KR20240019313A - 경질 기판의 연삭 - Google Patents

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KR20240019313A
KR20240019313A KR1020247000830A KR20247000830A KR20240019313A KR 20240019313 A KR20240019313 A KR 20240019313A KR 1020247000830 A KR1020247000830 A KR 1020247000830A KR 20247000830 A KR20247000830 A KR 20247000830A KR 20240019313 A KR20240019313 A KR 20240019313A
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라지브 케이 싱
써니 드
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엔테그리스, 아이엔씨.
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Abstract

본 발명은 약 6 초과의 모스 경도를 갖는 것과 같은 경질 물질의 연마를 위한 개선된 슬러리를 제공한다. 예시적인 경질 표면은 사파이어, 실리콘 카바이드, 실리콘 니트라이드, 갈륨 니트라이드 및 다이아몬드를 포함한다. 본 발명의 조성물 및 방법에서, 첨가제의 독특한 조합을 포함하는 신규한 조성물은 놀랍게도 광범위한 입자 크기를 갖는 다이아몬드 입자를 슬러리에 균일하게 분산시키는 것으로 밝혀졌다. 본 발명의 방법에서, 본 발명의 일반적으로 알칼리성인 슬러리 조성물은 우수한 제거 속도를 달성하면서 40 마이크로미터 초과의 다이아몬드 입자 크기를 사용할 수 있다. 이러한 경우 적합한 패드를 사용하면 실리콘 카바이드, 실리콘 니트라이드, 사파이어, 갈륨 니트라이드, 및 다이아몬드를 균일한 표면 손상으로 신속하고 평면적으로 연삭하는 것이 가능하다.

Description

경질 기판의 연삭
본 발명은 일반적으로 경질 기판 표면의 연삭 및 연마를 위한 개선된 조성물 및 방법에 관한 것이다.
화학적 기계적 연마 또는 화학적 기계적 평탄화 (CMP)는 기판을 평탄화하는 일반적인 방법이다. CMP는 기판으로부터 물질을 선택적으로 제거하기 위해 일반적으로 물, 화학 첨가제 및 입자를 포함하는 슬러리를 사용한다. 기존의 CMP에서는, 기판 캐리어 또는 연마 헤드가 캐리어 조립체에 장착되고 CMP 장치의 연마 패드와 접촉하여 위치한다. 캐리어 조립체는 연마 패드에 대해 기판을 누르는 제어가능한 압력을 기판에 제공한다. 패드는 기판을 기준으로 이동한다.
사파이어, 실리콘 카바이드, 갈륨 니트라이드, 및 다이아몬드와 같은 경질 기판의 경우, 다이아몬드, 입방체 보론 니트라이드, 실리콘 카바이드, 및 보론 카바이드와 같은 경질 슬러리 입자를 랩핑 및 연삭과 같은 기계적 연마 공정을 사용하여 이러한 기판을 연마하는 것이 정례적으로 적용된다. 전형적으로 입자 크기는 제거 속도를 제어하며, 입자 크기가 클수록 일반적으로 더 높은 속도를 제공한다. 그러나 입자가 클수록 또한 표면 및 서브표면 손상이 더 많이 발생하므로, 기계적 연마/연삭 공정은 여러 단계를 사용할 수 있다. 예를 들어, 초기 단계에서 초기에 더 큰 크기의 입자를 사용한 후 제거 속도 및 표면 마감을 개선하기 위한 시도로 이후 단계에서 보다 작고 작은 크기의 입자를 사용할 수 있다. 전형적으로, 이러한 큰 경질 입자는 연마 공정 동안 높은 수준의 손상을 유도할 수 있으므로 CMP 공정에서는 사용되지 않는다. 예를 들어, 평탄화된 경질 표면 물질은 주어진 경질 표면의 일반적으로 원형 조각을 톱질하거나 절단함으로써 제조된다. 그 다음 기판은 전형적으로 직경이 대략 100 마이크로미터인 다이아몬드 또는 보론 니트라이드 입자를 함유하는 슬러리 조성물을 사용하여 연삭 처리된다. 이러한 슬러리 조성물은 일반적으로 주철, 강철, 구리, 주석 등과 같은 금속판에 공급되는 반면, 판은 경질 기판에 압력을 가한다. 래핑 (즉, 스톡 제거)을 수반하는 다음 단계에서는 일반적으로 직경이 약 10 마이크로미터인 입자의 사용을 수반한다. 그런 다음 경질 기판의 최종 연마는 직경 약 1 마이크로미터의 입자를 사용하는 연마 슬러리를 사용하여 수행된다.
