JPH1174099A - 自己クリーニングフォーカスリング - Google Patents
自己クリーニングフォーカスリングInfo
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- JPH1174099A JPH1174099A JP10159809A JP15980998A JPH1174099A JP H1174099 A JPH1174099 A JP H1174099A JP 10159809 A JP10159809 A JP 10159809A JP 15980998 A JP15980998 A JP 15980998A JP H1174099 A JPH1174099 A JP H1174099A
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応性ガスの濃度を基板表面全体に対して実
質的に均一に与え、基板に隣接する面への汚染物や残留
物の堆積物を低減する装置及び方法。 【解決手段】 一具体例では、本発明は、プラズマの中
で基板を処理するためのプロセスチャンバを備えてい
る。基板を支持するための支持体と、チャンバ内にプロ
セスガスを分散ないし散布させるためのガスディストリ
ビュータと、プロセスガスからプラズマを生成するため
のプラズマジェネレータとを備えている。自己クリーニ
ング複合体フォーカスリングが基板の周りにあり、これ
は、プラズマを基板の方へ向けるためのフォーカシング
面を有する誘電バリアと、誘電バリアの中にあって電気
を供給することによりプラズマを誘電バリアのフォーカ
シング面の方へと引き付ける導体部材とを備えている。
質的に均一に与え、基板に隣接する面への汚染物や残留
物の堆積物を低減する装置及び方法。 【解決手段】 一具体例では、本発明は、プラズマの中
で基板を処理するためのプロセスチャンバを備えてい
る。基板を支持するための支持体と、チャンバ内にプロ
セスガスを分散ないし散布させるためのガスディストリ
ビュータと、プロセスガスからプラズマを生成するため
のプラズマジェネレータとを備えている。自己クリーニ
ング複合体フォーカスリングが基板の周りにあり、これ
は、プラズマを基板の方へ向けるためのフォーカシング
面を有する誘電バリアと、誘電バリアの中にあって電気
を供給することによりプラズマを誘電バリアのフォーカ
シング面の方へと引き付ける導体部材とを備えている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
においてプラズマのフォーカシング(集中化)に有用な
フォーカスリングに関する。
においてプラズマのフォーカシング(集中化)に有用な
フォーカスリングに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体の製造では、エッチング済みの基
板や清浄な基板の上に、プロセスガスを用いて材料を堆
積する。このようなプロセスは通常、閉鎖的なプロセス
チャンバの中で行われるが、このようなチャンバはプロ
セスガス供給のためのガスディストリビュータを有して
いる。従来型のプロセスチャンバを用いる場合の問題点
の1つに、基板表面全体に対して反応性プロセスガス種
の散布又はその濃度を均一にすることができない点が挙
げられ、これは基板の周縁部において顕著である。反応
性プロセスガス種の分散がこのように不均一になれば、
処理速度が基板全体に対して不均一になりまた変動す
る。反応性種の分散の基板全体に対する均一性は、プロ
セスガスフロー閉じ込め構造体を用いてプロセスガスの
フローを基板に向けてやることにより高められる。例え
ば、プラズマ処理において、プラズマフォーカスリング
を基板の周囲に用いて、反応性プロセスガス種の分散な
いし散布を基板全体に対して更に高めた状態で維持する
ことが知られている。
板や清浄な基板の上に、プロセスガスを用いて材料を堆
積する。このようなプロセスは通常、閉鎖的なプロセス
チャンバの中で行われるが、このようなチャンバはプロ
セスガス供給のためのガスディストリビュータを有して
いる。従来型のプロセスチャンバを用いる場合の問題点
の1つに、基板表面全体に対して反応性プロセスガス種
の散布又はその濃度を均一にすることができない点が挙
げられ、これは基板の周縁部において顕著である。反応
性プロセスガス種の分散がこのように不均一になれば、
処理速度が基板全体に対して不均一になりまた変動す
る。反応性種の分散の基板全体に対する均一性は、プロ
セスガスフロー閉じ込め構造体を用いてプロセスガスの
フローを基板に向けてやることにより高められる。例え
ば、プラズマ処理において、プラズマフォーカスリング
を基板の周囲に用いて、反応性プロセスガス種の分散な
いし散布を基板全体に対して更に高めた状態で維持する
ことが知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来からのプラズマ及
びプロセスガスフォーカスリングは通常、プロセスガス
のフローやプラズマを基板表面に向けてやるための、基
板を包囲する壁を備えている。このフォーカスリングの
問題点の1つは、ポリマー汚染物やその他の副生成堆積
物がフォーカスリングの壁上(特に基板に面する内側の
壁上)に堆積することにより生じる。汚染粒子はまた、
チャンバの内壁その他のプロセス部材上にも堆積する。
このような汚染堆積物は、プロセスガスプラズマの中で
化学種が分解したり再結合したりして形成されるのであ
り、例えば、炭素、窒素や水素を有するポリマー材料等
である。このような堆積物は、剥がれ落ちて粒子とな
り、これが基板処理中や操作中に基板を汚染する。この
基板の汚染を処理中に非破壊的に検出することは困難で
あり、そして、この汚染は最終の処理段階においてのみ
発見されるので、基板全体が不良品となってしまう。こ
のため、フォーカスリングや、チャンバの内部や、その
他の処理部材を定期的にクリーニングする必要がある
が、これにより全体のプロセス効率が低くなってしま
う。また、このようなクリーニングプロセスの多くは、
NF3プラズマ等の腐食性ガスを用いて行われ、これは
処理部材を浸食しプロセスチャンバの寿命を短くする。
びプロセスガスフォーカスリングは通常、プロセスガス
のフローやプラズマを基板表面に向けてやるための、基
板を包囲する壁を備えている。このフォーカスリングの
問題点の1つは、ポリマー汚染物やその他の副生成堆積
物がフォーカスリングの壁上(特に基板に面する内側の
壁上)に堆積することにより生じる。汚染粒子はまた、
チャンバの内壁その他のプロセス部材上にも堆積する。
このような汚染堆積物は、プロセスガスプラズマの中で
化学種が分解したり再結合したりして形成されるのであ
り、例えば、炭素、窒素や水素を有するポリマー材料等
である。このような堆積物は、剥がれ落ちて粒子とな
り、これが基板処理中や操作中に基板を汚染する。この
基板の汚染を処理中に非破壊的に検出することは困難で
あり、そして、この汚染は最終の処理段階においてのみ
発見されるので、基板全体が不良品となってしまう。こ
のため、フォーカスリングや、チャンバの内部や、その
他の処理部材を定期的にクリーニングする必要がある
が、これにより全体のプロセス効率が低くなってしま
う。また、このようなクリーニングプロセスの多くは、
NF3プラズマ等の腐食性ガスを用いて行われ、これは
処理部材を浸食しプロセスチャンバの寿命を短くする。
【0004】粒子汚染を低減する別の解決策は、フォー
カスリングを基板の上方に上昇し、チャンバ内に不活性
ガスを流入して、この領域に蓄積した汚染粒子をフラッ
シングする最終処理ステップを有するものであり、例え
ば、米国特許第5,423,918号に開示されてい
る。しかし、フォーカスリングの昇降により機械的応力
が生じ、これがフォーカスリング上に形成された堆積物
を追いだし、チャンバ内に更なる汚染粒子を形成する。
また、フォーカスリングを昇降させるステップがあるこ
とにより、プロセス時間が増え、効率が更に低下する。
カスリングを基板の上方に上昇し、チャンバ内に不活性
ガスを流入して、この領域に蓄積した汚染粒子をフラッ
シングする最終処理ステップを有するものであり、例え
ば、米国特許第5,423,918号に開示されてい
る。しかし、フォーカスリングの昇降により機械的応力
が生じ、これがフォーカスリング上に形成された堆積物
を追いだし、チャンバ内に更なる汚染粒子を形成する。
また、フォーカスリングを昇降させるステップがあるこ
とにより、プロセス時間が増え、効率が更に低下する。
【0005】従って、反応性プロセスガスの濃度を基板
表面全体に対して(特に基板の周縁に対して)実質的に
均一に与えることが可能な処理装置に対する必要性が存
在する。また、チャンバ壁上及び処理部材の上への汚染
粒子堆積物の形成又は堆積を低減する方法に対する必要
性が存在する。
表面全体に対して(特に基板の周縁に対して)実質的に
均一に与えることが可能な処理装置に対する必要性が存
在する。また、チャンバ壁上及び処理部材の上への汚染
粒子堆積物の形成又は堆積を低減する方法に対する必要
性が存在する。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応性ガスの
濃度を基板表面全体に対して実質的に均一に与え、基板
に隣接する面への汚染物や残留物の堆積物を低減する装
置を提供する。一具体例では、本発明は、プラズマの中
で基板を処理するためのプロセスチャンバを備えてい
る。基板を支持するための支持体と、チャンバ内にプロ
セスガスを分散ないし散布させるためのガスディストリ
ビュータと、プロセスガスからプラズマを生成するため
のプラズマジェネレータとを備えている。自己クリーニ
ング複合体フォーカスリングが基板の周りにあり、これ
は、プラズマを基板の方へ向けるためのフォーカシング
面を有する誘電バリアと、誘電バリアの中にあって電気
を供給することによりプラズマを誘電バリアのフォーカ
シング面の方へと引き付ける導体部材とを備えている。
処理中は、エネルギーをもらったプラズマ種が、誘電バ
リアのフォーカシング面に入射し、このフォーカシング
面への堆積物の形成を低減する。支持体に印加された電
気量が導電部材に導通するよう、導電部材が支持体の導
電部と電気的に接触していることが好ましい。
