JP4251887B2 - 真空処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空雰囲気下(減圧下)で基板に対して例えば成膜処理などを行う真空処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ(以下ウエハという)に形成されたホールや溝の中に金属や金属化合物をCVD(chemical vapor deposition)処理により埋め込んで配線を形成する工程がある。金属あるいは金属化合物をウエハ上に成膜する装置としては例えば特許文献1に記載されている。
【0003】
この特許文献1に記載されている成膜装置の概略を図6に示す。1はチャンバであり、上部側が扁平な円筒部1aとして形成されると共に下部側が小径の円筒部1bとして形成されるきのこ型の構造をなしている。円筒部1a内には、抵抗発熱体からなるヒータ11a、11bが埋設されたセラミックスからなる載置台12が設けられ、この載置台12の裏面側中央部にはセラミックスからなる筒状体13の上端が接合されている。チャンバ1の底面中央部には開口部14が形成され、この開口部14を囲むように前記筒状体13の下端がチャンバ1の底面にリング状の樹脂製シール部材(Oリング)15を介して気密に取り付けられている。従って筒状体13の内部は大気雰囲気であり、この中にヒータ11a、11bに夫々給電するための給電ケーブル16a、16b及び載置台12の温度を検出するための熱電対17が配置されている。
【0004】
ヒータ11aは載置台12の中央部に設けられ、ヒータ11bはヒータ11aの外側にリング状に設けられている。熱電対17は先端が載置台12の中央部に接触していて接触部位の温度を検出し、この温度に基づいて例えばヒータ11a及びヒータ11bの供給電力の比を一定に維持しながらヒータ11a、11bの供給電力の制御が行われる。
【0005】
載置台12の上方にはウエハ10の表面全体に亘って高い均一性でガスが供給できるように構成されたガスシャワーヘッドなどと呼ばれているガス供給部18が設けられている。このガス供給部18から処理ガスが供給されると共に、円筒部11bの底部付近に設けられた図示しない排気口から排気されてチャンバ1内が所定圧力の真空雰囲気下に維持され、処理ガスがウエハ10表面において熱化学反応を起こし、所定の薄膜例えばW(タングステン)、WSix(タングステンシリサイド)、TiあるいはTiN(チタンナイトライド)などの金属あるいは金属化合物がウエハ10表面に成膜される。
【0006】
筒状体13は、給電ケーブル16a、16b及び熱電対17の存在する空間を処理雰囲気側から区画して、成膜ガスあるいはクリーニング時のクリーニングガスによるこれら部材の腐食を防止するために、また熱電対17による温度検出が高い精度で行われるようにするために設けられている。熱電対17は先端部と載置台12との接触により載置台12の温度を検出しているが、仮に接触部位が処理ガスの雰囲気にさらされるとすると、処理ガスを流すときと流さないときとで圧力が変動し、そのため接触部位の間に存在する空間の熱伝導の大きさが変わるので、温度制御が不安定になってしまう。このようなことから筒状体13内は処理ガスの雰囲気から気密に区画されており、この例では筒状体13内は大気圧とされている。
【0007】
【特許文献1】
特願2001−384649:図7
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところでウエハ10の大口径化に伴い、いかにして面内均一性の高いプロセスを行うかが課題の一つになっており、このため載置台12の温度制御に関してもより一層の精度が要求される。しかしながら上述の装置では例えば載置台12の周縁部の温度が外乱により乱れても中央部の温度を検出しているため、その乱れに追従した温度制御ができない。外側のヒータ11bが配置されている領域にも熱電対17を設けようとすると、筒状体13の径を大きくしなければならず、その場合にはチャンバ1の容積がかなり大きくなってしまい、装置が大型化する。
【0009】
そして図6のように載置台12の中央部から伸びる小径の筒状体13を用いても、下部側の円筒部1bの長さが大きいことから設置スペースの点で得策ではない。下部側の円筒部1bの長さを大きくする理由については、載置台12の温度が例えば500℃〜700℃程度であり、この熱が筒状体13を介してチャンバ1の底部に伝わるが、チャンバ1の底部と筒状体13の下端部との間に介在するOリング15の耐熱性が小さいことから、筒状体13の長さをかなり大きくする必要があるからである。