이러한 기존 슬러리를 사용하면, 다이아몬드 입자의 다양한 크기 분포, 및 특히 큰 다이아몬드 입자의 존재로 인해 기판 물질에 깊은 표면 긁힘 및 손상이 발생할 수 있다. 더욱이, 보다 큰 다이아몬드 입자는 쉽게 가라앉는 경향이 있어 (즉, 분산된 상태로 유지되지 않음), 이에 따라 연마 공정으로 재순환되기 어렵다.
따라서, 사파이어, 실리콘 카바이드, 갈륨 니트라이드 및 다이아몬드와 같은 경질 표면 물질에 대한 개선된 연삭/연마 슬러리의 개발에 대한 필요성이 계속해서 존재한다.
요약하면, 본 발명은 약 6 초과의 모스 경도를 갖는 것과 같은 경질 물질의 연삭을 위한 개선된 슬러리를 제공한다. 예시적인 경질 표면은 사파이어, 실리콘 카바이드, 실리콘 니트라이드, 갈륨 니트라이드 및 다이아몬드를 포함한다. 본 발명의 조성물 및 방법에서, 첨가제의 독특한 조합을 포함하는 신규한 조성물은 놀랍게도 광범위한 입자 크기를 갖는 다이아몬드 입자를 슬러리에 균일하게 분산시키는 것으로 밝혀졌다. 이러한 품질은 높은 분산 수준 및 그에 수반되는 슬러리 균일성을 고려하여 슬러리 조성물의 재사용에 도움이 된다. 본 발명의 방법에서, 본 발명의 일반적으로 알칼리성인 슬러리 조성물은 우수한 제거 속도를 달성하면서 40 마이크로미터 초과의 다이아몬드 입자 크기를 사용할 수 있다. 이러한 경우 적합한 패드를 사용하면 실리콘 카바이드, 실리콘 니트라이드, 사파이어, 갈륨 니트라이드, 및 다이아몬드를 균일한 표면 손상으로 신속하고 평면적으로 연삭하는 것이 가능하다. 추가적으로, 기존의 슬러리 및 방법과 달리, 본 발명의 조성물 및 방법은 기판 물질에 깊은 긁힘을 발생시키지 않고 보다 큰 다이아몬드 입자를 사용할 수 있다.
도 1은 40 μm 다이아몬드 입자를 포함하는 본 발명의 조성물을 사용하여 광학 프로필로미터(Optical Profilometer)를 사용하여 얻은 20x 이미지이다.
도 2는 60 μm 다이아몬드 입자를 포함하는 본 발명의 조성물을 사용하여 광학 프로필로미터를 사용하여 얻은 20x 이미지이다.
도 3은 80 μm 다이아몬드 입자를 포함하는 본 발명의 조성물을 사용하여 광학 프로필로미터를 사용하여 얻은 20x 이미지이다.
도 4는 40 μm 다이아몬드 입자를 포함하는 기존의 연삭 슬러리 (즉, 비교예)를 사용하여 광학 프로필로미터를 사용하여 얻은 20x 이미지이다.
도 5는 약 80 마이크로미터의 다이아몬드 입자를 사용하는 본 발명의 조성물에 대한 물질 제거 속도 (μm/시간) 대 인가 압력 (psi)의 플롯이다.
도 6은 본 발명의 조성물에 대한 물질 제거 속도 (μm/시간) 대 연마 기간 (시간)의 플롯이다.
본 명세서 및 첨부된 청구범위에 사용된 바와 같은 단수형은 내용이 달리 명시하지 않는 한 복수형을 포함한다. 본 명세서 및 첨부된 청구범위에 사용된 바와 같은 용어 "또는"은 일반적으로 내용이 달리 명시하지 않는 한 "및/또는"을 포함하는 의미로 사용된다.