濃度を基板表面全体に対して実質的に均一に与え、基板
に隣接する面への汚染物や残留物の堆積物を低減する装
置を提供する。一具体例では、本発明は、プラズマの中
で基板を処理するためのプロセスチャンバを備えてい
る。基板を支持するための支持体と、チャンバ内にプロ
セスガスを分散ないし散布させるためのガスディストリ
ビュータと、プロセスガスからプラズマを生成するため
のプラズマジェネレータとを備えている。自己クリーニ
ング複合体フォーカスリングが基板の周りにあり、これ
は、プラズマを基板の方へ向けるためのフォーカシング
面を有する誘電バリアと、誘電バリアの中にあって電気
を供給することによりプラズマを誘電バリアのフォーカ
シング面の方へと引き付ける導体部材とを備えている。
処理中は、エネルギーをもらったプラズマ種が、誘電バ
リアのフォーカシング面に入射し、このフォーカシング
面への堆積物の形成を低減する。支持体に印加された電
気量が導電部材に導通するよう、導電部材が支持体の導
電部と電気的に接触していることが好ましい。
【0007】別の具体例では、本発明はプラズマ内で基
板を処理するための、電気エネルギーが与えられる自己
クリーニングフォーカスリングを提供する。このフォー
カスリングは、基板の周縁に沿って隣接するように伸び
るフォーカシング面を有する誘電バリアを備えており、
これは、導電部材に隣接する内面上及び基板表面上にプ
ラズマを集中させる。導電部材に電気量が供給されれ
ば、プラズマイオンが誘電バリアの方へ引き付けられる
ことにより、エネルギーを得たプラズマイオンが誘電バ
リアのフォーカシング面上に入射し、プラズマ中での基
板処理中に生じる堆積物の形成が低減される。
板を処理するための、電気エネルギーが与えられる自己
クリーニングフォーカスリングを提供する。このフォー
カスリングは、基板の周縁に沿って隣接するように伸び
るフォーカシング面を有する誘電バリアを備えており、
これは、導電部材に隣接する内面上及び基板表面上にプ
ラズマを集中させる。導電部材に電気量が供給されれ
ば、プラズマイオンが誘電バリアの方へ引き付けられる
ことにより、エネルギーを得たプラズマイオンが誘電バ
リアのフォーカシング面上に入射し、プラズマ中での基
板処理中に生じる堆積物の形成が低減される。
【0008】本発明に従った方法は、プラズマ領域内の
支持体上に基板を配置させるステップと、プラズマ領域
内にプロセスガスを導入するステップと、プロセスガス
からプラズマを生成するステップとを備える。誘電フォ
ーカスリングのフォーカシング面により、プラズマは基
板の方に向けられる。誘電フォーカスリングに隣接しプ
ラズマから電気的に絶縁されている導電部材に対して、
電気量を与えることにより、プラズマを誘電フォーカス
リングのフォーカシング面の方へと引きつけてこれに入
射させ、この上の堆積物を除去する。
支持体上に基板を配置させるステップと、プラズマ領域
内にプロセスガスを導入するステップと、プロセスガス
からプラズマを生成するステップとを備える。誘電フォ
ーカスリングのフォーカシング面により、プラズマは基
板の方に向けられる。誘電フォーカスリングに隣接しプ
ラズマから電気的に絶縁されている導電部材に対して、
電気量を与えることにより、プラズマを誘電フォーカス
リングのフォーカシング面の方へと引きつけてこれに入
射させ、この上の堆積物を除去する。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明は、プロセスガス中で基板
を均一に処理するための装置及び方法であって、基板を
囲むフォーカスリング上に堆積する汚染堆積物の形成を
低減する装置及び方法を提供する。この装置は、基板上
への材料の堆積(例えば化学気相堆積プロセスやスパッ
タリングプロセス)に用いることが可能であり、また、
基板への材料の注入(例えばイオンインプラントプロセ
ス)に用いることが可能であり、また、基板のエッチン
グ(例えばプラズマエッチングプロセスやイオンエッチ
ングプロセス)に用いることが可能である。半導体基板
25の処理に適する本発明の代表的な処理装置20の模
式図が、図1に示される。ここに示される装置の具体例
20は、本発明の操作の例示のためだけのものであり、
本発明の範囲を限定するために用いられるべきではな
い。例えば、装置20は上述の如く非プラズマプロセス
に用いることも可能であり、また、半導体製造以外の製
造プロセスに用いることも可能である。
を均一に処理するための装置及び方法であって、基板を
囲むフォーカスリング上に堆積する汚染堆積物の形成を
低減する装置及び方法を提供する。この装置は、基板上
への材料の堆積(例えば化学気相堆積プロセスやスパッ
タリングプロセス)に用いることが可能であり、また、
基板への材料の注入(例えばイオンインプラントプロセ
ス)に用いることが可能であり、また、基板のエッチン
グ(例えばプラズマエッチングプロセスやイオンエッチ
ングプロセス)に用いることが可能である。半導体基板
25の処理に適する本発明の代表的な処理装置20の模
式図が、図1に示される。ここに示される装置の具体例
20は、本発明の操作の例示のためだけのものであり、
本発明の範囲を限定するために用いられるべきではな
い。例えば、装置20は上述の如く非プラズマプロセス
に用いることも可能であり、また、半導体製造以外の製
造プロセスに用いることも可能である。
【0010】装置20は主に、側壁35と、上天井壁4
0と、底壁45とを有する閉鎖的なプロセスチャンバ3
0を備えている。プロセスガスのチャンバ30内への導
入は、プロセスガスをチャンバ30内に分散させるため
の多孔状の「シャワーヘッド」ガスディフューザを有す
るガスディストリビュータ55を介して行われる。チャ
ンバ30の周りに巻かれたインダクタコイル60を用い
て誘導結合することによりプラズマを生成することが可
能であり、あるいは、チャンバ内のプロセス電極65
a、65bにより容量結合も可能である。ここに示され
る例では、プロセス電極の一方65aは、基板25の下
に配置され、他方のプロセス電極65bはプロセスチャ
ンバ30の壁が接地されていることにより形成される。
誘導結合と容量結合とを組み合わせて用い、チャンバ3
0内に均一性又は指向性が高められたプラズマを形成す
ることが可能である。チャンバ30から消費済みプロセ
スガス及びプロセスガス副生成物を排気するために、排
気マニホールド70が与えられる。表面80及び周縁8
5を有する基板25を保持するために、基板支持体75
が与えられる。
0と、底壁45とを有する閉鎖的なプロセスチャンバ3
0を備えている。プロセスガスのチャンバ30内への導
入は、プロセスガスをチャンバ30内に分散させるため
の多孔状の「シャワーヘッド」ガスディフューザを有す
るガスディストリビュータ55を介して行われる。チャ
ンバ30の周りに巻かれたインダクタコイル60を用い
て誘導結合することによりプラズマを生成することが可
能であり、あるいは、チャンバ内のプロセス電極65
a、65bにより容量結合も可能である。ここに示され
る例では、プロセス電極の一方65aは、基板25の下
に配置され、他方のプロセス電極65bはプロセスチャ
ンバ30の壁が接地されていることにより形成される。
誘導結合と容量結合とを組み合わせて用い、チャンバ3
0内に均一性又は指向性が高められたプラズマを形成す
ることが可能である。チャンバ30から消費済みプロセ
スガス及びプロセスガス副生成物を排気するために、排
気マニホールド70が与えられる。表面80及び周縁8
5を有する基板25を保持するために、基板支持体75
が与えられる。
【0011】複合体(コンポジット)の、電気エネルギ
ーが与えられる自己クリーニングフォーカスリング90
が、基板25の周囲に配置される。フォーカスリング9
0は、基板支持体75の上に置かれる自立型の誘電構造
体を成していてもよく、あるいは、プロセスチャンバ3
0の側壁35に取り付けられここから伸びる誘電構造体
を成してもよい。図1及び図2を参照すれば、フォーカ
スリング90は、プロセスガスのフロー又はプラズマを
収容しこれを基板25へ向けるよう、基板25の周縁8
0の周りに配置できる形状及び寸法を与えられた誘電バ
リア92を備えている。誘電バリア92の内径のサイズ
は、基板25の周縁80を取り囲める程度に十分大きく
与えられる。例えば、基板の直径が200mm(約8イ
ンチ)の場合は、適切な内径は約201mm〜約210
mmであり、更に好ましくは201mm〜205mmで
ある。直径が6〜12インチの基板に対して、誘電バリ
ア92の高さは、約15mm〜約25mmであることが
好ましい。
ーが与えられる自己クリーニングフォーカスリング90
が、基板25の周囲に配置される。フォーカスリング9
0は、基板支持体75の上に置かれる自立型の誘電構造
体を成していてもよく、あるいは、プロセスチャンバ3
0の側壁35に取り付けられここから伸びる誘電構造体
を成してもよい。図1及び図2を参照すれば、フォーカ
スリング90は、プロセスガスのフロー又はプラズマを
収容しこれを基板25へ向けるよう、基板25の周縁8
0の周りに配置できる形状及び寸法を与えられた誘電バ
リア92を備えている。誘電バリア92の内径のサイズ
は、基板25の周縁80を取り囲める程度に十分大きく
与えられる。例えば、基板の直径が200mm(約8イ
ンチ)の場合は、適切な内径は約201mm〜約210
mmであり、更に好ましくは201mm〜205mmで
ある。直径が6〜12インチの基板に対して、誘電バリ
ア92の高さは、約15mm〜約25mmであることが
好ましい。
【0012】誘電バリア92は、プラズマフォーカシン
グ面(又はプロセスガスフォーカシング面)95を有し
ていることが好ましく、これは基板25の周縁85に沿
って隣り合いかつ実質的に連続に伸び、基板表面80上
及びバリア92の他の面にある反対の面98にプラズマ
を集中する。好ましくは、誘電バリア92のプラズマフ
ォーカシング面95は、基板表面を上方で包囲するよう
に伸びる逆円錐状の面をなすことにより、プロセスガス
のフローを実質的に妨害ないし遮断することなく、プロ
セスガスを基板25の方に向ける。また、プラズマフォ
ーカシング面は、基板25の平面に垂直である縦軸に対
して、角度αをなす平面を有している事が更に好まし
く、この角度αはチャンバ内のプラズマ種の多数を捕捉
