JP2015160260A - 研削装置及び研削方法 - Google Patents

研削装置及び研削方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015160260A
JP2015160260A JP2014035227A JP2014035227A JP2015160260A JP 2015160260 A JP2015160260 A JP 2015160260A JP 2014035227 A JP2014035227 A JP 2014035227A JP 2014035227 A JP2014035227 A JP 2014035227A JP 2015160260 A JP2015160260 A JP 2015160260A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grinding
height
workpiece
connector
chuck table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014035227A
Other languages
English (en)
Inventor
福井　剛
Takeshi Fukui
剛 福井
薫 中塚
Kaoru Nakatsuka
薫 中塚
暢 濱田
Noboru Hamada
暢 濱田
田村　幸治
Koji Tamura
幸治 田村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2014035227A priority Critical patent/JP2015160260A/ja
Priority to US14/318,092 priority patent/US20150239093A1/en
Priority to CN201410335957.1A priority patent/CN104858780A/zh
Publication of JP2015160260A publication Critical patent/JP2015160260A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49524—Additional leads the additional leads being a tape carrier or flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/41—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of a plurality of strap connectors
    • H01L2224/4101—Structure
    • H01L2224/4103—Connectors having different sizes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

【課題】研削対象の厚み制御に優れた研削装置及び研削方法を提供する。
【解決手段】研削装置は、チャックテーブルと、前記チャックテーブルに固定された複数のワークの相互に分離された複数の研削面に対して、回転しながら押し当てられて前記ワークを研削するグラインディングホイールと、前記研削面の高さを測定する測定機と、前記ワークの研削前に測定された複数の前記研削面の高さと、前記ワークの研削後に測定された複数の前記研削面の高さとから、前記ワークの研削量を制御する制御装置と、を備えている。
【選択図】図４

Description

本発明の実施形態は、研削装置及び研削方法に関する。
近年、パワー半導体装置において、低抵抗化のため、チップと外部リードとの接続構造として、ワイヤボンディングではなく、銅などの板状のコネクタまたはストラップを用いた構造が提案され、そのような製品も多くなってきている。
また、チップ上に搭載したコネクタを樹脂から露出させ、実装基板側のパッケージ下面と、パッケージ上面の両面から放熱する構造が提案されている。コネクタ上面を樹脂から露出させる際、樹脂モールド工程で一旦コネクタ上面を樹脂で覆った後、樹脂を研削する方法がある。
特開２００９−１０１４５１号公報 特開２０１４−１４８７８号公報
本発明の実施形態は、研削対象の厚み制御に優れた研削装置及び研削方法を提供する。
実施形態によれば、研削装置は、チャックテーブルと、前記チャックテーブルに固定された複数のワークの相互に分離された複数の研削面に対して、回転しながら押し当てられて前記ワークを研削するグラインディングホイールと、前記研削面の高さを測定する測定機と、前記ワークの研削前に測定された複数の前記研削面の高さと、前記ワークの研削後に測定された複数の前記研削面の高さとから、前記ワークの研削量を制御する制御装置と、を備えている。
実施形態の研削装置の模式図。 実施形態の研削装置の模式図。 実施形態のワークの模式上面図。 実施形態の研削方法を示すフローチャート。 実施形態の半導体装置の模式断面図。 実施形態の半導体装置の模式上面図。 実施形態の半導体チップの模式平面図。
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
図１は、実施形態の研削装置の模式図である。
実施形態の研削装置は、例えばインフィード方式の研削装置であり、チャックテーブル１０２とともに自転する研削対象物に対して、回転したグラインディングホイール１０４を上から下降させて研削する。
