KR20220147016A - 가공 방법 - Google Patents
가공 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220147016A KR20220147016A KR1020220039892A KR20220039892A KR20220147016A KR 20220147016 A KR20220147016 A KR 20220147016A KR 1020220039892 A KR1020220039892 A KR 1020220039892A KR 20220039892 A KR20220039892 A KR 20220039892A KR 20220147016 A KR20220147016 A KR 20220147016A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- polished
- workpiece
- grinding
- Prior art date
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 205
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 56
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- -1 cBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/12—Dressing tools; Holders therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
(과제) 피가공물의 피연마면의 연마에서 기인하는 연마 패드의 연마면에 있어서의 단차 형성을 억제하고, 이와 같은 연마를 실시한 후에 있어서도, 이 피연마면을 평탄화하는 데에 적합한 연마 패드의 형상을 유지시키는 것이 가능한 가공 방법을 제공한다.
(해결 수단) 연마면에 평행한 좌표 평면에 포함되는 소정의 좌표 (제 1 좌표) 에 위치하는 피연마면의 외주 상의 점을 연마면에 접촉시키지 않고, 또한 다른 좌표 (제 3 좌표) 에 위치하는 피연마면의 외주 상의 점을 연마면의 외주에 접촉시켜 피가공물을 연마한다. 이 경우, 피가공물의 피연마면의 전역을 연마할 수 있음과 함께 연마 패드의 연마면의 외주 근방의 영역을 그것보다 내측의 영역과 동일한 정도로 마모시킬 수 있다. 이로써, 피가공물의 피연마면의 연마에서 기인하는 연마 패드의 연마면에 있어서의 단차 형성을 억제하고, 이와 같은 연마를 실시한 후에 있어서도, 이 피연마면을 평탄화하는 데에 적합한 연마 패드의 형상을 유지시킬 수 있다.
(해결 수단) 연마면에 평행한 좌표 평면에 포함되는 소정의 좌표 (제 1 좌표) 에 위치하는 피연마면의 외주 상의 점을 연마면에 접촉시키지 않고, 또한 다른 좌표 (제 3 좌표) 에 위치하는 피연마면의 외주 상의 점을 연마면의 외주에 접촉시켜 피가공물을 연마한다. 이 경우, 피가공물의 피연마면의 전역을 연마할 수 있음과 함께 연마 패드의 연마면의 외주 근방의 영역을 그것보다 내측의 영역과 동일한 정도로 마모시킬 수 있다. 이로써, 피가공물의 피연마면의 연마에서 기인하는 연마 패드의 연마면에 있어서의 단차 형성을 억제하고, 이와 같은 연마를 실시한 후에 있어서도, 이 피연마면을 평탄화하는 데에 적합한 연마 패드의 형상을 유지시킬 수 있다.
Description
본 발명은, 원상의 연마면을 갖는 연마 패드를 사용하여 원상의 피연마면을 갖는 피가공물을 연마하는 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 및 광 디바이스 등의 전자 디바이스의 칩은, 예를 들어 실리콘 (Si) 또는 탄화규소 (SiC) 등으로 이루어지는 반도체 웨이퍼 또는 사파이어 (산화알루미늄 (Al2O3)) 등으로 이루어지는 절연체 웨이퍼 등의 피가공물을 사용하여 제조된다. 이와 같은 칩은, 예를 들어 표면에 다수의 디바이스가 형성된 피가공물을 박화한 후에, 개개의 디바이스를 포함하는 영역마다 피가공물을 분할함으로써 제조된다.
피가공물을 박화하는 방법으로는, 예를 들어 피가공물의 이면측 연삭을 들 수 있다. 단, 피가공물을 연삭하면, 그 이면 (피연삭면) 에 피가공물을 구성하는 재료의 결정 구조가 흐트러진 층 (파쇄층) 이 형성되고, 또한/또는, 연삭흔이 잔존함과 함께, 미세한 크랙이 형성되는 경우가 있다. 그리고, 이와 같은 피가공물을 분할하여 칩을 제조하면, 얻어지는 칩의 항절강도가 저하될 우려가 있다.
그 때문에, 피가공물의 피연삭면측에 형성된 파쇄층, 연삭흔 및/또는 크랙을 제거하기 위해서, 연삭 후에 피가공물의 피연삭면에 대하여 연마가 실시되는 경우가 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 연마는, 예를 들어 발포 폴리우레탄 등의 수지 또는 펠트 등의 부직포에 지립이 분산된 연마 패드와 피가공물의 쌍방을 회전시키면서, 피가공물의 이면 (피연마면) 에 연마 패드의 연마면을 접촉시킴으로써 실시된다.
연마 패드의 연마면은, 피가공물의 피연마면을 연마함으로써 마모된다. 그 때문에, 연마 패드의 연마면의 일부 영역만을 사용하여, 동일 사이즈의 피연마면을 갖는 다수의 피가공물의 연마가 실시되면, 이 연마 패드의 연마면에 단차가 형성되는 경우가 있다. 예를 들어, 이 연마면의 외주 근방의 영역이 그것보다 내측의 영역보다 아래로 돌출되는 경우가 있다.
이와 같은 연마 패드를 사용하여 피가공물의 피연마면을 연마하면, 피가공물의 피연마면을 평탄화하는 것이 곤란해질 우려가 있다. 구체적으로는, 연마 패드는 일반적으로 유연하기 때문에, 피가공물의 피연마면을 연마할 때에, 연마 패드의 연마면이 변형되는 경우가 있다.
예를 들어, 연마시에, 연마 패드의 연마면에 형성된 단차의 존재에서 기인하여 피가공물의 외주 근방에 가해지는 하중이 커지는 경우가 있다. 이 상태로 상기 다수의 피가공물과 동일 사이즈의 피연마면을 갖는 피가공물을 연마하면, 그 외주 근방의 영역이 과잉으로 연마되어 얇아질 (처짐이 생길) 우려가 있다.
이상의 점을 감안하여, 본 발명의 목적은, 피가공물의 피연마면의 연마에서 기인하는 연마 패드의 연마면에 있어서의 단차 형성을 억제하고, 이와 같은 연마를 실시한 후에 있어서도, 이 피연마면을 평탄화하는 데에 적합한 연마 패드의 형상을 유지시키는 것이 가능한 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 원상의 연마면을 갖는 연마 패드를 사용하여 원상의 피연마면을 갖는 피가공물을 연마하는 가공 방법으로서, 중심이 볼록해지는 원추 형상의 유지면을 갖는 척 테이블에 그 피가공물을 유지시키는 유지 스텝과, 그 유지면의 외주 상의 점 중 그 연마면에 수직인 방향에 있어서의 그 연마면까지의 거리가 가장 짧아지는 점과 그 유지면의 중심을 연결하는 선분이 그 연마면과 평행이 되도록, 그 척 테이블의 회전축과 그 연마 패드의 회전축이 이루는 각의 각도를 조정하는 조정 스텝과, 그 연마면에 평행한 좌표 평면에 있어서, 그 선분과 겹치는 그 피연마면의 외주 상의 점이 위치하는 제 1 좌표가 그 연마 패드와 겹치지 않고, 또한 그 피연마면의 중심이 위치하는 제 2 좌표가 그 연마 패드와 겹치도록, 그 연마 패드와 그 척 테이블을 수평 방향으로 상대적으로 이동시켜 그 연마 패드를 그 척 테이블의 상방에 위치매김하는 위치매김 스텝과, 그 연마 패드와 그 척 테이블이 회전한 상태로, 그 제 1 좌표에 위치하는 그 피연마면의 외주 상의 점을 그 연마면에 접촉시키지 않고, 또한 그 제 1 좌표와 상이한 그 좌표 평면 상의 제 3 좌표에 위치하는 그 피연마면의 외주 상의 점을 그 연마면의 외주에 접촉시켜 그 피가공물을 연마하는 연마 스텝을 구비하는 가공 방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 있어서는, 위치매김 스텝 전에 그 연마 패드를 드레스하는 드레스 스텝을 추가로 구비하고, 그 드레스 스텝에서는, 그 연마면의 원상의 중앙 영역에 오목부를 형성하고, 그 연마 스텝시에 그 연마면과 그 피연마면이 접촉하는 계면의 경계의 일부는, 그 오목부의 외주를 따라 원호상이 되는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 연마면에 평행한 좌표 평면에 포함되는 소정의 좌표 (제 1 좌표) 에 위치하는 피연마면의 외주 상의 점을 연마면에 접촉시키지 않고, 또한 다른 좌표 (제 3 좌표) 에 위치하는 피연마면의 외주 상의 점을 연마면의 외주에 접촉시켜 피가공물을 연마한다. 이 경우, 피가공물의 피연마면의 전역을 연마할 수 있음과 함께 연마 패드의 연마면의 외주 근방의 영역을 그것보다 내측의 영역과 동일한 정도로 마모시킬 수 있다.
