JP5029257B2 - 載置台構造及び処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に対して熱処理やプラズマ処理を施す処理装置及びこれに用いられる載置台構造に関する。
一般に、IC(集積回路)等の半導体装置を製造するためには、半導体ウエハ等の被処理体に、成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理等の各種の処理を、プラズマを用いて、或いはプラズマを用いないで繰り返し行って目的とする回路装置等を製造するようになっている。
例えば半導体ウエハに対して1枚毎に熱処理を施す枚葉式の処理装置を例にとれば、真空引き可能になされた処理容器内に、例えば抵抗加熱ヒータや静電チャックを内蔵した載置台構造を設置し、この上面に半導体ウエハを載置した状態で所定の処理ガスを流し、プラズマを用いたり、或いは用いないで所定のプロセス条件下にてウエハに各種の熱処理を施すようになっている(特許文献1〜5)。
この場合、半導体ウエハは高温に晒され、また、処理容器内へはクリーニングガスやエッチングガス等の腐食性ガス等が用いられることから、半導体ウエハを載置する上記載置台構造には、AlN(窒化アルミニウム)に代表されるセラミックスが用いられる傾向にあり、このセラミック中に加熱ヒータ部や静電チャックを設ける場合にはこのチャック電極等が埋め込まれて一体成形されている。
ここで従来の処理装置及び載置台構造の一例を説明する。図14は従来の一般的なプラズマを用いた処理装置を示す概略構成図、図15は載置台構造の給電部を示す拡大断面図である。図14において、処理装置として、ここではプラズマ処理装置を示しており、筒体状になされた処理容器2内には、半導体ウエハWを上面に載置するための載置台構造4が設けられている。この処理容器2の天井部には、ガス導入手段としてシャワーヘッド6が設けられ、この下面のガス噴射孔6aから必要なガスを噴射するようになっている。そして、このシャワーヘッド6には、プラズマ発生用の、例えば13.56MHzの高周波電源8が接続されており、上記シャワーヘッド6を上部電極として機能させるようになっている。
また処理容器2の底部には排気口10が設けられており、処理容器2内の雰囲気を排気できるようになっている。そして、上記載置台構造4は、ウエハWを載置する載置台本体12と、この載置台本体12を容器底部より起立させる支柱14とよりなる。この載置台本体12は例えば耐熱性及び耐腐食性のあるAlN等のセラミックよりなり、この内部には高周波電力に対する下部電極や静電チャックのチャック電極となる電極16が一体的に埋め込まれている。そして、この電極16に対しては、支柱14内を通る給電棒18の先端が接続されており、電源20より必要に応じて電力を供給できるようになっている。
上記電極16に対する給電棒18の上端の接続状態の一例は、図14中のA部の拡大図である図15に示されており(特許文献5参照)、載置台本体12内の電極16は、例えばMo(モリブデン)やW(タングステン)、或いはこれらの合金よりなり、この電極16に同じくMo或いはこの合金よりなる接続端子22が予め接続されている。そして、載置台本体12の下面に凹部状の接続穴24を形成して穴奥に上記接続端子22を露出させている。この接続穴24内に給電棒18の先端である給電用コネクタ部26を挿入し、上記給電用コネクタ部26とMoを含む上記接続端子22との間に、熱膨張差による応力を吸収する目的でCo(コバルト)及び/又はNi(ニッケル)を含む合金、例えばCo−Fe−Ni合金であるコバール(登録商標)よりなる応力緩和部材28を介在させており、そして、上記接続端子22と応力緩和部材28との間及びこの応力緩和部材28と給電用コネクタ部26との間を、それぞれ例えばNi合金ロウ材30、32により接合している。
接合に際しては、上記全体構造を高温炉内へ入れて高温で焼成する。ここで上記給電棒18及び接続用コネクタ部26はNi(ニッケル)又はこの合金よりなり、また、給電用コネクタ部26の先端部分は段部状にその直径が縮径されており、この外周側及び応力緩和部材28の外周側には、例えばNiよりなる筒体状のガイド部材34が設けられている。
特開昭63−278322号公報 特開平07−078766号公報 特開平06−260430号公報 特開2004−356624号公報 特開平10−209255号公報
ところで、上記したような載置台構造において、高温、例えば500℃以上での繰り返し使用を行うと、応力緩和部材28中に含まれていた金属、例えばFe、Ni、Co等が、Moを含有する接続端子22側へ熱拡散して行ってMoと給合し、ロウ材30との接合面近傍に脆い金属間化合物が形成される現象が発生していた。このため、この脆い金属間化合物の部分で剥離が生じて、給電用コネクタ部26が接続端子22から外れてしまう、といった問題があった。
この拡散の現象は、特にCo原子及びNi原子に対して顕著に表れ、例えば図16は図15中のB部の電子顕微鏡写真の模式図を示すが、図示するように、応力緩和部材28中のCoがロウ材30中に熱拡散し、特にMoを含有する接続端子22内のロウ材との界面部分に多量のCo元素36が集積している状況が理解できる。また、Coと同様に、応力緩和部材28及びロウ材中のNiが熱拡散し、接続端子22内のロウ材との境界部分に集積しているのが分析された。上記したような脆化現象は接続端子22の材料がMoからW(タングステン)に代わっても同様に発生すると考えられ、上述した問題点の早期解決が望まれている。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素の熱拡散の発生を防止して、接合強度の劣化を防止することができる載置台構造及びこれを用いた処理装置を提供することにある。
請求項1に係る発明は、内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された高融点金属又はこの合金又は高融点金属の化合物よりなる接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、前記接続端子と前記給電用コネクタ部との間に介在されて応力を緩和するための導電性材料よりなる応力緩和部材と、前記載置台本体を支持する支柱と、を有する載置台構造において、前記応力緩和部材は、コバルト及びニッケルを含まないFe−Pd合金、Zr−Nb−Fe合金、Cr−Fe−Sn合金、Fe−B非晶質合金からなる群より選択される1以上の材料よりなり、前記応力緩和部材と前記接続端子とが、ニッケルが含まれていないロウ材により接合されていることを特徴とする載置台構造である。
このように、応力緩和部材は、コバルト及びニッケルを含まないFe−Pd合金、Zr−Nb−Fe合金、Cr−Fe−Sn合金、Fe−B非晶質合金からなる群より選択される1以上の材料よりなり、応力緩和部材と接続端子とが、ニッケルが含まれていないロウ材により接合されるように構成したので、コバルト及びニッケルを使用することがなくなり、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素の熱拡散の発生を抑制して、特にコバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
請求項2に係る発明は、内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された高融点金属又はこの合金又は高融点金属の化合物よりなる接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、前記接続端子と前記給電用コネクタ部との間に介在されて応力を緩和するための導電性材料よりなる応力緩和部材と、前記載置台本体を支持する支柱と、を有する載置台構造において、前記応力緩和部材と前記接続端子との対向面の内の少なくともいずれか一方の面には、金属窒化物、金属珪化物よりなる群より選択される1以上の材料よりなるバリヤ層が設けられると共に、前記応力緩和部材と前記接続端子とが、ニッケルが含まれていないロウ材により接合されていることを特徴とする載置台構造である。
このように、応力緩和部材と接続端子との対向面の内の少なくともいずれか一方の面には、金属窒化物、金属珪化物よりなる群より選択される1以上の材料よりなるバリヤ層が設けられると共に、応力緩和部材と接続端子とが、ニッケルが含まれていないロウ材により接合されているように構成したので、バリヤ層によって接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素のうち、特にコバルト及びニッケルの熱拡散の発生を抑制して、コバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
この場合、例えば請求項3に記載するように、前記応力緩和部材の全表面及び/又は前記接続端子の全表面には、それぞれバリヤ層が設けられている。
請求項4に係る発明は、内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された高融点金属又はこの合金又は高融点金属の化合物よりなる接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、前記接続端子と前記給電用コネクタ部との間に介在されて応力を緩和するための導電性材料よりなる応力緩和部材と、前記載置台本体を支持する支柱と、を有する載置台構造において、前記接続端子は、MoSi 又はMaxthal(登録商標)よりなる導電性及び耐酸化性を有する金属間化合物により形成され、前記接続端子と前記応力緩和部材とがロウ材により接合されていることを特徴とする載置台構造である。
