KR980005619A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상부에 게이트 전극을 형성하고, 상기 반도체기판의 전체 표면 상부에 완충막을 형성한 다음, 상기 완충막 상부에 식각 장벽층을 형성하고, 상기 반도체 기판의 전체 표면상부를 평탄화시키는 하부절연층을 형성한 다음, 상기 하부 절연층을 식각하되, 콘택마스크를 이용하여 상기 식각장벽층이 노출되도록 식각하고, 상기 노출된 식각장벽층과 상기 완충막을 이방성 식각하여 상기 반도체 기판을 노출시키는 콘택홀을 자기정렬적으로 형성함으로써 상기 식각장벽층으로 인한 반도체소자의 특성변화를 방지하여 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상 시키고 그에 따른 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 하는 잇점이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1c도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체 기판 상부에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 전체 표면 상부에 완충막을 형성하는 공정과, 상기 완충막 상부에 식각장벽층을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 전체 표면 상부를 평탄화 시키는 하부 절연층을 형성하는 공정과, 상기 하부 절연층을 식각하되, 콘택 마스크를 이용하고 상기 식각장벽층이 노출되도록 식각하는 공정과, 상기 노출된 식각장벽층과 상기 완충막을 이방성 식각하여 상기 반도체 기판을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 완충막은 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각장벽층은 상기 완충막과 식각선택비 및 응력의 차이가 없으며 상기 하부 절연층과 일정한 식각선택비 차이를 갖는 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 식각장벽층은 산화질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025782A KR980005619A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025782A KR980005619A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005619A true KR980005619A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960025782A KR980005619A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005619A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431822B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2004-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택 형성방법 |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960025782A patent/KR980005619A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431822B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2004-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택 형성방법 |
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