KR940003015A - 반도체 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

입력 전류를 반도체 칩에 의해 제어하는 것에 의해 출력 전류를 부여하는 반도체 장치와 그의 제조 방법으로서, 스위칭 타임이 고속으로 되어가면, ON에서 OFF, OFF에서 ON시의 전류의 시간 변화율이 크게되고, 주전류경로에 의존하는 부유 인덕턴스에 의해 ON에서 OFF시에서지 전압이 발생하고, 부유 인덕턴스가 크면 서 지 전압이 크게되어, 그것이 파워 반도체 소자의 정격을 넘으먼 파워 반도체 소자가 파괴되는 것을 해소하기 위해서,입력 전류가 흐르는 경로와 역평행으로 되도록 도전층 또는 와이어를 배치한다.
이러한 반도체 장치 및 그의 제조 방법에 의해. 인턱턴스가 작게되어 큰 서지 전암이 발생하지 않는다.

Description

반도체 장치 및 그의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 제1도의 반도체 장치에 조립되어 있는 파워 모듈의 부분평면도,
제3도는 제2의 파워 모듈의 A-A단면도,
제4도는 제2도의 과워 모듈에 있어서의 제1의 복합 기관의 부분평면도,
제5도는 제2도의 파워 모듈에 있어서의 제1의 복합 기판의 부분평면도,
제6도는 제2도의 파워 모듈의 회로도

Claims (9)