このように、接続端子は、MoSi 又はMaxthal(登録商標)よりなる導電性及び耐酸化性を有する金属間化合物により形成され、接続端子と応力緩和部材とがロウ材により接合されているように構成したので、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素のうち、特にコバルト及びニッケルの熱拡散の発生を抑制して、コバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
の場合、例えば請求項5に記載するように、前記給電用コネクタ部と前記応力緩和部材の外周は、筒体状のガイド部材により囲まれている。
請求項6に係る発明によれば、内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された高融点金属又はこの合金又は高融点金属の化合物よりなる接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、前記載置台本体を支持する支柱と、を有する載置台構造において、前記接続端子の前記給電用コネクタ部との対向面にコバルト及びニッケルの拡散を阻止するために金属窒化物、金属珪化物よりなる群より選択される1以上の材料よりなるバリヤ層を設けると共に、前記接続端子と前記給電用コネクタ部とをロウ材により接合するように構成したことを特徴とする載置台構造である。
このように、接続端子の給電用コネクタ部との対向面にコバルト及びニッケルの拡散を阻止するために金属窒化物、金属珪化物よりなる群より選択される1以上の材料よりなるバリヤ層を設けると共に、接続端子と給電用コネクタ部とをロウ材により接合するように構成したので、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素の熱拡散の発生を抑制して、特にコバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
本発明の関連技術は、内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された高融点金属又はこの合金又は高融点金属の化合物よりなる接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、前記載置台本体を支持する支柱と、を有する載置台構造において、前記接続端子と前記給電用コネクタ部とは、所定の押圧力により機械的に接触された状態となるように構成したことを特徴とする載置台構造である。
このように、接続端子と給電用コネクタ部とは、所定の押圧力により機械的に接触された状態となるように構成したので、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素の熱拡散の発生を抑制して、特にコバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
本発明の他の関連技術は、内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された高融点金属又はこの合金又は高融点金属の化合物よりなる接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、前記載置台本体を支持する支柱と、を有する載置台構造において、前記接続端子と前記給電用コネクタ部は、導電性及び耐酸化性を有する金属間化合物よりなり、前記接続端子と前記給電用コネクタ部とは溶接により接合されていることを特徴とする載置台構造である。
このように、接続端子と給電用コネクタ部は、導電性及び耐酸化性を有する金属間化合物よりなり、接続端子と給電用コネクタ部とは溶接により接合されているように構成したので、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素のうち、特にコバルト及びニッケルの熱拡散の発生を抑制して、コバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
請求項7に係る発明は、内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された高融点金属又はこの合金又は高融点金属の化合物よりなる接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、前記載置台本体を支持する支柱と、を有する載置台構造において、前記接続端子は、導電性を有して耐酸化性が存在するMoSi 又はMaxthal(登録商標)よりなる金属間化合物により形成し、前記接続端子と前記給電用コネクタ部とはロウ材により接合されていることを特徴とする載置台構造である。
このように、接続端子は、導電性を有して耐酸化性が存在するMoSi 又はMaxthal(登録商標)よりなる金属間化合物により形成し、接続端子と給電用コネクタ部とはロウ材により接合されているように構成したので、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素のうち、特にコバルト及びニッケルの熱拡散の発生を抑制して、コバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
請求項8に係る発明は、内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、前記載置台本体を支持する支柱と、を有する載置台構造において、前記給電用コネクタ部には雌ねじが形成されると共に対応する前記給電用ライン部材の上端部には雄ねじが形成されて前記雌ねじと前記雄ねじとを螺合することにより前記給電用コネクタ部と前記給電用ライン部材とが連結され、前記接続端子と前記給電用コネクタ部とは、共に高融点金属よりなり、前記接続端子と前記給電用コネクタ部とが、AuよりなるAuロウ材、及びAgとTiとよりなるAg−Tiロウ材よりなる群より選択される1のロウ材により接合されていることを特徴とする載置台構造である。
このように、給電用コネクタ部には雌ねじが形成されると共に対応する給電用ライン部材の上端部には雄ねじが形成されて雌ねじと雄ねじとを螺合することにより給電用コネクタ部と給電用ライン部材とが連結され、接続端子と給電用コネクタ部とは、共に高融点金属よりなり、接続端子と給電用コネクタ部とが、AuよりなるAuロウ材、及びAgとTiとよりなるAg−Tiロウ材よりなる群より選択される1のロウ材により接合されているようにしたので、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素の熱拡散の発生を防止して、接合強度の劣化を防止することができる。
この場合、例えば請求項9に記載するように、前記高融点金属は、モリブデン(Mo)、モリブデン合金(Mo合金)、タングステン(W)及びタングステン合金(W合金)よりなる群より選択される1以上の材料である。
また例えば請求項10に記載するように、前記被給電導体部は、発熱体である加熱ヒータ部である。
また例えば請求項11に記載するように、前記被給電導体部は、静電チャックのチャック電極である。
また例えば請求項12に記載するように、前記被給電導体部は、高周波電力に対する下部電極である。
また例えば請求項13に記載するように、前記ロウ材により接合される各部材の表面には、前記ロウ材と同じ材料の金属膜が予め形成されている。
請求項14に係る発明は、被処理体に対して処理を施すための処理装置において、排気可能になされた処理容器と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた請求項1乃至13のいずれか一項に記載の載置台構造と、前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、を備えたことを特徴とする処理装置である。
この場合、例えば請求項15に記載するように、前記載置台構造内へは不活性ガスが供給される。
本発明に係る載置台構造及び処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
請求項1及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、応力緩和部材は、コバルト及びニッケルを含まないFe−Pd合金、Zr−Nb−Fe合金、Cr−Fe−Sn合金、Fe−B非晶質合金からなる群より選択される1以上の材料よりなり、応力緩和部材と接続端子とが、ニッケルが含まれていないロウ材により接合されるように構成したので、コバルト及びニッケルを使用することがなくなり、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素の熱拡散の発生を抑制して、特にコバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
請求項2及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、応力緩和部材と接続端子との対向面の内の少なくともいずれか一方の面には、金属窒化物、金属珪化物よりなる群より選択される1以上の材料よりなるバリヤ層が設けられると共に、応力緩和部材と接続端子とが、ニッケルが含まれていないロウ材により接合されているように構成したので、バリヤ層によって接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素のうち、特にコバルト及びニッケルの熱拡散の発生を抑制して、コバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