이로써, 피가공물의 피연마면의 연마에서 기인하는 연마 패드의 연마면에 있어서의 단차 형성을 억제하고, 이와 같은 연마를 실시한 후에 있어서도, 이 피연마면을 평탄화하는 데에 적합한 연마 패드의 형상을 유지시킬 수 있다.
도 1 은, 가공 장치의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 피가공물의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 3 은, 척 테이블의 일례 등을 모식적으로 나타내는 일부 단면 (斷面) 측면도이다.
도 4 는, 피가공물의 가공 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 플로 차트이다.
도 5(A) 는, 연마 위치에 위치매겨진 척 테이블과 위치가 조정된 연마 패드를 모식적으로 나타내는 상면도이며, 도 5(B) 는, 도 5(A) 에 나타내는 A1B1 선에 있어서의 단면을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6(A) 는, 연마 패드에 의해 피가공물을 연마하는 모습을 모식적으로 나타내는 상면도이며, 도 6(B) 는, 도 6(A) 에 나타내는 A2B2 선에 있어서의 단면을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7 은, 피가공물의 가공 방법의 변형예를 모식적으로 나타내는 플로 차트이다.
도 8 은, 연마 위치에 위치매겨진 드레스 유닛과 위치가 조정된 연마 패드를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 9(A) 는, 드레스된 연마 패드에 의해 피가공물을 연마하는 모습을 모식적으로 나타내는 상면도이며, 도 9(B) 는, 도 9(A) 에 나타내는 A3B3 선에 있어서의 단면을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 피가공물의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 3 은, 척 테이블의 일례 등을 모식적으로 나타내는 일부 단면 (斷面) 측면도이다.
도 4 는, 피가공물의 가공 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 플로 차트이다.
도 5(A) 는, 연마 위치에 위치매겨진 척 테이블과 위치가 조정된 연마 패드를 모식적으로 나타내는 상면도이며, 도 5(B) 는, 도 5(A) 에 나타내는 A1B1 선에 있어서의 단면을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6(A) 는, 연마 패드에 의해 피가공물을 연마하는 모습을 모식적으로 나타내는 상면도이며, 도 6(B) 는, 도 6(A) 에 나타내는 A2B2 선에 있어서의 단면을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7 은, 피가공물의 가공 방법의 변형예를 모식적으로 나타내는 플로 차트이다.
도 8 은, 연마 위치에 위치매겨진 드레스 유닛과 위치가 조정된 연마 패드를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 9(A) 는, 드레스된 연마 패드에 의해 피가공물을 연마하는 모습을 모식적으로 나타내는 상면도이며, 도 9(B) 는, 도 9(A) 에 나타내는 A3B3 선에 있어서의 단면을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 도 1 은, 피가공물의 연삭 및 연마가 가능한 가공 장치의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 또한, 도 1 에 나타내는 X 축 방향 (전후 방향) 및 Y 축 방향 (좌우 방향) 은, 수평면 상에 있어서 서로 수직인 방향이며, 또 Z 축 방향 (상하 방향) 은, X 축 방향 및 Y 축 방향과 수직인 방향 (연직 방향) 이다.
도 1 에 나타내는 가공 장치 (2) 는, 각 구조를 지지하는 기대 (4) 를 구비한다. 기대 (4) 의 상면 전단측에는, 개구 (4a) 가 형성되어 있고, 개구 (4a) 내에는, 판상의 피가공물을 반송하기 위한 반송 기구 (6) 가 형성되어 있다. 도 2 는, 반송 기구 (6) 에 의해 반송되는 피가공물의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2 에 나타내는 피가공물 (11) 은, 예를 들어 원상의 표면 (11a) 및 이면 (11b) 을 갖고, 실리콘 (Si) 등의 반도체 재료로 이루어지는 웨이퍼이다. 이 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측은, 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인 (13) 으로 복수의 영역으로 구획되어 있고, 각 영역에는, IC (Integrated Circuit) 등의 디바이스 (15) 가 형성되어 있다.
또, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 에는, 피가공물 (11) 의 직경과 대략 동등한 직경을 갖는 필름상의 테이프가 첩착되어 있어도 된다. 이 테이프는, 예를 들어 수지로 이루어지고, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측을 연삭할 때에 표면 (11a) 측에 가해지는 충격을 완화시켜 디바이스 (15) 를 보호한다.
또한, 피가공물 (11) 의 재질, 형상, 구조 및 크기 등에 제한은 없다. 예를 들어, 피가공물 (11) 은, 다른 반도체 재료, 세라믹스, 수지 또는 금속 등의 재료로 이루어지는 기판이어도 된다. 동일하게, 디바이스 (15) 의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기 및 배치 등에도 제한은 없다. 또, 피가공물 (11) 에는, 디바이스 (15) 가 형성되어 있지 않아도 된다.
개구 (4a) 의 전방에는, 카세트 테이블 (8a, 8b) 이 형성되어 있다. 카세트 테이블 (8a, 8b) 에는, 각각 복수의 피가공물 (11) 을 수용할 수 있는 카세트 (10a, 10b) 가 실린다. 개구 (4a) 의 경사 후방에는, 피가공물 (11) 의 위치를 조정하기 위한 위치 조정 기구 (12) 가 형성되어 있다.
위치 조정 기구 (12) 는, 예를 들어 피가공물 (11) 의 중앙 부분을 지지할 수 있도록 구성된 테이블 (12a) 과, 테이블 (12a) 보다 외측의 영역에서 이 테이블 (12a) 에 대하여 접근 및 이격할 수 있도록 구성된 복수의 핀 (12b) 을 구비한다. 예를 들어, 카세트 (10a) 로부터 반송 기구 (6) 에 의해 반출된 피가공물 (11) 이 테이블 (12a) 에 실리면, 복수의 핀 (12b) 에 의해 피가공물 (11) 의 중심의 위치가 테이블 (12a) 의 중앙부에 맞춰진다.
위치 조정 기구 (12) 의 근방에는, 피가공물 (11) 을 유지시켜 선회할 수 있는 반입 기구 (14) 가 형성되어 있다. 반입 기구 (14) 는, 피가공물 (11) 의 상면측을 흡착할 수 있는 흡착 패드를 구비하고, 위치 조정 기구 (12) 로 위치가 조정된 피가공물 (11) 을 후방으로 반송한다. 반입 기구 (14) 의 후방에는, 원반상의 턴 테이블 (16) 이 형성되어 있다.
