TWI823273B - 靜電吸盤及等離子體反應裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種靜電吸盤，包含：基座；設置在基座上的第一介電層，其為具有第一電阻率的有摻雜陶瓷材質，第一介電層內設有產生靜電力的電極；第二介電層，設置在第一介電層上並覆蓋第一介電層，且第二介電層為具有第二電阻率的無摻雜陶瓷材質；第二電阻率大於第一電阻率。本發明還提供一種等離子體反應裝置。本發明的靜電吸盤吸附力強，吸附力分佈均勻，易解吸附，使用壽命長，顆粒物污染少，有效防止晶圓背面發生氦氣打火，提高了晶圓加工成品率和生產效率。
Description
本發明涉及半導體的技術領域，特別涉及一種靜電吸盤及等離子體反應裝置。
在半導體元件的製造過程中，為了在晶圓上進行沉積、蝕刻等製程，一般通過靜電吸盤（Electrostatic chuck，簡稱ESC）來產生靜電吸力，以實現在製程過程中支撐、固定待處理的晶圓。
靜電吸盤包含基座和設置在基座頂部的介電層。根據介電層的不同，靜電吸盤主要分為CB（Coulomb 庫侖）型靜電吸盤和J-R（Johnsen-Rahbek）型靜電吸盤兩種類型。CB型靜電吸盤（簡稱為CB ESC）、J-R型靜電吸盤（簡稱為J-R ESC）是以靜電吸附為基本原理，通過對CB ESC、J-R ESC內的電極施加外部直流電壓後，產生對晶圓的靜電吸附力來固定晶圓。
CB ESC的靜電吸附力小，且需要在其電極上施加較高的直流電壓；然而當施加的直流電壓過高會易引起晶圓與CB ESC間氦氣打火的問題。
J-R ESC的漏電流大，停止對J-R ESC的電極施加外部直流電壓後，J-R ESC表面仍有較多殘餘電荷，使得晶圓解吸附難度高；且J-R ESC的粗糙表面易被侵蝕，容易造成顆粒物增多、使用老化、J-R ESC表面粗糙度變差，使用壽命較短的問題。同時也會造成放置在J-R ESC上的晶圓的溫度不均勻、影響晶圓的加工精度。
本發明的目的是提供一種靜電吸盤及等離子體反應裝置，通過將不同電阻率的介電層相結合，不僅能夠提高靜電吸盤的使用壽命，且無需施加較高的直流電壓，能夠防止晶圓背面發生氦氣打火，同時吸附力強，吸附力分佈均勻，並易於解吸附晶圓。
為了達到上述目的，本發明提供一種靜電吸盤，包含：
基座；
設置在所述基座上的第一介電層；所述第一介電層為具有第一電阻率的有摻雜陶瓷材質，第一介電層內設有產生靜電力的電極；
設置在所述第一介電層上並覆蓋第一介電層的第二介電層；所述第二介電層為具有第二電阻率的無摻雜陶瓷材質；第二電阻率大於第一電阻率。
較佳的，第一介電層為有摻雜的AL
2O
3，其摻雜物包含Si、C、Mg，MgO，TiO
2中的任一種或多種。
較佳的，第二介電層為無摻雜的AL
2O
3。
較佳的，第一介電層的電阻率為10
10～10
12Ω.cm。
較佳的，第二介電層的電阻率大於10
14Ω.cm。
較佳的，所述第二介電層與晶圓接觸的表面設有多個均勻或非均勻分佈的凸起部；所述凸起部的高度範圍為2～3um。
較佳的，在第一介電層、第二介電層之間還設有用於固定連接第一、第二介電層的黏接層。
較佳的，第一介電層的厚度為0.2～2mm。
較佳的，第二介電層的厚度為0.01～0.5mm。
較佳的，第一介電層具有0.6～0.8um的表面粗糙度；第二介電層具有0.1～0.2um的表面粗糙度。
較佳的，第一介電層的底部粘接基座的頂部，第二介電層的周邊向下延伸並完全覆蓋第一介電層的外側壁。
較佳的，第一介電層嵌入設置在基座的頂部，且第一介電層的頂面與基座的頂面平齊；第二介電層設置在基座上並完全覆蓋第一介電層。
較佳的，基座的外側壁設有耐等離子體腐蝕的鍍膜。
較佳的，基座中設置有多個冷卻管道，所述冷卻管道包含氦氣通道，通過所述氦氣通道將氦氣通至晶圓與第二介電層之間的間隙，且氦氣通道避讓所述凸起部。
本發明還提供一種等離子體反應裝置，包括一等離子體反應腔，所述等離子體反應腔內底部設有如本發明所述的靜電吸盤，通過所述靜電吸盤吸附待加工的晶圓。