"약"이라는 용어는 일반적으로 인용된 값과 동등한 것으로 간주되는 (예를 들어, 동일한 기능 또는 결과를 갖는) 수의 범위를 지칭한다. 많은 경우에, "약"이라는 용어는 가장 가까운 유효 숫자로 반올림된 수를 포함할 수 있다.
끝점을 사용하여 표현된 수의 범위는 범위 내에 포함된 모든 수를 포함한다 (예를 들어, 1 내지 5는 1, 1.5, 2, 2.75, 3, 3.80, 4 및 5를 포함한다).
제1 측면에서, 본 발명은
물,
약 40 μm 내지 약 120 μm의 평균 직경을 갖는 다이아몬드 입자, 및
적어도 하나의 약염기 및 적어도 하나의 수혼화성 용매로 구성된 분산제
를 포함하며, 약 6 초과의 pH를 갖는 조성물을 제공한다.
본 발명의 조성물에서, 다이아몬드 입자는 특정 실시양태에서 평균 직경이 약 50 μm 내지 약 110 μm, 약 60 μm 내지 약 100 μm, 약 70 μm 내지 약 90 μm, 약 50 μm 내지 약 70 μm, 약 60 μm 내지 약 80 μm, 또는 약 70 μm 내지 약 90 μm이다. 다이아몬드 입자는 구형 또는 비구형일 수 있다. 비구형 형상의 예는 삼각 기둥 또는 사각 기둥과 같은 다각 기둥 형상, 원기둥 형상, 원통의 중앙 부분이 말단 부분보다 부풀어 오른 베일 형상, 원반의 중앙 부분이 관통된 도넛 형상, 판 형상, 중앙부가 잘록한 이른바 고치 형상, 복수의 입자가 집적된 이른바 조립형 구형, 표면에 복수의 돌기를 갖는 이른바 콘페이토형 형상, 럭비공 형상 등을 포함하나 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 한 실시양태에서, 다이아몬드 입자는 일반적으로 구형 형상이다. 한 실시양태에서, 다이아몬드 입자는 약 -1 내지 약 10의 종횡비를 갖는다. 일반적으로, 다이아몬드 입자는 목표 직경 정도의 좁은 크기 분포를 갖는 것이 유리할 것이다. 한 실시양태에서, 다이아몬드 입자의 양은 조성물의 총 중량을 기준으로 약 0.001 내지 약 20 중량%이다. 또 다른 실시양태에서, 양은 약 1.5 중량%이다. 적합한 다이아몬드 입자는 일반적으로 분말 형태의 단결정 연마재로서 상업적으로 수득될 수 있다.
본 발명에 사용되는 분산제는 약한 유기 염기 및 수혼화성 용매의 조합이다.
예시적인 약염기는 C2-C8 알칸올아민과 같은 약한 유기 염기 및 수성 암모니아 (NH4OH)와 같은 약무기 염기를 포함한다. 예시적인 약염기는 암모늄 히드록시드, 모노에탄올아민 (MEA), 디에탄올아민 (DEA), 트리에탄올아민 (TEA), 에틸렌디아민, 시스테인, N-메틸에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, N,N-디이소프로필아미노에탄올, 메틸 디에탄올아민, 비스-트리스 메탄, 메글루민 (아미노당), 아미노에틸에탄올아민, N-메틸아미노에탄올, 아미노에톡시에탄올, 디메틸아미노에톡시에탄올, 이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, 아미노프로필디에탄올아민, N,N-디메틸프로판올아민, N-메틸프로판올아민, 1-아미노-2-프로판올, 2-아미노-1-부탄올, 이소부탄올아민 등 및 이들의 조합을 포함한다.
특정 실시양태에서, 수혼화성 용매는 글리콜 에테르이다. 예시적인 글리콜 에테르는 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르, 에틸렌 글리콜 페닐 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르 (DPGME), 트리프로필렌 글리콜 메틸 에테르 (TPGME), 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르 (DPGPE), 트리프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 페닐 에테르, 및 이들의 혼합물을 포함한다.
다른 실시양태에서, 수혼화성 유기 용매는 글리콜 및 폴리올 (3개 이상의 히드록실 모이어티를 갖는 화합물)이다.