図２（ａ）は、チャックテーブル１０２と、グラインディングホイール１０４との配置関係を示す模式上面図である。
図２（ｂ）は、チャックテーブル１０２と、グラインディングホイール１０４との配置関係を示す模式側面図である。
グラインディングホイール１０４は、例えばダイヤモンドホイールであり、その下面にリング状に配置された複数のダイヤモンド砥石１０５が設けられている。
グラインディングホイール１０４は、スピンドルハウジング１０６内に設けられたスピンドルを介してスピンドルモータ１０７に連結されている。このスピンドルモータ１０７によって、グラインディングホイール１０４は、図２（ａ）及び（ｂ）に示す回転軸ａ１を中心に回転させられる。
グラインディングホイール１０４の下方にチャックテーブル１０２が設けられている。チャックテーブル１０２は、グラインディングホイール１０４の回転面に対して略平行な面内で直線移動可能である。
チャックテーブル１０２は、バキュームチャック方式で研削対象物であるワークを吸着する。ワークについては後述する。
また、チャックテーブル１０２は、図２（ａ）及び（ｂ）に示す回転軸ａ２を中心に回転可能に設けられている。
チャックテーブル１０２の上面における中心部と外周部との間の高さのオフセット量ｈによっては、中心側のワークと外周側のワークに対してかかる研削時運動量が異なり、研削後のワークの厚さのばらつきにつながる場合がある。なお、図２（ｂ）では、チャックテーブル１０２の上面の高さオフセットを誇張して図示しているが、例えば高さオフセット量ｈは３０μｍほどである。
実施形態によれば、チャックテーブル１０２の回転軸ａ２を、グラインディングホイール１０４の回転軸ａ１に対して傾け、その傾斜角度を調整することで、チャックテーブル１０２の上面の一部領域がグラインディングホイール１０４の回転面に対して平行になるように調整している。そして、その領域に、グラインディングホイール１０４を押し当てる面積を制限することで、加工時の負荷を低減し、安定した加工を得ることができ、面内の研削後厚みばらつきを抑制することができる。
また、実施形態の研削装置によれば、図１に示す厚さ測定機１２１、１２２を備えている。厚さ測定機１２２は、ワークの研削面の高さを測定する測定ヘッド１２２ａを有する。厚さ測定機１２１は、チャックテーブル１０２の上面の外周部の高さを測定する測定ヘッド１２１ａを有する。ワーク研削面の高さと、チャックテーブル１０２上面の高さとから、ワークの厚さが得られる。
さらに、実施形態の研削装置によれば、制御装置１１０を備えている。制御装置１１０は、スピンドルモータ１０７の駆動、グラインディングホイール１０４の昇降、チャックテーブル１０２の直線移動および回転などを制御する。また、制御装置１１０は、厚さ測定機１２１、１２２の測定結果に基づいて、ワークの厚さが指定した厚さになるよう、前述した要素の動作を制御し、ワークの研削量を制御する。
以下、研削対象物であるワークの一例として半導体装置について説明する。
図５は、実施形態の半導体装置１の模式断面図である。
図６（ａ）は、半導体装置１の模式上面図であり、図６（ｂ）は、樹脂８０を取り除いた模式上面図である。図６（ｂ）において樹脂８０は側面の外形線のみを図示している。
半導体装置１は、半導体チップ１０と、半導体チップ１０と電気的に接続されたリードフレーム２１、３１、４１と、第１コネクタ５０と、第２コネクタ７０と、これら要素を封止する樹脂８０と、を有する。
半導体チップ１０は、半導体層における一方の面側に設けられた第１電極と、他方の面側に設けられた第２電極との間を結ぶ縦方向に電流経路が形成される縦型デバイスである。半導体チップ１０は、例えば、縦型ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）である。あるいは、半導体チップ１０は、縦型ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、縦型ダイオードである。
半導体としてはシリコンが用いられる。あるいは、シリコン以外の半導体（例えばＳｉＣ、ＧａＮ等の化合物半導体）を用いてもよい。
図７（ａ）は、半導体チップ１０の第１面１２の模式平面図であり、図７（ｂ）は、第１面１２の反対側の第２面１４の模式平面図である。
図７（ａ）に示すように、半導体層１１の第１面１２には、第１電極１３が形成されている。例えばＭＯＳＦＥＴにおいては、第１電極１３はドレイン電極である。第１電極１３は、第１面１２の大部分を占めて形成されている。
図７（ｂ）に示すように、半導体層１１の第２面１４には、第２電極１５と第３電極１６とが互いに絶縁分離されて形成されている。第２電極１５は、第２面１４の大部分を占めて形成され、例えばＭＯＳＦＥＴにおいてはソース電極である。第３電極１６の面積は、第２電極１５の面積よりも小さく、例えばＭＯＳＦＥＴにおいてはゲート電極である。
図６（ｂ）に示すように、第１リードフレーム２１は、ダイパッド２２と、複数本のリード２３とを有する。ダイパッド２２の平面形状は四角形状に形成され、その一辺から複数本のリード２３が突出している。第１リードフレーム２１は金属板の型加工により成形され、ダイパッド２２及びリード２３は一体に設けられている。
第１リードフレーム２１のリード２３の突出方向の反対側には、第１リードフレーム２１に対して離間して第２リードフレーム３１が設けられている。
