KR880008458A - 보충 측면 절연 게이트 정류기 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 본 발명의 제1실시예를 다른 LIGR의 횡단면도.
제2도는 본 발명의 제2실시예에 따른 LIGR장치의 횡단면도.
Claims (2)
- 보충 측면 절연 게이트 정류기(LIGR)에 있어서, 상기 정류기가, 제1전도형이며 주 표면을 갖는 반도체 기판과, 상기 기판에서 상기 제1형태의 반도체 벽에 반대인 제2전도형 반도체 벽에 인접하며 상기 기판의 한부분에 의해 서로 분리된 제1 및 제2인접 표면과, 상기 제1웰 및 더 얕은 웰내 제1전도형 반도체 영역에 인접한 제1표면과, 상기 제1반도체 영역내 제2전도형 제1소스 영역과 인접한 표면과, 상기 제1웰 및 제2웰내 제2전도형 드레인 영역에 인접한 제1표면과, 상기 제1드레인 영역내 제1전도도의 드레인 영역에 인접한 더얕은 표면과, 상기 제1웰내 제1전도형 드레인 확장 영역에 인접하며 상기 제1드레인 영역으로부터 상기 제1반도체 영역으로 확장하는 제1표면과, 상기 주표면상에 있으며 상기 제1웰 상에서 제1절연층부를 갖으며 상기 제1소스 영역과 상기 제1드레인 영역 사이의 상기 제1반도체 영역의 적어도 한 부분을 덮는 절연층과, 제1반도체 영역의 적어도 상기 부분에서 상기 제1절연층부 상에 있으며, 상기 기판으로부터 절연된 제1게이트 전극과, 상기 제2웰내 제1전도형 소스 영역에 인접한 제2표면과, 상기 제2웰 및 제4웰내 제1전도형 드레인 영역에 인접한 제3표면과, 상기 제3드레인 영역내 제2전도형 드레인 영역에 인접한 더 얕은 표면과, 상기 제2웰내 제1전도형 드레인 확장 영역에 인접하며 상기 제3드레인 영역으로부터 상기 제2소스 영역으로 확장하는 제2표면과, 상기 제2웰에서 상기 주 표면상에 있으며 상기 제2소스 영역 및 상기 제2드레인 확장 영역사이의 상기 제2웰의 적어도 한 부분을 덮는 상기 절연층의 제2절연층부와, 적어도 상기 제2웰의 상기 부분에서 상기 제2절연층부에 있으며 상기 기판으로부터 절연된 제2게이트 전극과, 상기 제2 및 제4드레인 영역으로 각각 접속된 제1 및 제2드레인 전극과, 상기 제1반도체 영역, 상기 제1소스 영역 및 상기 제2소스 영역으로 접속된 소스 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 보충 측면 절연 게이트 정류기.
- 제1항에 있어서, 상기 정류기가, 상기 제2드레인 영역을 접촉시키며, 상기 제1드레인 전극에 접속되며, 상기 제1드레인 영역내 제2전도형 드레인 영역에 인접한 제5표면과, 상기 제4드레인 영역을 접촉시키며, 상기 제2드레인 전극에 접속된, 상기 제3드레인 영역내 제1전도형 드레인 영역에 인접한 제6표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 보충 측면 절연게이트 정류기.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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