與習知技術相比，本發明的有益效果在於：
1）本發明的靜電吸盤吸附力強，吸附力分佈均勻，易解吸附晶圓，提高了晶圓加工的生產效率及晶圓成品率；
2）由於在第一介電層上覆蓋有無摻雜的第二介電層，減少了顆粒污染物的產生，使得靜電吸盤的吸附力和溫度分佈均勻，不僅進一步提高了晶圓加工的成品率，同時還提高了靜電吸盤的使用壽命、降低了靜電吸盤的維護和製造成本；
3）本發明中使用了有摻雜且低電阻率的第一介電層，通過第一介電層內的自由移動的電子，實現“抬高”靜電吸盤的電極位置；並且由於第二介電層內無需設置電極，使得第二介電層可以具有一個較小的厚度，因而僅需在靜電吸盤內的電極上施加很小的直流電壓，也能夠為晶圓提供足夠的吸附力；
4）本發明的靜電吸盤工作時僅需施加很小的直流電壓，因而能夠有效防止晶圓背面發生氦氣打火，實現了安全生產，並進一步提高了晶圓加工的成品率。
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，所屬技術領域中具有通常知識者在沒有做出具進步性的改變前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
實施例一
圖1A示出本發明靜電吸盤所應用的等離子體反應裝置的結構示意圖，圖1A中的等離子體反應裝置為電容耦合等離子體（CCP）反應裝置，本發明的靜電吸盤同樣適用於電感耦合型等離子體反應裝置（ICP）。圖1A中的電容耦合等離子體反應裝置是一種由施加在基座上的射頻電源通過電容耦合的方式在反應腔內產生等離子體並用於蝕刻的設備。其包括真空反應腔100，真空反應腔包括由金屬材料製成的大致為圓柱形的反應腔側壁101，反應腔側壁101上設置一開口102用於容納晶圓進出。真空反應腔100內設置一氣體噴淋頭120和一與所述氣體噴淋頭120相對設置的基座110。所述氣體噴淋頭120與一氣體供應裝置125相連，用於向真空反應腔100輸送反應氣體，同時作為真空反應腔100的上電極。基座110作為真空反應腔100的下電極，所述上電極和所述下電極之間形成一反應區域。至少一射頻電源150通過匹配網路152施加到所述上電極或下電極之一，在所述上電極和所述下電極之間產生射頻電場，用以將反應氣體解離為等離子體，等離子體中含有大量的電子、離子、激發態的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待處理晶圓的表面發生多種物理和化學反應，使得晶圓表面的形貌發生改變，即完成蝕刻過程。真空反應腔100的下方還設置一排氣泵140，用於將反應副產物排出真空反應腔100，維持真空反應腔100的真空環境。
靜電吸盤通過靜電吸附作用來固定放置在其上的晶圓W，其優點在於吸附作用均勻分佈於晶圓表面，晶圓W不會發生翹曲變形，對晶圓W無傷害，吸附作用力持續穩定，可以保證晶圓W的加工精度。如圖1A、圖1B、圖2所示，本發明的靜電吸盤包含基座110、第一介電層111、電極113、第二介電層112。
如圖1A、圖1B、圖2所示，所述第一介電層111設置在基座110上（示例的，第一介電層111的底部通過粘接方式固定在基座110的頂部），其為具有第一電阻率的有摻雜陶瓷材質。在本發明的實施例中，第一介電層111為有摻雜的AL
2O
3，其摻雜物包含Si、C、Mg，MgO，TiO
2中的任一種或多種。第一介電層111可通過粉末噴塗、等離子CVD（化學氣相沉積）等方式加工而成，也可以是由陶瓷粉末注模燒結後機加工而成。第一介電層111的電阻率為10
10～10
12Ω.cm。作為本發明的一個較佳實施例，第一介電層111的電阻率為10
11Ω.cm。在本實施例中，如圖1B、圖2所示，第一介電層111的厚度為
d
1 ＝0.2～2mm。第一介電層111的表面粗糙度為0.6～0.8um。
如圖1A、圖1B、圖2所示，所述電極113設置在第一介電層111內，用於產生靜電力。以實現在製程過程中對待處理的晶圓W的吸附固定。
