KR900000916A - 불휘발성 메모리 회로장치 - Google Patents
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- G11C16/28—Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
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- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예를 나타낸 패턴평면도.
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 작용을 나타낸 특성도.
제3도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 단면도.
Claims (3)
- 반도체집적회로장치에 설치되어 전기적으로 데이터를 기록할 수 있도록 된 불휘발성 메모리회로에 있어서, 독출대상으로 되는 메모리셀 트랜지스터(11 ; 대상셀)와, 같은 조건에서 구동되는 더미셀 트랜지스터셀(12 ; 더미셀) 및, 상기 대상셀(11)과 더미셀(12)의 전류특성의 차이에 따라 대상셀(11)의 기록상태를 논리값으로 변환시키는 논리게이트회로로 이루어진 감지증폭기(6)를 갖추고서; 비기록대상셀(11)의 소오스와 드레인간의 전류를 I1으로, 더미셀(12)의 소오스와 드레인간의 전류를 I2로, 기록대상셀(11)의 소오스와 드레인간의 전류를 I3로 할 때, I1〉I2〉I3의 관계를 갖도록 상기 각 셀(11,12)이 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리회로장치.
- 제1항에 있어서, 상기 대상셀(11)과 더미셀(12)이 같은 제조공정으로 제조되면서, 각 셀(11,12)의 소자치수와, 제1층 다결정실리콘으로 이루어진 부유게이트(FG)와 제2층 다결정실리콘으로 이루어진 제어게이트(CG)로 구성된 셀에서의 결합비인 제어게이트와 부유게이트간의 용량(C2)/부유게이트와 기판간 용량(C1)중 어느한쪽 또는 양쪽이 다르게 된 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리회로장치.
- 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터(11)(12)의 치수비인 채널폭/채널길이의 관점에서 대상셀(11)의 치수에 비해 더미셀(12)의 치수가 1/1.5∼1/3배로 된 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리회로장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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