KR890006344A - 방전소자 및 그의 응용장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

방전소자 및 그의 응용장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는, 본 발명의 방전소자의 일부를 절단한 사시도.

제2도는, 제1도의 확대단면도.

제3A도,제3B도,제3C도 본 발명에 의한 제1도 및 제2도에 나타낸 방전소자의 제조법의 설명도.

Claims (28)

1. 세라믹 절연체를 개재하여, 면상태의 전극과 도체 급전선을 내장한 고응점 반도체 선상태의 전극과를 설치한 것을 특징으로 하는 방전소자.
2. 제1항에 있어서, 세라믹 절연체가 얇은 평판, 얇은원통 또는 소정의 형상의 얇은 판으로서, 그의 어느 한쪽면에 면상태의 전극을 마련하고, 다른 면에는 급전선을 내장한 고응점 반도체선 상태의 전극을 마련한 것을 특징으로 하는 방전소자.
3. 제1항에 있어서, 세라믹 절연체가 얇은 평판, 얇은 원통 또는 소정의 형상의 얇은 판이고, 그의 어느 한쪽면에 면상태의 전극을 마련하고, 다른면에 고응점 반도체 선조 전극을 마련한 것을 특징으로 하는 방전소자.
4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 1항에 있어서, 급전선을 내장한 고응점 반도체선 상태의 전극이 티타니야, 크로미야, 실리콘 카바이드, 지르코니야, 세리야 등의 고응점 반도체, 혹은 이들을 주재료로 하는 혼합물 또는 화합물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방전소자.
5. 제1항 내지 제4항 중의 어느 1항에 있어서, 고응점 반도체선 상태의 전극이, 플라즈마 용사에 의하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방전소자.
6. 제1항 내지 제4항중의 어느 1항에 있어서, 고응점 반도체선 상태의 전극이 세라믹코팅, CVD, PVD 등의 가공법을 적용하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방전소자.
7. 제1,3,4항중의 어느 1항에 있어서, 고응점 반도체선 상태의 전극이, 후막기술에 의한 도전성 페이스트의 구위붙임에 의하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방전소자.
8. 제1,2,4,5,6,항중의 어느 1항에 있어서, 급전선을 내장한 고응점 반도체서 상태의전극이, 가는선 상태로 형성되어, 그 가는선 상태의 전극 표면의 세라믹 반도체 층의 표면과 세라믹 절연층과의 사이에 거의 일정한 간격의 공간이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방전소자.
9. 제1,2,4,5,6항중의 어느1항에 있어서, 가는선 상태의 전극 표면의 세라믹 반도체층의 표면이, 세라믹 절연체 표면에 당접하여 있는 것을 특징으로 하는 방전소자.
10. 제1,2,4,5,6항중의 어느1항에 있어서, 가는선상태의 전극 표면의 세라믹 반도체 등의 표면이, 세라믹 절연층 표면에 밀접하기 위한 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 방전소자.
11. 제1,2,4,5,6,8,9,10항중의 어느 1항에 있어서, 가는선상태의 전극 표면의 세라믹 반도체층의 표면과, 세라믹 절연층의 표면과의 간격을 조절 설정하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 방전소자.
12. 제1 내지 제11항중의 어느 1항에 있어서, 세라믹 절연체가 얇은 평판, 얇은 원통 또는 소정의 형상의 얇은 판으로써, 그의 어느 한쪽의 면에 마련한 면상태의 전극을 절연물층으로 피복하고, 다른면에 고응점 반도체의 가는선 상태의 전극을 마련한 것을 특징으로 하는 방전소자.
