KR930003384A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 제조방법 Download PDFInfo
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 반도체 소자의 공정 단면도.
Claims (1)
- 게이트(3)가 형성된 기판(1)위에 콘택을 형성하여 메탈(6)을 증착하고 그위에 절연체(7)를 도포한 것에 있어서, 상기 절연체(7)위에 P/R(8)을 형성하고 플레인 마스크를 사용하여 P/R(8)을 노출 및 현상하므로 절연체(7)홈부위에 P/R(8)이 남도록 하는 공정과, 상기 P/R(8)사이로 노출된 절연체(7)부분을 식각한 후 P/R(8)을 제거하는 공정과, 상기 메탈(6)과 절연체(7)가 수평으로 평탄화된 상태에서 산화막(9)을 증착하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910011720A KR930003384A (ko) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 반도체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910011720A KR930003384A (ko) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930003384A true KR930003384A (ko) | 1993-02-24 |
Family
ID=67440882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910011720A KR930003384A (ko) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930003384A (ko) |
-
1991
- 1991-07-10 KR KR1019910011720A patent/KR930003384A/ko not_active Application Discontinuation
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