【0010】
更にまた成膜処理を繰り返し行うと載置台12に付着する薄膜の膜厚が厚くなって膜剥がれによるパーティクルの発生のおそれがあることから、定期的にチャンバ1内はクリーニングガスによりクリーニングされるが、成膜処理後クリーニングの開始時までに長い時間がかかるという課題もある。即ち、クリーニング時の載置台12の温度は例えば250℃と成膜処理時よりも低いが、載置台12の周囲は真空雰囲気であるため、放熱して降温するのに長い時間がかかる。なおチャンバ1内の圧力を高くして放熱を促進させると、その後クリーニングを行うための適切な圧力まで真空引きするのに長い時間がかかってしまう。
【0011】
本発明は、このような背景の下になされたものであり、その目的は、載置台の裏側への処理ガスの回り込みを防止し、更に載置台の温度を検出する温度検出部や抵抗発熱体に電力を給電する給電路部材を設ける場合にはこの給電路部材の腐食も防止し、しかも樹脂製シール材の熱劣化の問題を回避して載置台と処理容器の底部との距離を小さくすることのできる真空処理装置及びその方法を提供することにある。また、載置台下端部と処理容器底部の間の面接触部位が例えば熱収縮により擦れてパーティクルが発生したとしても処理雰囲気に流入することを抑制して基板の汚染を防止できる真空処理装置及びその方法を提供することにある。本発明の更なる目的は、載置台の温度を速やかに降温して運転効率を高くすることのできる真空処理装置及びその方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、処理容器内に設けられた載置台上に基板を載置し、処理容器内を真空雰囲気にすると共に加熱手段により基板を加熱しながら処理ガスにより基板に対して処理を行う真空処理装置において、
載置台と処理容器の底部との間の空間を処理雰囲気から区画するために、当該空間の周囲を囲み、その下端部と処理容器の底部とが互いに面接触している区画部と、
前記空間内にパージガスを供給するためのパージガス供給部と、
前記空間内のパージガスを排気するためのパージガス排気部と、
前記空間内の圧力を調整するための圧力調整部と、
処理雰囲気と処理容器の排気口との間において、処理容器の壁部と前記区画部との間に亘って設けられ、区画部により囲まれた空間内からパージガスが漏洩する部分が排気口側になるように配置されたバッファ板と、を備え、
前記区画部の下端部と処理容器の底部との間には樹脂製シール部材が介在せず、前記空間内への処理ガスの侵入を抑えるために前記空間の圧力は処理雰囲気の圧力よりも高くなるように調整されることを特徴とする。本発明は、前記処理容器の底部を貫通して前記空間内に挿入され、先端部が載置台に接触する温度検出部を備えた構成とすることができる。また加熱手段は、例えば載置台に設けられた抵抗発熱体からなり、この場合、加熱手段に電力を供給するための給電路部材が前記処理容器の底部を貫通して前記空間内に挿入される。更に処理ガスによる基板の処理が終了した後、処理容器内をクリーニングする工程に移行するときに、前記空間の圧力を昇圧するように前記圧力調整部を介して制御する制御部を備えた構成としてもよい。
【0013】
他の発明は、処理容器内に設けられた載置台上に基板を載置し、処理容器内を真空雰囲気にすると共に加熱手段により基板を加熱しながら処理ガスにより基板に対して処理を行う真空処理装置において、
載置台と処理容器の底部との間の空間を処理雰囲気から区画するために、当該空間の周囲を囲み、その下端部と処理容器の底部とが互いに面接触している区画部と、
前記空間内にパージガスを供給するためのパージガス供給部と、
前記空間内のパージガスを排気するためのパージガス排気部と、
前記パージガスを冷却するパージガス冷却部と、
前記パージガスを冷却するように前記冷却部を制御する制御部と、
前記空間内の圧力を調整するための圧力調整部と、を備え、
前記区画部の下端部と処理容器の底部との間には樹脂製シール部材が介在せず、前記空間内への処理ガスの侵入を抑えるために前記空間の圧力は処理雰囲気の圧力よりも高くなるように調整されることを特徴とする。