するに十分大きい角度である。この角度αは約10゜〜
約75゜であることが好ましく、更に好ましくは約15
゜〜約40゜、最も好ましくは約35゜である。
グ面(又はプロセスガスフォーカシング面)95を有し
ていることが好ましく、これは基板25の周縁85に沿
って隣り合いかつ実質的に連続に伸び、基板表面80上
及びバリア92の他の面にある反対の面98にプラズマ
を集中する。好ましくは、誘電バリア92のプラズマフ
ォーカシング面95は、基板表面を上方で包囲するよう
に伸びる逆円錐状の面をなすことにより、プロセスガス
のフローを実質的に妨害ないし遮断することなく、プロ
セスガスを基板25の方に向ける。また、プラズマフォ
ーカシング面は、基板25の平面に垂直である縦軸に対
して、角度αをなす平面を有している事が更に好まし
く、この角度αはチャンバ内のプラズマ種の多数を捕捉
するに十分大きい角度である。この角度αは約10゜〜
約75゜であることが好ましく、更に好ましくは約15
゜〜約40゜、最も好ましくは約35゜である。
【0013】フォーカスリング90は、誘電バリア92
に電気的に結合しこの誘電バリアの少なくとも一部と隣
接する導電部材100を備えている。導電部材100
は、プラズマから電気的に絶縁されており、基板処理中
は、この導電部材に電気量を与えてプラズマイオンを引
き付け、堆積物を誘電バリア92からスパッタして取り
除くことで、自己クリーニングフォーカスリングとす
る。導電部材100は、プロセスチャンバ30の中でプ
ラズマから電気的に絶縁され、プラズマと導電部材10
0の間の放電及び短絡を防止する。この電気的絶縁は、
あらゆる誘電材料ないし層を用いて導電部材を覆うこと
により実現できる。また、誘電材料の抵抗率は、プラズ
マと導電部材100の間の放電及び短絡を防止するよ
う、導電部材100をプラズマから電気的に絶縁するに
十分高く、また、誘電バリアから発散する電界を形成す
るよう、電気量が与えられた導電部材100から誘電バ
リア92を介して電界を結合するに十分低い。従って、
誘電材料は絶縁体でもよく、あるいは、上記の電気的絶
縁及び電界浸透の特徴を与える不完全な導体であっても
よい。導電部材100を覆う誘電バリア材料は、約1x
108Ωcm〜約1x102 0Ωcmの抵抗率を有してい
ることが好ましい。更に好ましくは、この誘電材料は約
1x1011Ωcm〜約1x1020Ωcmの抵抗率を有
し、誘電定数が少なくとも約2である。好ましくは、こ
の誘電材料の誘電破壊強度が少なくとも約100volts/
milであり、更に代表的には約1000〜約10,00
0volts/milである。誘電材料(あるいは誘電バリア)
の適切な厚さは、約10〜約500μmである。
に電気的に結合しこの誘電バリアの少なくとも一部と隣
接する導電部材100を備えている。導電部材100
は、プラズマから電気的に絶縁されており、基板処理中
は、この導電部材に電気量を与えてプラズマイオンを引
き付け、堆積物を誘電バリア92からスパッタして取り
除くことで、自己クリーニングフォーカスリングとす
る。導電部材100は、プロセスチャンバ30の中でプ
ラズマから電気的に絶縁され、プラズマと導電部材10
0の間の放電及び短絡を防止する。この電気的絶縁は、
あらゆる誘電材料ないし層を用いて導電部材を覆うこと
により実現できる。また、誘電材料の抵抗率は、プラズ
マと導電部材100の間の放電及び短絡を防止するよ
う、導電部材100をプラズマから電気的に絶縁するに
十分高く、また、誘電バリアから発散する電界を形成す
るよう、電気量が与えられた導電部材100から誘電バ
リア92を介して電界を結合するに十分低い。従って、
誘電材料は絶縁体でもよく、あるいは、上記の電気的絶
縁及び電界浸透の特徴を与える不完全な導体であっても
よい。導電部材100を覆う誘電バリア材料は、約1x
108Ωcm〜約1x102 0Ωcmの抵抗率を有してい
ることが好ましい。更に好ましくは、この誘電材料は約
1x1011Ωcm〜約1x1020Ωcmの抵抗率を有
し、誘電定数が少なくとも約2である。好ましくは、こ
の誘電材料の誘電破壊強度が少なくとも約100volts/
milであり、更に代表的には約1000〜約10,00
0volts/milである。誘電材料(あるいは誘電バリア)
の適切な厚さは、約10〜約500μmである。
【0014】適切は誘電材料には、Al2O3、BeO、
SiO2、Ta2O5、ZrO2、CaO、MgO、TiO
2、BaTiO3、AlN、TiN、BN、Si3N4、Z
rB2、TiB2、VB2、W2B3、LaB6、MoS
i2、WSiX又はTiSiXが含まれる。好ましい誘電
材料はAl2O3であり、これは腐食性の環境内で優れた
化学耐性及び腐食耐性を有し、また、2000℃を越え
る高温耐性を有している。また、誘電バリア材料に適切
なドーパントをドープして、電気的性質、例えば電気抵
抗率や誘電破壊強度等を所望のようにすることができ
る。例えば、ピュアなアルミナの抵抗率が1x1014Ω
cmのオーダーである場合、アルミナにチタンを1〜3
%ドープして、抵抗率を1x1011Ωcm〜1x1013
Ωcmのオーダーと低くすることが可能である。
SiO2、Ta2O5、ZrO2、CaO、MgO、TiO
2、BaTiO3、AlN、TiN、BN、Si3N4、Z
rB2、TiB2、VB2、W2B3、LaB6、MoS
i2、WSiX又はTiSiXが含まれる。好ましい誘電
材料はAl2O3であり、これは腐食性の環境内で優れた
化学耐性及び腐食耐性を有し、また、2000℃を越え
る高温耐性を有している。また、誘電バリア材料に適切
なドーパントをドープして、電気的性質、例えば電気抵
抗率や誘電破壊強度等を所望のようにすることができ
る。例えば、ピュアなアルミナの抵抗率が1x1014Ω
cmのオーダーである場合、アルミナにチタンを1〜3
%ドープして、抵抗率を1x1011Ωcm〜1x1013
Ωcmのオーダーと低くすることが可能である。
【0015】好ましい具体例では、誘電バリア92の形
状は、導電部材100を覆ってプラズマから電気的に絶
縁するように与えられる。図1及び図2で示される具体
例は、誘電バリア92は誘電材料のU字形カラーを備
え、これは導電部材100の上面全体を覆ってこれを電
気的に絶縁する。このU字形カラーは、(i)基板25
を包囲しかつ基板25に面するプラズマフォーカシング
面95を有する内側壁94と、(ii)導電部材100
の少なくとも一部をカバーしこれを囲む外壁96と、
(iii)導電部材100の上方周囲で内壁94から外
壁96へと伸びる中間横方向ブリッジ壁97とを備えて
いる。好ましくは、外壁96は、支持体75の対応する
メタルリッジ101にはまる周縁エッジを有し、誘電バ
リアが支持体上で適正な調心を確保するようにしてい
る。
状は、導電部材100を覆ってプラズマから電気的に絶
縁するように与えられる。図1及び図2で示される具体
例は、誘電バリア92は誘電材料のU字形カラーを備
え、これは導電部材100の上面全体を覆ってこれを電
気的に絶縁する。このU字形カラーは、(i)基板25
を包囲しかつ基板25に面するプラズマフォーカシング
面95を有する内側壁94と、(ii)導電部材100
の少なくとも一部をカバーしこれを囲む外壁96と、
(iii)導電部材100の上方周囲で内壁94から外
壁96へと伸びる中間横方向ブリッジ壁97とを備えて
いる。好ましくは、外壁96は、支持体75の対応する
メタルリッジ101にはまる周縁エッジを有し、誘電バ
リアが支持体上で適正な調心を確保するようにしてい
る。
【0016】好ましくは、導電部材100は、基板25
に隣接してこの周りに連続に伸び、プラズマイオンを誘
電バリアのプラズマフォーカシング面95全体に均一に
引き寄せる。これにより、プラズマイオンがプラズマフ
ォーカシング面95のほぼ全面にエネルギーをもって入
射して堆積物を取り去る。例えば、導電部材100は基
板の直径よりも大きなサイズの円周内径を有する環状カ
ラーリングであってもよい。導電部材の外径は、誘電バ
リア92のU字形カラーの形状の中にフィットするい十
分小さいサイズであってもよい。導電部材100は、連
続的なリングとして作製されてもよく、あるいは、基板
の外縁ほぼ全体を包囲するような形状とサイズが与えら
れるメタルセグメント複数の組立体として作製されても
よい。この組立体全体に対して1つの電気量供給源又は
コネクタターミナルで電気量を与えることができるよ
う、メタルセグメントは相互に電気的に接続されてもよ
い。
に隣接してこの周りに連続に伸び、プラズマイオンを誘
電バリアのプラズマフォーカシング面95全体に均一に
引き寄せる。これにより、プラズマイオンがプラズマフ
ォーカシング面95のほぼ全面にエネルギーをもって入
射して堆積物を取り去る。例えば、導電部材100は基
板の直径よりも大きなサイズの円周内径を有する環状カ
ラーリングであってもよい。導電部材の外径は、誘電バ
リア92のU字形カラーの形状の中にフィットするい十
分小さいサイズであってもよい。導電部材100は、連
続的なリングとして作製されてもよく、あるいは、基板
の外縁ほぼ全体を包囲するような形状とサイズが与えら
れるメタルセグメント複数の組立体として作製されても
よい。この組立体全体に対して1つの電気量供給源又は
コネクタターミナルで電気量を与えることができるよ
う、メタルセグメントは相互に電気的に接続されてもよ
い。
【0017】導電部材100の内面が誘電バリア92の
外面98にぴったりと接触するように、導電部材100
の内面の直径及び形状を選択する。導電部材100と誘
電バリア92の間に結合する均一な電界を与えるよう、
誘電バリア92の内面98は導電部材100の形状には
まることが好ましい。粗く不均一な誘電バリアと導電部
材100の部分は、面同士が相互に均一ないしスムーズ
に接触しない場合は、電気的に絶縁するギャップ及びバ
リアが形成されてしまう。そのため、導電部材100の
隣接面と誘電バリアの反対面98とを均一に研磨し、R
MS粗さが約50未満(更に好ましくは約35未満)の
スムーズな面を有する結合境界面を与えることが好まし
い。スムーズな結合境界面により、電界の摂動が低減さ
れ、また、導電部材と電極65bの間の結合の均一性を
高めて誘電バリア92から広がる電界束の均一性が更に