如圖1A、圖1B、圖2所示，所述第二介電層112設置在第一介電層111上，且第二介電層112的周邊向下延伸（如圖2中虛圈所示）並完全覆蓋第一介電層111的外側壁。因此第一介電層111設置在由基座110和第二介電層112包圍形成的空間內。
由於無摻雜的AL
2O
3具有耐等離子體侵蝕的功能，因此通過第二介電層完全112覆蓋第一介電層111，能夠有效防止第一介電層111中的摻雜物被反應腔內的等離子體侵蝕，而產生顆粒污染物附著在晶圓W上。由於沒有產生顆粒污染物，本發明的靜電吸盤可以保證晶圓W的溫度均勻，並且對晶圓W的吸附力也分佈均勻。
在第一介電層111、第二介電層112之間還設有黏接層（圖中未示出），通過該黏接層實現固定連接第一介電層111和第二介電層112。
第二介電層112為具有第二電阻率的無摻雜陶瓷材質。第二介電層112的電阻率大於10
14Ω.cm，作為本發明的一個較佳實施例，第二介電層112的電阻率為10
17Ω.cm。由於第二介電層112的電阻率大於第一介電層111的電阻率，因此也稱第二介電層112具有高電阻率，第一介電層111具有低電阻率。在本發明的實施例中，第二介電層112為無摻雜的AL
2O
3，其可以是通過機加工而成。如圖1B、圖2所示，在本實施例中，第二介電層112的厚度為
d
2 ＝0.1～0.5mm。第二介電層112的表面粗糙度為0.1～0.2um。
本發明的靜電吸盤無需在電極113上施加過高的直流電壓，即可使第二介電層112對晶圓W產生足夠的吸附力，且有效防止晶圓W背面氦氣打火。並且，本發明的靜電吸盤漏電流小，因而非常容易解吸附晶圓W。
以下為本發明的原理說明：
靜電吸附的原理是，當一個帶電物體靠近另一個不帶電物體時，由於靜電感應的作用，使不帶電物體在內部靠近帶電物體的一側會彙聚與帶電物體所帶電荷相反極性的電荷（而在另一側產生相同數量的與帶電物體所帶電荷同性的電荷），由於接觸的兩表面上異性電荷之間的互相吸引作用，會使兩物體產生吸引力，也即“靜電吸附”作用。
普通的靜電吸盤通常包含：由導熱材料製成的基座，設置在基座上的介電層及設置在介電層內的電極。介電層的性質對靜電吸盤的吸附力、解吸附能力、使用壽命等具有重要的影響。
如圖3中的靜電吸盤採用了較高電阻率的介電層112′（電阻量級為10
9Ohm），在該介電層112′內設有電極113′，圖3未示出該靜電吸盤的基座。如圖3所示，該介電層112′大致為盤狀，其直徑略小於吸附在其上的晶圓W的直徑，以保證晶圓W完全覆蓋介電層112′，防止等離子體對介電層112′造成損傷。在產生靜電吸附力時，該晶圓W作為上端電極，該電極113′作為下端電極。由於介電層112′具有較高電阻率，因此介電層112′具有絕對絕緣性，其內極少有可自由移動的電子，只能產生極化電荷。外部的直流電壓（圖3中為正電壓）被施加在該下端電極上，如此在上端電極（晶圓W）與下端電極之間產生電勢差，通過該電勢差實現晶圓W被吸附在靜電吸盤上。
該種靜電吸盤的吸附力
F
chunk1 的計算公式如下所示：
； （1）
其中，ɛ為該絕緣介電層的相對介電常數，ɛ
0為真空介電常數，
V為施加在下端電極的直流電壓伏值，
d為下端電極與晶圓底部之間的間距。
根據公式（1）可以看出，
F
chunk1 與
d的二次方成反比。由於介電層112′內部需要設置電極113′，並且需要保證介電層112′的機械強度、平整度，導致介電層112′的加工難度大，且介電層112′不能太薄（通常該絕緣的介電層112′被設置為2mm）。介電層112′的厚度越大，靜電吸附力
F
chunk1 越小，從而使得需要很高的直流電壓（2000伏左右）才能為晶圓W提供足夠的吸附力。
在半導體加工中，晶圓W的散熱相當重要，若無法保證晶圓W的表面的均溫，則在晶圓W的加工過程中無法確保加工的均勻性，加工精度將受到極大的影響。通常通過提高晶圓W的背面的散熱性使局部的高溫可以立即散失，來保證晶圓W的表面均溫。該種方法依靠靜電吸盤對晶圓W導熱進行散熱，散熱效果主要依賴於靜電吸盤的材料。