第２リードフレーム３１は、第１リードフレーム２１側に設けられたインナーリード３２と、インナーリード３２から突出した複数本のアウターリード３３とを有する。アウターリード３３は、第１リードフレーム２１のリード２３の突出方向の逆方向に突出している。インナーリード３２は、アウターリード３３の突出方向、および第１リードフレーム２１のリード２３の突出方向に対して直交する方向に延びている。
第２リードフレーム３１は金属板の型加工により成形され、インナーリード３２及びアウターリード３３は一体に設けられている。
また、第１リードフレーム２１のリード２３の突出方向の反対側には、第３リードフレーム４１も第１リードフレーム２１に対して離間して設けられている。第３リードフレーム４１は、第２リードフレーム３１のインナーリード３２の長手方向の隣に設けられている。第３リードフレーム４１は、第２リードフレーム３１に対して離間している。
第３リードフレーム４１は、第１リードフレーム２１側に設けられたインナーリード４２と、インナーリード４２から突出した１本のアウターリード４３とを有する。アウターリード４３は、第２リードフレーム３１のアウターリード３３の突出方向と同じ方向に突出している。
図５に示すように、第１リードフレーム２１のリード２３とダイパッド２２との間には段差は形成されず、リード２３の上面とダイパッド２２の上面はフラットにつながり、リード２３の下面とダイパッド２２の下面はフラットにつながっている。
第２リードフレーム３１は、インナーリード３２とアウターリード３３との間の部分で屈曲し、インナーリード３２とアウターリード３３との間に段差が形成されている。第３リードフレーム４１も、第２リードフレーム３１と同様、インナーリード４２とアウターリード４３との間の部分で屈曲し、インナーリード４２とアウターリード４３との間に段差が形成されている。
第２リードフレーム３１のアウターリード３３の下面は、第１リードフレーム２１の下面（リード２３の下面及びダイパッド２２の下面）と同じ高さレベルにある。第３リードフレーム４１のアウターリード４３の下面は、第１リードフレーム２１の下面、および第２リードフレーム３１のアウターリード３３の下面と同じ高さレベルにある。
アウターリード３３、４３の下面および第１リードフレーム２１の下面を高さ方向（上下方向）の基準にして、インナーリード３２、４２の上面は、ダイパッド２２の上面よりも上方に位置している。
半導体チップ１０は、第１リードフレーム２１のダイパッド２２上に搭載されている。半導体チップ１０は、第１電極１３が形成された第１面１２をダイパッド２２側に向けている。
第１電極１３は、図５に示す導電性接合材（例えば、はんだ）２５を介してダイパッド２２に接合されている。したがって、半導体チップ１０の第１電極１３は、第１リードフレーム２１と電気的に接続されている。
半導体チップ１０の第２面１４上には、板状の第１コネクタ（ＭＯＳＦＥＴにおいてはソースコネクタ）５０が搭載されている。第１コネクタ５０は、第１部分５１と第２部分５２とを有する。第１部分５１と第２部分５２は、相対的に厚さが異なり、第１部分５１は第２部分５２よりも厚い。
第１コネクタ５０は、金属板の打ち抜き加工により成形され、第１部分５１及び第２部分５２は一体に設けられている。第１コネクタ５０は、例えば、電気伝導および熱伝導に優れた銅からなる。なお、第１コネクタ５０として、銅を主成分とする銅合金を使ってもよい。
第１部分５１は、各リードフレーム２１、３１、４１の厚みよりも厚く、例えば、０．５ｍｍ以上１ｍｍ以下である。第１部分５１は、半導体チップ１０の第２電極１５に例えばはんだなどの導電性接合材５５を介して接合された接合面５４を有する。また、第１部分５１は、接合面５４の反対側に形成され、樹脂８０から露出した放熱面５３を有する。
第２部分５２は、第１部分５１から第２リードフレーム３１側に突出している。第２部分５２の先端部は、第２リードフレーム３１のインナーリード３２の上に重なり、例えばはんだなどの導電性接合材３５を介してインナーリード３２の上面に接合している。
したがって、第１コネクタ５０は、半導体チップ１０の第２電極１５と、第２リードフレーム３１とを電気的に接続している。
また、図６（ｂ）に示すように、半導体チップ１０の第３電極（ゲート電極）１６と、第３リードフレーム４１は、第２コネクタ（ＭＯＳＦＥＴにおいてはゲートコネクタ）７０によって電気的に接続されている。あるいは、第３電極（ゲート電極）１６と、第３リードフレーム４１とは、ワイヤボンディングによって接続してもよい。
第２コネクタ７０の一端部７１は、例えばはんだなどの導電性接合材を介して第３電極１６に接合されている。第２コネクタ７０の他端部７２は、第３リードフレーム４１のインナーリード４２の上に重なり、例えばはんだなどの導電性接合材を介して第３リードフレーム４１のインナーリード４２の上面に接合している。第２コネクタ５０は、例えば銅または銅合金からなる。
なお、前述した導電性接合材としては、はんだに限らず、例えば銀ペーストのような導電性ペーストを使ってもよい。
半導体チップ１０は、樹脂封止され、外部環境から保護されている。樹脂８０は、半導体チップ１０、ダイパッド２２の上面、第２リードフレーム３１のインナーリード３２、第３リードフレーム４１のインナーリード４２、第１コネクタ５０の第１部分５１の側面、第１コネクタ５０の第２部分５２、第２コネクタ７０を覆っている。
また、樹脂８０は、第１電極１３とダイパッド２２との接合部、第２電極１５と第１コネクタ５０との接合部、第１コネクタ５０の第２部分５２と、第２リードフレーム３１のインナーリード３２との接合部、第３電極１６と第２コネクタ７０との接合部、第２コネクタ７０と、第３リードフレーム４１のインナーリード４２との接合部を覆っている。
