JP6365772B2 - パワーモジュール - Google Patents
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Description
12 …積層基板
14 …メイン基板
16 …サブ基板
14a …絶縁性基板(メイン側絶縁性基板)
14c …レジスト膜
141b …電極(第3電極をなすメイン側第3電極)
143b …電極(第2電極)
16a …絶縁性基板(サブ側絶縁性基板)
161b …電極(第1電極)
162b …電極(第3電極をなすサブ側第3電極)
18a …パワー半導体素子(第1半導体素子)
18b …パワー半導体素子(第2半導体素子)
22a,22b …リード端子(第3リード端子)
22c,22d …リード端子(第1リード端子)
22f …リード端子(第2リード端子)
C1 …寄生容量
C2 …キャパシタ(第2キャパシタ)
C3 …キャパシタ(第1キャパシタ)
L3 …インダクタ
D1,D2 …ダイオード(整流素子)
Claims (5)
- 絶縁性基板と、
前記絶縁性基板に形成された第1電極、第2電極および第3電極と、
前記第1電極および前記第2電極の間に接続された第1半導体素子と、
前記第2電極および前記第3電極の間に接続された第2半導体素子と、
前記第1電極、前記第2電極および前記第3電極とそれぞれ接続された第1リード端子、第2リード端子および第3リード端子と、
を備え、
前記第1半導体素子および前記第2半導体素子の少なくとも一方が半導体スイッチ素子からなる樹脂モールド型のパワーモジュールであって、
前記絶縁性基板はメイン側絶縁性基板およびサブ側絶縁性基板を含み、
前記第3電極はメイン側第3電極およびサブ側第3電極を含み、
前記第2電極および前記メイン側第3電極は前記メイン側絶縁性基板の主面に形成され、
前記第1電極および前記サブ側第3電極は前記サブ側絶縁性基板の対向する両主面にそれぞれに形成され、
前記メイン側第3電極の少なくとも一部が露出するように前記メイン側絶縁性基板の主面に形成されたレジスト膜をさらに備え、
前記サブ側絶縁性基板は前記サブ側第3電極が前記メイン側第3電極と面接触するように前記メイン側絶縁性基板に積層されていることを特徴とするパワーモジュール。 - 前記サブ側絶縁性基板は前記メイン側絶縁性基板の材質と同じ材質からなることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記第1半導体素子および前記第2半導体素子はいずれもスイッチ素子であり、
前記第1リード端子と前記第3リード端子との間に第1キャパシタが接続され、
インダクタと第2キャパシタとからなるLCフィルタが前記第2リード端子に接続され、
前記第1リード端子と前記第2リード端子との間で電力変換を行う、請求項1または2に記載のパワーモジュールを用いた昇降圧コンバータ。 - 前記第1半導体素子および前記第2半導体素子はそれぞれ整流素子およびスイッチ素子であり、
前記第2リード端子にインダクタが接続され、
前記インダクタを介して前記第2リード端子と前記第3リード端子との間に入力電圧が印加され、
前記第1リード端子を出力端子とする、請求項1または2に記載のパワーモジュールを用いた昇圧コンバータ。 - 前記第1半導体素子および前記第2半導体素子はそれぞれスイッチ素子および整流素子であり、
前記第1リード端子と前記第3リード端子との間に入力電圧が印加され、
インダクタとキャパシタとからなるLCフィルタが前記第2リード端子に接続されてなる、請求項1または2に記載のパワーモジュールを用いた降圧コンバータ。
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