請求項4及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、接続端子は、MoSi 又はMaxthal(登録商標)よりなる導電性及び耐酸化性を有する金属間化合物により形成され、接続端子と応力緩和部材とがロウ材により接合されているように構成したので、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素のうち、特にコバルト及びニッケルの熱拡散の発生を抑制して、コバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
請求項6及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、接続端子の給電用コネクタ部との対向面にコバルト及びニッケルの拡散を阻止するために金属窒化物、金属珪化物よりなる群より選択される1以上の材料よりなるバリヤ層を設けると共に、接続端子と給電用コネクタ部とをロウ材により接合するように構成したので、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素の熱拡散の発生を抑制して、特にコバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
本発明の関連技術によれば、接続端子と給電用コネクタ部とは、所定の押圧力により機械的に接触された状態となるように構成したので、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素の熱拡散の発生を抑制して、特にコバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
本発明の他の関連技術によれば、接続端子と給電用コネクタ部は、導電性を有して耐酸化性が存在する金属間化合物よりなり、接続端子と給電用コネクタ部とは溶接により接合されているように構成したので、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素のうち、特にコバルト及びニッケルの熱拡散の発生を抑制して、コバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
請求項7及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、接続端子は、導電性を有して耐酸化性が存在するMoSi 又はMaxthal(登録商標)よりなる金属間化合物により形成し、接続端子と給電用コネクタ部とはロウ材により接合されているように構成したので、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素のうち、特にコバルト及びニッケルの熱拡散の発生を抑制して、コバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
請求項8及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、給電用コネクタ部には雌ねじが形成されると共に対応する給電用ライン部材の上端部には雄ねじが形成されて雌ねじと雄ねじとを螺合することにより給電用コネクタ部と給電用ライン部材とが連結され、接続端子と給電用コネクタ部とは、共に高融点金属よりなり、接続端子と給電用コネクタ部とが、AuよりなるAuロウ材、及びAgとTiとよりなるAg−Tiロウ材よりなる群より選択される1のロウ材により接合されているようにしたので、接続端子と給電用コネクタ部との接合部における金属元素の熱拡散の発生を防止して、接合強度の劣化を防止することができる。

以下に、本発明に係る載置台構造及び処理装置の好適一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図1は本発明に係る処理装置を示す構成図、図2は処理装置に用いられる本発明に係る載置台構造を示す部分断面図、図3は載置台構造の第1実施例を示す部分拡大断面図、図4は載置台構造の分解状態を示す部分拡大断面図である。
<第1実施例>
ここでは処理装置として平行平板型のプラズマ処理装置を例にとって説明する。図1に示すように、この処理装置としての平行平板型のプラズマ処理装置40は、例えばアルミニウム合金等により筒体状に成形された処理容器42を有している。この処理容器42の底部の中央部は、更に下方へ凸状に窪ませて設けた排気空間44が有底円筒状の区画壁46により区画形成されており、この区画壁46の底部が容器底部の一部となっている。この区画壁46の側壁には排気口48が設けられており、この排気口48には、図示しない圧力調整弁や真空ポンプ等が途中に介設された排気管50が接続されており、上記処理容器は42を所望の圧力に真空引きできるようになっている。
また上記処理容器42の側壁には、被処理体である半導体ウエハWを搬出入する搬出入口52が形成されると共に、この搬出入口52にはゲートバルブ54が設けられており、ウエハWの搬出入時にこのゲートバルブ54を開閉するようになっている。
また処理容器42の天井は開口され、この開口部には絶縁部材56を介してガス導入手段としてのシャワーヘッド58が設けられる。この際、上記シャワーヘッド58と絶縁部材56との間には、容器内の気密性を維持するために例えばOリング等よりなるシール部材60が介設されている。このシャワーヘッド58の上部にはガス導入口62が設けられると共に、下面のガス噴射面には複数のガス噴射孔64が設けられており、必要な処理ガスを処理空間Sに向けて噴射するようになっている。ここではシャワーヘッド58内は1つの空間になっているが、内部空間を複数に区画し、それぞれ異なるガスをシャワーヘッド58内で混合させることなく別々に処理空間Sへ供給する形式のシャワーヘッドもある。
また、このシャワーヘッド58は、プラズマ発生用の上部電極としての機能を有し、具体的には、このシャワーヘッド58にはマッチング回路66を介してプラズマ発生用の高周波電源68が接続されている。この高周波電源68の周波数は、例えば13.56MHzであるが、この周波数に限定されない。
そして、この処理容器42内には、半導体ウエハWを載置するために本発明に係る載置台構造70が設けられている。この載置台構造70は、その上面である載置面にウエハWを直接的に載置する略円板状に形成された載置台本体72と、この載置台本体72を容器底部から起立させて支持する円筒状の支柱71とにより主に構成されている。
上記載置台本体72の下方には、ウエハWの搬出入時に、これを下から突き上げて支持する昇降ピン機構74が設けられる。この昇降ピン機構74は、載置台本体72の周方向に沿って等間隔で配置された例えば3本(図示例では2本のみ記す)の昇降ピン76を有しており、各昇降ピン76の下端部は例えば円弧状のピンベース板78により支持されている。このピンベース板78は、容器底部を貫通してアクチュエータ82により上下動可能になされた昇降ロッド80に連結されており、また昇降ロッド80の容器底部の貫通部には容器内の気密性を維持しつつ昇降ロッド80の上下動を許容するために伸縮可能になされたベローズ84が設けられる。
また上記載置台本体72は、上記各昇降ピン76に対応させてピン挿通孔86が設けられており、上記昇降ロッド80を上下動させることにより、上記ピン挿通孔86内を挿通された昇降ピン76が、載置面上に出没してウエハWを突き上げて持ち上げたり、持ち下げたりできるようになっている。
そして、上記載置台本体72の全体及び支柱71の全体は、金属汚染がなく、且つ耐熱性に優れた材料、例えばセラミックにより形成されている。この支柱71の下端部は、容器内の気密性を維持するためにOリング等のシール部材88を介して容器底部に形成した開口90の周辺部分に図示しないボルト等により連結されている。上記セラミックとしては、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al )、炭化珪素(SiC)、石英(SiO )等を用いることができる。
そして、上記載置台本体72には、図2にも示すように、第1の被給電導体部として静電チャックのチャック電極94と第2の被給電導体部として発熱体である加熱ヒータ部96とがそれぞれ埋め込んで設けられている。上記チャック電極94は、載置面の直下に設けられてウエハWを静電力により吸着保持し、このチャック電極94の下方に上記加熱ヒータ部96が設けられてウエハWを加熱するようになっている。
また、ここでは上記チャック電極94は、プラズマに対する下部電極として兼用されている。上記チャック電極94及び加熱ヒータ部96は、高融点金属、またはこれらの化合物、または上記金属の合金よりなり、高融点金属としてはW、Mo、V、Cr、Mn、Nb、Ta等を用いることができ、主としてMoまたはWもしくはこれらの合金が用いられる。
そして、上記チャック電極94には、給電用ライン部材98が接続され、加熱ヒータ部96に対しては給電用ライン部材100、102がそれぞれ接続されている。各給電用ライン部材98〜102は、気密状態になされた円筒状の支柱71内に挿通されて容器底部の開口90から下方へ延びている。そして、上記チャック電極94用の給電用ライン部材98には、チャック用の直流電源104とバイアス用の高周波電源106とが接続され、加熱ヒータ部96間の給電用ライン部材100、102にはヒータ電源108が接続されている。尚、図示例にあっては、加熱ヒータ部96は1ゾーンの場合を示すが、例えば同心円状に複数ゾーンの加熱ヒータ部が存在する場合には、それに対応させて各給電用ライン部材が個別に設けられることになる。ここで、必要に応じて、上記給電ライン部材98を直接グランドに接続するようにしても良い。