상기 언급한 바와 같이, 본 발명의 조성물은 약 8 이상의 pH를 갖는다. 특정 실시양태에서, pH는 약 8 내지 약 9, 약 8 내지 약 10, 약 9 내지 약 10, 또는 약 6 내지 약 13.5이다.
필요한 경우 pH 조절제를 사용할 수 있다. 적합한 pH 조절제는 유기 염기 및 무기 염기를 포함한다. 이러한 목적에 적합한 염기의 예는 콜린 히드록시드, 테트라부틸포스포늄 히드록시드 (TBPH), 테트라메틸포스포늄 히드록시드, 테트라에틸포스포늄 히드록시드, 테트라프로필포스포늄 히드록시드, 벤질트리페닐포스포늄 히드록시드, 메틸 트리페닐포스포늄 히드록시드, 에틸 트리페닐포스포늄 히드록시드, N-프로필 트리페닐포스포늄 히드록시드, 테트라에틸암모늄 히드록시드 (TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드 (TPAH), 테트라부틸암모늄 히드록시드 (TBAH), 트리메틸에틸암모늄 히드록시드, 디에틸디메틸암모늄 히드록시드, 트리부틸메틸암모늄 히드록시드 (TBMAH), 벤질트리메틸암모늄 히드록시드 (BTMAH), 테트라메틸암모늄 히드로클로라이드 (TMAH), 트리스(2-히드록시에틸)메틸 암모늄 히드록시드, 디에틸디메틸암모늄 히드록시드, 아르기닌, 칼륨 히드록시드, 세슘 히드록시드 및 이들의 조합을 포함한다. 한 실시양태에서, pH 조절제는 TMAH (테트라메틸 암모늄 히드록시드)이다.
종종 경질 금속 연삭 플레이트를 사용하는 경질 표면에 대한 다른 연삭 방식과 달리, 본 발명의 조성물은 기판 표면에 과도한 힘을 가하지 않도록 조성물의 보다 큰 다이아몬드 입자를 수용하기에 적합한 탄성을 갖는 연삭 패드를 사용하여, 이를 통해 바람직하지 않은 깊은 긁힘을 방지할 수 있다. 이와 관련하여, 연삭 패드는 예를 들어 임의의 유형의 중합체-기반 연마 패드로 구성될 수 있다. 대안적으로, 패드는 스웨이드와 같은 다른 적합한 물질로 구성될 수 있다. 연마 패드의 예는 폴리우레탄 패드 및 스웨이드 패드를 기반으로 한다. 패드 두께는 특정 실시양태에서 약 0.1 mm 내지 약 25 mm로 다양할 수 있다. 패드의 경도는 애스커(Asker) C 경도 5 내지 애스커 경도 95로 다양할 수 있다. 패드의 압축률은 0.1% 내지 40%이다. 패드는 일반적으로 비다공성이다. 특정 실시양태에서, 패드의 기공 크기는 약 0 내지 약 20 마이크로미터, 또는 약 0 내지 약 10 마이크로미터로 다양할 수 있다.
폴리우레탄 기반 패드의 예는 해당 기술분야에 널리 공지되어 있으며 상업적으로 찾을 수 있다. 이러한 패드의 경도 범위는 쇼어(Shore) D 값 5 내지 99이다. 일반적으로 임의의 다른 유형의 중합체 물질을 슬러리와 함께 사용할 수 있다.
화학적 기계적 연마에 적합한 장치는 상업적으로 입수가능하다. 본 발명의 방법은 일반적으로 상기 기재한 성분들을 포함하는 슬러리 조성물을 혼합하고, 연마할 경질 기판을 회전 패드를 갖는 CMP 장치에 넣은 후, 본 발명의 슬러리 조성물을 사용하여 화학적 기계적 연마를 수행하는 단계를 수반한다. 이러한 연마 방법에서는, 경질 기판 표면의 적어도 일부가 제거 또는 마모되어 적합하게 연마된 경질 기판을 제공한다.
