KR950001878A - 반도체 처리장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼의 CVD 장치는 알루미늄제의 처리챔버(12)를 구비한다. 하단이 개구하는 통형상의 석영제의 케이스(13)이 처리챔버(12)내에 배치된다. 케이스(13) 하단의 플랜지(34)와 처리챔버(12)의 바닥벽에 형성된 개구를 포위하듯이, 케이스(13) 하단의 플랜지(34)가 처리챔버(12)의 바닥벽에 기밀하게 접합된다. 이에 의하여, 케이스(13)의 내부공간이 처리공간으로부터 기밀하게 격리된다. 바닥벽의 개구는 처리챔버(12)의 바깥쪽으로부터 뚜껑체(24)에 의하여 폐쇄된다. 케이스(13)내에 천판(31)과 대향하듯이 저항발열체(14)가 배설된다. 급전선(15a) 및 열전대(16)이 대기쪽으로부터 뚜껑체(24)를 통하여 케이스(13)내에 도입된다. 뚜껑체(24)에 불활성 가스 공급관(43) 및 배기관(45)가 접속된다. 이것들에 의하여 케이스(13)내가 불활성가스 분위기로 되고, 저항발열체(14)등의 산화가 방지된다.

Description

반도체 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 관계된 CVD장치의 전체를 나타낸 종단측면도. 제2도는 제1도에 도시한 장치의 요부를 나타낸 단면도. 제3도는 제1도에 도시한 장치의 요부를 나타낸 분해사시도.

Claims (20)