턴 테이블 (16) 은, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 에 연결되어 있고, Z 축 방향과 평행한 직선을 회전축으로 하여 회전한다. 이 턴 테이블 (16) 의 상면에는, 가공시에 피가공물 (11) 을 지지하기 위한 4 개의 척 테이블 (18) 이 턴 테이블 (16) 의 둘레 방향을 따라 대략 등간격으로 형성되어 있다. 또한, 턴 테이블 (16) 상에 형성되는 척 테이블 (18) 의 수 등에 제한은 없다.
반입 기구 (14) 는, 피가공물 (11) 을 흡착 패드로 흡착하고, 반입 기구 (14) 의 근방의 반입 반출 위치에 배치된 척 테이블 (18) 로 반입된다. 턴 테이블 (16) 은, 예를 들어 도 1 에 나타내는 화살표 방향으로 회전하고, 각 척 테이블 (18) 을, 반입 반출 위치, 조연삭 위치, 마무리연삭 위치, 연마 위치의 순서로 이동시킨다.
도 3 은, 척 테이블 (18) 등을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 척 테이블 (18) 은, 스테인리스강 등의 금속 재료 또는 세라믹스로 이루어지는 프레임체 (20) 를 갖는다. 프레임체 (20) 는, 원반상의 바닥벽과, 이 바닥벽의 외주부로부터 상방으로 연장되는 원환상의 측벽을 갖는다. 그리고, 프레임체 (20) 에 있어서는, 바닥벽 및 측벽에 의해 오목부가 획정되어 있다.
프레임체 (20) 의 바닥벽에는, 흡인로 (도시 생략) 가 형성되어 있다. 이 흡인로의 일단은, 오목부의 바닥면에 노출되어 있고, 흡인로의 타단은, 이젝터 등의 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다. 이 오목부에는, 포러스판 (22) 이 고정되어 있다. 이 포러스판 (22) 의 하면은 대략 평탄하고, 그 상면의 중심이 볼록해지는 원추 형상으로 되어 있다.
그리고, 이 흡인원을 동작시키면, 포러스판 (22) 의 상면 근방의 공간에는 부압이 생긴다. 그 때문에, 포러스판 (22) 의 상면은, 피가공물 (11) 을 유지시키는 척 테이블 (18) 의 유지면 (18a) 으로서 기능한다. 구체적으로는, 포러스판 (22) 의 상면에 피가공물 (11) 이 반입된 상태로 흡인원을 동작시키면, 피가공물 (11) 이 척 테이블 (18) 에 흡인 유지된다.
척 테이블 (18) 의 하부에는, 원주상의 스핀들 (24) 의 상부가 연결되어 있다. 또한, 이 척 테이블 (18) 은, 스핀들 (24) 로부터 분리 가능하다. 스핀들 (24) 의 하부는, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 에 연결되어 있다. 그리고, 이 회전 구동원을 동작시키면, 유지면 (18a) 의 중심을 통과하는 회전축 (26) 을 중심으로 척 테이블 (18) 이 회전한다.
척 테이블 (18) 의 하방에는, 척 테이블 (18) 이 회전 가능한 양태로 척 테이블 (18) 을 지지하는 환상의 베어링 (28) 이 형성되어 있다. 베어링 (28) 의 하방에는, 환상의 지지판 (30) 이 고정되어 있다. 지지판 (30) 의 하방에는, 환상의 테이블 베이스 (32) 가 형성되어 있다. 스핀들 (24) 은, 베어링 (28), 지지판 (30) 및 테이블 베이스 (32) 의 각각의 중앙에 형성된 개구에 위치한다.
테이블 베이스 (32) 의 하면측에는, 테이블 베이스 (32) 의 둘레 방향을 따라 대략 등간격으로 3 개의 지지 기구 (고정 지지 기구 (36a), 제 1 가동 지지 기구 (36b) 및 제 2 가동 지지 기구 (36c)) 가 형성되어 있다. 또한, 본 명세서에서는, 이들 3 개의 지지 기구를 통합하여, 기울기 조정 유닛 (36) 으로 칭한다.
테이블 베이스 (32) 는, 고정 지지 기구 (36a), 제 1 가동 지지 기구 (36b) 및 제 2 가동 지지 기구 (36c) 에 지지되어 있다. 고정 지지 기구 (36a) 는, 소정 길이의 지주 (고정축) 를 갖는다. 이 지주의 상부는, 테이블 베이스 (32) 의 하면에 고정된 상부 지지체에 연결되고, 또 이 지주의 하부는, 지지 베이스에 고정되어 있다.
제 1 가동 지지 기구 (36b) 및 제 2 가동 지지 기구 (36c) 의 각각은, 선단부에 수나사가 형성된 지주 (가동축) (38) 를 갖는다. 지주 (38) 의 선단부 (상부) 는, 테이블 베이스 (32) 의 하면에 고정된 상부 지지체 (40) 에 회전 가능한 양태로 연결되어 있다. 구체적으로는, 상부 지지체 (40) 는, 암나사를 갖는 로드 등의 금속제 기둥상 부재이고, 지주 (38) 의 수나사는, 상부 지지체 (40) 의 암나사에 회전 가능한 양태로 연결되어 있다.
제 1 가동 지지 기구 (36b) 및 제 2 가동 지지 기구 (36c) 의 지주 (38) 의 외주에는, 소정의 외경을 갖는 원환상의 베어링 (42) 이 고정되어 있다. 베어링 (42) 의 일부는, 계단상의 지지판 (44) 에 지지되어 있다. 즉, 제 1 가동 지지 기구 (36b) 및 제 2 가동 지지 기구 (36c) 는, 지지판 (44) 에 지지되어 있다.
지주 (38) 의 하부에는, 지주 (38) 를 회전시키는 모터 (46) 가 연결되어 있다. 모터 (46) 를 동작시켜 지주 (38) 를 일 방향으로 회전시키면, 상부 지지체 (40) 가 상승한다. 또, 모터 (46) 를 동작시켜 지주 (38) 를 타방향으로 회전시키면, 상부 지지체 (40) 가 하강한다. 이와 같이, 제 1 가동 지지 기구 (36b) 및 제 2 가동 지지 기구 (36c) 의 상부 지지체 (40) 가 승강함으로써, 테이블 베이스 (32) (즉, 척 테이블 (18)) 의 기울기가 조정된다.
다시 도 1 을 참조하여, 가공 장치 (2) 의 나머지의 구성 요소에 대하여 설명한다. 턴 테이블 (16) 의 둘레 방향을 따라 인접하는 1 쌍의 척 테이블 (18) 의 사이에는, 후술하는 연마 패드 (110) 의 드레스에 사용되는 드레스 유닛 (48) 이 배치되어 있다. 드레스 유닛 (48) 은, 하단부가 턴 테이블 (16) 의 상면에 고정되어 있는 원주상의 지지 부재 (50) 를 갖는다. 지지 부재 (50) 의 상단부에는, 드레스부 (52) 가 장착되어 있다.
드레스부 (52) 는, 예를 들어 수지 등의 본드재에 지립이 분산되어 있는 구조 또는 지지 부재 (50) 의 상단부의 표면에 지립이 분산된 도금층이 형성되어 있는 구조를 갖는다. 이 지립은, 예를 들어 탄화규소 (SiC), 입방정 질화붕소 (cBN), 다이아몬드 또는 금속 산화물 미립자 등의 재료로 이루어진다. 또한, 이 금속 산화물 미립자로는, 실리카 (산화실리콘), 세리아 (산화세륨), 지르코니아 (산화지르코늄) 또는 알루미나 (산화알루미늄) 등으로 이루어지는 미립자를 들 수 있다.