制御部は、処理ガスによる基板の処理が終了した後、処理容器内をクリーニングする工程に移行するときに、前記パージガスを冷却するように冷却部を制御するようにしてもよい。また処理雰囲気と処理容器の排気口との間において、処理容器の壁部と前記区画部との間に亘って設けられ、区画部により囲まれた空間内からパージガスが漏洩する部分が排気口側になるように配置されたバッファ板を備えた構成としてもよく、この場合、前記バッファ板には温調部が設けられていてもよい。
【0014】
更に他の発明は、処理容器内に基板を載置するための載置台を設けると共に、載置台と処理容器の底部との間の空間を処理雰囲気から区画するために、当該空間の周囲を囲み、その下端部と処理容器の底部とが互いに面接触している区画部を設け、処理容器内を真空雰囲気にし、処理ガスにより載置台上の基板に対して処理を行う真空処理方法において、
前記区画部により囲まれた空間内の圧力を処理容器内の処理空間内の圧力よりも高く調整した状態で、基板に所定の真空処理を実施する処理工程と、
真空処理の実施後に、区画部により囲まれた空間内の圧力を更に高く昇圧した状態で、載置台の温度を降温させる降温工程と、を含むことを特徴とする。この場合、降温工程の後に、処理容器内をクリーニングするクリーニング工程を含むようにしてもよい。
【0015】
更にまた他の発明は、処理容器内に基板を載置するための載置台を設けると共に、載置台と処理容器の底部との間の空間を処理雰囲気から区画するために、当該空間の周囲を囲み、その下端部と処理容器の底部とが互いに面接触している区画部を設け、処理容器内を真空雰囲気にし、処理ガスにより載置台上の基板に対して処理を行う真空処理方法において、
前記区画部により囲まれた空間内の圧力を処理容器内の処理空間内の圧力よりも高く調整した状態で、基板に所定の真空処理を実施する処理工程と、
真空処理の実施後に、前記区画部により囲まれた空間内に供給されるパージガスを冷却させながら、載置台の温度を降温させる降温工程と、を含むことを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
図1は本発明に係る真空処理装置の実施の形態の全体構成を示す図である。この実施の形態の真空処理装置は、例えばTiあるいはTiNを成膜するための成膜装置であり、円筒状の気密な処理容器(真空チャンバ)2を備えている。この処理容器2内には基板例えばウエハ10を水平に支持するための基板保持部である載置台3が設けられている。この載置台3はウエハ10よりもサイズの大きい円形状に形成され、載置台3の外周縁に連続して下方側に垂直に延びる円筒部4が設けられている。載置台3及び円筒部4は例えば窒化アルミニウム(AlN)あるいはアルミナ(Al2O3)などのセラミックスにより一体的に作られていて、全体構造は一端側が開口し、他端側が有底の筒状体を逆さまにした形状をしている。
【0017】
一方処理容器2の底部である底壁21の内壁面には円筒部4の口径に対応する径のリング状の断熱体41例えば石英製の断熱体41が設けられている。この断熱体41は、断面形状が四角形であり、前記底壁21の内壁面と面接触している。断熱体41の上には、断面形状が逆L字型のリング状の押さえ部材42が載置され、断熱体41の上面と面接触している。前記円筒部4の下端部は外側に屈曲されてフランジ部(鍔部)43として形成されており、断熱体41及び押さえ部材42により形成される、内側に向いたリング状の溝部内に前記フランジ部43が嵌合されている。円筒部4と断熱体41及び押さえ部材42とは互いに面接触しており、底壁21の内壁面、断熱体41、押さえ部材42及び円筒部4の互いに接触する面は研磨されていて、互いの面接触によりできるだけ気密性を確保するようにしている。
【0018】
従って円筒部4、断熱体41及び押さえ部材42により、載置台3と処理容器2の底部との間の空間Sの周囲が囲まれ、当該空間Sが処理雰囲気から区画されることとなり、この例では円筒部4、断熱体41及び押さえ部材42が区画部に相当する。
【0019】