ここで上記チャック電極94や加熱ヒータ部96と各給電用ライン部材98〜102の上端部との接続構造は、全て同一なので、ここでは図3及び図4も参照して、加熱ヒータ部96に対する2つの給電用ライン部材100、102の内の一方の給電用ライン部材102を例にとって説明する。
図3及び図4にも示すように、載置台本体72に埋め込まれる加熱ヒータ部96には、予め接続端子110が接続して埋め込まれている。そして、上記載置台本体72の下面には、凹部状に接続穴112を形成して穴奥に上記接続端子110の先端部(図3中では下端部)が露出されている。この接続端子110は、W、Mo、Nb、Ta等の高融点金属、又はこれらの合金、又はこれらの金属の化合物よりなっており、ここでは主としてMoまたはWを含む材料により形成されている。
一方、上記給電用ライン部材102は、例えば全体が棒状に形成されて給電棒となっており、その上端部は段部状に縮径されて給電用コネクタ部114となっている。尚、上記上端部を段部状に縮径しない状態の給電用コネクタ部114を用いてもよい。この給電用ライン部材102は、例えばNiにより形成されている。
そして、上記給電用コネクタ部114と接続端子110との間には、これらの間の応力を緩和するための導電性材料よりなる応力緩和部材116が介在されている。また、上記応力緩和部材116と給電用コネクタ部114の外周側には、例えばTiよりなる円筒状のガイド部材118が装着されている。そして、上記接続端子110と応力緩和部材116及びガイド部材118の一端との間は、例えばNiを含まないで、且つPd、Ag、Tiの内で少なくとも1つを含むロウ材120により接合され、応力緩和部材116と給電用コネクタ部114との間は、例えばNiを含まないで、且つPd、Ag、Tiの内で少なくとも1つを含むロウ材122により接合され、またガイド部材118の他端と給電用ライン部材102との間は、例えばNiを含まないで、且つPd、Ag、Tiの内で少なくとも1つを含むロウ材124により接合されている。
ここで上記応力緩和部材116は、コバルト(Co)及びニッケル(Ni)を含まない低熱膨張材料である金属材料、又はその合金よりなる。具体的には、上記応力緩和部材116は、コバルト及びニッケルを含まないインバー型合金、コバルト及びニッケルを含まないエリンバー型合金、Fe−Pd合金、Zr−Nb−Fe合金、Cr−Fe−Sn合金、Fe−B非晶質合金からなる群より選択される1以上の材料を用いる。尚、上記インバー型合金としてはFe−46Pd合金やFe−17at%B合金を用いることができる。このように上記応力緩和部材116の材料は、Moとの間で脆い化合物を生成するコバルト及びニッケルを含まないようにし、Moを主たる構成材料とする接続端子110において、従来の載置台構造で発生していたコバルト及びニッケルの拡散が発生することを阻止するようになっている。
この給電用ライン部材102の接続に際しては、例えば図4に示すように、給電用ライン部材102の先端部である給電用コネクタ部114に応力緩和部材116やロウ材120、122、124やこれらの部材の組み付けをガイドするガイド部材118等を仮り組みし、これを上記接続穴112内へ挿入した状態で、加熱することによりセラミックよりなる載置台本体72と接続されることになる。尚、前述したように、各給電用ライン部材98、100、102は同じ構造になされており、上述したと同様に接続される。そして、図1に示すように、上記円筒状の支柱71内へは、不活性ガス供給部128によりN 等の不活性ガス(Ar等の希ガスも含む)が導入され、上記各金属表面の酸化を防ぐようになっている。
次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置40の動作について説明する。
まず、未処理の半導体ウエハWは、図示しない搬送アームに保持されて開状態となったゲートバルブ54、搬出入口52を介して処理容器42内へ搬入され、このウエハWは、上昇された昇降ピン76に受け渡された後に、この昇降ピン76を降下させることにより、ウエハWを載置台構造70の載置台本体72の上面に載置してこれを支持する。
次に、シャワーヘッド58へ各種の処理ガスとして例えば成膜ガスを、それぞれ流量制御しつつ供給して、このガスをガス噴射孔64より吹き出して噴射し、処理空間Sへ導入する。そして、図示してないが排気管50に設けた真空ポンプの駆動を継続することにより、処理容器42内や排気空間44内の雰囲気を真空引きし、そして、圧力調整弁の弁開度を調整して処理空間Sの雰囲気を所定のプロセス圧力に維持する。この時、ウエハWの温度は所定のプロセス温度に維持されている。すなわち、載置台本体72の加熱ヒータ部96にヒータ電源108より給電用ライン部材100、102を介して電圧を印加することにより加熱ヒータ部96を加熱し、これにより載置台本体72の全体が加熱される。
この結果、載置台本体72上に載置したウエハWが昇温加熱される。この時、載置台本体72に設けた図示しない熱電対ではウエハ温度が測定され、この測定値に基づいて温度制御されることになる。
またこれと同時にプラズマ処理を行うために、高周波電源68を駆動することにより、上部電極であるシャワーヘッド58と下部電極である載置台本体72との間に高周波を印加し、処理空間Sにプラズマを立てると同時に、静電チャックを形成するチャック電極94に電圧を印加し、静電力によりウエハWを吸着する。そして、この状態で所定のプラズマ処理を行う。また、この際に、載置台本体72のチャック用電極94にバイアス用の高周波電源106から高周波を印加することにより、プラズマイオンの引き込みを行うことができる。
このようなウエハWの処理を繰り返し行うと、その都度、載置台本体72は、高温に晒され、この温度は、処理の態様にもよるが700℃程度まで上昇する場合がある。このような、高温に晒されると、各部材を構成する材料中の各金属元素がその拡散係数に応じて熱拡散を生じる可能性が発生する。
この場合、従来の載置台構造にあっては、図15及び図16を参照して説明したように、応力緩和部材28中に含まれるコバルト及びニッケル、又はロウ材に含まれるニッケルが拡散して接続端子22側に至ってここで脆い金属間化合物となり、この金属間化合物と、コバルト及びニッケルが拡散していない領域の境界部分で剥離等の問題が生ずる恐れがあった。
しかしながら、上述した本発明の第1実施例の場合には、上記応力緩和部材116中にはコバルト及びニッケルを含んでいないので、すなわちこの応力緩和部材116は、コバルト及びニッケルを含まない金属材料又はその合金よりなるので、上述したような拡散コバルト及び拡散ニッケルによる脆い金属間化合物が発生することを防止することができる。また、ロウ材が、ニッケルを含まないようにしたので、ニッケルの拡散による脆い金属間化合物の発生を防止することができる。この結果、上記給電用ライン部材102が、接続端子110側から剥がれて外れることを防止することができる。
このような作用効果は、同じ接続構造になされている上記各給電用ライン部材98、100、102において同様に発揮することになる。
このように、応力緩和部材116はコバルト及びニッケルを含まない金属材料又はその合金よりなり、上記応力緩和部材116と接続端子110とがニッケルを含まないロウ材により接合されるように構成したので、コバルト及びニッケルを使用することがなくなり、接続端子110と給電用コネクタ部114との接合部における金属元素の熱拡散の発生を抑制して、特にコバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
<第2実施例>
次に本発明の載置台構造の第2実施例について説明する。
図5は本発明に係る載置台構造の第2実施例の要部拡大断面図、図6は載置台構造の第2実施例における応力緩和部材と接続端子の変形例を示す図である。尚、図2乃至図4に示す部分と同一構成部分については同一符号を付して、その説明を省略する。先の第1実施例の場合には、応力緩和部材116の材料中からコバルト及びニッケルを排除したが、この第2実施例では、コバルト及びニッケルの拡散を阻止するバリヤ層を設けるようにしている。
具体的には、図5に示すように、上記応力緩和部材116と接続端子110との対向面に、コバルト及びニッケルの拡散防止用のバリヤ層130、132を設けており、応力緩和部材116側からのコバルト及びニッケルの拡散を防止するようになっている。そして、応力緩和部材116と接続端子110がNi、Pd、Ag、Tiの内で少なくとも1つを含むロウ材120で接合されている。
この場合、上記説明で明らかなように、上記応力緩和部材116としては、第1実施例で説明したコバルト及びニッケルを含まない応力緩和部材を用いてもよいし、図16の従来構造で説明したようなコバルト及び/又はニッケルを含む応力緩和部材を用いてもよい。
ここで上記バリヤ層130、132としては、Re、白金族金属、金属窒化物、金属珪化物よりなる群より選択される1以上の材料を用いることができる。具体的には、Re(レニウム)の他に白金族金属として、例えばRu(ルテニウム)、Ir(イリジウム)、Pt(白金)等を用いることができ、金属窒化物としてはTiN、TaN等を用いることができ、金属珪化物としてはMoSi 等を用いることができる。特に、接続端子110がMoを多く含んでいる場合には、バリヤ層130、132としては、ReやPtを単独で、或いはこれらの合金を用いるのが好ましく、また接続端子110がWを多く含んでいる場合には、バリヤ層130、132としては、Re、Ru、Ir、Ptを単独で、或いはこれらより選択される2以上の合金を用いるのが好ましい。
この場合、図6に示すように、接続端子110の全表面をバリヤ層132で覆ったり、及び/又は応力緩和部材116の全表面をバリヤ層130で覆うようにしてもよく、この場合にはより効果的にコバルト及びニッケルの拡散による脆い金属間化合物の発生を防止することができる。