조연삭 위치 및 마무리연삭 위치의 후방 (턴 테이블 (16) 의 후방) 에는, 각각 기둥상의 지지 구조 (54) 가 형성되어 있다. 지지 구조 (54) 의 전면 (턴 테이블 (16) 측의 면) 에는, Z 축 이동 기구 (56) 각 형성되어 있다. Z 축 이동 기구 (56) 는, 지지 구조 (54) 의 전면에 고정되고, 또한 Z 축 방향을 따라 연장되는 1 쌍의 가이드 레일 (58) 을 갖는다.
1 쌍의 가이드 레일 (58) 의 전면측에는, 1 쌍의 가이드 레일 (58) 을 따라 슬라이드 가능한 양태로 이동 플레이트 (60) 가 연결되어 있다. 또, 1 쌍의 가이드 레일 (58) 의 사이에는, Z 축 방향을 따라 연장되는 나사축 (62) 이 배치되어 있다. 이 나사축 (62) 의 상단부에는, 나사축 (62) 을 회전시키기 위한 모터 (64) 가 연결되어 있다.
그리고, 나사축 (62) 의 나선상의 홈이 형성된 표면에는, 회전하는 나사축 (62) 의 표면을 구르는 볼을 수용하는 너트부 (도시 생략) 가 형성되고, 볼 나사가 구성되어 있다. 즉, 나사축 (62) 이 회전하면, 볼이 너트부 내를 순환하고, 너트부가 Z 축 방향을 따라 이동한다.
또, 이 너트부는, 이동 플레이트 (60) 의 후면 (이면) 측에 고정되어 있다. 그 때문에, 모터 (64) 로 나사축 (62) 을 회전시키면, 너트부와 함께 이동 플레이트 (60) 가 Z 축 방향을 따라 이동한다. 또한, 이동 플레이트 (60) 의 표면 (전면) 에는, 고정구 (66) 가 형성되어 있다.
고정구 (66) 는, 피가공물 (11) 을 연삭하기 위한 연삭 유닛 (68) 을 지지한다. 연삭 유닛 (68) 은, 고정구 (66) 에 고정되는 스핀들 하우징 (70) 을 구비한다. 스핀들 하우징 (70) 에는, Z 축 방향을 따라 연장되는 스핀들 (72) 이 회전 가능한 양태로 수용되어 있다.
스핀들 (72) 의 상단부에는, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 이 연결되어 있고, 스핀들 (72) 은, 이 회전 구동원의 동력에 의해 회전한다. 또, 스핀들 (72) 의 하단부는, 스핀들 하우징 (70) 의 하면으로부터 노출되고, 이 하단부에는, 원반상의 마운트 (74) 가 고정되어 있다.
조연삭 위치측의 연삭 유닛 (68) 의 마운트 (74) 의 하면에는, 조연삭용 연삭 휠 (76a) 이 장착된다. 이 조연삭용 연삭 휠 (76a) 은, 마운트 (74) 와 대략 동일 직경으로 형성된 휠 기대를 구비한다. 그리고, 이 휠 기대는, 예를 들어 스테인리스강 또는 알루미늄 등의 금속 재료로 이루어진다.
또, 이 휠 기대의 하면에는, 조연삭에 적합한 지립을 포함하는 복수의 연삭 지석이 고정되어 있다. 복수의 연삭 지석의 각각의 하면 (연삭면) 은, Z 축 방향과 대략 수직인 면으로, 조연삭 위치에 배치된 척 테이블 (18) 에 흡인 유지된 피가공물 (11) 을 조연삭한다.
동일하게, 마무리연삭 위치측의 연삭 유닛 (68) 의 마운트 (74) 의 하면에는, 마무리연삭용 연삭 휠 (76b) 이 장착된다. 이 마무리연삭용 연삭 휠 (76b) 은, 마운트 (74) 와 대략 동일 직경으로 형성된 휠 기대를 구비한다. 그리고, 이 휠 기대는, 예를 들어 스테인리스강 또는 알루미늄 등의 금속 재료로 이루어진다.
또, 이 휠 기대의 하면에는, 마무리연삭에 적합한 지립을 포함하는 복수의 연삭 지석이 고정되어 있다. 복수의 연삭 지석의 각각의 하면 (연삭면) 은, Z 축 방향과 대략 수직인 면으로, 마무리연삭 위치에 배치된 척 테이블 (18) 에 흡인 유지된 피가공물 (11) 을 마무리연삭한다. 또한, 이 마무리연삭용 연삭 지석에 포함되는 지립의 입경은, 일반적으로 조연삭용 연삭 지석에 포함되는 지립의 입경보다 작다.
또한, 연삭 휠 (76a, 76b) 의 근방에는, 피가공물 (11) 의 연삭 지석과 접촉하는 영역 (가공점) 에 순수 등의 액체 (연삭액) 를 공급하기 위한 액체 공급 노즐 (도시 생략) 이 배치되어 있다. 혹은, 이 노즐 대신에 또는 추가하여, 액체를 공급하기 위한 개구가 연삭 휠 (76), 76b) 에 형성되고, 이 개구를 통하여 가공점에 연삭액이 공급되어도 된다.
연마 영역의 측방 (턴 테이블 (16) 의 측방) 에는, 지지 구조 (78) 가 형성되어 있다. 지지 구조 (78) 의 턴 테이블 (16) 측의 측면에는, X 축 이동 기구 (80) 가 형성되어 있다. X 축 이동 기구 (80) 는, 지지 구조 (78) 의 턴 테이블 (16) 측의 측면에 고정되고, 또한 X 축 방향을 따라 연장되는 1 쌍의 가이드 레일 (82) 을 갖는다.
1 쌍의 가이드 레일 (82) 의 턴 테이블 (16) 측에는, 1 쌍의 가이드 레일 (82) 을 따라 슬라이드 가능한 양태로 이동 플레이트 (84) 가 연결되어 있다. 또, 1 쌍의 가이드 레일 (82) 의 사이에는, X 축 방향을 따라 연장되는 나사축 (86) 이 배치되어 있다. 이 나사축 (86) 의 전단부에는, 나사축 (86) 을 회전시키기 위한 모터 (88) 가 연결되어 있다.
그리고, 나사축 (86) 의 나선상의 홈이 형성된 표면에는, 회전하는 나사축 (86) 의 표면을 구르는 볼을 수용하는 너트부 (도시 생략) 가 형성되고, 볼 나사가 구성되어 있다. 즉, 나사축 (86) 이 회전하면, 볼이 너트부 내를 순환하고, 너트부가 X 축 방향을 따라 이동한다.
또, 이 너트부는, 이동 플레이트 (84) 의 지지 구조 (78) 와 대향하는 면 (이면) 측에 고정되어 있다. 그 때문에, 모터 (88) 로 나사축 (86) 을 회전시키면, 너트부와 함께 이동 플레이트 (84) 가 X 축 방향을 따라 이동한다. 또한, 이동 플레이트 (84) 의 턴 테이블 (16) 측의 면 (표면) 에는, Z 축 이동 기구 (90) 가 형성되어 있다.
Z 축 이동 기구 (90) 는, 이동 플레이트 (84) 의 표면에 고정되고, 또한 Z 축 방향을 따라 연장되는 1 쌍의 가이드 레일 (92) 을 갖는다. 1 쌍의 가이드 레일 (92) 의 턴 테이블 (16) 측에는, 1 쌍의 가이드 레일 (92) 을 따라 슬라이드 가능한 양태로 이동 플레이트 (94) 가 연결되어 있다.
