JP2008138097A - 硬質結晶基板研磨方法及び油性研磨スラリー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】硬質結晶基板Wの表面の平均表面粗さが0.5〜1nmの範囲となるように基板Wの表面を研磨する粗研磨工程、及び基板Wの表面の平均表面粗さが0.2nm以下の範囲となるように、粗研磨工程後の基板Wの表面を研磨する仕上げ研磨工程から成る。仕上げ研磨は、回転定盤11の表面に油性研磨スラリーを供給し、定盤11の表面に基板Wの表面を押し付け、この基板Wを回転させるものである。油性研磨スラリーは、油性分散媒中に人工ダイヤモンドクラスターを分散させたものであり、人工ダイヤモンドクラスターは、粒径2〜10nmの一次粒子からなる平均粒度20〜50nmの略球状の凝集粒子から成る。
【選択図】図1
Description
11・・・定盤
12・・・ワークホルダー
13・・・ノズル
14・・・定盤の回転軸
R・・・定盤回転方向
r・・・ワークホルダー回転方向
W・・・基板
s・・・表面
g・・・溝
d・・・深さ
p・・・ピッチ
θ・・・角度
Claims (10)
- 硬質結晶基板を研磨するための油性研磨スラリーであって、
砥粒、及び
前記砥粒を分散させる油性分散媒、
から成り、
前記砥粒として、人工ダイヤモンドクラスターが含まれ、
前記人工ダイヤモンドクラスターが、粒径2nm以上、10nm以下の一次粒子からなる平均粒度D50が20nm以上、50nm以下の略球状の凝集粒子から成る、
ところの油性研磨スラリー。 - 請求項1の油性研磨スラリーであって、
前記油性分散媒が、合成イソパラフィン系炭化水素を含む、
ところの油性研磨スラリー。 - 硬質結晶基板を研磨するための方法であって、
前記硬質結晶基板の表面の平均表面粗さが0.5nm以上、1nm以下の範囲となるように、前記硬質結晶基板の表面を研磨する粗研磨工程、及び
前記硬質結晶基板の表面の平均表面粗さが0.2nm以下の範囲となるように、前記粗研磨工程後の硬質結晶基板の表面を研磨する仕上げ研磨工程、
から成り、
前記仕上げ研磨工程が、
定盤を回転させる工程、
前記定盤の表面に油性研磨スラリーを供給する工程、及び
前記定盤の表面に前記硬質結晶基板の表面を押し付け、この硬質結晶基板を回転させる工程、
から成り、
前記油性研磨スラリーが、
砥粒、及び
前記砥粒を分散させる油性分散媒、
から成り、
前記砥粒として、人工ダイヤモンドクラスターが含まれ、
前記人工ダイヤモンドクラスターが、粒径2nm以上、10nm以下の一次粒子からなる平均粒度D50が20nm以上、50nm以下の略球状の凝集粒子から成る、
ところの方法。 - 請求項3の方法であって、
前記油性分散媒が、合成イソパラフィン系炭化水素を含む、
ところの方法。 - 請求項3の方法であって、
前記粗研磨工程が、
前記硬質結晶基板の表面の平均表面粗さが1nm以上、3nm以下の範囲となるように、前記硬質結晶基板の表面を研磨する第一の粗研磨工程、及び
前記硬質結晶基板の表面の平均表面粗さが0.5nm以上、1nm以下の範囲となるように、前記第一の粗研磨工程後の硬質結晶基板の表面を研磨する第二の粗研磨工程、
から成る、
ところの方法。 - 請求項3の方法であって、
前記定盤が、軟質金属からなり、
前記定盤が、表面に溝を有する、
ところの方法。 - 請求項6の方法であって、
前記軟質金属が錫又は錫合金である、
ところの方法。 - 請求項6の方法であって、
前記溝が、前記定盤の回転軸に一致する中心を有する螺旋溝である、
ところの方法。 - 請求項6の方法であって、
前記溝の断面形状がV字形である、
ところの方法。 - 請求項3の方法であって、
前記硬質結晶基板が、窒化ガリウム基板又は炭化珪素基板である、
ところの方法。
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