第１リードフレーム２１の下面（リード２３の下面およびダイパッド２２の下面）、第２リードフレーム３１のアウターリード３３の下面、および第３リードフレーム４１のアウターリード４３の下面は、樹脂８０で覆われずに、樹脂８０から露出している。
それら第１リードフレーム２１の下面、第２リードフレーム３１のアウターリード３３の下面、および第３リードフレーム４１のアウターリード４３の下面は、図示しない実装基板（配線基板）の導体パターンに対して例えばはんだを介して接合される。
また、図５、図６（ａ）に示すように、第１コネクタ５０の第１部分５１の上面は樹脂８０から露出され、放熱面５３として機能する。第１コネクタ５０の放熱面５３上には、必要に応じてヒートシンクを接合することもできる。
半導体チップ１０で発生した熱は、第１電極１３よりも広い面積のダイパッド２２を通じて実装基板に放熱され、なおかつ、第１コネクタ５０の放熱面５３を通じて半導体装置１の外部（例えば空気中）に放熱される。すなわち、実施形態の半導体装置１は、両面放熱パッケージ構造を有し、特にチップ発熱量が大きくなりがちな電力用途の場合に放熱性を高めることができる。
第１コネクタ５０の第１部分５１は、半導体チップ１０と第２リードフレーム３１との電気的接続だけでなく、実装面の反対方向への放熱を担う放熱体としても機能する。その第１コネクタ５０の第１部分５１は、半導体チップ１０の直上に搭載され、半導体チップ１０の第２電極１５の面積に対する、第２電極１５と第１部分５１との接合面の面積の比は８０％以上である。また、半導体チップ１０の第２電極１５の面積に対する、第１コネクタ５０の放熱面５３の面積の比は１００％以上である。
すなわち、第２電極１５の大部分の面が第１コネクタ５０への熱伝導面として使われ、第１コネクタ５０に伝導した熱は、第２電極１５の面積以上の放熱面５３から半導体装置１の外部に放熱される。このため、第１コネクタ５０を放熱体として有効に利用することができ、放熱効率に優れる。
第１コネクタ５０は全体を厚くするのではなく、第１部分５１よりも薄い第２部分５２を設けることで、第１コネクタ５０の上面側から樹脂８０が被さる領域を設けている。すなわち、第２部分５２において、樹脂８０は第１コネクタ５０の上面を覆っている。第２部分５２が樹脂８０に食い込んだ構造となっている。このため、第１コネクタ５０の上面のすべてを樹脂８０から露出させる構造に比べて、樹脂８０の剥離（第１コネクタ５０の抜け）を抑制できる。
実施形態によれば、樹脂８０のモールディング工程において、第１コネクタ５０の上面（放熱面５３）は一旦樹脂８０で覆われる。そして、前述した研削装置を使って、樹脂８０を研削し、放熱面５３を露出させる。
図３は、チャックテーブル１０２にセットされる研削前の半導体装置１の模式上面図である。
複数の半導体装置１が、まだ個々に切り出されない状態でフレーム９０につながっている。フレーム９０から前述したリードフレーム２１、３１、４１が切り出される。
そして、複数枚（図では例えば３枚）のフレーム９０が粘着シート１０３に貼り付けられる。その粘着シート１０３が前述したチャックテーブル１０２の上面に固定される。したがって、チャックテーブル１０２上には、複数のワーク（半導体装置１）の相互に分離された複数の研削面（樹脂８０）が配置されている。
１枚の粘着シート１０３に複数のフレーム９０を貼り付けることで、研削に使用する粘着シート１０３等の間材費、加工インデックスを低減することができる。
通常のウェーハ研削と異なり、研削対象となる個々の研削面（樹脂８０）が粘着テープ１０３上で連続していない。そのため、フレーム９０を粘着シート１０３に貼り付けるときのばらつき、また、粘着シート１０３の厚みばらつき、フレーム９０を成形する金型の公差によるフレーム９０の厚みばらつきなどにより、研削前の粘着シート１０３に貼り付けられた状態で複数の研削面（樹脂８０）の高さにばらつきが生じやすい。
ここで、比較例として、１点でしか研削面の高さを測定せずに、その測定値をもとに研削量を制御してしまうと、その測定対象の半導体装置１の樹脂８０の上面高さが、他の半導体装置１の樹脂８０の上面高さに比べて大きくばらついていた場合、複数の研削対象物の全体で見た場合に過剰研削または研削不足になりやすい。
そこで、実施形態によれば、複数箇所で研削面（樹脂８０）の高さを測定し、それら複数の測定値の例えば平均値、最大値、または最小値を使って、研削量をコントロールする。
図４は、実施形態の研削方法を示すフローチャートである。
以下の説明では、研削前と研削後のそれぞれにおいて、例えば３点の高さ測定を行う。もちろん、３点に限らず、研削前と研削後のそれぞれにおいて、２点または４点以上の高さ測定を行ってもよい。
ステップＳ１〜Ｓ１２は、研削前の高さ測定の流れを示す。
まず、ステップＳ１において、１点目の測定位置の位置決めを行う。測定ヘッド１２１ａ、１２２ａの面内位置は固定され、測定ヘッド１２１ａ、１２２ａは上下動のみする。チャックテーブル１０２が直線移動および回転することで、測定ヘッド１２１ａ、１２２ａは測定対象位置に位置決めされる。これにより、安定的且つ時間ロスの少ないシステムで複数点の測定が可能となる。
測定ヘッド１２１ａはチャックテーブル１０２上面の外周部の高さを測定し、測定ヘッド１２２ａは、図３に示す複数の半導体装置１の研削面（樹脂８０）の中から選択された１つの研削面（樹脂８０）の高さを測定する。これら測定結果から半導体装置１の厚さが得られる。