  1. 피처리기판을 기밀상태로 수납하는 처리공간을 규정하는 처리챔버와, 상기 챔버는 상기 기판을 통하기 위한 통로를 개폐하는 게이트를 구비하는 것과, 상기 챔버의 상기 처리공간에 처리가스를 공급하는 수단과, 상기 챔버의 상기 처리공간을 배기하는 수단과, 상기 챔버의 상기 처리공간내에 배치된, 기판을 지지하는 지지수단과, 상기 챔버의 벽에 형성된 개구를 덮듯이 설치되고 처리공간내에 배치된 케이스와, 상기 케이스는 상기 처리공간으로부터 기밀상태로 격리된 내부공간을 규정하는 것과, 상기 지지수단에 지지된 상태의 상기 기판에 면한 상기 케이스의 부분은 광투과성의 재료로 된 주판으로 이루어지는 것과, 상기 주판은 상기 기판의 윤곽보다도 큰 윤곽의 평탄 외면을 가지는 것고, 상기 케이스를 기밀(air-tight)하게 폐쇄하는 뚜껑체와, 상기 주판에 인접하여 상기 케이스의 상기 내부공간내에 배설된 저항발열체와, 상기 챔버 밖으로부터 상기 케이스의 상기 내부공간내에 도입된, 상기 저항발열체에 전력을 부여하기 위한 급전부재와, 상기 챔버 밖으로부터 상기 케이스의 상기 내부공간내에 도입된, 상기 저항발열체의 온도를 측정하기 위한 온도측정부재와, 상기 챔버 밖으로부터 상기 케이스의 상기 내부공간내에 불활성 가스를 공급하는 수단과, 상기 케이스의 상기 내부공간내로부터 상기 챔버밖으로 상기 불활성 가스를 배출하는 수단을 구비하는 반도체 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 케이스는 전체가 실질적으로 동일한 광투과성의 상기 재료로 이루어지며, 상기 저항발열체는, 상기 기판의 윤곽보다도 큰 윤곽이고 또한 상기 주판과 평행인 발열영역을 가지는 반도체 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 케이스의 상기 내부공간내에 배설되고, 상기 저항발열체로부터 발생하는 복사열을 상기 주판을 향해서 반사하는 수단을 더욱 구비하는 반도체 처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 처리가스를 공급하는 수단이, 상기 기판상에 CVD막을 형성하기 위한 가스를 공급하는 반도체 처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 케이스의 상기 내부공간내의 압력을 대기압 이하로 설정하기 위하여, 상기 불활성 가스의 유량을 조정하는 조정수단을 더욱 구비하는 반도체 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 케이스의 상기 내부공간내의 압력을 검출하는 압력검출수단과, 상기 압력검출수단으로부터의 정보에 근거하여, 상기 조정수단을 제어하여 상기 케이스의 상기내부공간내의 압력을 실질적으로 일정하게 유지하는 제어수단을 더욱 구비하는 반도체 처리장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 케이스의 상기 내부공간내의 압력을 검출하는 제1 압력검출수단과, 상기 챔버의 상기 처리공간내의 압력을 검출하는 제2 압력검출수단과, 상기 제1 및 제2 압력검출수단으로부터의 정보에 근거하여, 상기 조정수단을 제어하여 상기 챔버의 상기 처리공간내의 압력과 상기 케이스의 상기 내부공간내의 압력과의 차압을 실질적으로 일정하게 유지하는 제어수단을 더욱 구비하는 반도체 처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 주판의 상기 평탄 외면이 상향으로 배치되고, 상기 지지수단이 상기 평탄 외면의 일부로 이루어지는 반도체 처리장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 기판을 승강시키기 위한 복수의 리프트핀과, 상기 리프트핀을 구동하는 수단을 또한 구비하고, 상기 리프트핀은 , 상기 주판 및 상기 케이스의 상기 내부공간을 수직으로 관통하는 관통구멍내에 배치되고, 상기 케이스의 상기 내부공간은 상기 관통구멍으로부터 기밀상태로 격리되는 반도체 처리장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 케이스가, 상기 주판쪽의 제1부분과, 상기 챔버의 상기 벽쪽의 제2부분을 구비하며, 상기 제1부분은, 상기 주판과 평행인 면내에 있어서, 상기 제2부분보다도 칫수가 큰것과, 상기 제1부분은, 상기 저항방열체를 끼고 상기 주판과 대향하는 대향판을 구비하고, 상기 관통구멍은 상기 대향판으로부터 상기 주판에 관통하는 것을 구비하는 반도체 처리장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 주판의 상기 평탄 외면이 하향으로 배치되고, 상기 지지수단이, 상기 케이스에 대향하여 배설된 얹어놓는대에 의하여 형성되는 반도체 처리장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 얹어놓는대를 승강구동하는 수단을 더욱 구비하는 반도체 처리장치.
  13. 피처리기판을 기밀상태로 수납하는 처리공간을 규정하는 처리챔버와, 상기 챔버는 상기 기판을 통하기 위한 통로를 개폐하는 게이트를 구비하는 것과, 상기 챔버의 상기 처리공간에 처리가스를 공급하는 수단과, 상기 챔버의 상기 처리공간을 배기하는 수단과, 상기 챔버의 벽에 형성된 개구를 덮듯이 상기 벽에 부착되고 또한 상기 처리공간내에 배치된 케이스와, 상기 케이스는 상기 처리공간으로부터 기밀상태로 격리된 내부공간을 규정하는 것과, 상기 케이스는 광투과성의 재료로 된 천판을 구비하고, 상기 천판은 상기 기판의 윤곽보다도 큰 윤곽의 평탄 외면을 가지는 것과, 상기 평탄 외면상에 상기 기판이 재치되는 것과, 상기 챔버의 밖으로부터 상기 개구를 폐쇄하는 뚜껑체와, 상기 천판에 인접하여 상기 케이스의 상기 내부공간내에 배설된 저항발열체와, 상기 저항발열체는, 상기 기판의 윤곽보다도 큰 윤곽이고 또한 상기 천판과 평행인 발열영역을 가지는 것과, 상기 챔버밖으로부터 상기 뚜껑체를 통하여 또한 상기 처리공간내를 통과하는 일없이 상기 케이스의 상기 내부공간내에 도입된, 상기 저항발열체에 전력을 부여하기 위한 금전부재와, 상기 챔버 밖으로부터 상기 뚜껑체를 통하여 또한 상기 처리공간내를 통과하는 일없이 상기 케이스의 상기 내부공간내에 도입된, 상기 저항발열체의 온도를 측정하기 위한 온도측정부재와, 상기 챔버 밖으로부터 상기 뚜껑체를 통하여 또한 상기 처리공간내를 통과하는 일없이 상기 케이스의 상기 내부공간내에 불활성 가스를 공급하는 수단과, 상기 케이스의 상기 내부공간로부터 상기 뚜껑체를 통하여 또한 상기 처리공간내를 통과하는 일없이 상기 챔버 밖에 상기 불활성 가스를 배출하는 수단과, 상기 기판을 승강시키기 위한 복수의 리프트핀과, 상기 리프트핀은, 상기 천판 및 상기 케이스의 상기 내부공간을 수직으로 관통하는 관통구멍내에 배치되고, 상기 케이스의 상기 내부공간은 상기 관통구멍으로부터 기밀상태로 격리되는 것과, 상기 리프트핀을 구동하는 수단을 구비하는 반도체 처리장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 케이스 전체가 실질적으로 동일한 광투과성의 상기 재료로 이루어지는 반도체 처리장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 케이스의 상기 내부공간내에 배설되고, 상기 저항발열체로부터 발생하는 복사열을 상기 천판을 향해서 반사하는 수단을 더욱 구비하는 반도체 처리장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 처리가스를 공급하는 수단이, 상기 기판상에 CVD막을 형성하기 위한 가스를 공급하는 반도체 처리장치.
  17. 제13항에 있어서, 상기 케이스의 상기 내부공간내의 압력을 대기압 이하로 설정하기 위하여, 상기 불활성 가스의 유량을 조정하는 조정수단을 더욱 구비하는 반도체 처리장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 케이스의 상기 내부공간내의 압력을 검출하는 압력검출수단과 상기 압력검출수단으로부터의 정보에 근거하여, 상기 조정수단을 제어하여 상기 케이스의 상기 내부공간내의 압력을 실질적으로 일정하게 유지하는 제어수단 또한 구비하는 반도체 처리장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 케이스의 상기 내부공간내의 압력을 검출하는 제1압력검출수단과, 상기 챔버의 상기 처리공간내의 압력을 검출하는 제2압력검출수단과, 상기 제1 및 제2압력검출수단으로부터의 정보에 근거하여, 상기 조정수단을 제어하여 상기 챔버의 상기 처리공간내의 압력과 상기 케이스의 상기 내부공간내의 압력과의 차압을 실질적으로 일정하게 유지하는 제어수단을 더욱 구비하는 반도체 처리장치.
  20. 제13항에 있어서, 상기 케이스가, 상기 천판쪽의 제1부분과 상기 챔버의 상기 벽쪽의 제2부분을 구비하며, 상기 제1부분은, 상기 천판과 평행인 면내에 있어서 상기 제2부분보다도 치수가 큰 것과, 상기 제1부분은, 상기 저항발열체를 끼고 상기 천판과 대향하는 바닥판을 구비하고, 상기 관통구멍은 상기 바닥판으로부터 상기 천판에 관통하는 것을 구비하는 반도체 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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