또, 1 쌍의 가이드 레일 (92) 의 사이에는, Z 축 방향을 따라 연장되는 나사축 (96) 이 배치되어 있다. 이 나사축 (96) 의 상단부에는, 나사축 (96) 을 회전시키기 위한 모터 (98) 가 연결되어 있다. 그리고, 나사축 (96) 의 나선상의 홈이 형성된 표면에는, 회전하는 나사축 (96) 의 표면을 구르는 볼을 수용하는 너트부 (도시 생략) 가 형성되고, 볼 나사가 구성되어 있다.
즉, 나사축 (96) 이 회전하면, 볼이 너트부 내를 순환하고, 너트부가 Z 축 방향을 따라 이동한다. 또, 이 너트부는, 이동 플레이트 (94) 의 이동 플레이트 (84) 와 대향하는 면 (이면) 측에 고정되어 있다. 그 때문에, 모터 (98) 로 나사축 (96) 을 회전시키면, 너트부와 함께 이동 플레이트 (94) 가 Z 축 방향을 따라 이동한다.
이동 플레이트 (94) 의 턴 테이블 (16) 측의 면 (표면) 에는, 고정구 (100) 가 형성되어 있다. 고정구 (100) 는, 피가공물 (11) 을 연마하기 위한 연마 유닛 (102) 을 지지한다. 연마 유닛 (102) 은, 고정구 (100) 에 고정되는 스핀들 하우징 (104) 을 구비한다.
스핀들 하우징 (104) 에는, Z 축 방향을 따라 연장되는 스핀들 (106) 이 회전 가능한 양태로 수용되어 있다. 스핀들 (106) 의 상단부에는, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 이 연결되어 있고, 스핀들 (106) 은, 이 회전 구동원의 동력에 의해 회전한다.
스핀들 (106) 의 하단부는, 스핀들 하우징 (104) 의 하면으로부터 노출되고, 이 하단부에는, 원반상의 마운트 (108) 가 고정되어 있다. 이 마운트 (108) 의 하면에는, 원반상의 연마 패드 (110) 가 장착되어 있다. 이 연마 패드 (110) 는, 척 테이블 (18) 에 흡인 유지되는 피가공물 (11) 보다 긴 직경을 갖고, 예를 들어 내부에 지립이 분산된 고정 지립 연마 패드이다.
또, 연마 패드 (110) 의 원상의 하면 (연마면) 은, Z 축 방향과 대략 수직인 면으로, 연마 위치에 배치된 척 테이블 (18) 에 흡인 유지된 피가공물 (11) 을 건식으로 연마한다. 이 연마 패드 (110) 는, 예를 들어 폴리에스테르제의 부직포에 평균 입경이 20 ㎛ 이하인 지립이 분산된 우레탄 용액을 함침시킨 후, 건조시킴으로써 제조된다.
연마 패드 (110) 의 내부에 분산되는 지립은, 탄화규소, cBN, 다이아몬드 또는 금속 산화물 미립자 등의 재료로 이루어진다. 또한, 이 금속 산화물 미립자로는, 실리카, 세리아, 지르코니아 또는 알루미나 등으로 이루어지는 미립자를 들 수 있다. 또, 이 연마 패드 (110) 는, 유연하고, 피가공물 (11) 을 연마할 때에 가해지는 하중에 따라 약간 휜다.
반입 기구 (14) 의 측방에는, 연마 유닛 (102) 에 의해 연마된 후의 피가공물 (11) 을 유지시켜 선회할 수 있는 반출 기구 (112) 가 형성되어 있다. 반출 기구 (112) 의 전방, 또한 개구 (4a) 의 후방측에는, 반출 기구 (112) 에 의해 반출된 피가공물 (11) 을 세정할 수 있도록 구성된 세정 기구 (114) 가 배치되어 있다. 세정 기구 (114) 로 세정된 피가공물 (11) 은, 반송 기구 (6) 로 반송되고, 예를 들어 카세트 (10b) 에 수용된다.
도 4 는, 가공 장치 (2) 에 있어서의 피가공물 (11) 의 가공 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 플로 차트이다. 이 방법에 있어서는, 우선 척 테이블 (18) 에 피가공물 (11) 을 유지시킨다 (유지 스텝 : S1). 구체적으로는, 위치 조정 기구 (12) 에 의해 소정의 위치에 배치된 피가공물 (11) 을 반입 기구 (14) 가 반출하여 반입 반출 위치에 배치된 척 테이블 (18) 에 반입한 후, 척 테이블 (18) 이 피가공물 (11) 을 흡인 유지한다.
이어서, 이 척 테이블 (18) 의 기울기를 조정한다 (기울기 조정 스텝 : S2). 구체적으로는, 척 테이블 (18) 의 유지면 (18a) 의 외주 상의 점 중 가장 높아지는 점과 유지면 (18a) 의 중심을 연결하는 선분이 Z 축 방향과 수직이 되도록, 기울기 조정 유닛 (36) 이 척 테이블 (18) 의 기울기를 조정한다. 즉, 이 선분이, 조연삭용 연삭 지석의 하면 (연삭면), 마무리연삭용 연삭 지석의 하면 (연삭면) 및 연마 패드 (110) 의 하면 (연마면) 과 평행이 되도록, 기울기 조정 유닛 (36) 이 척 테이블 (18) 의 기울기를 조정한다.
이어서, 이 척 테이블 (18) 을 조연삭 위치에 위치매김한다 (제 1 위치매김 스텝 : S3). 구체적으로는, 평면에서 보아, 조연삭용 연삭 휠 (76a) 의 연삭 지석을 회전시켰을 때의 궤적과, 상기 선분의 일단 및 타단이 겹치도록, 도 1 에 나타내는 화살표 방향을 따라 턴 테이블 (16) 을 회전시킨다.
이어서, 피가공물 (11) 을 조연삭한다 (조연삭 스텝 : S4). 구체적으로는, 척 테이블 (18) 과 조연삭용 연삭 휠 (76a) 을 회전시키면서, 연삭 지석의 하면 (연삭면) 을 피가공물 (11) 의 상면 (예를 들어, 이면 (11b)) 에 접촉시키도록 연삭 휠 (76a) 을 하강시킨다. 또한, 피가공물 (11) 의 연삭 지석과 접촉하는 영역 (가공점) 에는, 액체 공급 노즐 등을 통하여 연삭액이 공급된다.
이어서, 이 척 테이블 (18) 을 마무리연삭 위치에 위치매김한다 (제 2 위치매김 스텝 : S5). 구체적으로는, 평면에서 보아, 마무리연삭용 연삭 휠 (76b) 의 연삭 지석을 회전시켰을 때의 궤적과, 상기 선분의 일단 및 타단이 겹치도록, 도 1 에 나타내는 화살표 방향을 따라 턴 테이블 (16) 을 회전시킨다.
이어서, 피가공물 (11) 을 마무리연삭한다 (마무리연삭 스텝 : S6). 구체적으로는, 척 테이블 (18) 과 마무리연삭용 연삭 휠 (76b) 을 회전시키면서, 연삭 지석의 하면을 피가공물 (11) 의 상면 (예를 들어, 이면 (11b)) 에 접촉시키도록 연삭 휠 (76b) 을 하강시킨다. 또한, 피가공물 (11) 의 연삭 지석과 접촉하는 영역 (가공점) 에는, 액체 공급 노즐 등을 통하여 연삭액이 공급된다.