また処理容器2の底壁21には、前記空間Sにパージガス例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給するためのパーガス供給部をなすパージガス供給管51が接続されると共に、空間Sからパージガスを排気するためのパージガス排気部をなすパージガス排気管52が接続されている。ここで図2は、図1の成膜装置の用力系及び制御系を詳しく記載した構成図であり、この図2に示されているように、パージガス供給管51には、バルブV及び流量調整部であるマスフローコントローラ53を介してパージガス供給源54が接続され、パージガス排気管52には、例えばバタフライバルブなどの圧力調整部55を介して真空排気手段である真空ポンプ56に接続されている。なおこの真空ポンプ56は例えば後述の処理容器2内を排気するための真空ポンプ20を共用してもよい。パージガス排気管52における処理容器2の近傍には、前記空間Sの圧力を検出するための圧力検出部57が設けられている。
【0020】
図2中6は制御部であり、この制御部6は圧力検出部57により検出された圧力検出値により圧力調整部55に制御信号を送り、空間Sの圧力を制御する機能、及び流量調整部53に制御信号を送ってパージガスの流量を調整する機能を備えている。そして制御部6による圧力制御により、空間Sの圧力が処理雰囲気の圧力よりも高くなるように調整され、また載置台3の温度を降温するときに、例えば処理ガスによるウエハ10の成膜処理が終了した後、処理容器2内をクリーニングする工程に移行するときに、載置台3の熱をパージガスを介して処理容器2の底壁21側に効率よく放熱させるために空間Sの圧力が昇圧するように調整される。載置台3の温度を降温するとき以外においては、例えば成膜処理の準備段階からウエハ10の連続成膜が終了するまでの間は、前記空間Sの圧力は、後述の熱電対の先端部と載置台3との接触部の微少な隙間にて十分な熱伝導が行われて精度のよい温度検出値が得られる圧力、例えば133Paから2660Paに設定される。
【0021】
載置台3内には、図2に示すように加熱手段例えば抵抗発熱体からなるヒータ7が設けられ、この例ではヒータ7は、載置台3の中央部に設けられた円形あるいはリング状のヒータ71と、このヒータ71の外側に設けられたリング状のヒータ72とに分割されている。前記空間Sには、例えば給電ケーブルなどの2本の給電路部材73、74が処理容器2の底部を貫通して外部から挿入されており、これら給電路部材73、74は先端部が夫々ヒータ71、72に電気的に接続され、他端部側の電源部61、62から夫々電力を供給するように構成されている。また前記空間Sには、温度検出部、例えば2本の熱電対75、76が処理容器2の底部を貫通して外部から挿入されており、これら熱電対75、76の先端部は、載置台3においてヒータ71、72に夫々割り当てられた加熱領域の下部側に接触、例えば載置台3の下面側から突出した孔部に嵌入されている。制御部6は、熱電対75からの温度検出値に基づいて電源部61に制御信号を送って内側のヒータ71の発熱量を制御し、更に熱電対76からの温度検出値に基づいて電源部62に制御信号を送って外側のヒータ72の発熱量を制御する機能を備えている。
【0022】
なお図1では、図示の便宜上、ヒータ71、72は記載を省略しており、また給電路部材73、74及び熱電対75、76は各々1本のみを記載してある。図1に示すように給電路部材73、74は、スリーブを組み合わせた取り付け部材77及び樹脂製のリング状のシール部材であるOリング77aを用いて処理容器2の底壁21との間の気密性が確保されており、また熱電対75、76はスリーブを組み合わせた取り付け部材78及びOリング78aを用いて処理容器2の底壁21との間の気密性が確保されている。この例ではヒータは2分割されているが、3以上に分割してその分割数に対応する数の給電路部材及び熱電対を設け、各ヒータを独立して制御するようにしてもよい。
【0023】
更に載置台3と処理容器2の底壁21との間には、載置台3からの輻射熱を載置台3側に反射するように上面が例えば鏡面に仕上げられた反射面部をなす反射板31が載置台3と対向して設けられている。このように反射板31を設ければ、底壁21の温度上昇を抑えることができると共にヒータ71、72の加熱効率が向上する。なお反射面部は、処理容器の底壁の表面を鏡面に仕上げることにより形成されたものであってもよい。
【0024】