このように、応力緩和部材116と接続端子110との対向面にはバリヤ層130、132が設けられると共に、応力緩和部材116と接続端子110とがロウ材120により接合されているように構成したので、バリヤ層130、132によって接続端子110と給電用コネクタ部114との接合部における金属元素のうち、特にコバルト及びニッケルの熱拡散の発生を抑制して、コバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。図示例では両対向面にそれぞれバリヤ層130、132を設けているが、バリヤ層132のみを設けるようにしてもよい。この場合には、ロウ材120はNiを含まないようにする。
<第3実施例>
次に本発明の載置台構造の第3実施例について説明する。
図7は本発明に係る載置台構造の第3実施例の要部拡大断面図である。尚、図2乃至図6に示す部分と同一構成部分については同一符号を付して、その説明を省略する。先の第1実施例の場合には、応力緩和部材116の材料中からコバルト及びニッケルを排除したが、この第3実施例では接続端子110の材料としてコバルト及びニッケルが熱拡散して溶け込まない材料を用いている。
具体的には、図7に示すように、接続端子110の材料として、導電性及び耐酸化性を有する金属間化合物を用いている。そして、この接続端子110と応力緩和部材116とがロウ材120を介して接合されている。ここで上記接続端子110を形成する金属間化合物としては、MoSi 又はMaxthal(登録商標)等を用いることができる。上記Maxthalとしては、具体的にはMaxthal312、211を用いることができる。
この場合、上記説明で明らかなように、上記応力緩和部材116としては、第1実施例で説明したコバルト及びニッケルを含まない応力緩和部材を用いてもよいし、図16の従来構造で説明したようなコバルト及び/又はニッケルを含む応力緩和部材を用いてもよい。
このように、接続端子110は、導電性及び耐酸化性を有する金属間化合物よりなり、接続端子110と応力緩和部材116とがNi、Pd、Ag、Tiの内で少なくとも1つを含むロウ材120により接合されているように構成したので、接続端子110と給電用コネクタ部114との接合部における金属元素のうち、特にコバルト及びニッケルの熱拡散の発生を抑制して、コバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
尚、上記各第1〜第3実施例では、ガイド部材118を設けた場合を例にとって説明したが、このガイド部材118を設けないで省略してもよい。
<第4実施例>
次に本発明の載置台構造の第4実施例について説明する。
図8は本発明に係る載置台構造の第4実施例の要部拡大断面図である。尚、図2乃至図7に示す部分と同一構成部分については同一符号を付して、その説明を省略する。先の第1〜第3実施例の場合には、応力緩和部材116を設けたが、ここではこの応力緩和部材116を設けないで排除し、これを接続端子110へ直接接続するようにしている。また、この第4実施例では、接続端子の給電用コネクタ部との対向面にコバルト及びニッケルの拡散を阻止するバリヤ層を設けるようにしている。
具体的には、図8に示すように、ここでは先の実施例で用いていた応力緩和部材116は設けないで、例えばMoを含有する接続端子110とNiを含有する給電用コネクタ部114とを直接接続させている。また接続端子110の給電用コネクタ部114との対向面にコバルト及びニッケルの拡散防止用のバリヤ層132を設けており、上記給電用コネクタ部114及びロウ材136からのコバルト及びニッケルの拡散を阻止するようになっている。ここでは上記接続端子110と給電用コネクタ部114とは、例えばNi、Pd、Ag、Tiの内で少なくとも1つを含むロウ材136により接合されている。また、ここでもガイド部材118(図3参照)の設置は省略している。この場合には、接続端子110の材料としては、図3に示す第1実施例で説明したようなMoを含む材料でもよく、又は図7に示す第3実施例で説明した金属間化合物を用いてもよい。この実施例の場合には、コバルト及/又はニッケルを含む応力緩和部材116を設けていないことから、コバルトコバルト及び/又はニッケルの熱拡散に起因する問題点をなくすことができる。ここでバリヤ層132としては第2実施例と同様な材料を用いることができる。
このように、接続端子110の給電用コネクタ部114との対向面にバリヤ層132が設けられると共に、接続端子110と給電用コネクタ部114とをロウ材136により接合するように構成したので、バリヤ層132によって接続端子110と給電用コネクタ部114との接合部における金属元素のうち、特にコバルト及びニッケルの熱拡散の発生を抑制して、コバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
<第5実施例>
また上記第4実施例の構造から上記ロウ材136を省略し、図9に示す第5実施例の拡大図のように、上記接続端子110と給電用コネクタ部114とを直接的に機械的に接触させた状態としてもよい。この場合には、棒状の給電用ライン部材102に対してコイルバネ、板バネ、竹の子バネ等よりなる弾発部材138により押圧力を付与し、接続端子110との電気的接続を安定的に確保するように構成する。
この場合にも、上記第4実施例と同様な作用効果を発揮でき、例えば接続端子110と給電用コネクタ部114との接合部における金属元素の熱拡散の発生を抑制して、特にコバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。更に、ロウ材等による接合を行っていないため、接続端子110と給電用コネクタ部114との間の線膨張数差に起因する熱応力も緩和することができる。
<第6実施例>
次に本発明の載置台構造の第6実施例について説明する。
図10は本発明に係る載置台構造の第6実施例の要部拡大断面図である。尚、図2乃至図9に示す部分と同一構成部分については同一符号を付して、その説明を省略する。
この第6実施例では、第4及び第5実施例と同様に、応力緩和部材116は設けておらず、接続端子110と給電用コネクタ部114とを直接的に接合している。具体的には、上記接続端子110と給電用コネクタ部114とを共に、導電性及び耐酸化性を有する金属間化合物で構成し、この両者を、ロウ材等を用いることなく、例えば電気溶接(スポット溶接)により直接接合し、境界部分に溶接部140を形成する。ここで、上記金属間化合物としては、先の第3実施例で説明したようなMoSi やMaxthalを用いることができる。
この場合、棒状の給電用ライン部材102の全体を上記金属間化合物で形成してもよいが、上記MoSi やMaxthalは高価で、靭性が比較的乏しいので、棒状の給電用ライン部材102の先端部分(給電用コネクタ部114を含む)側を上記金属間化合物で形成し、他の部分はNi等の耐食性金属で形成するようにしてもよい。
このように、接続端子110と給電用コネクタ部114は、導電性及び耐酸化性を有する金属間化合物よりなり、接続端子110と給電用コネクタ部114とは溶接により接合されているように構成したので、接続端子110と給電用コネクタ部114との接合部における金属元素のうち、特にコバルト及びニッケルの熱拡散の発生を抑制して、コバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
<第7実施例>
次に本発明の載置台構造の第7実施例について説明する。
図11は本発明に係る載置台構造の第7実施例の要部拡大断面図である。尚、図2乃至図10に示す部分と同一構成部分については同一符号を付して、その説明を省略する。
この第7実施例では先の第4〜第6実施例と同様に応力緩和部材116を設けておらず、接続端子110に導電性及び耐酸化性を有する金属間化合物を用いている。すなわち、図7に示す第3実施例から応力緩和部材116を設けないで省略した構造と同じである。
具体的には、図11に示すように、接続端子110として上記した金属間化合物を用いており、この接続端子110と給電用コネクタ部114とはロウ材136により接合している。ここで上記ロウ材136は、Ni、Pd、Ag、Tiの内で少なくとも1つを含んでいる。上記金属間化合物としては、図7に示す第3実施例及び図10に示す第6実施例で説明したものと同じ材料、すなわちMoSi やMaxthalを用いることができる。この場合、給電用コネクタ部114は従来構造と同様のNiを用いてもよいし、上記金属間化合物を用いてもよい。
このように、接続端子110は、導電性及び耐酸化性を有する金属間化合物よりなり、接続端子110と給電用コネクタ部114とはロウ材136により接合されているように構成したので、接続端子110と給電用コネクタ部114との接合部における金属元素のうち、特にコバルト及びニッケルの熱拡散の発生を抑制して、コバルト及びニッケルの拡散に伴う接合強度の低下を防止することができる。
<第8実施例>
次に本発明の載置台構造の第8実施例について説明する。図12は本発明に係る載置台構造の第8実施例の要部拡大断面図、図13は第8実施例の載置台構造の分解状態を示す部分拡大断面図である。
この第8実施例の場合には、応力緩和部材を用いず、しかも接続端子と給電用コネクタ部とに高融点金属を用いて両者をロウ材により接合するようにしている。具体的には、図12及び図13に示すように、ここでは上記接続端子110と給電用コネクタ部114の材料としては、共に高融点金属が用いられてる。そして、上記給電用コネクタ部114には、雌ねじ150が形成されると共に、これに対応する給電用ライン部材102の上端部には雄ねじ152が形成されており、両者を螺合することにより連結するようになっている。そして、この給電用コネクタ部114の上端部と上記接続端子110とがロウ材154により接合されている。