이어서, 이 척 테이블 (18) 을 연마 위치에 위치매김하고, 또한 연마 패드 (110) 의 위치를 조정한다 (제 3 위치매김 스텝 : S7). 도 5(A) 는, 연마 위치에 위치매겨진 척 테이블 (18) 과, 위치가 조정된 연마 패드 (110) 를 모식적으로 나타내는 상면도이며, 도 5(B) 는, 도 5(A) 에 나타내는 A1B1 선에 있어서의 단면을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
또, 도 5(A) 는, 연마 패드 (110) 의 연마면에 평행한 좌표 평면, 즉 X 축 방향 및 Y 축 방향에 평행한 좌표 평면 (XY 좌표 평면) 을 나타내고 있다고 표현할 수도 있다. 이 제 3 위치매김 스텝 (S7) 에 있어서는, 선분 (L) (상기 선분에 대응) 과 겹치는 피가공물 (11) 의 상면 (예를 들어, 이면 (11b)) (피연마면) 의 외주 상의 점 (P1) 을 제 1 좌표 (X1, Y1) 에 위치매김하고, 또 피가공물 (11) 의 피연마면의 중심 (P2) 을 제 2 좌표 (X2, Y2) 에 위치매김한다.
또한, 이 제 1 좌표 (X1, Y1) 는, 연마 패드 (110) 의 외주의 약간 외측에 위치하고, 연마 패드 (110) 와 겹치지 않는 점이다. 또, 이 제 2 좌표 (X2, Y2) 는, 연마 패드 (110) 와 겹치는 점이다. 즉, 제 3 위치매김 스텝 (S7) 에 있어서는, 피가공물 (11) 의 점 (P1) 을 포함하는 극히 일부의 영역을 제외한 대부분의 영역이 연마 패드 (110) 와 겹치도록, 도 1 에 나타내는 화살표 방향을 따라 턴 테이블 (16) 을 회전시키고, 또한 X 축 방향을 따른 연마 유닛 (102) 의 위치를 조정한다.
이어서, 피가공물 (11) 을 연마한다 (연마 스텝 : S8). 도 6(A) 는 연마 패드 (110) 에 의해 피가공물 (11) 을 연마하는 모습을 모식적으로 나타내는 상면도이며, 도 6(B) 는, 도 6(A) 에 나타내는 A2B2 선에 있어서의 단면을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 또, 도 6(A) 는, XY 좌표 평면을 나타내고 있다고 표현할 수도 있다.
이 연마 스텝 (S8) 에 있어서는, 회전축 (26) 을 중심으로 척 테이블 (18) 을 회전시키고, 또한 회전축 (116) 을 중심으로 연마 패드 (110) 를 회전시키면서, 연마 패드 (110) 의 하면 (연마면) 을 피가공물 (11) 의 피연마면에 접촉시키도록 연마 패드 (110) 를 하강시킨다. 이 때, 피가공물 (11) 을 연마할 때에 가해지는 하중에 따라 연마 패드 (110) 가 약간 휜다.
바꾸어 말하면, 피가공물 (11) 의 일부는, 연마 패드 (110) 에 파고 든다 (도 6(B) 참조). 그 때문에, 피가공물 (11) 의 Z 축 방향에 있어서 가장 위에 위치하는 영역 (도 5(A) 에 나타내는 선분 (L) 과 겹치는 영역) 뿐만 아니라, 이 영역보다 약간 아래에 위치하는 영역 (연마역) (R1) 도 연마 패드 (110) 에 접촉한다.
그리고, 이 연마역 (R1) 에는, 제 1 좌표 (X1, Y1) 에 위치하는 점 (P1) 은 포함되지 않지만, 제 1 좌표와 상이한 XY 좌표 평면 상의 제 3 좌표 (X3a, Y3a), (X3b, Y3b) 에 위치하는 피가공물 (11) 의 피연마면의 외주 상의 점 (P3a, P3b) 이 포함된다.
또한, 이 연마역 (R1) 은, 제 3 위치매김 스텝 (S7) 에 있어서 조정된 척 테이블 (18) 과 연마 패드 (110) 의 상대적인 위치 등에 의존하여 변화한다. 그 때문에, 제 3 위치매김 스텝 (S7) 에 있어서는, 이 연마역 (R1) 에 점 (P1) 이 포함되지 않고, 또한 점 (P3a, P3b) 이 포함되도록, 척 테이블 (18) 과 연마 패드 (110) 의 상대적인 위치를 조정한다.
도 4 에 나타내는 방법에 있어서는, XY 좌표 평면에 포함되는 제 1 좌표 (X1, Y1) 에 위치하는 피가공물 (11) 의 피연마면의 외주 상의 점을 연마 패드 (110) 의 연마면에 접촉시키지 않고, 또한 제 3 좌표 (X3a, Y3a), (X3b, Y3b) 에 위치하는 피연마면의 외주 상의 점을 연마면의 외주에 접촉시켜 피가공물 (11) 을 연마한다. 이 경우, 피가공물 (11) 의 피연마면의 전역을 연마할 수 있음과 함께 연마 패드 (110) 의 연마면의 외주 근방의 영역을 그것보다 내측의 영역과 동일한 정도로 마모시킬 수 있다.
이로써, 피가공물 (11) 의 피연마면의 연마에서 기인하는 연마 패드 (110) 의 연마면에 있어서의 단차 형성을 억제하고, 이와 같은 연마를 실시한 후에 있어서도, 이 피연마면을 평탄화하는 데에 적합한 연마 패드 (110) 의 형상을 유지시킬 수 있다.
또한, 이 방법에 있어서는, 피가공물 (11) 의 피연마면을 연마할 때에, 연마 패드 (110) 의 연마면의 중앙 부근의 일부 (미사용 영역) R2 (도 6(A) 참조) 가 피가공물 (11) 의 피연마면에 접촉하지 않는 경우가 있다. 그리고, 이 경우에는, 피가공물 (11) 의 피연마면의 연마에 의해, 이 미사용 영역 R2 가 그것보다 외측의 영역보다 하방으로 돌출될 (단차가 형성될) 우려가 있다.
이와 같이 미사용 영역 R2 가 돌출된 연마 패드 (110) 를 사용하여 피가공물 (11) 의 피연마면을 연마하면, 피가공물 (11) 의 피연마면을 평탄화하기가 곤란해질 우려가 있다. 구체적으로는, 이 경우에는, 피가공물 (11) 의 피연마면과 동심원상의 환상의 함몰이, 이 피연마면에 형성될 우려가 있다.
그 때문에, 본 발명에 있어서는, 제 3 위치매김 스텝 (S7) 전에, 이 미사용 영역 R2 를 포함하는 원상의 영역 (중앙 영역) 에 오목부를 형성하는 것이 바람직하다. 도 7 은, 이와 같은 가공 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 플로 차트이다. 이 방법에 있어서는, 우선 유지 스텝 (S1) 및 기울기 조정 스텝 (S2) 을 실시한다.
이어서, 드레스 유닛 (48) 을 연마 위치에 위치매김하고, 또한 연마 패드 (110) 의 위치를 조정한다 (제 4 위치매김 스텝 : S9). 도 8 은, 연마 위치에 위치매겨진 드레스 유닛 (48) 과, 위치가 조정된 연마 패드 (110) 를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
구체적으로는, 평면에서 보아, 연마 패드 (110) 의 연마면의 중앙 영역 (도 6(A) 에 나타내는 미사용 영역 R2 를 포함하는 영역) 에 드레스 유닛 (48) 이 겹치도록, 도 1 에 나타내는 화살표 방향을 따라 턴 테이블 (16) 을 회전시키고, 또한 X 축 방향을 따른 연마 유닛 (102) 의 위치를 조정한다.