前記処理容器2の底壁21の周縁部には、例えば周方向に複数個の排気口22が形成されており、これら排気口22には排気管23が接続され、真空排気手段である真空ポンプ20により処理容器2内を真空排気するように構成されている。前記円筒部4の周囲には、周方向に沿ってかつ円筒部4と処理容器2の側壁との間を塞ぐようにバッファ板32が設けられている。このバッファ板32には、処理雰囲気からの処理ガスが排気口22側に流れるように周方向に多数の孔部33が穿設されており、ウエハ10の周方向において均一に排気する役割があるが、円筒部4、断熱体41、押さえ部材42及び処理容器2の底壁21の間の面接触部位が例えば熱収縮により擦れてパーティクルが発生したとしても処理雰囲気に流入することを抑制してウエハ10の汚染を防止できる効果もある。
【0025】
バッファ板32内には、図2に示すように温調部である例えば冷媒流路34が設けられ、冷媒供給路35から供給された冷媒、例えば冷却水、ガルデン(アウジモント社の登録商標)などが冷媒流路34を通流してバッファ板32を冷却し、冷媒排出路36から排出される。冷媒排出路36から排出された冷媒は冷却ユニット37にて冷却され、冷媒供給路35を介して循環する。冷却ユニット37は、制御部6からの信号に基づいて冷媒流量及び/または冷媒の温度が調整されるように構成されている。冷媒供給路35及び冷媒排出路36は、図2では簡略化して記載されているが、例えば処理容器2の側壁を貫通する配管により構成される。またバッファ板32の温調部は冷媒流路に加えて例えば抵抗発熱体などの加熱手段を組み合わせて、広い温度域に亘って調整できるようにしてもよい。バッファ板32の温度調整については、成膜処理の種類に応じた温度、例えば薄膜やバイプロダクトが付着する温度以上の温度に調整され、バッファ板32にこれらが付着しないようにする。
【0026】
その他の部位について述べておくと、図1中24は受け渡し用の支持部材であり、ウエハ10の周縁部を支持して昇降部25により昇降し、受け渡し時以外では載置台3に形成された段部26内にに収まっている。処理容器2の側壁にはウエハ搬送口27が形成され、ゲートバルブ28により図示しない予備真空室に連通している。処理容器2の上部には載置台3に対向するようにガスシャワーヘッドからなるガス供給部29が設けられ、複数のガス供給管(図示では便宜上2本のガス供給管29a、29bを記載してある)から夫々供給される成膜ガスが別々に処理容器2に内に供給されるように構成されている。
【0027】
次に上述実施の形態の作用について述べる。先ずヒータ71、72により載置台3を例えば400〜700℃程度の範囲内の所定の温度に加熱しておくと共に処理容器2内を真空ポンプ20により引き切り状態としておき、搬送口27を介して基板であるウエハ10を図示しないアームにより処理容器2内に搬入し、支持部材24を介して載置台3上に載置する。ウエハ10が400〜700℃程度の範囲内の所定のプロセス温度まで加熱された後、処理雰囲気を例えば100〜1000Pa程度の範囲内の所定の圧力に維持しながら、処理ガス例えばTiCl4(四塩化チタン)及びNH3(アンモニア)を夫々所定流量でガス供給部29から処理容器2内に供給し、処理ガスを熱化学反応させて薄膜例えばTiNをウエハ10上に成膜する。このときバッファ板32の表面温度はTiN膜やバイプロダクトが成膜されない温度、例えば170℃に調整される。またNH3の代わりにH2(水素)を供給してTiを成膜するようにしてもよい。
【0028】
一方載置台3の下方側の空間Sは、パージガス供給管51からパージガスである例えばN2ガスが供給され、圧力調整部55により処理雰囲気の圧力よりも高い例えば1330Pa程度に調整されている。従って図3に示すように処理容器2の底壁21と断熱体41との間、断熱体41と押さえ部材42との間、円筒部4の下端部と断熱体41及び押さえ部材42との間の各微少な隙間から空間Sのパージガスが処理雰囲気側に漏洩し、これにより処理雰囲気側から処理ガスが空間Sに流入することを抑制している。
【0029】
こうして成膜工程が終了すると次のウエハ10に対して同様にして成膜が行われるが、このような成膜をくり返すことにより、積算されたトータル膜厚が予め決められた膜厚に達すると処理容器2内をクリーニングする。図4は、このようなシーケンスを示すフローであり、ステップS1にて前記空間Sの圧力を所定圧力P1に維持しながら既述のように成膜処理を行い、成膜工程が終了すると(ステップS2)、クリーニングを行うタイミングであるか否かを判断し(ステップS3)、クリーニングを行うタイミングでなければ次のウエハに対して成膜を行い、クリーニングを行うタイミングであれば、載置台3のヒータ71、72への電力供給を停止して載置台3をクリーニング工程の設定温度例えば250℃に向けて降温すると共に、載置台3からの放熱を大きくして降温を促進するために空間Sの圧力を成膜時の圧力P1からP2例えば2660Paへ昇圧する(ステップS4)。載置台3が設定温度まで降温すると、クリーニングガス例えばClF3(三フッ化塩素)ガスあるいはF2(フッ素)ガス+HF(フッ化水素)ガスを処理容器2内に供給して処理容器2の内壁や載置台3に付着している薄膜をエッチングにより除去するクリーニング工程を行う(ステップS5)。