高められる。直径が200mm(約8インチ)の基板に
対しては、内面の適切な直径は約201mm〜約250
mmであり、更に好ましくは約201mm〜約225m
mである。直径が6〜12インチの基板に対して、導電
部材100の高さは、約15mm〜約25mmであるこ
とが好ましい。
外面98にぴったりと接触するように、導電部材100
の内面の直径及び形状を選択する。導電部材100と誘
電バリア92の間に結合する均一な電界を与えるよう、
誘電バリア92の内面98は導電部材100の形状には
まることが好ましい。粗く不均一な誘電バリアと導電部
材100の部分は、面同士が相互に均一ないしスムーズ
に接触しない場合は、電気的に絶縁するギャップ及びバ
リアが形成されてしまう。そのため、導電部材100の
隣接面と誘電バリアの反対面98とを均一に研磨し、R
MS粗さが約50未満(更に好ましくは約35未満)の
スムーズな面を有する結合境界面を与えることが好まし
い。スムーズな結合境界面により、電界の摂動が低減さ
れ、また、導電部材と電極65bの間の結合の均一性を
高めて誘電バリア92から広がる電界束の均一性が更に
高められる。直径が200mm(約8インチ)の基板に
対しては、内面の適切な直径は約201mm〜約250
mmであり、更に好ましくは約201mm〜約225m
mである。直径が6〜12インチの基板に対して、導電
部材100の高さは、約15mm〜約25mmであるこ
とが好ましい。
【0018】操作中は、プロセス電極65a及び65b
には相互に対するバイアス電力が与えられ、プロセスチ
ャンバ30内でプラズマを生成しプラズマイオンを基板
表面80の法へ引き寄せるための電界を発生させる。導
電部材100は電極65aに電気的に接続され、この電
極はプロセス電極65bに対するバイアスが与えられ
る。導電部材100と電極65bの間の容量結合によ
り、導電部材100を覆っている誘電体から広がる電界
が発生し、これによりプラズマイオンがプラズマフォー
カシング面95の方へ引き寄せられる。このように、電
極65aと65bの間の電界は導電部材100を含むと
ころまで拡がり、プラズマイオンがエネルギーをもって
誘電バリアに入射しそこから堆積物をスパッタして取り
去る。
には相互に対するバイアス電力が与えられ、プロセスチ
ャンバ30内でプラズマを生成しプラズマイオンを基板
表面80の法へ引き寄せるための電界を発生させる。導
電部材100は電極65aに電気的に接続され、この電
極はプロセス電極65bに対するバイアスが与えられ
る。導電部材100と電極65bの間の容量結合によ
り、導電部材100を覆っている誘電体から広がる電界
が発生し、これによりプラズマイオンがプラズマフォー
カシング面95の方へ引き寄せられる。このように、電
極65aと65bの間の電界は導電部材100を含むと
ころまで拡がり、プラズマイオンがエネルギーをもって
誘電バリアに入射しそこから堆積物をスパッタして取り
去る。
【0019】このエネルギーをもって入射したプラズマ
イオンはまた、誘電バリア92のプラズマフォーカシン
グ面95を、バリア面上の揮発性ポリマー堆積物が堆積
することを低減する程度に十分高い温度に加熱する。典
型的には、この面95は約100℃〜400℃の温度に
加熱され、更に典型的には200℃〜375℃である。
このような温度では、揮発性ポリマー堆積物が揮発し、
チャンバから排気される。入射のエネルギーと温度は、
バリアを介して伝達される電界エネルギーに比例し、こ
の電界エネルギーは導電部材に印加される電圧又は電気
量に比例し、導電部材100とバイアス92の間の電気
的結合の度合いに比例する。このような方法によれば、
本発明の複合体フォーカスリングはフォーカスリング上
への汚染物の堆積を防止し、基板の収率を高め、チャン
バのクリーニングの必要性を低減する。
イオンはまた、誘電バリア92のプラズマフォーカシン
グ面95を、バリア面上の揮発性ポリマー堆積物が堆積
することを低減する程度に十分高い温度に加熱する。典
型的には、この面95は約100℃〜400℃の温度に
加熱され、更に典型的には200℃〜375℃である。
このような温度では、揮発性ポリマー堆積物が揮発し、
チャンバから排気される。入射のエネルギーと温度は、
バリアを介して伝達される電界エネルギーに比例し、こ
の電界エネルギーは導電部材に印加される電圧又は電気
量に比例し、導電部材100とバイアス92の間の電気
的結合の度合いに比例する。このような方法によれば、
本発明の複合体フォーカスリングはフォーカスリング上
への汚染物の堆積を防止し、基板の収率を高め、チャン
バのクリーニングの必要性を低減する。
【0020】図1を参照し、支持体75は、基板25を
支持体75上に固定するための静電チャック102を有
していてもよい。チャック102は、電極108を中に
有する絶縁体106を有していてもよく、この絶縁体1
06は基板25を受けるための上面110を有してい
る。電極108は、チャックの動作のための第1の電源
112に接続されている。第1の電源112は通常、1
0MΩの抵抗器を介して高圧読み出しに接続される約1
000〜3500ボルトの高圧DC電源を有する回路を
有している。この回路の1MΩの抵抗器により、回路を
流れる電流を制限し、また、交流電流フィルタとして5
00pFのキャパシタが与えられる。また、基板25を
支持体75に固定するため、バイポーラチャック(図示
せず)を用いてもよい。このチャックは、2つ以上のバ
イポーラ電極が絶縁体106の中に配置され、また、チ
ャック20の中のバイポーラ電極に電力を与える第1の
電源112は、第1のDC電源と第2のDC電源とを備
えている。これら第1のDC電源及び第2のDC電源が
バイポーラ電極に負及び正の電圧を与えることにより、
電極をこれら相互に負及び正の電位に維持する。これら
バイポーラ電極が正反対の電位となることにより、プロ
セスチャンバ30内でプラズマを用いることなく、バイ
ポーラ電極と、チャック102に保持される基板25と
に正反対の静電荷が生じ、その結果、基板はチャック1
02に静電力により保持されるようになる。バイアス電
力が与えられた基板に対して電荷キャリアとして作用す
る荷電プラズマ種が存在しない非プラズマプロセスにお
いては、バイポーラ電極の構成は有利である。
支持体75上に固定するための静電チャック102を有
していてもよい。チャック102は、電極108を中に
有する絶縁体106を有していてもよく、この絶縁体1
06は基板25を受けるための上面110を有してい
る。電極108は、チャックの動作のための第1の電源
112に接続されている。第1の電源112は通常、1
0MΩの抵抗器を介して高圧読み出しに接続される約1
000〜3500ボルトの高圧DC電源を有する回路を
有している。この回路の1MΩの抵抗器により、回路を
流れる電流を制限し、また、交流電流フィルタとして5
00pFのキャパシタが与えられる。また、基板25を
支持体75に固定するため、バイポーラチャック(図示
せず)を用いてもよい。このチャックは、2つ以上のバ
イポーラ電極が絶縁体106の中に配置され、また、チ
ャック20の中のバイポーラ電極に電力を与える第1の
電源112は、第1のDC電源と第2のDC電源とを備
えている。これら第1のDC電源及び第2のDC電源が
バイポーラ電極に負及び正の電圧を与えることにより、
電極をこれら相互に負及び正の電位に維持する。これら
バイポーラ電極が正反対の電位となることにより、プロ
セスチャンバ30内でプラズマを用いることなく、バイ
ポーラ電極と、チャック102に保持される基板25と
に正反対の静電荷が生じ、その結果、基板はチャック1
02に静電力により保持されるようになる。バイアス電
力が与えられた基板に対して電荷キャリアとして作用す
る荷電プラズマ種が存在しない非プラズマプロセスにお
いては、バイポーラ電極の構成は有利である。
【0021】支持体75の少なくとも一部は、導電性で
あり、プロセスチャンバ30内にプラズマを生成するた
めのプロセス電極65aないしカソードとして機能す
る。プロセスチャンバの接地壁はプロセス電極65bを
なし、支持体の上記導電性部分には第2の電圧源114
が接続されて、支持体75にプロセスチャンバ30の接
地壁に対するバイアスを与え、プロセスガスからプラズ
マを生成する。第2の電源114は一般に、プロセスチ
ャンバ30のインピーダンスをライン電圧のインピーダ
ンスに整合させるRFインピーダンスを、絶縁キャパシ
タに直列に備えている。導電部材100は支持体75の
導電部と電気的に接触し、支持体75に印加される電荷
が導電部材100に伝導される。
あり、プロセスチャンバ30内にプラズマを生成するた
めのプロセス電極65aないしカソードとして機能す
る。プロセスチャンバの接地壁はプロセス電極65bを
なし、支持体の上記導電性部分には第2の電圧源114
が接続されて、支持体75にプロセスチャンバ30の接
地壁に対するバイアスを与え、プロセスガスからプラズ
マを生成する。第2の電源114は一般に、プロセスチ
ャンバ30のインピーダンスをライン電圧のインピーダ
ンスに整合させるRFインピーダンスを、絶縁キャパシ
タに直列に備えている。導電部材100は支持体75の
導電部と電気的に接触し、支持体75に印加される電荷
が導電部材100に伝導される。
【0022】別の具体例では、誘電バリア92は、導電
部材100を覆って導電部材100を電気的に絶縁する
誘電材料の層を備えている。この具体例では、導電部材
100は環状のリングであるが、これは誘電層で覆われ
支持体75上に置かれる。この誘電層の抵抗率及び厚さ
については、プラズマと導電部材100の間の放電を防
止するよう、導電部材100をプラズマから電気的に絶
縁するに十分高く(厚く)、また、プラズマイオンを誘
電バリア92のプラズマフォーカシング面95にプラズ
マイオンを引き付けるよう、電気量が与えられた導電部
材100から誘電層を介して電界を浸透させるに十分低
い(薄い)。バイアス電力が与えられた導電部材100
とプロセスチャンバ30内のプラズマとの間でプラズマ
電荷の漏洩を防止するように、誘電層は十分高い誘電破
壊強度を有している。誘電層の誘電破壊強度は、少なく
とも約4volts/micronであることが好ましく、更に好ま
しくは約40volts/micronである。誘電バリア92の厚
