KR940002664A - 감광막 패턴 형성방법 - Google Patents

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KR940002664A
KR940002664A KR1019920013411A KR920013411A KR940002664A KR 940002664 A KR940002664 A KR 940002664A KR 1019920013411 A KR1019920013411 A KR 1019920013411A KR 920013411 A KR920013411 A KR 920013411A KR 940002664 A KR940002664 A KR 940002664A
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이헌철
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김주용
현대전자 산업주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 고집적 반도체 소자의 감광막 패턴 형성방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상부에 패턴을 형성할 물질층을 형성하고, 그 상부에 감광가을 도포하는 단계와, 감광막 상부에 패턴이 형성된 마스크를 올려놓고, 감광막의 일정두께만 노광시키는 단계와, 노광된 감광막을 습식화학을 이용하는 현상공정으로 제거하여 요홈을 형성하고, 감광막 상부면에 절연막을 일정두께 형성하는 단계와, 상기 절연막을 에치백 공정으로 식각하되, 감광막 상부면이 노출되기까지 식각하여 요홈에만 절연막을 남겨놓는 단계와, 요홈에 남아있는 절연막을 마스크로 사용하여 노출된 감광막을 건식식각 공정으로 제거하여 감광막 패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 기술이다.

Description

감광막 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명에 의해 감광막 패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 감광막 패턴 형성방법에 있어서, 실리콘 기판 상부에 패턴을 형성할 물질층을 형성하고, 그 상부에 감광막을 도포하는 단계와, 감광막 상부에 패턴이 형성된 마스크를 올려놓고, 감광막의 일정두께만 노광시키는 단계와, 노광된 감광막을 습식화학을 이용하는 현상공정으로 제거하여 요홈을 형성하고, 감광막 상부면에 절연막을 일정 두께 형성하는 단계와. 상기 절연막을 에치백 공정으로 식각하되, 감광막 상부면이 노출되기가지 식각하여 요홈에만 절연막을 남겨 놓는 단계와, 요홈에 남아있는 절연막을 마스크로 사용하여 노출된 감광막을 건식식각 공정으로 제거하여 감광막 패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광막 패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연닥은 산화막(SiO2)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 감광막 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920013411A 1992-07-27 1992-07-27 감광막 패턴 형성방법 KR960014056B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100810422B1 (ko) * 2006-09-29 2008-03-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패턴 형성 방법

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