【0030】
クリーニングが行われるときは、空間Sの圧力はP2のままであってもよいが、放熱を少なくするためにP2から降圧してもよい。この場合においてもクリーニングガスが空間Sに入り込まないように空間Sの圧力は処理雰囲気の圧力よりも高く設定される。
【0031】
なお、空間Sの圧力を処理雰囲気の圧力よりも高く設定する制御方法として、処理容器2内に設けた圧力センサー(図示せず)からの信号を制御部6に入力し、制御部6はこの処理容器2内の圧力センサー及び圧力検出部57の各検出信号により、例えば処理容器2内の圧力よりも一定値高い圧力で空間Sの圧力を制御したり、また処理容器2内の圧力より一定倍数高い圧力で空間Sの圧力を制御することも可能である。
【0032】
上述の実施の形態によれば、ウエハ10を載置する載置台3の下方側に周縁に沿って下方に伸びる円筒部4(区画部)を当該載置台3に一体的に設けると共に、当該円筒部4の下端のフランジ部43を断熱体41及び押さえ部材42の間に嵌合させ、そして処理容器2の底面と断熱体41との間、断熱体41と押さえ部材42との間、円筒部4の下端部と断熱体41及び押さえ部材42との間を面接触させて載置台3の下方側空間Sと処理雰囲気との間をある程度気密にシールして区画し、前記空間Sの圧力をパージガスにより処理雰囲気の圧力よりも高くしている。従って載置台3の裏側へのガスの回り込みを防止できるので、即ち処理雰囲気から前記空間Sへの処理ガスやクリーニングガスの流入を防止できるので、熱電対75、76及び給電路部材73、74の腐食を防止できる。また熱電対75、76と載置台3との接触部の微少空間の熱伝達が良好に行われて所定の温度検出精度を満足できる程度に前記空間Sの圧力を設定しているので、安定した載置台3の温度制御を行うことができる。
【0033】
しかも前記空間Sと処理雰囲気との間を気密に区画するためのOリングを用いていないので、Oリングの熱劣化を気にしなくてよく、このため載置台3と処理容器2の底部との距離を短くでき、処理容器2の設置スペースを小さくできる。そして処理雰囲気から区画された載置台3の下方側全体に亘って空間Sが処理雰囲気から区画されているので、熱電対75(76)及び給電路部材73(74)の設置数及び設置位置が制限されず、載置台3を所望のゾーンに分割してきめ細かく制御すること等により、結果としてウエハ10の温度について高い面内均一性が得られる。なお熱電対75、76及び給電路部材73、74は径が小さいのでこれらを伝って下方側に向かう熱は少ないことから、これら部材と処理容器2の底部との間はOリングを介在させて気密を確保することができる。
【0034】
更にまた成膜処理が終わって次の工程を行うために例えばクリーニングを行うために載置台3の温度を降温させる場合に、前記空間Sの圧力を高くして載置台3の放熱を促進させているので、載置台3が所定温度まで短時間で降温させることができ、従ってクリーニング工程を速やかに実施することができ、装置の稼働率が向上する。これに対し、載置台3の降温を早めるために、処理雰囲気の圧力を高くすると、その後クリーニング工程において、処理雰囲気を設定圧力まで下げるのに長い時間がかかることから、空間Sを昇圧することは非常に有効である。
【0035】
また載置台3の外周に沿って設けられたバッファ板32は、載置台3から処理ガスを介して熱が伝達されるので1枚目のウエハ10を処理しているときに比べてその後に続くウエハ10を処理しているときの温度が高くなり、そのためにウエハ10の間で(面間で)ウエハ10表面上でのガスの消費量が異なることとなり、ガスの濃度分布が変わってしまう懸念があるが、バッファ板32に温調部を設けて冷却し、ウエハ10の間においてバッファ板32の温度のばらつきを抑えるようにしているため、成膜処理について例えば膜厚について高い面間均一性を得ることができる。
【0036】