さは、自身の誘電破壊強度及び誘電定数に依存する。典
型的には、誘電層の誘電定数は、約2〜5であり、更に
好ましくは少なくとも約3である。誘電定数が3.5の
誘電バリアに対しては、適切な厚さは約100μm〜約
1000μmである。
部材100を覆って導電部材100を電気的に絶縁する
誘電材料の層を備えている。この具体例では、導電部材
100は環状のリングであるが、これは誘電層で覆われ
支持体75上に置かれる。この誘電層の抵抗率及び厚さ
については、プラズマと導電部材100の間の放電を防
止するよう、導電部材100をプラズマから電気的に絶
縁するに十分高く(厚く)、また、プラズマイオンを誘
電バリア92のプラズマフォーカシング面95にプラズ
マイオンを引き付けるよう、電気量が与えられた導電部
材100から誘電層を介して電界を浸透させるに十分低
い(薄い)。バイアス電力が与えられた導電部材100
とプロセスチャンバ30内のプラズマとの間でプラズマ
電荷の漏洩を防止するように、誘電層は十分高い誘電破
壊強度を有している。誘電層の誘電破壊強度は、少なく
とも約4volts/micronであることが好ましく、更に好ま
しくは約40volts/micronである。誘電バリア92の厚
さは、自身の誘電破壊強度及び誘電定数に依存する。典
型的には、誘電層の誘電定数は、約2〜5であり、更に
好ましくは少なくとも約3である。誘電定数が3.5の
誘電バリアに対しては、適切な厚さは約100μm〜約
1000μmである。
【0023】図3に示される具体例では、フォーカスリ
ング90はプロセスチャンバ30に取り付けられてい
る。例えば、アーム118を用いてフォーカスリングを
チャンバの壁に保持し(図示のように)てもよく、ある
いは、フォーカスリング90はチャンバ壁と一体の伸長
部を成してもよい(図示せず)。アーム118の一端は
プロセスチャンバ30の側壁35に取り付けられ、アー
ム118の他端はフォーカスリング90に取り付けられ
ている。アーム118はアルミニウム等の導体であって
もよく、この場合、アーム118は、フォーカスリング
90との境界部のポイントのところでフォーカスリング
90から(特に導電部材100から)電気的に絶縁され
る。フォーカスリング90の剛性が高い場合にこのアー
ム118は有用であり、支持体75は、基板25を支持
体75上に載置するに適する第1の下側ポジションか
ら、基板25の処理に適する第2の上側ポジションへ移
動可能である。第2の上側のポジションでは、導電部材
100は支持体75の導電部と電気的に接触し、支持体
75から電荷を導電部材100へと導通させることがで
きる。
ング90はプロセスチャンバ30に取り付けられてい
る。例えば、アーム118を用いてフォーカスリングを
チャンバの壁に保持し(図示のように)てもよく、ある
いは、フォーカスリング90はチャンバ壁と一体の伸長
部を成してもよい(図示せず)。アーム118の一端は
プロセスチャンバ30の側壁35に取り付けられ、アー
ム118の他端はフォーカスリング90に取り付けられ
ている。アーム118はアルミニウム等の導体であって
もよく、この場合、アーム118は、フォーカスリング
90との境界部のポイントのところでフォーカスリング
90から(特に導電部材100から)電気的に絶縁され
る。フォーカスリング90の剛性が高い場合にこのアー
ム118は有用であり、支持体75は、基板25を支持
体75上に載置するに適する第1の下側ポジションか
ら、基板25の処理に適する第2の上側ポジションへ移
動可能である。第2の上側のポジションでは、導電部材
100は支持体75の導電部と電気的に接触し、支持体
75から電荷を導電部材100へと導通させることがで
きる。
【0024】本発明はまた、プロセスチャンバ30内で
基板25を包囲するフォーカスリング90の上への堆積
物の形成を低減するためのプラズマ処理法を提供する。
プロセスチャンバ30を脱気し所定の準雰囲気圧に維持
する。第1の電圧源112により基板25に対してバイ
アス電力が与えられたチャック102上に、基板を置
く。その後、ガスディストリビュータ55を介してプロ
セスガスをチャンバ30内に導入し、第2の電圧源11
4によりエネルギーを与えて、プロセスガスからプラズ
マを生成する。電極108に電圧を印加すれば電極10
8に静電荷が蓄積し、また、チャンバ30内のプラズマ
が正反対の極性の荷電種を与え、これが基板25に蓄積
する。蓄積した正反対の静電荷により、静電引力が発生
し、これが基板25を静電力によりチャック102に保
持する。
基板25を包囲するフォーカスリング90の上への堆積
物の形成を低減するためのプラズマ処理法を提供する。
プロセスチャンバ30を脱気し所定の準雰囲気圧に維持
する。第1の電圧源112により基板25に対してバイ
アス電力が与えられたチャック102上に、基板を置
く。その後、ガスディストリビュータ55を介してプロ
セスガスをチャンバ30内に導入し、第2の電圧源11
4によりエネルギーを与えて、プロセスガスからプラズ
マを生成する。電極108に電圧を印加すれば電極10
8に静電荷が蓄積し、また、チャンバ30内のプラズマ
が正反対の極性の荷電種を与え、これが基板25に蓄積
する。蓄積した正反対の静電荷により、静電引力が発生
し、これが基板25を静電力によりチャック102に保
持する。
【0025】支持体75には、第2の電源114による
プロセスチャンバ30の接地壁に対するバイアス電力が
与えられる。支持体75とプロセスチャンバ30の接地
壁の間の容量結合により、プロセスガスからプラズマを
生成するための電界が発生する。支持体75とプロセス
チャンバ30の接地壁の間の電界により、プラズマが基
板25に引き付けられる。導電部材100は、支持体7
5と電気的に接触し、よって、プロセスチャンバの壁に
対してのバイアス電力が与えられる。導電部材100か
ら広がる電界により、プラズマイオンは誘電バリア92
のフォーカシング面95に引き付けられてこれに入射
し、そこにある堆積物を除去する。導電部材100に電
気量を与えるステップはプラズマの生成の前に行われる
が、導電部材100への電気量の付与は、プロセスチャ
ンバ30内でのプロセスガスの導入もしくはプラズマの
生成の前、後又は最中に行うことが可能である。
プロセスチャンバ30の接地壁に対するバイアス電力が
与えられる。支持体75とプロセスチャンバ30の接地
壁の間の容量結合により、プロセスガスからプラズマを
生成するための電界が発生する。支持体75とプロセス
チャンバ30の接地壁の間の電界により、プラズマが基
板25に引き付けられる。導電部材100は、支持体7
5と電気的に接触し、よって、プロセスチャンバの壁に
対してのバイアス電力が与えられる。導電部材100か
ら広がる電界により、プラズマイオンは誘電バリア92
のフォーカシング面95に引き付けられてこれに入射
し、そこにある堆積物を除去する。導電部材100に電
気量を与えるステップはプラズマの生成の前に行われる
が、導電部材100への電気量の付与は、プロセスチャ
ンバ30内でのプロセスガスの導入もしくはプラズマの
生成の前、後又は最中に行うことが可能である。
【0026】ここに記載した装置20は、化学気相堆積
等による基板上への材料の堆積や、基板25からの材料
のエッチングや、基板25やチャンバ壁や処理部材上に
堆積した汚染堆積物のクリーニングに用いることが可能
である。この装置20の中で基板上にコーティングを堆
積物させることが可能な化学気相堆積(CVD)プロセ
スは、S.M.Sze 編VLSI Technology, 2nd Ed.,Chapter
9, McGrow-Hill Publishing Co.に一般的に記載されて
いる。基板上にSiO2を堆積するための典型的な化学
気相堆積(CVD)プロセスは、(i)例えばSiH4やS
iCl2H2等の珪素ソースガスと、例えばCO2及び
H2、又はN2O等の酸素ソースガス、あるいは(ii)例え
ばSi(OC2H5)4等の、珪素と酸素の両方を含む単
一のガス、であるプロセスガスを用いる。Si3N4を堆
積するためのCVDプロセスは典型的には、SiH4及
びNH3又はN2、のようなガスを用いる。他の従来から
ののCVDプロセスガスには、NH3、AsH3、B
2H6、KCl、PH3及びSiH4が含まれる。また、こ
の装置20は、S.M.Sze 編VLSI Technology, 2nd Ed.,C
hapter 5, McGrow-Hill Publishing Co.に一般的に記載
されているようなプラズマエッチングプロセスにも用い
ることが可能である。典型的なメタルインターコネクト
エッチングプロセスでは、BCl3、Cl2、SF6、C
F4、CFCl3、CF2Cl2、CF3Cl、CHF3及び
C2ClF5等のプロセスガスを用いる。レジストエッチ
ングプロセスでは典型的には、酸素ガスを用いて基板上
のポリマーレジストをエッチングする。プロセスチャン
バ30内の様々な部品及びチャンバ自身は、様々な材料
でできていてもよく、これには、メタル類、セラミック
類、ガラス類、ポリマー類や複合材料類が含まれ、従来
の機械加工及び成形の方法を用いて作製されるものが含
まれる。プロセスチャンバ30及び部品の作製に用いら
れる好ましいメタルには、アルミニウム、陽極酸化アル
ミニウム、「HAYNES 242」、「Al-6061」、「SS 35
4」、「SS 316」及びINCONELが含まれる。
等による基板上への材料の堆積や、基板25からの材料
のエッチングや、基板25やチャンバ壁や処理部材上に
堆積した汚染堆積物のクリーニングに用いることが可能
である。この装置20の中で基板上にコーティングを堆
積物させることが可能な化学気相堆積(CVD)プロセ
スは、S.M.Sze 編VLSI Technology, 2nd Ed.,Chapter
9, McGrow-Hill Publishing Co.に一般的に記載されて
いる。基板上にSiO2を堆積するための典型的な化学
気相堆積(CVD)プロセスは、(i)例えばSiH4やS
iCl2H2等の珪素ソースガスと、例えばCO2及び
H2、又はN2O等の酸素ソースガス、あるいは(ii)例え
ばSi(OC2H5)4等の、珪素と酸素の両方を含む単
一のガス、であるプロセスガスを用いる。Si3N4を堆
積するためのCVDプロセスは典型的には、SiH4及
