KR890001170A - 반도체 장치의 폴리사이드 구조 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 폴리사이드 구조 형성의 실시예.
Claims (1)
- 반도체 장치에서 실리콘 산화막상에 폴리실리콘과 실리사이드막의 이층구조를 폴리사이드를 제조하는 방법에 있어서, 실리콘 반도체 기판(6)상에 형성된 소정의 절연막(7)상부에 폴리실리콘(8)을 형성하는 제1공정과, 초고주파 스퍼터 에칭방법으로 폴리실리콘(8)상부에 실리사이드(9)를 형성하는 제3공정을 구비하여 이들 공정의 연속으로 폴리사이드 구조를 형성함을 특징으로 하는 반도체 장치의 폴리사이드 구조 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019870006722A KR890004883B1 (ko) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | 반도체 장치의 폴리사이드 구조 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR890001170A true KR890001170A (ko) | 1989-03-18 |
| KR890004883B1 KR890004883B1 (ko) | 1989-11-30 |
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ID=19262477
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR890004883B1 (ko) |
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1987
- 1987-06-30 KR KR1019870006722A patent/KR890004883B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|
| KR890004883B1 (ko) | 1989-11-30 |
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