この場合、上記ロウ材154としては、Au(金)よりなるAuロウ材、Ag(銀)とTi(チタン)とよりなるAg−Tiロウ材よりなる群より選択される1のロウ材を用いるのがよい。ここで、上記Auロウ材はAuが100%程度であり、上記Ag−Tiロウ材は、Ti含有量が10wt%程度であり、このTiは活性剤の機能を果たしている。
ここで、金属原子の熱拡散を抑制するためには純AuよりなるAuロウ材を用いるのが最も好ましく、後述するように、このAuロウ材を用いた場合には、拡散成分となるNiを用いていないので、引張り強度を高くすることができ、且つビッカース硬度を低くして脆性を小さくすることができる。
この載置台構造を組み付けるためには、給電用コネクタ部114の雌ねじ150と給電用ライン部材102の雄ねじ152とを螺合して両者を連結した後に、この給電用コネクタ部174と接続端子110とをロウ材154により接合するようにしてもよいし、或いは給電用コネクタ部114と接続端子110とをロウ材154により接合した後に、上記給電用コネクタ部114の雌ねじ150に給電用ライン部材102の雄ねじ152を螺合させて両者を連結するようにしてもよい。
このような構造によれば、熱拡散し易いFe、Ni、Co等を用いないでシンプルな構造にしたので、脆い金属間化合物が発生することを抑制し、接合強度を高く維持することができる。ここでは上記高融点金属としては、Moを用いたが、これに限定されず、モリブデン(Mo)、モリブデン合金(Mo合金)、タングステン(W)及びタングステン合金(W合金)よりなる群より選択される1以上の材料を用いることができる。
このように、接続端子110と給電用コネクタ部114とは、共に高融点金属よりなり、接続端子110と給電用コネクタ部114とがロウ材154により接合されているようにしたので、接続端子110と給電用コネクタ部114との接合部における金属元素の熱拡散の発生を防止して、接合強度の劣化を防止することができる。また上述したような接続構造は、上記他の給電用ライン部材98、100においても同様に採用されている。
ここで、本実施例と従来の載置台構造についてビッカース硬度と引張り強度の試験を行ったので、その評価結果について説明する。ここでは本実施例では図12に示す構造において、接続端子110と給電用コネクタ部114の材料として共にMoを用い、ロウ材154として3種類のロウ材、すなわち、Auロウ材(純Au)、及びAg−Tiロウ材(Ti:10wt%含有)を用いた場合について試験をした。また比較のために、従来構造として図15に示すように、Niの給電用コネクタ部26とMoの接続端子22との間にコバールの応力緩和部材28を介在させてロウ材30、32で接合した構造について試験を行った。
まず、ビッカース硬度については、従来構造の場合は、700〜800[Hv]であり、硬度がかなり高くて脆い状態であった。これに対して、本実施例に関しては、Auロウ材の場合が66[Hv]、Au−Tiロウ材の場合が578[Hv]であり、全てにおいて従来構造よりもビッカース硬度を小さくでき、脆さを軽減できることを確認することができた。特に、Auロウ材の場合には、従来構造よりもビッカース硬度を1/10以下に抑制することができ、脆性を大幅に改善できることを、確認することができた。
また引張り強度については、破断時の引張り荷重は従来構造の場合には100[kgf]であった。これに対して、本実施例に関しては、破断時の引張り荷重は、Auロウ材の場合が200〜250[kgf]、Ag−Tiロウ材の場合が140[kgf]であり、引張り強度を向上させることができることを確認することができた。特に、Auロウ材の場合には、従来の構造の場合よりも2倍以上引張り強度を向上させることができることを確認することができた。
以上のように第1〜第8実施例で説明した構造は他の給電用ライン部材98、100の上端部のコネクタ部にも同様に適用されるのは前述した通りである。尚、上記第4〜第7実施例では、ガイド部材118を設けない場合を例にとって説明したが、このガイド部材118を設けてもよいのは勿論である。
また、上記第1〜第8実施例において、ロウ材120、122、124、136を用いる場合には、このロウ材により接合される各部材、すなわち接続端子110、給電用コネクタ部114、応力緩和部材116の各表面に、上記接合に用いるロウ材と同じ材料の金属膜を予め形成しておくのがよい。この金属膜の形成方法としては、メッキ処理、スパッタ処理、CVD成膜処理等を用いることができる。このような金属膜を予め形成する理由は、次の通りである。すなわち、高温度で使用するロウ材は、当然のこととして金属ロウは融点が高いものであり、ロウ付け作業中の流動性に劣る。このためロウ付け部には巣ができ易くなる。
更に、本発明の特徴である脆化の原因となる元素を含まないロウ材を使用するためには、流動性の面では従来のロウ材よりも悪化する場合がある。そのため、ロウ付けされる部材の双方、或いはいずれか一方の表面に予めロウ材と同じ材料の金属膜を、例えばメッキ処理等により形成しておけば、ロウ材に対する濡れ性を理想的に改善することができる。このように濡れ性が良好であれば、流動性の劣るロウ材であっても容易に狭い空隙に浸透し、上記したような巣の発生を抑制することができる。更に、ロウ付けされる部材の双方の表面に上記金属膜を形成した場合には拡散接合が可能になるため、接合温度を低く抑えることができる。
また、ここでは静電チャックと下部電極の電極を共通に用いた場合を例にとって説明したが、両者を別々に設けてもよい。更には、本発明のプラズマ処理装置では平行平板型の処理装置を例にとって説明したが、これに限定されず、高周波やマイクロ波を用いた全てのプラズマ処理装置に本発明を適用することができる。
更に、本発明の処理装置は、プラズマを用いない処理装置、例えば熱CVD成膜装置、熱酸化装置、アニール装置、改質装置等にも適用することができ、この場合には、静電チャックや下部電極は不必要となって設けられないことになる。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
本発明に係る処理装置を示す構成図である。 処理装置に用いられる本発明に係る載置台構造を示す部分断面図である。 載置台構造の第1実施例を示す部分拡大断面図である。 載置台構造の分解状態を示す部分拡大断面図である。 本発明に係る載置台構造の第2実施例の要部拡大断面図である。 載置台構造の第2実施例における応力緩和部材と接続端子の変形例を示す図である。 本発明に係る載置台構造の第3実施例の要部拡大断面図である。 本発明に係る載置台構造の第4実施例の要部拡大断面図である。 本発明に係る載置台構造の第5実施例の要部拡大断面図である。 本発明に係る載置台構造の第6実施例の要部拡大断面図である。 本発明に係る載置台構造の第7実施例の要部拡大断面図である。 本発明に係る載置台構造の第8実施例を示す要部拡大断面図である。 第8実施例の載置台構造の分解状態を示す部分拡大断面図である。 従来の一般的なプラズマを用いた処理装置を示す概略構成図である。 載置台構造の給電部を示す拡大断面図である。 図15中のB部の電子顕微鏡写真を示す模式図である。
符号の説明
40 プラズマ処理装置(処理装置)
42 処理容器
58 シャワーヘッド(ガス導入手段)
68 高周波電源
70 載置台構造
71 支柱
72 載置台本体
74 昇降ピン機構
94 チャック電極(第1の被給電導体部)
96 加熱ヒータ部(第2の被給電導体部)
98,100,102 給電用ライン部材
110 接続端子
112 接続穴
114 給電用コネクタ部
116 応力緩和部材
118 ガイド部材
120,122,124,136 ロウ材
130,132 バリヤ層
150 雌ねじ
152 雄ねじ
154 ロウ材
W 半導体ウエハ(被処理体)

Claims (15)

  1. 内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された高融点金属又はこの合金又は高融点金属の化合物よりなる接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、
    前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、
    前記接続端子と前記給電用コネクタ部との間に介在されて応力を緩和するための導電性材料よりなる応力緩和部材と、
    前記載置台本体を支持する支柱と、
    を有する載置台構造において、
    前記応力緩和部材は、コバルト及びニッケルを含まないFe−Pd合金、Zr−Nb−Fe合金、Cr−Fe−Sn合金、Fe−B非晶質合金からなる群より選択される1以上の材料よりなり、前記応力緩和部材と前記接続端子とが、ニッケルが含まれていないロウ材により接合されていることを特徴とする載置台構造。
  2. 内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された高融点金属又はこの合金又は高融点金属の化合物よりなる接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、
    前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、
    前記接続端子と前記給電用コネクタ部との間に介在されて応力を緩和するための導電性材料よりなる応力緩和部材と、
    前記載置台本体を支持する支柱と、
    を有する載置台構造において、