びNH3又はN2、のようなガスを用いる。他の従来から
ののCVDプロセスガスには、NH3、AsH3、B
2H6、KCl、PH3及びSiH4が含まれる。また、こ
の装置20は、S.M.Sze 編VLSI Technology, 2nd Ed.,C
hapter 5, McGrow-Hill Publishing Co.に一般的に記載
されているようなプラズマエッチングプロセスにも用い
ることが可能である。典型的なメタルインターコネクト
エッチングプロセスでは、BCl3、Cl2、SF6、C
F4、CFCl3、CF2Cl2、CF3Cl、CHF3及び
C2ClF5等のプロセスガスを用いる。レジストエッチ
ングプロセスでは典型的には、酸素ガスを用いて基板上
のポリマーレジストをエッチングする。プロセスチャン
バ30内の様々な部品及びチャンバ自身は、様々な材料
でできていてもよく、これには、メタル類、セラミック
類、ガラス類、ポリマー類や複合材料類が含まれ、従来
の機械加工及び成形の方法を用いて作製されるものが含
まれる。プロセスチャンバ30及び部品の作製に用いら
れる好ましいメタルには、アルミニウム、陽極酸化アル
ミニウム、「HAYNES 242」、「Al-6061」、「SS 35
4」、「SS 316」及びINCONELが含まれる。
【0027】ここまで好ましい態様に関して詳細に本発
明を説明してきたが、他の態様も可能である。例えば、
導電部材はプロセスチャンバと一体の部分として形成さ
れてもよく、あるいは、基板を支持する支持体の一部と
して形成されてもよい。
明を説明してきたが、他の態様も可能である。例えば、
導電部材はプロセスチャンバと一体の部分として形成さ
れてもよく、あるいは、基板を支持する支持体の一部と
して形成されてもよい。
【図1】本発明に従った装置の一具体例の模式的な部分
断面図である。
断面図である。
【図2】本発明の複合体フォーカスリングの一具体例の
模式的な断面図である。
模式的な断面図である。
【図3】本発明に従った装置の一具体例の模式的な部分
断面図である。
断面図である。
20…処理装置、25…基板、30…プロセスチャン
バ、35…側壁、40…上天井壁、45…底壁、75…
基板支持体、80…基板表面、85…基板周縁、90…
フォーカスリング、92…誘電バリア、95…フォーカ
シング面。
バ、35…側壁、40…上天井壁、45…底壁、75…
基板支持体、80…基板表面、85…基板周縁、90…
フォーカスリング、92…誘電バリア、95…フォーカ
シング面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/31 H01L 21/302 B (72)発明者 スティーヴン エス. ワイ. マック アメリカ合衆国, カリフォルニア州, プレザントン, モンテヴィノ ドライヴ 878
Claims (14)
- 【請求項1】 プラズマの中で基板を処理するためのプ
ロセスチャンバであって、該チャンバは、 (a)基板を支持する支持体と、 (b)プロセスガスを該チャンバ内に散布するガスディ
ストリビュータと、 (c)プロセスガスからプラズマを生成するプラズマジ
ェネレータと、 (d)基板の周囲の複合体のフォーカスリングとを備
え、該複合体フォーカスリングは、プラズマを基板の方
に向けるためのフォーカシング面を有する誘電バリア
と、誘電バリアの中にあって電気量を供給することによ
りプラズマを誘電バリアのフォーカシング面の方へと引
き付け、基板処理中に該フォーカシング面上への堆積物
の形成を低減する、導電部材とを備えるプロセスチャン
バ。 - 【請求項2】 該導電部材が、該支持体の導電部に電気
的に接触し、該支持体に印加された電気量が該導電部材
に導通する請求項1に記載のプロセスチャンバ。 - 【請求項3】 該誘電バリアが、該導電部材を覆う誘電
材料の層を備え、該誘電材料の表面の抵抗率は、該導電
部材を該誘電バリアを介してプラズマに電気的に結合さ
せるに十分低く、プラズマと該導電部材の間の放電を防
止するに十分高い請求項1に記載のプロセスチャンバ。 - 【請求項4】 該誘電バリアが約1x1011Ωcm〜約
1x1020Ωcmの抵抗率を有する誘電材料のU字形カ
ラーを備え、該導電部材が該U字形カラーの内部にフィ
ットする環状のメタルリングを備える請求項3に記載の
プロセスチャンバ。 - 【請求項5】 該プラズマジェネレータが、基板の上方
に第1の電極を、基板の下方に第2の電極を備え、該第
1の電極と該第2の電極は相互に対するバイアス電力が
与えられてチャンバ内にプラズマを維持し、該導電部材
は該第2の電極に電気的に接続される請求項1に記載の
プロセスチャンバ。 - 【請求項6】 プロセスチャンバ内でプラズマの中で基
板を処理するための自己クリーニングフォーカスリング
であって、該フォーカスリングは、 (a)プロセスチャンバ内のプラズマを基板表面の方へ
向けるための、基板の周縁に隣接するように沿って伸び
るフォーカシング面を有する誘電バリアと、 (b)該誘電バリアの少なくとも一部と隣接する導電部
材とを備え、該導電部材は、電気量が与えられて該誘電
バリアを介してプラズマに電気的に結合され、プラズマ
を該誘電バリアの該フォーカシング面に引き付けて、基
板処理中の誘電バリア上への堆積物の形成が低減される
フォーカスリング。 - 【請求項7】 該導電部材が支持体の導電部分に電気的
に接触して、該支持体に印加される電気量が該導電部材
に導通する請求項6に記載のフォーカスリング。 - 【請求項8】 該誘電バリアが、該導電部材を覆う誘電
材料の層を備え、該誘電材料の表面の抵抗率は、該導電
部材を該誘電バリアを介してプラズマに電気的に結合さ
せるに十分低く、プラズマと該導電部材の間の放電を防
止するに十分高い請求項6に記載のフォーカスリング。 - 【請求項9】 該誘電バリアが約1x1011Ωcm〜約
1x1020Ωcmの抵抗率を有する誘電材料のU字形カ
ラーを備え、該導電部材が該U字形カラーの内部にフィ
ットする環状のメタルリングを備える請求項8に記載の
フォーカスリング。 - 【請求項10】 該プロセスチャンバが、基板の上方に
第1の電極を、基板の下方に第2の電極を備えるプラズ
マジェネレータを有し、該第1の電極と該第2の電極は
相互に対するバイアス電力が与えられてチャンバ内にプ
ラズマを維持し、該導電部材は該第2の電極に電気的に
接続される請求項7に記載のフォーカスリング。 - 【請求項11】 プラズマ中で基板を処理するための方
法であって、 (a)プラズマ領域内で支持体上に基板を配置し、 (b)該プラズマ領域内にプロセスガスを導入し、プロ
セスガスからプラズマを生成し、 (c)誘電フォーカスリングのフォーカシング面により
プラズマを該基板の方へと向け、 (d)該フォーカスリングに隣接する導電部材に電気量
を与え、プラズマを誘電フォーカスリングのフォーカシ
ング面へと引き付けてこれに入射させ、基板処理中にそ
こに形成された堆積物を除去する方法。 - 【請求項12】 工程(d)において、該導電部材を該
支持体の導電部に接触させて、該支持体に印加される電
気量を該導電部材に導通させる工程を含む請求項11に
記載の方法。 - 【請求項13】 工程(b)において、該プラズマ領域
内の1対の電極にバイアス電力を与える工程を含み、工
程(d)において、該導電部材を該電極の1つに電気的
に接続させる工程を含む請求項11に記載の方法。 - 【請求項14】 工程(d)において、該導電部材を該
誘電バリアを介してプラズマに電気的に結合させるに十
分低く、プラズマと該導電部材の間の放電を防止するに
十分高い抵抗率を有する誘電材料を備えた誘電フォーカ
スリングで、該導電部材を覆う最初の工程を含む請求項
11に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/847,012 US5942039A (en) | 1997-05-01 | 1997-05-01 | Self-cleaning focus ring |
US08/847012 | 1997-05-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1174099A true JPH1174099A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=25299550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10159809A Withdrawn JPH1174099A (ja) | 1997-05-01 | 1998-05-01 | 自己クリーニングフォーカスリング |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5942039A (ja) |
EP (1) | EP0875919A3 (ja) |
JP (1) | JPH1174099A (ja) |
KR (1) | KR100512153B1 (ja) |
SG (1) | SG70634A1 (ja) |
TW (1) | TW409291B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002198355A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2006057132A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Univ Nagoya | プラズマcvd装置および硬質炭素膜の製造方法 |
JP2007266094A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマcvd装置及びプラズマcvdによる半導体薄膜の成膜方法 |
WO2011004816A1 (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置及び誘電体板 |