上述の実施の形態では、載置台3を降温するときに空間Sの圧力を高くして放熱を促進させるようにしているが、パージガス供給管51に冷却部を設けて、パージガスを冷却することにより載置台3の降温を促進させるようにしてもよいし、あるいは空間Sの昇圧とパージガスの冷却とを組み合わせてもよい。また載置台3を降温する場合としては、クリーニングに限らず、あるプロセスから他のプロセスに移行する場合、例えば互いに異なる膜を連続して成膜し、後半の成膜処理の温度が前半の成膜処理の温度よりも低い場合などであってもよい。
【0037】
載置台3の下方側の空間Sを処理雰囲気から区画する構造としては、図1の構成に限らず、例えば図5に示すように載置台3の下方側空間Sを囲むように区画部をなす筒状の断熱体8を設けて、断熱体8の上端を屈曲してその屈曲面と載置台3の下面との間を面接触させると共に断熱体8の下端を屈曲してその屈曲面と処理容器2の底壁21とを面接触させる構成としてもよい。このようにすれば載置台3と底壁21との間の断熱効果をより大きくできる。
【0038】
また断熱体8の下端部はリング状の押さえ部材81により押さえられており、この押さえ部材81と断熱体8との間及び押さえ部材81と底壁21との間は面接触している。更に載置台3の周縁部とバッファ板32との間の隙間は、リング状の中間部材82により塞がれており、この中間部材82と載置台3及びバッファ板32との間も面接触していて、パーティクルや金属粒子が処理雰囲気に飛散するのを防いでいる。
【0039】
以上において、本発明は、WF6(六フッ化タングステン)ガスとH2ガスあるいはSiH4(モノシラン)ガスとを用いてWを成膜する場合に適用してもよいし、WF6ガスとSiH2Cl2(ジクロルシランガス)とを用いてWSi2を成膜する場合に適用してもよい。更にウエハ10を加熱する手段としては例えば載置台3の上方に対向させた加熱ランプであってもよい。なお本発明は、エッチングやアッシングなどの真空処理を行う装置に対しても適用できる。
【0040】
【発明の効果】
本発明によれば、載置台の下方側の空間を区画部で囲み、区画部内の圧力を陽圧にして周囲からのガスの侵入を防止しているので、処理ガスやクリーニングガスなどによる熱電対や給電路部材の腐食を防止できる。また区画部と処理容器の底部との間に樹脂製シール部材が介在しないので、載置台からの伝熱による樹脂製シール部材の劣化を気にしなくてよく、載置台と処理容器の底部との間の距離を短くでき、装置の設置スペースを小さくできる。更にまた載置台の温度を降温するときに、空間の圧力を昇圧するかまたはパージガスを冷却するようにしているので、載置台を速やかに降温することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかる真空処理装置(成膜装置)の全体構成を示す縦断側面図である。
【図2】上記真空処理装置の制御系を示す構成図である。
【図3】載置台の下方側の空間を形成する区画部における面接触部のガスの流れを示す説明図である。
【図4】上記真空処理装置における工程を説明するためのフロー図である。
【図5】本発明の他の実施の形態にかかる真空処理装置の一部構成を示す縦断側面図である。。
【図6】従来の真空処理装置の概略構成を示す縦断側面図である。
【符号の説明】
10 半導体ウエハ
2 処理容器
21 底壁
29 ガス供給部
3 載置台
31 反射板
32 バッファ板
34 冷媒流路
s 空間
4 円筒部
41 断熱体
42 押さえ部材
51 パージガス供給管
52 パージガス排気管
55 圧力調整部
6 制御部
7、71、72 ヒータ
73、74 給電路部材
75、76 熱電対
Claims (11)
- 処理容器内に設けられた載置台上に基板を載置し、処理容器内を真空雰囲気にすると共に加熱手段により基板を加熱しながら処理ガスにより基板に対して処理を行う真空処理装置において、
載置台と処理容器の底部との間の空間を処理雰囲気から区画するために、当該空間の周囲を囲み、その下端部と処理容器の底部とが互いに面接触している区画部と、
前記空間内にパージガスを供給するためのパージガス供給部と、
前記空間内のパージガスを排気するためのパージガス排気部と、
前記空間内の圧力を調整するための圧力調整部と、
処理雰囲気と処理容器の排気口との間において、処理容器の壁部と前記区画部との間に亘って設けられ、区画部により囲まれた空間内からパージガスが漏洩する部分が排気口側になるように配置されたバッファ板と、を備え、