    前記応力緩和部材と前記接続端子との対向面の内の少なくともいずれか一方の面には、金属窒化物、金属珪化物よりなる群より選択される1以上の材料よりなるバリヤ層が設けられると共に、前記応力緩和部材と前記接続端子とが、ニッケルが含まれていないロウ材により接合されていることを特徴とする載置台構造。
  3. 前記応力緩和部材の全表面及び/又は前記接続端子の全表面には、それぞれバリヤ層が設けられていることを特徴とする請求項2記載の載置台構造。
  4. 内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された高融点金属又はこの合金又は高融点金属の化合物よりなる接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、
    前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、
    前記接続端子と前記給電用コネクタ部との間に介在されて応力を緩和するための導電性材料よりなる応力緩和部材と、
    前記載置台本体を支持する支柱と、
    を有する載置台構造において、
    前記接続端子は、MoSi 又はMaxthal(登録商標)よりなる導電性及び耐酸化性を有する金属間化合物により形成され、前記接続端子と前記応力緩和部材とがロウ材により接合されていることを特徴とする載置台構造。
  5. 前記給電用コネクタ部と前記応力緩和部材の外周は、筒体状のガイド部材により囲まれていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の載置台構造。
  6. 内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された高融点金属又はこの合金又は高融点金属の化合物よりなる接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、
    前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、
    前記載置台本体を支持する支柱と、
    を有する載置台構造において、
    前記接続端子の前記給電用コネクタ部との対向面にコバルト及びニッケルの拡散を阻止するために金属窒化物、金属珪化物よりなる群より選択される1以上の材料よりなるバリヤ層を設けると共に、前記接続端子と前記給電用コネクタ部とをロウ材により接合するように構成したことを特徴とする載置台構造。
  7. 内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された高融点金属又はこの合金又は高融点金属の化合物よりなる接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、
    前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、
    前記載置台本体を支持する支柱と、
    を有する載置台構造において、
    前記接続端子は、導電性を有して耐酸化性が存在するMoSi 又はMaxthal(登録商標)よりなる金属間化合物により形成し、前記接続端子と前記給電用コネクタ部とはロウ材により接合されていることを特徴とする載置台構造。
  8. 内部に被給電導体部が埋設されると共に、該被給電導体部に電気的に接合された接続端子が凹部状の接続穴内に露出しているセラミック製の載置台本体と、
    前記被給電導体部への給電を行うために先端が前記接続穴内へ挿入される給電用コネクタ部を有する給電用ライン部材と、
    前記載置台本体を支持する支柱と、
    を有する載置台構造において、
    前記給電用コネクタ部には雌ねじが形成されると共に対応する前記給電用ライン部材の上端部には雄ねじが形成されて前記雌ねじと前記雄ねじとを螺合することにより前記給電用コネクタ部と前記給電用ライン部材とが連結され、前記接続端子と前記給電用コネクタ部とは、共に高融点金属よりなり、前記接続端子と前記給電用コネクタ部とが、AuよりなるAuロウ材、及びAgとTiとよりなるAg−Tiロウ材よりなる群より選択される1のロウ材により接合されていることを特徴とする載置台構造。
  9. 前記高融点金属は、モリブデン(Mo)、モリブデン合金(Mo合金)、タングステン(W)及びタングステン合金(W合金)よりなる群より選択される1以上の材料であることを特徴とする請求項8記載の載置台構造。
  10. 前記被給電導体部は、発熱体である加熱ヒータ部であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の載置台構造。
  11. 前記被給電導体部は、静電チャックのチャック電極であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の載置台構造。
  12. 前記被給電導体部は、高周波電力に対する下部電極であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の載置台構造。
  13. 前記ロウ材により接合される各部材の表面には、前記ロウ材と同じ材料の金属膜が予め形成されていることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の載置台構造。
  14. 被処理体に対して処理を施すための処理装置において、
    排気可能になされた処理容器と、
    被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた請求項1乃至13のいずれか一項に記載の載置台構造と、
    前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、
    を備えたことを特徴とする処理装置。
  15. 前記載置台構造内へは不活性ガスが供給されることを特徴とする請求項14記載の処理装置。
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5143029B2 (ja) * 2008-01-08 2013-02-13 日本碍子株式会社 接合構造及び半導体製造装置
TWI450353B (zh) * 2008-01-08 2014-08-21 Ngk Insulators Ltd A bonding structure and a semiconductor manufacturing apparatus
JP5237151B2 (ja) * 2009-02-23 2013-07-17 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置の基板支持台
KR101101746B1 (ko) * 2009-10-23 2012-01-05 주성엔지니어링(주) 정전 흡착 장치 및 그의 제조방법
JP5674192B2 (ja) * 2010-08-10 2015-02-25 コバレントマテリアル株式会社 静電チャックおよびその製造方法。
US8546732B2 (en) * 2010-11-10 2013-10-01 Lam Research Corporation Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing
KR101345693B1 (ko) * 2011-11-29 2013-12-30 (주)티티에스 기판 지지 모듈
KR101339981B1 (ko) * 2011-11-29 2013-12-11 (주)티티에스 기판 지지 모듈
JP5973731B2 (ja) 2012-01-13 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
US9281226B2 (en) * 2012-04-26 2016-03-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having reduced power loss
JP6475054B2 (ja) * 2015-03-26 2019-02-27 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
JP6591911B2 (ja) * 2016-02-25 2019-10-16 京セラ株式会社 半導体製造装置用部品
JP6560150B2 (ja) * 2016-03-28 2019-08-14 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置
JP6758143B2 (ja) * 2016-09-29 2020-09-23 日本特殊陶業株式会社 加熱装置
JP6626419B2 (ja) * 2016-09-30 2019-12-25 新光電気工業株式会社 静電チャック、基板固定装置
US10079168B2 (en) * 2016-11-08 2018-09-18 Lam Research Corporation Ceramic electrostatic chuck including embedded Faraday cage for RF delivery and associated methods for operation, monitoring, and control
KR102298654B1 (ko) * 2017-04-19 2021-09-07 주식회사 미코세라믹스 내구성이 개선된 세라믹 히터
JP2018203581A (ja) * 2017-06-07 2018-12-27 日本特殊陶業株式会社 セラミックス構造体