이어서, 연마 패드 (110) 를 드레스한다 (드레스 스텝 : S10). 구체적으로는, 연마 패드 (110) 를 회전시키면서, 연마 패드 (110) 의 하면 (연마면) 을 드레스 유닛 (48) 의 드레스부 (52) 의 상면에 접촉시키도록 연마 패드 (110) 를 하강시킨다. 이로써, 연마 패드 (110) 의 연마면에 오목부가 형성된다. 또한, 연마 패드 (110) 의 연마면의 중앙 영역에 오목부를 형성하기 위해 필요하다면, 연마 패드 (110) 를 회전시킨 채, X 축 방향을 따라 연마 유닛 (102) 을 이동시켜도 된다.
이어서, 제 3 위치매김 스텝 (S7) 및 연마 스텝 (S8) 을 실시한다. 도 9(A) 는, 드레스된 연마 패드 (110) 에 의해 피가공물 (11) 을 연마하는 모습을 모식적으로 나타내는 상면도이며, 도 9(B) 는, 도 9(A) 에 나타내는 A3B3 선에 있어서의 단면을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 또, 도 9(A) 는, XY 좌표 평면을 나타내고 있다고 표현할 수도 있다.
도 9(A) 및 도 9(B) 에 나타내는 연마 패드 (110) 의 연마면에는, 이 연마면과 피가공물 (11) 의 피연마면이 접촉하는 계면 (단적으로는, 연마역 (R1)) 의 경계의 일부를 획정하도록 오목부 (118) 가 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 이 계면의 경계의 일부는, 오목부 (118) 의 외주를 따라 원호상으로 되어 있다.
이와 같은 오목부 (118) 가 연마 패드 (110) 의 연마면에 형성되어 있는 경우에는, 연마 스텝 (S8) 후에 연마 패드 (110) 의 중앙 영역이 그것보다 외측의 영역보다 하방으로 돌출되는 (단차가 형성되는) 경우가 없다. 그 때문에, 이 경우에는, 피가공물 (11) 의 피연마면과 동심원상의 환상의 함몰을 피가공물 (11) 에 형성하지 않고, 피가공물 (11) 의 피연마면의 전역을 연마할 수 있다.
또한, 상기 서술한 방법은 본 발명의 일 양태로서, 본 발명은 상기 서술한 방법에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명은, 도 4 에 나타내는 가공 방법으로부터, 피가공물 (11) 의 조연삭 및/또는 마무리연삭을 실시하기 위한 스텝 (제 1 위치매김 스텝 (S3) ∼ 마무리연삭 스텝 (S6)) 을 할애한 가공 방법이어도 된다.
또, 본 발명에 있어서는, 척 테이블 (18) 및 연마 유닛 (102) 의 이동 방향은 한정되지 않는다. 예를 들어, 척 테이블 (18) 이 Z 축 방향을 따라 이동 가능해도 되고, 또 연마 유닛 (102) 이 Y 축 방향을 따라 이동 가능해도 된다. 또, 척 테이블 (18) 은, 턴 테이블 (16) 의 상면에 형성되지 않고, 볼 나사 등에 의해 구성되는 X 축 이동 기구 및/또는 Y 축 이동 기구에 연결되어 있어도 된다.
또, 본 발명에 있어서는, 연마 유닛 (102) 의 기울기를 조정하는 기울기 조정 유닛이 형성되어 있어도 된다. 그리고, 본 발명의 기울기 조정 스텝 (S2) 에 있어서, 척 테이블 (18) 의 기울기를 조정하지 않고, 연마 유닛 (102) 의 기울기를 조정해도 된다.
즉, 본 발명에 있어서는, 척 테이블 (18) 의 유지면 (18a) 의 외주 상의 점 중 연마 패드 (110) 의 연마면에 수직인 방향에 있어서의 연마면까지의 거리가 가장 짧아지는 점과 유지면 (18a) 의 중심을 연결하는 선분이 연마면과 평행이 되도록, 척 테이블 (18) 의 회전축 (26) 과 연마 패드 (110) 의 회전축 (116) 이 이루는 각의 각도를 조정 가능하면 된다.
그 외, 상기 서술한 실시형태에 관련되는 구조 및 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다.
11 : 피가공물 (11a : 표면, 11b : 이면)
13 : 분할 예정 라인
15 : 디바이스
2 : 가공 장치
4 : 기대 (4a : 개구)
6 : 반송 기구
8a, 8b : 카세트 테이블
10a, 10b : 카세트
12 : 위치 조정 기구 (12a : 테이블, 12b : 핀)
14 : 반입 기구
16 : 턴 테이블
18 : 척 테이블 (18 a : 유지면)
20 : 프레임체
22 : 포러스판
24 : 스핀들
26 : 회전축
28 : 베어링
30 : 지지판
32 : 테이블 베이스
36 : 기울기 조정 유닛 (36a : 고정 지지 기구, 36b, 36c : 가동 지지 기구)
38 : 지주
40 : 상부 지지체
42 : 베어링
44 : 지지판
46 : 모터
48 : 드레스 유닛
50 : 지지 부재
52 : 드레스부
54 : 지지 구조
56 : Z 축 이동 기구
58 : 가이드 레일
60 : 이동 플레이트
62 : 나사축
64 : 모터
66 : 고정구
68 : 연삭 유닛
70 : 스핀들 하우징
72 : 스핀들
74 : 마운트
76a, 76b : 연삭 휠
78 : 지지 구조
80 : X 축 이동 기구
82 : 가이드 레일
84 : 이동 플레이트
86 : 나사축
88 : 모터
90 : Z 축 이동 기구
92 : 가이드 레일
94 : 이동 플레이트
96 : 나사축
98 : 모터
100 : 고정구
102 : 연마 유닛
104 : 스핀들 하우징
106 : 스핀들
108 : 마운트
110 : 연마 패드
112 : 반출 기구
114 : 세정 기구
116 : 회전축
118 : 오목부
13 : 분할 예정 라인
15 : 디바이스
2 : 가공 장치
4 : 기대 (4a : 개구)
6 : 반송 기구
8a, 8b : 카세트 테이블
10a, 10b : 카세트
12 : 위치 조정 기구 (12a : 테이블, 12b : 핀)
14 : 반입 기구
16 : 턴 테이블
18 : 척 테이블 (18 a : 유지면)
20 : 프레임체
22 : 포러스판
24 : 스핀들
26 : 회전축
28 : 베어링
30 : 지지판
32 : 테이블 베이스
36 : 기울기 조정 유닛 (36a : 고정 지지 기구, 36b, 36c : 가동 지지 기구)
38 : 지주
40 : 상부 지지체
42 : 베어링
44 : 지지판
46 : 모터
48 : 드레스 유닛
50 : 지지 부재
52 : 드레스부
54 : 지지 구조
56 : Z 축 이동 기구
58 : 가이드 레일
60 : 이동 플레이트
62 : 나사축
64 : 모터
66 : 고정구
68 : 연삭 유닛
70 : 스핀들 하우징
72 : 스핀들
74 : 마운트
76a, 76b : 연삭 휠
78 : 지지 구조
80 : X 축 이동 기구
82 : 가이드 레일
84 : 이동 플레이트
86 : 나사축
88 : 모터
90 : Z 축 이동 기구
92 : 가이드 레일
94 : 이동 플레이트
96 : 나사축
98 : 모터
100 : 고정구
102 : 연마 유닛
104 : 스핀들 하우징
106 : 스핀들
108 : 마운트
110 : 연마 패드
112 : 반출 기구
114 : 세정 기구
116 : 회전축
118 : 오목부
Claims (2)
- 원상의 연마면을 갖는 연마 패드를 사용하여 원상의 피연마면을 갖는 피가공물을 연마하는 가공 방법으로서,
중심이 볼록해지는 원추 형상의 유지면을 갖는 척 테이블에 그 피가공물을 유지시키는 유지 스텝과,
그 유지면의 외주 상의 점 중 그 연마면에 수직인 방향에 있어서의 그 연마면까지의 거리가 가장 짧아지는 점과 그 유지면의 중심을 연결하는 선분이 그 연마면과 평행이 되도록, 그 척 테이블의 회전축과 그 연마 패드의 회전축이 이루는 각의 각도를 조정하는 조정 스텝과,
그 연마면에 평행한 좌표 평면에 있어서, 그 선분과 겹치는 그 피연마면의 외주 상의 점이 위치하는 제 1 좌표가 그 연마 패드와 겹치지 않고, 또한 그 피연마면의 중심이 위치하는 제 2 좌표가 그 연마 패드와 겹치도록, 그 연마 패드와 그 척 테이블을 수평 방향으로 상대적으로 이동시켜 그 연마 패드를 그 척 테이블의 상방에 위치매김하는 위치매김 스텝과,
그 연마 패드와 그 척 테이블이 회전한 상태로, 그 제 1 좌표에 위치하는 그 피연마면의 외주 상의 점을 그 연마면에 접촉시키지 않고, 또한 그 제 1 좌표와 상이한 그 좌표 평면 상의 제 3 좌표에 위치하는 그 피연마면의 외주 상의 점을 그 연마면의 외주에 접촉시켜 그 피가공물을 연마하는 연마 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 가공 방법. - 제 1 항에 있어서,
그 위치매김 스텝 전에 그 연마 패드를 드레스하는 드레스 스텝을 추가로 구비하고,
그 드레스 스텝에서는, 그 연마면의 원상의 중앙 영역에 오목부를 형성하고,
그 연마 스텝시에 그 연마면과 그 피연마면이 접촉하는 계면의 경계의 일부는, 그 오목부의 외주를 따라 원호상이 되는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021074385A JP2022168720A (ja) | 2021-04-26 | 2021-04-26 | 加工方法 |
JPJP-P-2021-074385 | 2021-04-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220147016A true KR20220147016A (ko) | 2022-11-02 |