晶圓W的散熱的另一種方法是通過增加晶圓W的表面的氣體對流，使用氣體對流散熱的方法來均勻晶圓W的表面的溫度。在基座110內包含用於將導熱氣體（如氦氣）路由到基座、介電層112′的第一通道（圖3中未示出）。介電層112′還穿設有多個個連通所述第一通道的第二通道（圖3中未示出），用於將所述導熱氣體輸送到介電層112′的上表面與晶圓W的底面之間，促進晶圓W與介電層112′之間的熱傳遞。如圖1A、圖1B所示，基座110內部還設有冷卻液通道，用於對基座110的溫度進行控制。
由於介電層112′需要保證有大約2mm的厚度，其內部的電極113′必須接入直流高壓，才能為晶圓提供足夠的吸附力，施加到電極113′上的高壓會帶來晶圓W的背面氦氣打火的風險。
如圖4中的靜電吸盤採用了較低電阻率的介電層112′′（該介電層112′′的電阻量級為10
6Ohm）。圖4中未示出該靜電吸盤的基座。圖4介電層112′′內部設置有電極113′′。介電層112′′不是理想的絕緣介質，即在介電層112′′中有許多可以自由移動的電子，使得介電層112′′具有有限電阻。在對介電層112′′內的電極113′′施加電壓（圖4中為正電壓）後，介電層112′′內的可移動粒子受到電極113′′作用使得電子遷移聚集在介電層112′′的下表面，而帶正電粒子聚集在介電層112′′的上表面。也即圖4所示的靜電吸盤通過漏電流將正電荷傳導至靜電吸盤的上表面。
如圖4所示，由於介電層112′′的上表面不是理想平面，其粗糙度不可忽略，在介電層112′′的上表面形成多個個“山峰”與“山谷”。由於“尖端效應”，帶正電粒子聚集在“山峰”處。所述“山峰”與晶圓W的背面的負電子之間形成微型電場。無數個微型電場產生的電場力就構成了靜電吸盤的吸附力。該微型電場的電場強度隨著施加在電極113′′的直流電壓的增大而增強。
微型電場的電場力
F
chunk2 的計算公式如下所示：
； （2）
其中，
為真空介電常數，
V
gap 為所述“山峰”與晶圓W的背面之間的電勢差，
d
gap 為微型電場的“山峰”與晶圓W的背面之間的距離。基於晶圓W的實際面積S，通過對公式（2）進行求積分運算，即可得到圖4中靜電吸盤的吸附力
F
chunk3 ：
。
由於
d
gap 通常只有1～2um，因而只需要在電極113′′施加較小的直流電壓（700～1000V）就可以產生足夠的吸附力，因此圖4所示靜電吸盤的吸附力要遠大於圖3所示靜電吸盤的吸附力，半導體業內通常使用如圖4所示的靜電吸盤。
但同時圖4的靜電吸盤也具有顯著的缺點：
1）在停止對該靜電吸盤的電極113′′施加直流電壓後，“山峰”的電荷仍較難釋放，因此帶來對晶圓W解吸附困難的問題；
2）當“山峰”的電荷聚集過多，會對晶圓W放電導致晶圓W損壞；
3）該靜電吸盤的吸附力還隨著溫度變化會產生較大變化，因而吸附力不夠穩定；
4）由於該靜電吸盤的介電層113′′有摻雜，摻雜物易被真空反應腔內的等離子體侵蝕，在使用中體現出靜電吸盤壽命短，易產生顆粒物污染，易導致晶圓W的溫度不均勻，吸附力分佈不均勻等一系列問題。
本發明中，通過採用具有不同電阻率的兩個介電層，克服了上述問題與不足。如圖2所示，本發明中由於第一介電層111的電阻率較低，因此其內部會有許多可以自由移動的電子。圖2中，對第一介電層111內的電極113施加的是正電壓。當對第一介電層111內的電極113施加正電壓時，上述自由移動的電子聚集在第一介電層111的下表面。帶正電粒子聚集在第一介電層111的上表面。第一介電層111的上表面的帶正電粒子與第二介電層112的下表面產生靜電感應，因此第二介電層112的下表面會產生負電荷的極化電荷，第二介電層112的上表面產生正電荷的極化電荷。由於靜電感應，晶圓W的背面聚集有負電荷，通過晶圓W的下表面與第二介電層112的上表面的異性電荷之間的互相吸引作用，會使第二介電層112對晶圓W產生吸引力。也就是說，相當於將電極113的位置“抬高”至第二介電層112內，而實際上並不需要在第二介電層112內設置電極113，便可以使第二介電層112通過其極化電荷吸附晶圓W。由於第二介電層112內部不需要設置電極113，因此可以使本發明的第二介電層112相比於圖3所示靜電吸盤的介電層