따라서, 제2 측면에서, 본 발명은 다이아몬드, 사파이어, 실리콘 카바이드 및 갈륨 니트라이드으로부터 선택된 표면을 연마하는 방법을 제공하며, 상기 방법은 하기를 포함한다:
기판을 제1 측면에 기재된 본 발명의 조성물과 접촉시키는 단계;
기판에 대해 조성물을 이동시키는 단계, 및
a. 기판을 마모시켜 표면의 일부를 제거함으로써 연마된 표면을 제공하는 단계.
실시예
실험 설정:
하기의 모든 제거 속도 실험은 뷸러 오토메트(Buehler Automet) 250 탁상 폴리셔에서 100 mm C-평면 사파이어, 플래튼 속도 150 rpm로 수행되었다. 30 mL/분의 유속이 유지되었다. 쇼어 D 경도가 70인 연마 경질 비다공성 폴리우레탄 연마 패드에 대해 데이터가 생성되었다. 다이아몬드 입자는 조성물의 중량을 기준으로 1.5 중량%로 사용되었다.
Figure pct00001
표-1: 연삭 슬러리의 제거 속도 대 pH (첨가제 조성을 일정하게 유지)
Figure pct00002
표-2: 연삭 슬러리의 제거 속도 대 다이아몬드 크기 (D50) (첨가제 조성을 일정하게 유지)
Figure pct00003
표-3: 연삭 슬러리의 제거 속도 대 다양한 첨가제 조성 (다이아몬드 크기를 일정하게 유지)
측면들
제1 측면에서, 본 발명은
물,
약 40 μm 내지 약 120 μm의 평균 직경을 갖는 다이아몬드 입자, 및
적어도 하나의 약염기 및 적어도 하나의 수혼화성 용매로 구성된 분산제
를 포함하며, 약 6 초과의 pH를 갖는 조성물을 제공한다.
제2 측면에서, 본 발명은 다이아몬드 입자가 약 50 μm 내지 약 110 μm의 평균 직경을 갖는 것인, 제1 측면의 조성물을 제공한다.
제3 측면에서, 본 발명은 다이아몬드 입자가 약 60 μm 내지 약 100 μm의 평균 직경을 갖는 것인, 제1 측면의 조성물을 제공한다.
제4 측면에서, 본 발명은 다이아몬드 입자가 약 70 μm 내지 약 90 μm의 평균 직경을 갖는 것인, 제1 측면의 조성물을 제공한다.
제5 측면에서, 본 발명은 다이아몬드 입자가 약 50 μm 내지 약 70 μm의 평균 직경을 갖는 것인, 제1 측면의 조성물을 제공한다.
제6 측면에서, 본 발명은 다이아몬드 입자가 약 60 μm 내지 약 80 μm의 평균 직경을 갖는 것인, 제1 측면의 조성물을 제공한다.
제7 측면에서, 본 발명은 다이아몬드 입자가 약 70 μm 내지 약 90 μm의 평균 직경을 갖는 것인, 제1 측면의 조성물을 제공한다.
제8 측면에서, 본 발명은 약염기가 수성 암모니아, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 에틸렌디아민, 시스테인, N-메틸에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, N,N-디이소프로필아미노에탄올, 메틸 디에탄올아민, 비스-트리스 메탄, 메글루민, 아미노에틸에탄올아민, N-메틸아미노에탄올, 아미노에톡시에탄올, 디메틸아미노에톡시에탄올, 이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, 아미노프로필디에탄올아민, N,N-디메틸프로판올아민, N-메틸프로판올아민, 1-아미노-2-프로판올, 2-아미노-1-부탄올, 이소부탄올아민, 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것인, 제1 측면 내지 제7 측면 중 어느 한 측면의 조성물을 제공한다.
제9 측면에서, 본 발명은 약염기가 디메틸에탄올아민인, 제1 측면 내지 제8 측면 중 어느 한 측면의 조성물을 제공한다.
제10 측면에서, 본 발명은 조성물 중 다이아몬드 입자의 양이 조성물의 총 중량을 기준으로 약 0.001 내지 약 20 중량%인, 제1 측면 내지 제9 측면 중 어느 한 측면의 조성물을 제공한다.
제11 측면에서, 본 발명은 조성물이 약 6 내지 약 13.5의 pH를 갖는 것인, 제1 측면 내지 제10 측면 중 어느 한 측면의 조성물을 제공한다.