JP2012227278A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP2014017292A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP2018506859A (ja) * | 2015-02-13 | 2018-03-08 | インテグリス・インコーポレーテッド | 基材物品および装置の特性および性能を増強するためのコーティング |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3077623B2 (ja) * | 1997-04-02 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | プラズマ化学気相成長装置 |
US6364957B1 (en) | 1997-10-09 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Support assembly with thermal expansion compensation |
US6349670B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-02-26 | Alps Electric Co., Ltd. | Plasma treatment equipment |
US6452408B1 (en) | 1999-11-18 | 2002-09-17 | Alps Electric Co., Ltd. | Impedance measurement tool |
US6363882B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-04-02 | Lam Research Corporation | Lower electrode design for higher uniformity |
KR100502268B1 (ko) * | 2000-03-01 | 2005-07-22 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마처리장치 및 방법 |
US6336750B1 (en) | 2000-04-13 | 2002-01-08 | Amherst Holding Co. | Structured arc technique using a focusing sleeve |
TW506234B (en) * | 2000-09-18 | 2002-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Tunable focus ring for plasma processing |
US6554954B2 (en) * | 2001-04-03 | 2003-04-29 | Applied Materials Inc. | Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber |
TWI234417B (en) * | 2001-07-10 | 2005-06-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma procesor and plasma processing method |
KR100397891B1 (ko) * | 2001-07-25 | 2003-09-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 식각설비의 척 조립체 |
JP2003100713A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Kawasaki Microelectronics Kk | プラズマ電極用カバー |
US20030106646A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-06-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber insert ring |
US20080213496A1 (en) * | 2002-02-14 | 2008-09-04 | Applied Materials, Inc. | Method of coating semiconductor processing apparatus with protective yttrium-containing coatings |
JP2003309110A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2004047696A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマドーピング方法及び装置、整合回路 |
US6734447B2 (en) * | 2002-08-13 | 2004-05-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electron filter for current implanter |
CN100418187C (zh) * | 2003-02-07 | 2008-09-10 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置、环形部件和等离子体处理方法 |
JP4286025B2 (ja) * | 2003-03-03 | 2009-06-24 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 石英治具の再生方法、再生使用方法および半導体装置の製造方法 |
DE10319894A1 (de) * | 2003-04-28 | 2004-11-25 | Infineon Technologies Ag | Dielektrischer Fokusring |
US20040244949A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-09 | Tokyo Electron Limited | Temperature controlled shield ring |
DE10345390A1 (de) * | 2003-09-30 | 2005-05-04 | Infineon Technologies Ag | Abdeckvorrichtung für Bauteile einer Halbleiter-Bearbeitungskammer |
US8222156B2 (en) | 2006-12-29 | 2012-07-17 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing a substrate using plasma |
US9536711B2 (en) | 2007-03-30 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for DC voltage control on RF-powered electrode |
US10622194B2 (en) | 2007-04-27 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Bulk sintered solid solution ceramic which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
US10242888B2 (en) | 2007-04-27 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing apparatus with a ceramic-comprising surface which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
US8409355B2 (en) * | 2008-04-24 | 2013-04-02 | Applied Materials, Inc. | Low profile process kit |
KR101171422B1 (ko) | 2008-06-19 | 2012-08-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 포커스 링 및 플라즈마 처리 장치 |
FR2976400B1 (fr) * | 2011-06-09 | 2013-12-20 | Ion Beam Services | Machine d'implantation ionique en mode immersion plasma pour procede basse pression. |
JP5976377B2 (ja) * | 2012-04-25 | 2016-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基体に対する微粒子付着の制御方法、及び、処理装置 |
US9232628B2 (en) * | 2013-02-20 | 2016-01-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and system for plasma-assisted ion beam processing |
US10755902B2 (en) * | 2015-05-27 | 2020-08-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and focus ring |
JP6435247B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2018-12-05 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック装置及び静電チャック装置の製造方法 |
CN106920729B (zh) * | 2015-12-28 | 2019-05-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种均匀刻蚀基片的等离子体处理装置及方法 |