  1. 입력 전류를 반도체 칩에 의해 제어하는 것에 의해 출력 전류를 부여하는 반도체 장치에 있어서, 주면을 갖는 금속 베이스관, 상기 금속 베이스관의 상기 주면상에 마련된 제1의 절연 기관, 상기 제1의 절연 기관상에 마련되고 상기 주면에 평행한 제1의 방향을 따라 입력 전류 및 출력 전류중의 한쪽을 흐르게 하기 위한 제1의 부분을 갖는 제1의 도전층, 상기 제1의 도전층상에 선택적으로 마련된 제2의 절연 기판, 상기 제2의 절연 기관상에 마련되고, 상기 제1의 방향과 역평행한 제2의 방향을 따라 상기 입력 전류 및 상기 출력 전류중의 다른쪽을 흐르게 하기 위한 제2의 부분을 가지며, 상기 제2의 부분이 상기 제1의 부분상애 배치된 제2의 도전층과 상기 제1의 도전층 또는 상기 제2의 도전층상에 마련되고 상기 제7과 제2의 도전층에 전기적으로 접속된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치.
  2. 입력 전류를 반도체 칩에 의해 제어하는 것에 의해 출력 전류를 부여하는 반도체 장치에 있어서, 주면을 갖는 금속 베이스판, 상기 금속 베이스판의 상기 주면상에 마련된 제1의 절연 기판, 상기 주면에 평행한 제1의 방향을 따라 입력 전류 및 출력 전류중의 한쪽을 흐르게 하는 제1의 영역과 상기 각1의 영역에 연속하여 마련되고 상기 주면상에 있어서 상기 제1의 방향과 다른 제2의 방향으로 돌출하는 반도 형상의 제2의 영역을 가지며, 상기 제1의 절연 기판상에 마련된 제 1의 도전층, 상기 제 1의 영역상에 마련된 제2의 절연 기판. 상기 제2의 절연 기판상에 마련되고, 상기 제1의 방항과 역평행한 제3의 방향을 따라 상기 입력 전류 및 상기 출력 전류중의 다른쪽을 흐르게 하는 부분을 가지며, 상기 부분이 상기 제1의 도전충의 상기 제1의 영역상에 배치되어 이루어지는 제2의 도전층과 상기 제2의 영역상에 마련되고 상기 제1과 제2의 도전층에 전기적으로 접속된 적어도 하나의 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나의 반도체 칩은 상기 제7의 방항을 따라 서로 간격을 두고 배열된 여러개의 반도체 칩을 구비하고, 상기 제2의 영역중 상기 간격에 상당하는 부분에는 상기 제2의 방향으로 됨행한 슬릿이 마련되어 있는 반도체 장치.
  4. 입력 전류를 반도체 칩에 의해 제어하는 것에 의해 출력 전류를 부여하는 반도체 장치에 있어서, 주면을 갖는 금속 베이스판, 상기 금속베이스판의 상기 주면상에 마련된 질연 기판, 상기 절연 기판상에 마련되고, 상기 주면에 평행한 제1의 방향을 따라 상기 입력 전류및 상기 출력 전류중의 한쪽을 흐르게 하는 도전층, 상기 도전층상에 마련된 반도체 칩과 상기 반도체 팁의 위면에 전기적으로 접속되고 상기 도전층의 위쪽에 있어서 상기 제1의 방향과 역평행한 제2의 방향을 따라 연장하는 것에 의해 상기 입력 전류 및 상기 출력 전류중외 다른쪽을 흐르게 하는 와이어률 포함하는 반도체 장치.
  5. 입력 전류를 반도체 팁에 의해 제어하는 것에 의해 출력 전류를 부여하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 제1의 절연 기판, 제1의 도전층, 제2의 절연 기판과 제2의 도전층이 이 순서로 적충되고 상기 제1과 제2의 도전층의 각각의 적어도 일부가 노출한 적층체를 얻는 공정, 금속 베이스판의 주면상에 상기 적층체를 고정하는 공정과 상기 적층체에 있어서 노출한 상기 제1 또는 제2의 도전층의 위면에 반도체 칩을 고정하는 공정을 포함하며, 상기 제1의 도전층은 상기 제1의 절연기판상에 있어서 상기 주면에 평행한 제 1의 방향을 따라 입 력 전류및 출력 전류중의 한쪽을 흐르게 하기 위한 제1의 부분을 갓는 도전층이고, 상기 제2의 도전충은상기 제2의 절연 기판상에 있어서, 상기 제1의 방향과 역평행한 제2의 방향을 따라상기 입력 전류 및 상기 출력 전류중의 다른쪽을 흐르게 하는 제2의 부분을 갖고, 상기 제2의 부분이 상기 제1의 부분상에 배치된 도전층인 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 입력 전류를 반도체칩에 의해 제어하는 것에 의해 출력 전류를 부여하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,제1의 절연 기판의 제1과 제2의 주면상에 각각 제1과 제2의 도전층을 적층하여 이루어지는 제1의 적층판과 제2의 절연 기판의 제1과 제2의 주면상에 각각 제3과 제4의 도전층을 적층하여 이루어지는 제2의 적층관을 준비하는 공정, 상기 제1의 도전충이 금속 베이스판의 주면에 대향하도록 한 위치 관계에서 상기 제1의 적층관을 상기 금속 베이스관의 상기 주면에 고정하는 공정, 상기 제3의 도전층이 상기 제2의 도전층에 대항하고 또한 상기 제2의 도전층의 주면의 일부가 노출하도록 한 위치 관계에서 상기 제2의 적층판을 상기 제1의 적층판상에 고정하는 공정과 상기 반도체 칩을 상기 제2의 도전층의 상기 주면의 상기 일부 또는 상기 제4의 도전층상에 고정하는 공정을 포함하며, 상기 제3의 도전층은 상기 금속 베이스판의 상기 주면에 평행한 제1의 방향을 따라 입력 전류 및 출력 전류중의 한쪽을 흐르게 하기 위한 제1의 부분을 갖는 도전층이고. 상기 제4의 도전층은 상기 제1의 방향과 역평행한 제2의 방향을 따라 상기 입력 전류 및 상기 출력 전류중의 다른쪽을 흐르게 하는 제2의 부분을 갖고, 상기 제2의 부분이 상기 제1의 부분상에 배치되어 이루어지는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 입력 전류를 반도체 칩에 의해 제어하는 것에 의해 출력 전류른 부여하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 제1의 절연 기판, 제1의 도전층, 제2의 절연 기판과 제2의 도전층이 이 순서로 적층되고, 상기 제1과 제2의 도전층의 각각의 적어도 일부가 노출한 적층체를 얻는 공정 금속 베이스판의 주면상에 상기 적층체를 고정하는 공정과 상기 적층체에 있어서 노출한 상기 제1또는 제2의 도전층의 위면에 반도체 칩을 고정하는 공정을 포함하며, 상기 제1의 도전층은 상기 주면에 평행한 제1의 방향을 따라 입력 전류 및 출력 전류중의 한쪽을 흐르게 하는 제1의 영역과 상기 제1의 영역에 연속하여 마련되고 상기 주면상에 있어서 상기 제1의 방향과 다른 제2의 방향으로 돌출하는 반도 형상의 제2의 영역을 구비하는 도전층이고, 상기 제2의 도전층은 상기 제2의 절연 기판상에 마련되고 상기 제1의 방항과 역평행한 제3의 방향을 따라 상기 입력 전류 및 상기 출력 전류중의 다른쪽을 흐르게 하는 부분을 갖고 상기 부분이 상기 제 1의 도전층의 상기 제 1의 영역상에 배치되어 이루어지는 도전충인 반도체 장치의 제조방법.