次に、ステップＳ２において、１点目の測定値（厚さ）の判定を行う。例えば、粘着シート１０３に対するフレーム９０の貼り付け位置のずれなどにより、研削対象（樹脂８０の上面高さ）を正確に測定できないことがあり得る。したがって、１点目の測定値が、予め設定された規格範囲外、例えば４００μｍ以下の場合には、ステップＳ３に進んで、測定位置を変える。
エラーとなった測定位置から、チャックテーブル１０２を任意角度だけ回転させて、測定位置を変える。チャックテーブル１０２の回転により、測定ヘッド１２１ａ、１２２ａはチャックテーブル１０２の上面に対して相対的に周方向に移動する。そして、この移動した位置で１点目の再測定を行う。
そして、ステップＳ４において、ステップＳ２と同様に測定値の判定を行う。ここで、測定値が再び規格範囲外であった場合には、ワークを研削装置から排出する。あるいは、再度位置を変えて再測定を行ってもよい。測定値判定および再測定の回数は任意に設定できる。測定値判定により、粘着シート１０３に対するワークの貼り付け異常などを検出することができる。
ステップＳ２またはＳ４の測定値判定において、異常が検出されなかった場合、次のステップＳ５に進んで、２点目の高さ測定を行う。
ステップＳ４において、１点目の測定位置（再測定があった場合は再測定位置）から、チャックテーブル１０２を任意角度だけ回転させて、２点目の測定位置に測定ヘッド１２１ａ、１２２ａを位置決めする。
チャックテーブル１０２の回転により、測定ヘッド１２１ａ、１２２ａはチャックテーブル１０２の上面に対して相対的に周方向に移動する。そして、この移動した位置で２点目の測定を行う。
測定ヘッド１２１ａは、チャックテーブル１０２の上面の外周部に沿って移動し、２点目の測定においてもチャックテーブル１０２の外周部の高さを測定する。
測定ヘッド１２２ａは、１点目の測定時とは異なる半導体装置１の樹脂８０の上に位置決めされ、その樹脂８０上面の高さを測定する。
そして、２点目の測定においても、１点目の測定と同様、測定値の判定が行われる（ステップＳ６）。そして、この２点目の測定値が規格範囲外であった場合には、再測定（ステップＳ７）および再測定値の判定（ステップＳ８）が行われる。
このステップＳ８の判定で、測定値が再び規格範囲外であった場合には、ワークを研削装置から排出する。あるいは、再度位置を変えて再測定を行ってもよい。測定値判定および再測定の回数は任意に設定できる。
ステップＳ６またはＳ８の測定値判定において、異常が検出されなかった場合、次のステップＳ９に進んで、３点目の高さ測定を行う。
ステップＳ９において、２点目の測定位置（再測定があった場合は再測定位置）から、チャックテーブル１０２を任意角度だけ回転させて、３点目の測定位置に測定ヘッド１２１ａ、１２２ａを位置決めする。
チャックテーブル１０２の回転により、測定ヘッド１２１ａ、１２２ａはチャックテーブル１０２の上面に対して相対的に周方向に移動する。そして、この移動した位置で３点目の測定を行う。
測定ヘッド１２１ａは、チャックテーブル１０２の上面の外周部に沿って移動し、３点目の測定においてもチャックテーブル１０２の外周部の高さを測定する。
測定ヘッド１２２ａは、１点目および２点目の測定時とは異なる半導体装置１の樹脂８０の上に位置決めされ、その樹脂８０上面の高さを測定する。
そして、３点目の測定においても、１点目および２点目の測定と同様、測定値の判定が行われる（ステップＳ１０）。そして、この３点目の測定値が規格範囲外であった場合には、再測定（ステップＳ１１）および再測定値の判定（ステップＳ１２）が行われる。
このステップＳ１２の判定で、測定値が再び規格範囲外であった場合には、ワークを研削装置から排出する。あるいは、再度位置を変えて再測定を行ってもよい。測定値判定および再測定の回数は任意に設定できる。
ステップＳ１０またはＳ１２の測定値判定において、異常が検出されなかった場合、次のステップＳ１３に進んで、樹脂８０の研削を行う。
研削時、グラインディングホイール１０４とチャックテーブル１０２は互いに同方向に回転され、チャックテーブル１０２に対してグラインディングホイール１０４を下降させて砥石１０５を樹脂８０に押し当てる。
研削前の複数点（例えば３点）の高さ測定結果は、研削時の研削量（研削時間）制御にフィードバックされる。例えば、３点の測定値の平均値、最大値、最小値に基づいて、研削量（研削時間）が制御され、前述したコネクタ５０の上面（放熱面）５３が露出するよう、樹脂８０の研削量（研削時間）が制御される。また、放熱面５３を樹脂８０から露出させた後、さらに放熱面５３も研削することで、半導体装置１を所望の高さ（厚さ）に制御する場合もある。
研削前の複数点の高さ測定値を研削量制御にフィードバックすることで、１点の高さ測定値だけを使った場合に比べて、研削後の高さばらつきを抑えることができる。
研削後、ステップＳ１４において、研削前の３点の測定位置と同じ位置の高さを測定する。研削前に再測定があった場合には、その再測定位置と同じ位置の高さを研削後にも測定する。研削前と研削後で同じ位置の高さを測定することで、研削量の正確な算出を行える。
そして、研削後の複数点（３点）の高さ測定結果（例えば、３点の測定値の平均値、最大値、最小値）から、半導体装置１の厚さが規定値以下であるか否か判定する。樹脂８０の研削量が足りず、半導体装置１の厚さが規定値をこえている場合、再度研削を行う。このときの研削量制御に、研削後の測定結果はフィードバックされる。
研削後の測定結果が規定値をこえている場合、制御装置１１０の判断および制御のもと、自動的に再研削を実行する。研削後の測定値が規定値以下になるまで、研削および研削後測定が自動的に繰り返される。