CN107564792B (zh) * 2017-08-17 2019-12-13 沈阳拓荆科技有限公司 一种用于等离子体处理设备的rf讯号传递装置
US11469084B2 (en) * 2017-09-05 2022-10-11 Lam Research Corporation High temperature RF connection with integral thermal choke
US11018048B2 (en) 2017-11-21 2021-05-25 Watlow Electric Manufacturing Company Ceramic pedestal having atomic protective layer
WO2019159862A1 (ja) 2018-02-16 2019-08-22 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP7025268B2 (ja) * 2018-04-04 2022-02-24 日本特殊陶業株式会社 セラミックス構造体
KR102054733B1 (ko) 2018-04-09 2019-12-11 (주)티티에스 히터의 단자접합 구조
KR102054732B1 (ko) 2018-04-09 2019-12-11 (주)티티에스 히터의 로드 접속 구조
JP7210896B2 (ja) * 2018-04-23 2023-01-24 東京エレクトロン株式会社 基板載置装置及び基板載置方法
WO2020004309A1 (ja) * 2018-06-26 2020-01-02 京セラ株式会社 試料保持具
JP7209515B2 (ja) * 2018-11-27 2023-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板保持機構および成膜装置
WO2020117594A1 (en) * 2018-12-04 2020-06-11 Applied Materials, Inc. Substrate supports including metal-ceramic interfaces
JP6699765B2 (ja) * 2019-01-29 2020-05-27 住友電気工業株式会社 ウェハ保持体
US11587773B2 (en) * 2019-05-24 2023-02-21 Applied Materials, Inc. Substrate pedestal for improved substrate processing
JP2021027180A (ja) * 2019-08-06 2021-02-22 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP7362400B2 (ja) * 2019-10-01 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
JP7356868B2 (ja) * 2019-11-05 2023-10-05 日本特殊陶業株式会社 複合部材
KR20220018421A (ko) * 2020-08-06 2022-02-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US20220122817A1 (en) * 2020-10-15 2022-04-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate support power transmission components
CN114649178A (zh) * 2020-12-18 2022-06-21 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种下电极组件及等离子体处理装置

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63278322A (ja) 1987-05-11 1988-11-16 Fujitsu Ltd 気相成長装置
IT1272674B (it) * 1992-09-26 1997-06-26 Samsung Electronics Co Ltd Metodo di fabbricazione di un dispositivo a semiconduttore
JPH06260430A (ja) 1993-03-08 1994-09-16 Eiko:Kk プレートヒータ及びその製法
KR100260587B1 (ko) * 1993-06-01 2000-08-01 히가시 데쓰로 정전척 및 그의 제조방법
US5511799A (en) * 1993-06-07 1996-04-30 Applied Materials, Inc. Sealing device useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential
JP3165938B2 (ja) 1993-06-24 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
JPH0774234A (ja) * 1993-06-28 1995-03-17 Tokyo Electron Ltd 静電チャックの電極構造、この組み立て方法、この組み立て治具及び処理装置
EP0743131A1 (en) * 1995-05-17 1996-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Ceramic metal bonding
JP3790000B2 (ja) 1997-01-27 2006-06-28 日本碍子株式会社 セラミックス部材と電力供給用コネクターとの接合構造
JP3746594B2 (ja) * 1997-06-20 2006-02-15 日本碍子株式会社 セラミックスの接合構造およびその製造方法
JPH11354504A (ja) * 1998-06-08 1999-12-24 Sony Corp ガラス基板処理装置
FR2785664B1 (fr) * 1998-11-05 2001-02-02 Snecma Echangeur de chaleur en materiau composite et procede pour sa fabrication
US6488820B1 (en) * 1999-08-23 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing migration of conductive material on a component
JP4398064B2 (ja) * 2000-05-12 2010-01-13 日本発條株式会社 加熱装置
JP2002313781A (ja) * 2001-04-11 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 基板処理装置
US20020185487A1 (en) * 2001-05-02 2002-12-12 Ramesh Divakar Ceramic heater with heater element and method for use thereof
JP2003060019A (ja) * 2001-08-13 2003-02-28 Hitachi Ltd ウエハステージ
JP4331427B2 (ja) 2001-10-03 2009-09-16 住友電気工業株式会社 半導体製造装置に使用される給電用電極部材
JP2006186351A (ja) * 2001-10-03 2006-07-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置
US6815086B2 (en) * 2001-11-21 2004-11-09 Dana Canada Corporation Methods for fluxless brazing
EP1463380A1 (en) * 2001-11-30 2004-09-29 Ibiden Co., Ltd. Ceramic heater
JP4321857B2 (ja) * 2003-01-29 2009-08-26 日本碍子株式会社 セラミックスの接合構造
US7252872B2 (en) 2003-01-29 2007-08-07 Ngk Insulators, Ltd. Joined structures of ceramics
JP4238772B2 (ja) 2003-05-07 2009-03-18 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び熱処理装置
JP4467453B2 (ja) * 2004-09-30 2010-05-26 日本碍子株式会社 セラミックス部材及びその製造方法
TWI281833B (en) * 2004-10-28 2007-05-21 Kyocera Corp Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater
JP4542485B2 (ja) * 2004-12-14 2010-09-15 日本碍子株式会社 アルミナ部材及びその製造方法
US20080190364A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-14 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly
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