具有更小的厚度。即使該厚度可達0.01mm。根據公式（1），由於第二介電層112的厚度減小，本發明的靜電吸盤僅需較小的直流電壓（低於2000V），即可為晶圓W提供足夠的吸附力。當施加的直流電壓減小時，晶圓W的背面氦氣打火的隱患則自然被消除。
由於本發明靜電吸盤的漏電流是由第一介電層111和第二介電層112的總電阻值決定的。第一介電層111的電阻在MOhm量級，第二介電層112的電阻在GOhm量級。因而通過將第一介電層111與第二介電層112相結合，與圖4所示的靜電吸盤相比，本發明的靜電吸盤可以顯著降低漏電流，對晶圓W解吸附更為容易。
在另一些實施例中，也可以對第一介電層111內的電極113施加負電壓。當施加負電壓時第一介電層111內的電子受到電極113作用遷移聚集在第一介電層111的上表面，而帶正電粒子聚集在第一介電層111的下表面。也即通過漏電流將負電荷傳導至第一介電層111的上表面。同時第二介電層112的下表面的極化電荷為正電荷，第二介電層112的上表面的極化電荷為負電荷。通過靜電感應，晶圓W的背面聚集有正電荷。如此在晶圓W與第二介電層112之間產生電勢差，用於吸附晶圓W。
如圖7所示，第二介電層112與晶圓W接觸的表面設有多個均勻分佈或非均勻分佈的凸起部1121；所述凸起部1121的高度範圍為2～3um。相比於完全通過平面與晶圓W接觸，第二介電層112通過多個凸起部1121減少與晶圓W的接觸面積，可以方便快速解吸附晶圓W。同時通過該凸起部1121使得晶圓W與第二介電層112之間形成一定的間隙。當導熱氣體（如氦氣）注入該間隙中，通過導熱氣體與晶圓W之間熱傳遞，可以帶走晶圓W的熱量。
本發明的基座110中還設置有多個冷卻管道，所述冷卻管道包含氦氣通道114。如圖7所示，通過所述氦氣通道114將氦氣通至晶圓W與第二介電層112之間的所述間隙，且氦氣通道114避讓所述凸起部1121。
實施例二
如圖5所示，在本實施例中，第一介電層211嵌入設置在基座210的頂部，且第一介電層211的頂面與基座210的頂面平齊；第二介電層212設置在基座210上並完全覆蓋第一介電層211。第一介電層211位於第二介電層212與基座210包圍形成的空間內，防止第一介電層211中的摻雜物被等離子體侵蝕產生污染物。
實施例三
如圖6所示，在本實施例中，基座310的外側壁設有耐等離子體腐蝕的鍍膜314。通過該鍍膜314保護基座310不受真空反應腔內等離子體侵蝕，並進一步減少顆粒污染物的產生。有利於提高晶圓W加工的成品率。
本發明還提供一種等離子體反應裝置，包括一等離子體反應腔，所述等離子體反應腔內底部設有如本發明（如上）所述的靜電吸盤，通過所述靜電吸盤吸附待加工的晶圓W。
本發明中，將高電阻率的無摻雜陶瓷材質的第二介電層112完全覆蓋低電阻率的有摻雜陶瓷材質的第一介電層111，並在第一介電層111中設置電極113，實現“抬高”電極113的位置，並且無需在第二介電層112內設置電極113即可使第二介電層112對晶圓W產生靜電吸附力。由於第二介電層112內不包含電極113，因而第二介電層112比習知技術中所使用的高電阻率材質介電層更薄，無需施加過高的直流電壓，即可使第二介電層112產生足夠的吸附力，且有效防止晶圓W背面氦氣打火。進一步，由於本發明的靜電吸盤相比習知技術採用高電阻率材質介電層的靜電吸盤漏電流更小，因而更容易解吸附晶圓W。
因此，本發明的靜電吸盤同時具備易於解吸附、無需施加高直流電壓的優點，同時不易被等離子體侵蝕，具有更長的使用壽命，並能夠有效防止氦氣打火，極大地提高了生產效率，並提高了晶圓加工的成功率。