ワークの種類や貼り付け状態などにより、ワーク高さを目標値へ収束させる研削ステップが複数回必要となっても、自動で再研削および再測定が可能となり、インデックスタイムの短縮およびコスト低減を図れる。
実施形態によれば、研削前および研削後のそれぞれにおいて、複数点の測定値から半導体装置１の厚さ判定を行うので、ばらつきを抑えて、半導体装置１の厚さを精度高く制御可能となる。
また、研削後の複数点の測定結果を、研削異常の検知に利用することも可能である。
研削時、グラインディングホイール１０４は、チャックテーブル１０２に対してまずは高速に下降した後、チャックテーブル１０２に近づくと速度を落としてワークに近づき、砥石１０５をワークに接触させる。これにより、インデックスタイムの短縮を図りつつ、ワークに対する接触時の衝撃を小さくすることができる。
このときのグラインディングホイール１０４の下降速度の変速（減速）タイミングに、研削前の測定値をフィードバックできる。例えば、研削前に測定された３点の測定値のうち、最も高さが高い測定値に基づいて、グラインディングホイール１０４の減速タイミングを制御すると、グラインディングホイール１０４が高速でワークに接触するのを確実に回避することができる。
また、研削後にすぐに１点目の測定を始めるのではなく、ワークの揺れ（振動）が落ち着くまでのディレイタイムが設定されている。研削後に適切なディレイタイムを経てから測定することで、測定精度を高めることができる。また、測定ヘッド１２２ａによってワークが損傷を受けることも防ぐこともできる。
また、測定位置を変えるためのチャックテーブル１０２の回転の後にも、ワークの揺れ（振動）が落ち着くまでのディレイタイムを設定することで、測定精度を高めることができ、ワークの損傷も防ぐことができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０…半導体チップ、１１…半導体層、１２…第１面、１３…第１電極、１４…第２面、１５…第２電極、１６…第３電極、２１…第１リードフレーム、２２…ダイパッド、２３…リード、３１…第２リードフレーム、３２…インナーリード、３３…アウターリード、４１…第３リードフレーム、４２…インナーリード、４３…アウターリード、５０…第１コネクタ、５１…第１部分、５２…第２部分、５３…放熱面、７０…第２コネクタ、８０…樹脂、９０…フレーム、１０２…チャックテーブル、１０３…粘着シート、１０４…グラインディングホイール、１０５…砥石、１０６…スピンドルハウジング、１０７…スピンドルモータ、１１０…制御装置、１２１，１２２…厚さ測定機、１２１ａ，１２２ａ…測定ヘッド

Claims (8)

  1. チャックテーブルと、
    前記チャックテーブルに固定された複数のワークの相互に分離された複数の研削面に対して、回転しながら押し当てられて前記ワークを研削するグラインディングホイールと、
    前記研削面の高さを測定する測定機と、
    前記ワークの研削前に測定された複数の前記研削面の高さと、前記ワークの研削後に測定された複数の前記研削面の高さとから、前記ワークの研削量を制御する制御装置と、
    を備えた研削装置。
  2. 前記研削前と前記研削後で、同じ複数箇所の高さを測定する請求項１記載の研削装置。
  3. 前記制御装置は、前記研削前の複数箇所の高さの測定値の平均値と、前記研削後の複数箇所の高さの測定値の平均値とを比較する請求項１または２に記載の研削装置。
  4. 前記制御装置は、前記研削前の複数箇所の高さの測定値の最大値と、前記研削後の複数箇所の高さの測定値の最大値とを比較する請求項１または２に記載の研削装置。
  5. 前記制御装置は、前記研削前の複数箇所の高さの測定値の最小値と、前記研削後の複数箇所の高さの測定値の最小値とを比較する請求項１または２に記載の研削装置。
  6. 前記研削前の測定値が規格範囲外の場合、前記制御装置は測定位置を変えて再測定する請求項１〜５のいずれか１つに記載の研削装置。
  7. チャックテーブルに固定された複数のワークの相互に分離された複数の研削面に対して、回転したグラインディングホイールを押し当てて前記ワークを研削する研削方法であって、
    前記ワークの研削前に複数の前記研削面の高さを測定し、前記ワークの研削後にも複数の前記研削面の高さを測定し、
    前記ワークの研削前に測定された複数の前記研削面の高さと、前記ワークの研削後に測定された複数の前記研削面の高さとから、前記ワークの研削量を制御する研削方法。
  8. 前記ワークは、リードフレームと、前記リードフレーム上に設けられた半導体チップと、前記半導体チップ上に設けられた板状のコネクタと、前記半導体チップおよび前記コネクタを覆う樹脂と、を有し、
    前記コネクタ上の前記樹脂を研削することで前記コネクタの上面を露出させる請求項７記載の研削方法。
JP2014035227A 2014-02-26 2014-02-26 研削装置及び研削方法 Pending JP2015160260A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014035227A JP2015160260A (ja) 2014-02-26 2014-02-26 研削装置及び研削方法
US14/318,092 US20150239093A1 (en) 2014-02-26 2014-06-27 Grinding apparatus, and grinding method