前記区画部の下端部と処理容器の底部との間には樹脂製シール部材が介在せず、前記空間内への処理ガスの侵入を抑えるために前記空間の圧力は処理雰囲気の圧力よりも高くなるように調整されることを特徴とする真空処理装置。 - 前記処理容器の底部を貫通して前記空間内に挿入され、先端部が載置台に接触する温度検出部を備えたことを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。
- 加熱手段は、載置台に設けられた抵抗発熱体からなり、
前記加熱手段に電力を供給するための給電路部材が前記処理容器の底部を貫通して前記空間内に挿入されることを特徴とする請求項1または2に記載の真空処理装置。 - 処理ガスによる基板の処理が終了した後、処理容器内をクリーニングする工程に移行するときに、前記空間の圧力を昇圧するように前記圧力調整部を介して制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の真空処理装置。
- 処理容器内に設けられた載置台上に基板を載置し、処理容器内を真空雰囲気にすると共に加熱手段により基板を加熱しながら処理ガスにより基板に対して処理を行う真空処理装置において、
載置台と処理容器の底部との間の空間を処理雰囲気から区画するために、当該空間の周囲を囲み、その下端部と処理容器の底部とが互いに面接触している区画部と、
前記空間内にパージガスを供給するためのパージガス供給部と、
前記空間内のパージガスを排気するためのパージガス排気部と、
前記パージガスを冷却するパージガス冷却部と、
前記パージガスを冷却するように前記冷却部を制御する制御部と、
前記空間内の圧力を調整するための圧力調整部と、を備え、
前記区画部の下端部と処理容器の底部との間には樹脂製シール部材が介在せず、前記空間内への処理ガスの侵入を抑えるために前記空間の圧力は処理雰囲気の圧力よりも高くなるように調整されることを特徴とする真空処理装置。 - 制御部は、処理ガスによる基板の処理が終了した後、処理容器内をクリーニングする工程に移行するときに、前記パージガスを冷却するように冷却部を制御することを特徴とする請求項5に記載の真空処理装置。
- 処理雰囲気と処理容器の排気口との間において、処理容器の壁部と前記区画部との間に亘って設けられ、区画部により囲まれた空間内からパージガスが漏洩する部分が排気口側になるように配置されたバッファ板を備えたことを特徴とする請求項5または6に記載の真空処理装置。
- 前記バッファ板には温調部が設けられたことを特徴とする請求項1ないし4または7のいずれか一つに記載の真空処理装置。
- 処理容器内に基板を載置するための載置台を設けると共に、載置台と処理容器の底部との間の空間を処理雰囲気から区画するために、当該空間の周囲を囲み、その下端部と処理容器の底部とが互いに面接触している区画部を設け、処理容器内を真空雰囲気にし、処理ガスにより載置台上の基板に対して処理を行う真空処理方法において、
前記区画部により囲まれた空間内の圧力を処理容器内の処理空間内の圧力よりも高く調整した状態で、基板に所定の真空処理を実施する処理工程と、
真空処理の実施後に、区画部により囲まれた空間内の圧力を更に高く昇圧した状態で、載置台の温度を降温させる降温工程と、を含むことを特徴とする真空処理方法。 - 降温工程の後に、処理容器内をクリーニングするクリーニング工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の真空処理方法。
- 処理容器内に基板を載置するための載置台を設けると共に、載置台と処理容器の底部との間の空間を処理雰囲気から区画するために、当該空間の周囲を囲み、その下端部と処理容器の底部とが互いに面接触している区画部を設け、処理容器内を真空雰囲気にし、処理ガスにより載置台上の基板に対して処理を行う真空処理方法において、
前記区画部により囲まれた空間内の圧力を処理容器内の処理空間内の圧力よりも高く調整した状態で、基板に所定の真空処理を実施する処理工程と、
真空処理の実施後に、前記区画部により囲まれた空間内に供給されるパージガスを冷却させながら、載置台の温度を降温させる降温工程と、を含むことを特徴とした真空処理方法。
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