以上所述，僅為本發明的具體實施方式，但本發明的保護範圍並不局限於此，任何熟悉的所屬技術領域中具有通常知識者在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到各種等效的修改或替換，這些修改或替換都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。因此，本發明的保護範圍應以申專利範圍的要求保護範圍為原則。
100:真空反應腔
101:反應腔腔壁
102:開口
110,210,310:基座
111,211:第一介電層
112,311:第二介電層
1121:凸起部
113:電極
114:氦氣通道
120:氣體噴淋頭
125:氣體供應裝置
140:排氣泵
150:射頻電源
152:匹配網路
314:鍍膜
W:晶圓
為了更清楚地說明本發明技術方案，下面將對描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一個實施例，對於所屬技術領域中具有通常知識者來講，在不付出具進步性的改變的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖：
圖1A為實施例一中，本發明的靜電吸盤所應用的等離子體反應裝置示意圖；
圖1B、圖2為實施例一中，本發明的靜電吸盤結構示意圖；
圖3為僅使用高電阻率材質介電層的靜電吸盤工作原理示意圖；
圖4為僅使用低電阻率材質介電層的靜電吸盤工作原理示意圖；
圖5為實施例二中，本發明的靜電吸盤結構示意圖；
圖6為實施例三中，本發明的靜電吸盤結構示意圖；以及
圖7為通過氦氣通道將導熱氣體通至晶圓與第二介電層之間的間隙示意圖。
110:基座
111:第一介電層
112:第二介電層
113:電極
W:晶圓
Claims (14)
- 一種靜電吸盤，其中，包含：一基座；一第一介電層，其設置在該基座上；該第一介電層為具有一第一電阻率的一有摻雜陶瓷材質，該第一介電層內設有產生靜電力的一電極；以及一第二介電層，其設置在該第一介電層上並覆蓋該第一介電層；該第二介電層為具有該第二電阻率的一無摻雜陶瓷材質；該第二電阻率大於該第一電阻率；該第二介電層的厚度為0.01mm~0.5mm。
- 如請求項1所述的靜電吸盤，其中，該第一介電層為有摻雜的AL2O3，其摻雜物包含Si、C、Mg，MgO，TiO2中的任一種或多種。
- 如請求項1所述的靜電吸盤，其中，該第二介電層為無摻雜的AL2O3。
- 如請求項1所述的靜電吸盤，其中，該第一介電層的電阻率為1010~1012Ω.cm。
- 如請求項1所述的靜電吸盤，其中，該第二介電層的電阻率大於1014Ω.cm。
- 如請求項1所述的靜電吸盤，其中，該第二介電層與晶圓接觸的表面設有多個均勻或非均勻分佈的凸起部；該凸起部的高度範圍為2~3um。
- 如請求項1所述的靜電吸盤，其中，在該第一介電層、該第二介電層之間還設有用於固定連接該第一介電層、該第二介電層的一黏接層。
- 如請求項1所述的靜電吸盤，其中，該第一介電層的厚度為 0.2~2mm。
- 如請求項1所述的靜電吸盤，其中，該第一介電層具有0.6~0.8um的表面粗糙度；該第二介電層具有0.1~0.2um的表面粗糙度。
- 如請求項1所述的靜電吸盤，其中，該第一介電層的底部粘接該基座的頂部，該第二介電層的周邊向下延伸並完全覆蓋該第一介電層的外側壁。
- 如請求項1所述的靜電吸盤，其中，該第一介電層嵌入設置在該基座的頂部，且該第一介電層的頂面與該基座的頂面平齊；該第二介電層設置在該基座上並完全覆蓋該第一介電層。
- 如請求項1所述的靜電吸盤，其中，該基座的外側壁設有耐等離子體腐蝕的一鍍膜。
- 如請求項6所述的靜電吸盤，其中，該基座中設置有多個冷卻管道，該冷卻管道包含一氦氣通道，通過該氦氣通道將氦氣通至晶圓與該第二介電層之間的間隙，且該氦氣通道避讓該凸起部。
- 一種等離子體反應裝置，包括一等離子體反應腔，其中，該等離子體反應腔內底部設有如請求項1至13中任一所述的靜電吸盤，通過該靜電吸盤吸附待加工的晶圓。
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