CN201410335957.1A CN104858780A (zh) 2014-02-26 2014-07-15 磨削装置以及磨削方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014035227A JP2015160260A (ja) 2014-02-26 2014-02-26 研削装置及び研削方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015160260A true JP2015160260A (ja) 2015-09-07

Family

ID=53881337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014035227A Pending JP2015160260A (ja) 2014-02-26 2014-02-26 研削装置及び研削方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20150239093A1 (ja)
JP (1) JP2015160260A (ja)
CN (1) CN104858780A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018114580A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法及び切削装置
US11646250B2 (en) 2020-03-06 2023-05-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
JP7472368B2 (ja) 2019-03-27 2024-04-22 株式会社東京精密 基板加工装置
JP7474144B2 (ja) 2020-07-20 2024-04-24 株式会社ディスコ 研削装置および研削方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5814111B2 (ja) * 2011-12-28 2015-11-17 Ntn株式会社 研削盤の測定異常機能付き加工径測定装置
CN108705421A (zh) * 2018-08-21 2018-10-26 德清明宇电子科技有限公司 一种e型磁芯打磨装置
CN113710419B (zh) * 2019-01-23 2023-09-29 深圳市阿列夫图科技有限公司 一种地面研磨方法、装置、机器人及计算机可读存储介质
JP7417362B2 (ja) * 2019-04-05 2024-01-18 株式会社ディスコ 研削装置
JP7250637B2 (ja) * 2019-07-01 2023-04-03 株式会社ディスコ 加工装置及びチャックテーブル
JP7405563B2 (ja) * 2019-11-01 2023-12-26 株式会社ディスコ クリープフィード研削方法及び研削装置
JP7430448B2 (ja) * 2020-02-04 2024-02-13 株式会社ディスコ 研削装置及び研削方法
CN112476097A (zh) * 2020-10-22 2021-03-12 山东道普安制动材料有限公司 一种碳陶刹车盘端面的加工方法
CN112894621B (zh) * 2021-03-21 2022-03-11 重庆市腾龙磨料磨具有限公司 一种砂轮用磨损量测量设备
JP2022168720A (ja) * 2021-04-26 2022-11-08 株式会社ディスコ 加工方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004158776A (ja) * 2002-11-08 2004-06-03 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法
JP2007283462A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置の制御方法
JP2008290201A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削加工方法
JP2010238868A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Honda Motor Co Ltd 半導体装置の製造装置及び製造方法
JP2013086188A (ja) * 2011-10-13 2013-05-13 Disco Corp 加工装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6672947B2 (en) * 2001-03-13 2004-01-06 Nptest, Llc Method for global die thinning and polishing of flip-chip packaged integrated circuits
US7034385B2 (en) * 2003-08-05 2006-04-25 International Rectifier Corporation Topless semiconductor package
JP2006032471A (ja) * 2004-07-13 2006-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd Ｃｓｐ基板の製造方法
JP4653447B2 (ja) * 2004-09-09 2011-03-16 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
