KR930001396A - 금속 배선 제조 방법 - Google Patents

금속 배선 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930001396A
KR930001396A KR1019910010069A KR910010069A KR930001396A KR 930001396 A KR930001396 A KR 930001396A KR 1019910010069 A KR1019910010069 A KR 1019910010069A KR 910010069 A KR910010069 A KR 910010069A KR 930001396 A KR930001396 A KR 930001396A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
opening
substrate
glass substrate
photoresist pattern
metal wire
Prior art date
Application number
KR1019910010069A
Other languages
English (en)
Inventor
배병성
배용국
김남덕
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019910010069A priority Critical patent/KR930001396A/ko
Priority to JP4070544A priority patent/JPH05107553A/ja
Publication of KR930001396A publication Critical patent/KR930001396A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

금속 배선 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 이 발명에 따른 일실시예를 나타내는 금속배선 제조공정도이다.

Claims (4)

  1. 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 유리기판의 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 제1공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 통해 노출된 유리기판을 소정두께 제거하여 개구부를 형성하는 제2공정과, 상기 구조의 전 표면에 금속막을 도포하여 유리기판의 개구부를 메꾸는 제3공정과, 상기 구조의 개구부를 제외한 부분의 금속막과 포토레지스트 패턴을 제거하는 제4공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1공정에 있어서 SiO2, Si3N4등 절연막을 기판으로 사용하는 것을 특징으로 하는 금속배선 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1공정에 있어서, BPSG, USG, PSG, 유리기판 등의 유리재질의 절연물질을 기판으로 사용하는 것을 특징으로하는 금속배선 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2공정에 있어서 습식에칭 또는 건식에칭 중 어느 한가지 방법에 의하여 상기 개구부를 형성하는 것을 특징으로 하는 금속배선 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910010069A 1991-06-18 1991-06-18 금속 배선 제조 방법 KR930001396A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910010069A KR930001396A (ko) 1991-06-18 1991-06-18 금속 배선 제조 방법
JP4070544A JPH05107553A (ja) 1991-06-18 1992-03-27 アクテイブマトリクスｌｃｄの金属配線製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910010069A KR930001396A (ko) 1991-06-18 1991-06-18 금속 배선 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR930001396A true KR930001396A (ko) 1993-01-16

Family

ID=19315948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910010069A KR930001396A (ko) 1991-06-18 1991-06-18 금속 배선 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH05107553A (ko)
KR (1) KR930001396A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6937465B2 (en) 2002-01-31 2005-08-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Portable computer having a latch apparatus

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010046141A (ko) 1999-11-10 2001-06-05 구본준 박막 트랜지스터 및 배선 제조방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63235983A (ja) * 1987-03-24 1988-09-30 富士通株式会社 薄膜トランジスタパネルの製造方法
JPH04170519A (ja) * 1990-11-01 1992-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平面ディスプレー用配線およびその形成方法と液晶ディスプレー用非線形抵抗素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6937465B2 (en) 2002-01-31 2005-08-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Portable computer having a latch apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05107553A (ja) 1993-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900005565A (ko) 개선된 패턴 형성방법
KR910019258A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR890003000A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR930001396A (ko) 금속 배선 제조 방법
KR930003254A (ko) 반도체 장치의 금속배선 방법
KR940027071A (ko) 시각베리어층을 이용한 텅스텐 배선 형성방법
KR900002432A (ko) 반도체의 사이드벽 형성방법
JPS575329A (en) Manufacture of semiconductor device
KR940016629A (ko) 삼층감광막 패턴 형성방법
KR920022516A (ko) 반도체 메모리 소자의 커패 시터 형성 방법
KR900015320A (ko) 트렌치 미세패턴 형성방법
KR930005119A (ko) 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법
KR920022419A (ko) 반도체 장치의 보호막 제조방법
KR920010874A (ko) 반도체 소자의 다층배선 제조방법
KR960026292A (ko) 반도체 소자의 스텝커버리지 특성 개선방법
KR970052280A (ko) 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법
KR890001170A (ko) 반도체 장치의 폴리사이드 구조 제조방법
KR930003384A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR920022481A (ko) 반도체 집적 회로의 다층 배선 형성 방법
KR960026351A (ko) 스페이서절연층 형성방법
KR950034730A (ko) 반도체 메모리 장치에서의 캐패시터 제조 방법
KR980005619A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR930009024A (ko) 반도체 소자의 콘택형성방법
KR960026630A (ko) 반도체 소자 제조 방법
KR940002664A (ko) 감광막 패턴 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
SUBM Submission of document of abandonment before or after decision of registration