  8. 입력 전류를 반도체 칩에 의해 제어 하는 것에 의해 출력 전류를 부여하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 제1의 절연 기판의 제1과 제2의 주면상에 각각 제1과 제2의 도전층을 적층하여 이루어지는 제1의 적층판과 제2의 절연 기판의 제1과 제2의 주면상에 각각 제3과 제4의 도전층을 적층하여 이루어지는 제2의 적충판을 준비하는 공정, 상기 제1의 도전층이 금속 베이스판의 주면에 대향하도록 한 위치 관계에서 상기 제1의 적층관을 상기 금속 베이스판의 상기 주면에 고정하는 공정, 상기 제3의 도전층이 상기 제2의 도전층에 대향하고 또한 상기 제2의 도전층의 주면의 일부가 노출하도록 한 위치 관계에서 상기 제2의 적층판을 상기 제 1의 직층판상에 고정하는 공정과 상기 반도체 칩을 상기 제2의 도전층의 상기 주면의 상기 일부 또는 상기 제4의 도전층상에 고정하는 공정을 포함하며, 상기 제2의 도전층은 상기 금속 베이스판의 상기 주면에 평행한 제1의 방향을 따라 입력 전류 및 출력 전류중의 한쪽을 흐르게 하는 제1의 영역과 상기 제1의 영역에 연속하여 마련되고 상기 금속 베이스판의 상기 주면상에 있어서 상기 제1의 방향과 다른 제2의 방향으로 돌출하는 반도 형상의 제2의 영역을 구비하는 도전층이고, 상기 제4의 도전층은 상기 제2의 절연 기판상에 마련되고 상기 제1의 방향과 역평행한 제3의 방향을 따라 상기 입력 전류 및 상기 출력 전류중의 다른쪽을 흐르게 하는 부분을 갖고, 상기 부분이 상기 제2의 도전충의 상기 제1의 영역상에 배치되어 이루어지는 보전층인 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 입력 전류를 반도체 칩에 의해 제어하는 것에 의해 출력 전류률 부여하는 반도체 장치의 제초 방법에 있어서, 상기 입력 전류 및 상기 출력 전류중의 한쪽을 흐르게 하기 위한 도전층이 절연관상에 적층된 적층체, 주면을 갖는 금속 베이스판, 반도체 칩 및 상기 입력 전류및 상기 출력 전류중의 다른쪽을 흐르게 하기 위한 와이어를 준비하는 공정, 상기 주면에 평행한 제1의 방향을 따라 상기 도전층이 배치되도록 상기 적층체의 상기 절연판을 상기 금속 베이스판에 고정하는 공정, 상기 반도체 칩을 상기 도전층상에 고정하는 공정과 상기 반도체 칩의 위면에 상기 와이어의 한쪽글을 전기적으로 접속함과 동시에 상기 제1의 방항과 역평행한 제2의 방향을 따라 상기 와이어를 상기 도전층의 위쪽으로 건너지르는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2988243B2 (ja) * 1994-03-16 1999-12-13 株式会社日立製作所 パワー混成集積回路装置
US5956231A (en) * 1994-10-07 1999-09-21 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having power semiconductor elements
US5569957A (en) * 1994-10-31 1996-10-29 Harris Corporation Low inductance conductor topography for MOSFET circuit
US6049126A (en) * 1995-12-14 2000-04-11 Nec Corporation Semiconductor package and amplifier employing the same
JP3480771B2 (ja) * 1995-12-20 2003-12-22 三菱電機株式会社 半導体装置
JP3168901B2 (ja) * 1996-02-22 2001-05-21 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
US6954368B1 (en) 1996-07-22 2005-10-11 HYDRO-QUéBEC Low stray interconnection inductance power converting molecule for converting a DC voltage into an AC voltage, and a method therefor
US6078501A (en) * 1997-12-22 2000-06-20 Omnirel Llc Power semiconductor module
US6069403A (en) * 1998-10-06 2000-05-30 Intersil Corporation Power module with lowered inductance and reduced voltage overshoots
JP4475757B2 (ja) * 2000-07-19 2010-06-09 京セラ株式会社 インバータ制御モジュール
JP3635012B2 (ja) * 2000-07-26 2005-03-30 京セラ株式会社 インバータ制御モジュール
JP4475773B2 (ja) * 2000-08-11 2010-06-09 京セラ株式会社 インバータ制御モジュール
DE10107609A1 (de) * 2001-02-17 2002-08-29 Power One Ag Uster Spannungsversorgungsmodul
DE50205066D1 (de) 2001-09-28 2005-12-29 Siemens Ag Anordnung mit leistungshalbleiterbauelementen zur leistungssteuerung hoher ströme und anwendung der anordnung
JP2003258179A (ja) * 2002-02-28 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US6844621B2 (en) * 2002-08-13 2005-01-18 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of relaxing thermal stress