Family
ID=83507720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220039892A KR20220147016A (ko) | 2021-04-26 | 2022-03-30 | 가공 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12030157B2 (ko) |
JP (1) | JP2022168720A (ko) |
KR (1) | KR20220147016A (ko) |
CN (1) | CN115246084A (ko) |
DE (1) | DE102022203968A1 (ko) |
TW (1) | TW202242988A (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7384675B2 (ja) * | 2020-01-15 | 2023-11-21 | 株式会社ディスコ | 傾き調整機構 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003243345A (ja) | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5816895A (en) * | 1997-01-17 | 1998-10-06 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Surface grinding method and apparatus |
JP2000005988A (ja) * | 1998-04-24 | 2000-01-11 | Ebara Corp | 研磨装置 |
KR20010089245A (ko) * | 1999-09-20 | 2001-09-29 | 와다 다다시 | 반도체웨이퍼의 제조방법 |
JP4455750B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2010-04-21 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
US7902039B2 (en) * | 2006-11-30 | 2011-03-08 | Sumco Corporation | Method for manufacturing silicon wafer |
JP5149020B2 (ja) * | 2008-01-23 | 2013-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの研削方法 |
JP2009246240A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体ウェーハ裏面の研削方法及びそれに用いる半導体ウェーハ裏面研削装置 |
JP5625229B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2014-11-19 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法 |
JP6129551B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-05-17 | 株式会社ディスコ | 板状物の加工方法 |
JP2015160260A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | 株式会社東芝 | 研削装置及び研削方法 |
JP6539467B2 (ja) * | 2015-03-25 | 2019-07-03 | 株式会社東京精密 | 研削加工装置 |
JP6710138B2 (ja) * | 2016-10-07 | 2020-06-17 | 株式会社ディスコ | フレーム固定治具 |
JP2018114573A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP6917233B2 (ja) * | 2017-07-25 | 2021-08-11 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7046573B2 (ja) * | 2017-11-27 | 2022-04-04 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP2019169608A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
CN111283548B (zh) * | 2018-12-07 | 2023-07-18 | 株式会社迪思科 | 圆板状工件的加工方法 |
JP7417400B2 (ja) * | 2018-12-07 | 2024-01-18 | 株式会社ディスコ | 円板状ワークの加工方法 |
CN118081510A (zh) * | 2018-12-19 | 2024-05-28 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
JP7417362B2 (ja) * | 2019-04-05 | 2024-01-18 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2020196100A (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | 株式会社ディスコ | 圧電アクチュエータで構成したチャックテーブル傾き調整機構 |
JP7242141B2 (ja) * | 2019-06-24 | 2023-03-20 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
-
2021
- 2021-04-26 JP JP2021074385A patent/JP2022168720A/ja active Pending
-
2022
- 2022-03-30 KR KR1020220039892A patent/KR20220147016A/ko unknown
- 2022-04-05 US US17/658,036 patent/US12030157B2/en active Active
- 2022-04-19 TW TW111114893A patent/TW202242988A/zh unknown
- 2022-04-19 CN CN202210408421.2A patent/CN115246084A/zh active Pending
- 2022-04-25 DE DE102022203968.8A patent/DE102022203968A1/de active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003243345A (ja) | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US12030157B2 (en) | 2024-07-09 |
DE102022203968A1 (de) | 2022-10-27 |
CN115246084A (zh) | 2022-10-28 |
US20220339753A1 (en) | 2022-10-27 |
TW202242988A (zh) | 2022-11-01 |
JP2022168720A (ja) | 2022-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW202305928A (zh) | 硬質晶圓的研削方法 | |
TWI732012B (zh) | 加工裝置 | |
JP2008098351A (ja) | ウエーハの研削加工方法 | |
KR102255728B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
KR20220139232A (ko) | 피가공물의 가공 방법 | |
KR20220147016A (ko) | 가공 방법 | |
JP5466963B2 (ja) | 研削装置 | |
JP6045926B2 (ja) | 研削研磨装置 | |
JP7451043B2 (ja) | 被加工物の研削方法及び研削装置 | |
US20200391337A1 (en) | Grinding apparatus and use method of grinding apparatus | |
KR20220047507A (ko) | 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP2022181245A (ja) | 研削評価方法 | |
US20230321680A1 (en) | Processing apparatus | |
US20230142939A1 (en) | MANUFACTURING METHOD OF SiC SUBSTRATE | |
JP2019111634A (ja) | 被加工物の研削方法 | |
US20240198489A1 (en) | Grinding wheel and grinding method | |
JP2024031191A (ja) | 研削装置 | |
JP2024088191A (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP2024083962A (ja) | 研削方法 | |
JP2024027610A (ja) | 研削装置 | |
JP2024062728A (ja) | 被加工物の研削方法 | |
JP2024074422A (ja) | 被加工物の研削方法 | |
TW202129803A (zh) | 研削室之洗淨方法 | |
KR20240114701A (ko) | 연삭 장치 및 연삭 방법 | |
KR20230024207A (ko) | 드레싱 링 및 피가공물의 연삭 방법 |