제12 측면에서, 본 발명은 하기를 포함하는 경질 표면을 연마하는 방법을 제공한다:
기판을 제1항의 조성물과 접촉시키는 단계; 및
기판을 마모시켜 표면의 일부를 제거함으로써 연마된 표면을 제공하는 단계.
제13 측면에서, 본 발명은 다이아몬드 입자가 약 50 μm 내지 약 110 μm의 평균 직경을 갖는 것인, 제12 측면의 방법을 제공한다.
제14 측면에서, 본 발명은 다이아몬드 입자가 약 60 μm 내지 약 100 μm의 평균 직경을 갖는 것인, 제12 측면의 방법을 제공한다.
제15 측면에서, 본 발명은 다이아몬드 입자가 약 70 μm 내지 약 90 μm의 평균 직경을 갖는 것인, 제12 측면의 방법을 제공한다.
제16 측면에서, 본 발명은 다이아몬드 입자가 약 50 μm 내지 약 70 μm의 평균 직경을 갖는 것인, 제12 측면의 방법을 제공한다.
제17 측면에서, 본 발명은 다이아몬드 입자가 약 60 μm 내지 약 80 μm의 평균 직경을 갖는 것인, 제12 측면의 방법을 제공한다.
제18 측면에서, 본 발명은 다이아몬드 입자가 약 70 μm 내지 약 90 μm의 평균 직경을 갖는 것인, 제12 측면의 방법을 제공한다.
제19 측면에서, 본 발명은 약염기가 수성 암모니아, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 에틸렌디아민, 시스테인, N-메틸에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, N,N-디이소프로필아미노에탄올, 메틸 디에탄올아민, 비스-트리스 메탄, 메글루민, 아미노에틸에탄올아민, N-메틸아미노에탄올, 아미노에톡시에탄올, 디메틸아미노에톡시에탄올, 이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, 아미노프로필디에탄올아민, N,N-디메틸프로판올아민, N-메틸프로판올아민, 1-아미노-2-프로판올, 2-아미노-1-부탄올, 이소부탄올아민 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것인, 제12 측면 내지 제18 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제20 측면에서, 본 발명은 약염기가 디메틸에탄올아민인, 제12 측면 내지 제19 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제21 측면에서, 본 발명은 조성물 중 다이아몬드 입자의 양이 조성물의 총 중량을 기준으로 약 0.001 내지 약 20 중량%인, 제12 측면 내지 제20 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제22 측면에서, 본 발명은 조성물이 약 6 내지 약 13.5의 pH를 갖는 것인, 제12 측면 내지 제21 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제23 측면에서, 본 발명은 경질 표면이 사파이어, 실리콘 카바이드, 갈륨 니트라이드, 및 다이아몬드로부터 선택되는 것인, 제12 측면 내지 제22 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
본 개시내용의 여러 예시적인 실시양태를 기재하였으므로, 통상의 기술자는 첨부된 청구범위의 범위 내에서 다른 실시양태가 만들어지고 사용될 수 있다는 것을 쉽게 이해할 것이다. 본 발명에서 다루는 개시내용의 수많은 이점이 상기 상세한 설명에 기재되었다. 그러나 본 개시내용은 많은 측면에서 단지 예시적일 뿐이라는 것이 이해될 것이다. 물론, 본 개시내용의 범위는 첨부된 청구범위가 표현하는 언어로 정의된다.

Claims (20)

  1. 물,
    약 40 μm 내지 약 120 μm의 평균 직경을 갖는 다이아몬드 입자, 및
    적어도 하나의 약염기 및 적어도 하나의 수혼화성 용매로 구성된 분산제
    를 포함하며,
    약 6 초과의 pH를 갖는
    조성물.