US7327024B2 (en) 2004-11-24 2008-02-05 General Electric Company Power module, and phase leg assembly
JP2006253516A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Hitachi Ltd パワー半導体装置
JP4810898B2 (ja) * 2005-06-29 2011-11-09 富士電機株式会社 半導体装置
JP4866143B2 (ja) * 2006-05-15 2012-02-01 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP5144284B2 (ja) * 2008-01-16 2013-02-13 本田技研工業株式会社 電力変換回路
JP4666185B2 (ja) * 2008-06-26 2011-04-06 三菱電機株式会社 半導体装置
WO2010131679A1 (ja) * 2009-05-14 2010-11-18 ローム株式会社 半導体装置
JP5293473B2 (ja) * 2009-07-16 2013-09-18 富士電機株式会社 半導体パワーモジュール
JP5477157B2 (ja) * 2010-05-17 2014-04-23 富士電機株式会社 半導体装置
US8622754B2 (en) * 2011-07-31 2014-01-07 General Electric Company Flexible power connector
US8942020B2 (en) 2012-06-22 2015-01-27 General Electric Company Three-level phase leg for a power converter
US9099930B2 (en) 2012-06-22 2015-08-04 General Electric Company Power converter and method of assembling the same
DE112013003161T5 (de) * 2012-07-19 2015-03-12 Mitsubishi Electric Corporation Leistungs-Halbleitermodul
JP5704190B2 (ja) * 2013-06-13 2015-04-22 富士電機株式会社 半導体パワーモジュール
JP6395530B2 (ja) 2014-09-11 2018-09-26 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6305362B2 (ja) * 2015-03-06 2018-04-04 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
JP6365772B2 (ja) * 2015-04-28 2018-08-01 株式会社村田製作所 パワーモジュール
JP6485257B2 (ja) * 2015-07-01 2019-03-20 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
DE102016112602A1 (de) * 2016-07-08 2018-01-11 Danfoss Silicon Power Gmbh Niederinduktives Leistungsmoduldesign
JP6980625B2 (ja) * 2018-09-18 2021-12-15 株式会社東芝 端子板及び半導体装置
EP3970185B1 (en) * 2019-05-14 2023-05-31 Hitachi Energy Switzerland AG Power semiconductor module with low gate path inductance
DE102022118268A1 (de) 2022-07-21 2024-02-01 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Baugruppe mit einem Kunststoffformkörper und einer Mehrzahl von Lastanschlusselementen und Leistungshalbleitereinrichtung hiermit
DE102022207850A1 (de) 2022-07-29 2024-02-01 Vitesco Technologies Germany Gmbh Leistungselektronikmodul und Inverter mit einem Leistungselektronikmodul

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62160558A (ja) * 1986-01-09 1987-07-16 Mitsubishi Electric Corp 伝送制御手順実現ソフトウエアの機能検査方法
US4907068A (en) * 1987-01-21 1990-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor arrangement having at least one semiconductor body
EP0381849A1 (de) * 1989-02-07 1990-08-16 Asea Brown Boveri Ag Schnelle Leistungshalbleiterschaltung
JP2780372B2 (ja) * 1989-08-29 1998-07-30 株式会社日立製作所 デイスク制御装置のキヤツシユ組込制御方法
US5202578A (en) * 1989-09-11 1993-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Module-type semiconductor device of high power capacity
DE3937045A1 (de) * 1989-11-07 1991-05-08 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul

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Publication number Publication date
JP2725954B2 (ja) 1998-03-11
KR0120918B1 (ko) 1997-10-20
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DE69308691T2 (de) 1997-06-19
EP0585578B1 (en) 1997-03-12
DE69308691D1 (de) 1997-04-17
US5424579A (en) 1995-06-13
JPH0645509A (ja) 1994-02-18

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