13. 제12항에 있어서, 세라믹 절연체가 얇은 평판, 얇은 원총, 또는 소정의 형상의 얇은 판으로써, 그의 어느 한쪽의 면에 마련된 면 상태의 전극을 세라믹 절연체와 동일한 절연물질로 피복한 것을 특징으로 하는 방전소자.
14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 세라믹 절연체가 얇은 평판, 얇은 원통, 또는 소정의 형상의 얇은 판으로써, 그의 어느 한쪽의 면에 마련된 면 상태의 전극을 절연 물질로 피복하고, 다른면에 고응점 반도체선 상태의 전극을 마련하고, 이들 두개의 면의 사이에 연통구멍을 마련한 것을 특징으로 하는 방전소자.
15. 세라믹 절연체를 개재하여, 급전선을 내장한 공응점 반도체선 상태의 전극과, 면상태의 전극과를 마련하여, 이 선상태의 전극과 면상태의 전극과의 사이에 교류 고전압전원을 접속하여, 무성연 면방전을 일으키도록 한 것을 특징으로 하는 방전 장치.
16. 제15항에 있어서, 세라믹 절연체를 개재하여 급전선을 내장한 고응점 반도체선 상태의 전극과 도전선의 면상태의 전극을 마련하며 이 선상태의 전극과 면상태의 전극과의 사이에 교류 고전압전원을 접속하고, 또 이면상태의 전극에 방열 수단을 마련한 것을 특징으로 하는 방전장치.
17. 제15항에 있어서, 세라믹 절연체를 개재하여 급전선을 내장한 고응점 반도체선상태의 전극과 도전성 면상태의 전극과를 마련하고, 이 선상태의 전극과 면상태의 전극과의 사이에 교류 고전압전원을 접속하고, 면상태의 전극의 절연물 피복면에 방열수단을 마련한 것을 특징으로 하는 방전장치.
18. 제15항의 방전 장치에 있어서, 급전선을 내장하는 고응점 반도체선 상태의 전극이 마련된 세라믹 절연체 표면에 방전실을 마련하고, 이 방전실레 처리 가스 배출구를 마련한 것을 특징으로 하는 가스 방전 처리장치.
19. 제18항에 있어서, 방전실이 방전소자 전체를 수납하고 있는 것을 특징으로 하는 가스방전 처리장치.
20. 제18항에 있어서, 처리가스 공급구를 가진 방전실이 도전성의 선상태의 전극이 마련되 세라믹 절연체 표면측에 마련되어 면상태의 전극측에 처리가스 포집구를 마련한 것을 특징으로 하는 가스 방전 처리장치.
21. 제18항에 있어서, 세라믹 절연체가 얇은 원통체인 것을 특징으로 하는 가스방전 처리장치.
22. 제18항에 있어서, 방전실이 방전소자의 선상태의 전극면을 대향 분리설치하고, 그 끝단면을 봉하여 막음으로써, 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 방전 처리장치.
23. 제22항에 있어서, 방전실을 구성하는 방전소자가 스페이서를 개재하여 대향 뷰분리 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 가스방전 처리장치.
24. 제15항의 방전장치에 있어서, 이 선상태의 전극이 전위 설정 제어수단을 부가한 것을 특징으로 하는 이온 발생장치.
25. 제24항에 있어서, 전위 설정 제어수단이, 부근에 설치된 전위 설정 제어수단을 가진 도전성 전극과 방전장치에 접속된 전위 설정제어수단인 것을 특징으로 하는 이온 발생장치.
26. 제25항 기재의 이온 발생장치에 있어서, 방전장치와 도전성 전극과의 사이에 하전할 물품을 송입 배출하는 수단을 부가한 것을 특징으로 하는 하전 또는 제전장치.
27. 제26항의 하전(또는 제전장치)에 있어서, 도전성 전극도 본 발명에 의한 이온 발생 전극으로써, 양쪽의 이온 발생전극의 교류 고전압 전원을 교대로 작동시켜, 작동중의 이온 발생 전극의 위치가 동작중이 아닌 다른 이온 발생 전극에 대하여 소정의 전위로 유지되도록 한 것을 특징으로 하는 하전장치.
28. 제27항의 제전장치에 있어서, 도전성 전극도 본 발명에 의한 이온 발생 전극으로써 양쪽의 이온 발생 전극의 교류 고전압 전원을 동시에 동작시켜, 양쪽의 이온 발생 전극의 상대 전위가 주기적으로 전환되도록 한 것을 특징으로 하는 제전장치.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.