전선·선전극의 그것과 동일하고, 상기 방전에 필요한 전압을 특별히 높일 필요가 없고, 방전으로부터 이온을 인출하는 것이 용이하여, 여러가지의 용융 시스템이 가능하게 된다.

또한, 상기와 같이 피막전극이 세라믹 반도체라도 그 내부가 도체 급전선이기 때문에, 상기 피막의 표면으로부터 면상태의 전극으로 향하여 발생하는 방전에 필요한 전류는 교류고압전류의 급전점으로부터 충분히 공급할 수 있게 된다.

이에 대하여 종래의 것은 제20도에 나타낸 바와 같이 세라믹 절연체(51)의 표면에 금속의 선상태의 전극(52)를 설치하고, 그 내부에 면상태의 전극(53)을 매설하고 있었기 때문에 양전극(52),(53) 사이에 고주파전원(55)에 의한 방전을 발생시킬때에, 상기 선상태의 전극(52)이 고열로 소모하여 용융물이 세라믹 절연체(51)의 표면에 비산하여 부착물(52b)을 형성하고, 상기 전계에 혼란을 일으켜 비교적 단기간에 성능을 저하시킨다는 중대한 결점이 있다.

또한 이 선상태의 전극(52)의 비산은, 주로 그 주변둘레부(52a)로부터 일어나고, 그 부분의 곡률이 커져서 전계가 약해져 방전이 일어나기가 어렵게 되고, 그 원인으로부터도 성능의 저하가 일어나고, 이들의 원인이 상승적으로 작용하여 공업적인 실시에 큰 지장으로 되어 있다.

이들의 문제를 해결하기 위하여 제21도에 나타낸 바와 같이 표면에 유약 내지 그레이딩층(59)를 마련하는 대책이 제안되어 있으나, 그레이딩 처리에 있어서 그레이딩재의 용융에 의하여 전극주변둘레부(52a)의 곡률이 커져서 방전이 일어나기 어렵게 되고, 동시에 주변둘레부 그레이딩층내에는 기포가 발생하기 쉽기 때문에, 이 기포부분으로부터 비교적 단기간의 운전으로 그레이딩층이 소멸하여 내부의 선상태의 전극(52)이 노출하고, 그후 성능의 저하가 급속하게 진행된다는 문제도 있다.

또한, 고주파 전원(55)에 의하여 고주파 연면방전을 일으켜 놓고, 전원(56)의 작용에 의하여 소자 표면으로부터 이온을 인출하여 이용하는 경우에, 그레이딩재는 통상 절연물이기 때문에, 인출한 이온과 역극성의 전하가 표면에 축적하여 연속적인 이온의 인출이 곤란하게 된다는 증대한 결점이 있다.

또한 선상태의 전극(52)을 세라믹등의 반도체로 바꿔놓아도 전극의 발열, 전극의 길이방향에 있어서의 전극인가전압의 저하 등의 이유에 의하여 실제사용가능한 장치는 얻을 수 없게 된다.

Claims (28)