KR20180136302A (ko) * | 2017-06-14 | 2018-12-24 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 공정 장치 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
EP3580777B1 (en) * | 2017-07-24 | 2021-04-14 | LAM Research Corporation | Moveable edge ring designs |
KR20220038150A (ko) * | 2019-07-29 | 2022-03-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 프로세싱 챔버 및 이를 세정하기 위한 방법들 |
TWM602283U (zh) * | 2019-08-05 | 2020-10-01 | 美商蘭姆研究公司 | 基板處理系統用之具有升降銷溝槽的邊緣環 |
CN112736015A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 拓荆科技股份有限公司 | 用于调节处理腔中电浆曲线的装置及其控制方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6131636U (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | 株式会社 徳田製作所 | 静電チヤツク |
US5228501A (en) * | 1986-12-19 | 1993-07-20 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition clamping mechanism and heater/cooler |
DE3803411A1 (de) * | 1988-02-05 | 1989-08-17 | Leybold Ag | Vorrichtung zur halterung von werkstuecken |
US5298465A (en) * | 1990-08-16 | 1994-03-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching system |
WO1992007377A1 (en) * | 1990-10-23 | 1992-04-30 | Genus, Inc. | Sacrificial metal etchback system |
JP2501948B2 (ja) * | 1990-10-26 | 1996-05-29 | 三菱電機株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US5246532A (en) * | 1990-10-26 | 1993-09-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
JPH04358071A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | 真空処理装置 |
US5411624A (en) * | 1991-07-23 | 1995-05-02 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma processing apparatus |
US5275683A (en) * | 1991-10-24 | 1994-01-04 | Tokyo Electron Limited | Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same |
JP2507948Y2 (ja) * | 1992-05-15 | 1996-08-21 | 株式会社サミー | 生ごみ処理装置での回転槽支持装置 |
US5376213A (en) * | 1992-07-28 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US5352294A (en) * | 1993-01-28 | 1994-10-04 | White John M | Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support |
US5423918A (en) * | 1993-09-21 | 1995-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method for reducing particulate contamination during plasma processing of semiconductor devices |
TW273067B (ja) * | 1993-10-04 | 1996-03-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
KR100264445B1 (ko) * | 1993-10-04 | 2000-11-01 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치 |
KR100302167B1 (ko) * | 1993-11-05 | 2001-11-22 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치및플라즈마처리방법 |
JPH07249586A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法 |
US5685914A (en) * | 1994-04-05 | 1997-11-11 | Applied Materials, Inc. | Focus ring for semiconductor wafer processing in a plasma reactor |
TW295677B (ja) * | 1994-08-19 | 1997-01-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
US5685942A (en) * | 1994-12-05 | 1997-11-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
JP3778299B2 (ja) * | 1995-02-07 | 2006-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
US5688358A (en) * | 1995-03-08 | 1997-11-18 | Applied Materials, Inc. | R.F. plasma reactor with larger-than-wafer pedestal conductor |
JP3220619B2 (ja) * | 1995-05-24 | 2001-10-22 | 松下電器産業株式会社 | ガス伝熱プラズマ処理装置 |
JP3208044B2 (ja) * | 1995-06-07 | 2001-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US5817534A (en) * | 1995-12-04 | 1998-10-06 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with cleaning electrode for cleaning during processing of semiconductor wafers |
-
1997
- 1997-05-01 US US08/847,012 patent/US5942039A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-20 TW TW087106027A patent/TW409291B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-04-27 SG SG1998000793A patent/SG70634A1/en unknown
- 1998-04-30 KR KR10-1998-0015449A patent/KR100512153B1/ko not_active IP Right Cessation
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002198355A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2006057132A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Univ Nagoya | プラズマcvd装置および硬質炭素膜の製造方法 |
JP4649605B2 (ja) * | 2004-08-19 | 2011-03-16 | 国立大学法人名古屋大学 | プラズマcvd装置および硬質炭素膜の製造方法 |
JP2007266094A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマcvd装置及びプラズマcvdによる半導体薄膜の成膜方法 |
WO2011004816A1 (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置及び誘電体板 |
JP2012227278A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP2014017292A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP2018506859A (ja) * | 2015-02-13 | 2018-03-08 | インテグリス・インコーポレーテッド | 基材物品および装置の特性および性能を増強するためのコーティング |
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