  2. 제1항에 있어서, 다이아몬드 입자가 약 50 μm 내지 약 110 μm의 평균 직경을 갖는 것인 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 다이아몬드 입자가 약 60 μm 내지 약 100 μm의 평균 직경을 갖는 것인 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 다이아몬드 입자가 약 70 μm 내지 약 90 μm의 평균 직경을 갖는 것인 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 다이아몬드 입자가 약 50 μm 내지 약 70 μm의 평균 직경을 갖는 것인 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 다이아몬드 입자가 약 60 μm 내지 약 80 μm의 평균 직경을 갖는 것인 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 다이아몬드 입자가 약 70 μm 내지 약 90 μm의 평균 직경을 갖는 것인 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 약염기가 수성 암모니아, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 에틸렌디아민, 시스테인, N-메틸에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, N,N-디이소프로필아미노에탄올, 메틸 디에탄올아민, 비스-트리스 메탄, 메글루민, 아미노에틸에탄올아민, N-메틸아미노에탄올, 아미노에톡시에탄올, 디메틸아미노에톡시에탄올, 이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, 아미노프로필디에탄올아민, N,N-디메틸프로판올아민, N-메틸프로판올아민, 1-아미노-2-프로판올, 2-아미노-1-부탄올, 이소부탄올아민, 및 이들의 조합으로부터 선택된 것인 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 약염기가 디메틸에탄올아민인 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 조성물 중 다이아몬드 입자의 양이 조성물의 총 중량을 기준으로 약 0.001 내지 약 20 중량%인 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 약 6 내지 약 13.5의 pH를 갖는 조성물.
  12. 경질 표면을 연마하는 방법이며,
    기판을, 물; 약 40 μm 내지 약 120 μm의 평균 직경을 갖는 다이아몬드 입자; 및 적어도 하나의 약염기 및 적어도 하나의 수혼화성 용매로 구성된 분산제를 포함하는 조성물과 접촉시키는 단계;
    기판을 마모시켜 표면의 일부를 제거함으로써 연마된 표면을 제공하는 단계
    를 포함하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 다이아몬드 입자가 약 50 μm 내지 약 110 μm의 평균 직경을 갖는 것인 방법.
  14. 제12항에 있어서, 다이아몬드 입자가 약 60 μm 내지 약 100 μm의 평균 직경을 갖는 것인 방법.
  15. 제12항에 있어서, 다이아몬드 입자가 약 70 μm 내지 약 90 μm의 평균 직경을 갖는 것인 방법.
  16. 제12항에 있어서, 다이아몬드 입자가 약 50 μm 내지 약 70 μm의 평균 직경을 갖는 것인 방법.
  17. 제12항에 있어서, 다이아몬드 입자가 약 60 μm 내지 약 80 μm의 평균 직경을 갖는 것인 방법.
  18. 제12항에 있어서, 다이아몬드 입자가 약 70 μm 내지 약 90 μm의 평균 직경을 갖는 것인 방법.
  19. 제12항에 있어서, 약염기가 수성 암모니아, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 에틸렌디아민, 시스테인, N-메틸에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, N,N-디이소프로필아미노에탄올, 메틸 디에탄올아민, 비스-트리스 메탄, 메글루민, 아미노에틸에탄올아민, N-메틸아미노에탄올, 아미노에톡시에탄올, 디메틸아미노에톡시에탄올, 이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, 아미노프로필디에탄올아민, N,N-디메틸프로판올아민, N-메틸프로판올아민, 1-아미노-2-프로판올, 2-아미노-1-부탄올, 이소부탄올아민 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것인 방법.
  20. 제12항에 있어서, 약염기가 디메틸에탄올아민인 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5266088A (en) * 1992-09-23 1993-11-30 Nicsand Water-based polish
RU2422259C2 (ru) * 2006-12-28 2011-06-27 Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк. Способ механической обработки сапфировой подложки
CN102666760B (zh) * 2009-11-11 2015-11-25 可乐丽股份有限公司 化学机械抛光用浆料以及使用其的基板的抛光方法
CN103254799A (zh) * 2013-05-29 2013-08-21 陈玉祥 一种亲水金刚石悬浮研磨抛光液及其制备方法
SG11201508398TA (en) * 2013-06-07 2015-11-27 Fujimi Inc Silicon wafer polishing composition
CN105647393A (zh) * 2016-02-02 2016-06-08 北京华进创威电子有限公司 一种碳化硅晶片的抛光液
CN111363520A (zh) * 2020-04-17 2020-07-03 深圳市朗纳研磨材料有限公司 研磨液及其制备方法

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