1. 세라믹 절연체(1)를 개재하여, 면상태의 전극(3)과 도체 급전선(2),(2a),(2b)을 내장한 고융점 선상태의 전극(4), (4a),(4b)과를 설치한 것을 특징으로 하는 방전소자.
2. 제1항에 있어서, 세라믹 절연체(1)가 얇은 평판, 얇은 원통, 또는 소정의 형상의 얇은 판으로서, 그의 어느 한쪽면에 면상태의 전극(3)을 마련하고, 다른 면에는 급전선(2),(2a),(2b)을 내장한 고융점 반도체 선상태의 전극(4),(4a),(4b)을 마련하는 것을 특징으로 하는 방전소자.
3. 제1항에 있어서, 세라믹 절연체(1)가 얇은 평판, 얇은 원통 또는 소정의 형상의 얇은 판이고, 그의 어느 한쪽면에 면상태의 전극(3)을 마련하고, 다른면에 고융점 반도체 선조전극(2-4),(2-4-1),(2a-4a), (2b-4b)을 마련한 것을 특징으로 하는 방전소자.
4. 제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서, 급전선(2),(2a),(2b)을 내장한 고융점 반도체 선상태의 전극(4),(4a),(4b)이 티타니야, 크로미야, 실리콘 카바이드, 지르코니야, 세리야 등의 고융점 반도체, 혹은 이들을 주재료로 하는 혼합물 또는 화합물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방전소자.
5. 제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서, 고융점 반도체 선상태의 전극(4),(4a),(4b)이, 플라즈마용사에 의하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방전소자.
6. 제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서, 고융점 반도체 선상태의 전극(4),(4a),(4b)이 세라믹 코팅, CVD, PVD 등의 가공법을 적용하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방전소자.
7. 제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서, 고융점 반도체 선상태의 전극(4),(4a),(4b)이, 후막기술에 의한 도전성 페이스트의 구워붙임에 의하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방전소자.
8. 제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서, 급전선(2),(2a),(2b)을 내장한 고융점 반도체 선상태의 전극(4),(4a),(4b)이 가는 선상태로 형성되어, 그 가는 선상태의 전극표면의 세라믹 반도체층의 표면과 세라믹 절연층과의 사이에 거의 일정한 간격의 공간이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방전소자.
9. 제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서, 가는 선상태의 전극표면의 세라믹 반도체층의 표면이, 세라믹 절연체(1) 표면에 당접하여 있는 것을 특징으로 하는 방전소자.
10. 제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서, 가는 선상태의 전극표면의 세라믹 반도체등의 표면이, 세라믹 절연층 표면에 밀접하기 위한 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 방전소자.
11. 제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서, 가는 선상태의 전극표면의 세라믹 반도체층의 표면과, 세라믹 절연체층의 표면과의 간격을 조절 설정하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 방전소자.
12. 제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서, 세라믹 절연체(1)가 얇은 평판, 얇은 원통 또는 소정의 형상의 얇은 판으로써, 그의 어느 한쪽의 면에 마련한 면상태의 전극(3)을 절연물층으로 피복하고, 다른면에 고융점 반도체의 가는 선상태의 전극을 마련한 것을 특징으로 하는 방전소자.
13. 제12항에 있어서, 세라믹 절연체(1)가 얇은 평판, 얇은 원통, 또는 소정의 형상의 얇은 판으로써, 그의 어느 한쪽의 면에 마련된 면상태의 전극(3)을 세라믹 절연체(1)와 동일한 절연물질로 피복한 것을 특징으로 하는 방전소자.
14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 세라믹 절연체(1)가 얇은 평판, 얇은 원통, 또는 소정의 형상의 얇은 판으로써, 그의 어느 한쪽의 면에 마련된 면상태의 전극(3)을 절연물질로 피복하고, 다른면에 고융점 반도체 선상태의 전극(4)을 마련하고, 이들 두개의 면의 사이에 연통구멍(22)을 마련한 것을 특징으로 하는 방전소자.
15. 제1항 또는 제2항 또는 제3항 또는 제12항에 있어서, 세라믹 절연체(1)를 개재하여, 급전선(2)을 내장한 고융점 반도체 선상태의 전극(4)과, 면상태의 전극(3)과를 마련하여, 이 선상태의 전극(4)과 면상태의 전극(3)과의 사이에 교류고전압전원(25)을 접속하여, 무성연면방전을 일으키도록 한 것을 특징으로 하는 방전장치.
16. 제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서, 세라믹 절연체(1)를 개재하여 급전선(2)을 내장한 고융점 반도체 선상태의 전극(4)과 도전선의 면상태의 전극(3)을 마련하며 이 선상태의 전극(4)과 면상태의 전극(3)과의 사이에 교류고전압전원(25)을 접속하고, 또 이 면상태의 전극(3)에 방열수단을 마련한것을 특징으로 하는 방전장치.
17. 제12항 또는 제13항에 있어서, 세라믹 절연체(1)를 개재하여 급전선(2)을 내장한 고융점 반도체 선상태의 전극(4)과 도전성 면상태의 전극(3)과를 마련하고, 이 선상태의 전극(4)과 면상태의 전극(3)과의 사이에 교류고전압전원(25)을 접속하고, 면상태의 전극의 절연물 피복면에 방열수단을 마련한 것을 특징으로 하는 방전장치.
18. 제15항의 방전장치에 있어서, 급전선(2)을 내장하는 고융점 반도체 선상태의 전극(4)이 마련된 세라믹 절연체 표면에 방전실(16)을 마련하고, 이 방전실(16)에 처리가스배출구(18)를 마련한 것을 특징으로 하는 가스방전처리장치.
19. 제18항에 있어서, 방전실(16)이 방전소자 전체를 수납하고 있는 것을 특징으로 하는 가스방전처리장치.
20. 제14항에 있어서, 처리가스공급구(17)를 가진 방전실(16)이 도전성의 선상태의 전극(4)이 마련된 세라믹 절연체 표면측에 마련되어 면상태의 전극(3)측에 처리가스 포집구를 마련한 것을 특징으로 하는 가스방전처리장치.
21. 제18항에 있어서, 세라믹 절연체(1)가 얇은 원통체인 것을 특징으로 하는 가스방전처리장치.
22. 제18항에 있어서, 방전실(16)이 방전소자의 선상태의 전극면을 대향 분리 설치하고, 그 끝단면을 봉하여 막음으로써, 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스방전처리장치,
23. 제22항에 있어서, 방전실(16)을 구성하는 방전소자가 스페이서(19)를 개재하여 대향 분리 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 가스방전처리장치.
24. 제15항의 방전장치에 있어서, 이 선상태의 전극(4)의 전위설정 제어수단을 부가한 것을 특징으로 하는 이온발생장치.
25. 제24항에 있어서, 전위설정 제어수단이, 부근에 설치된 전위설정 제어수단을 가진 도전성 전극과 방전장치에 접속된 전위설정 제어수단인 것을 특징으로 하는 이온발생장치.
26. 제25항 기재의 이온발생장치에 있어서, 방전장치와 도전성 전극과의 사이에 하전할 물품을 송입 배출하는 수단을 부가한 것을 특징으로 하는 하전 또는 제전장치.
27. 제26항의 하전(또는 제전)장치에 있어서, 도전성 전극도 본 발명에 의한 이온발생전극으로써, 양쪽의 이온발생전극의 교류고전압전원(25)을 교대로 작동시켜, 작동중의 이온발생전극의 위치가 동작중이 아닌 다른 이온발생전극에 대하여 소정의 전위로 유지되도록 한 것을 특징으로 하는 하전장치.
28. 제27항의 제전장치에 있어서, 도전성 전극도 본 발명에 의한 이온발생전극으로써 양쪽의 이온발생전극의 교류고전압전원(25)을 동시에 동작시켜, 양쪽의 이온발생전극의 상대전위가 주기적으로 전환되도록 한것을 특징으로 하는 제전장치.

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