JP5064102B2 (ja) * 2007-04-27 2012-10-31 株式会社ディスコ 基板の研削加工方法および研削加工装置
JP2009101451A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Disco Abrasive Syst Ltd 研削方法および研削装置
JP4725639B2 (ja) * 2008-12-09 2011-07-13 カシオ計算機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2011245610A (ja) * 2010-05-31 2011-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP5501129B2 (ja) * 2010-07-12 2014-05-21 株式会社ディスコ 収容具の形成方法
JP5917850B2 (ja) * 2011-08-01 2016-05-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN102328272B (zh) * 2011-09-23 2014-02-19 清华大学 化学机械抛光方法
JP2013184239A (ja) * 2012-03-07 2013-09-19 Disco Corp 研削方法及び研削装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004158776A (ja) * 2002-11-08 2004-06-03 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法
JP2007283462A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置の制御方法
JP2008290201A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削加工方法
JP2010238868A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Honda Motor Co Ltd 半導体装置の製造装置及び製造方法
JP2013086188A (ja) * 2011-10-13 2013-05-13 Disco Corp 加工装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018114580A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法及び切削装置
JP7472368B2 (ja) 2019-03-27 2024-04-22 株式会社東京精密 基板加工装置
US11646250B2 (en) 2020-03-06 2023-05-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
JP7474144B2 (ja) 2020-07-20 2024-04-24 株式会社ディスコ 研削装置および研削方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104858780A (zh) 2015-08-26
US20150239093A1 (en) 2015-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015160260A (ja) 研削装置及び研削方法
US10573604B2 (en) Semiconductor device
US10395967B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP5558595B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9691730B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7975377B2 (en) Wafer scale heat slug system
CN207320090U (zh) 电子器件和电子芯片
US8198175B2 (en) Processing method for package substrate
US6894376B1 (en) Leadless microelectronic package and a method to maximize the die size in the package
WO2014115561A1 (ja) 半導体装置
KR102222415B1 (ko) 열 스프레더를 구비한 집적회로 패키징 시스템 및 그 제조 방법
JP2008210912A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2009164206A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20110241187A1 (en) Lead frame with recessed die bond area
US8288863B2 (en) Semiconductor package device with a heat dissipation structure and the packaging method thereof
JP2006344827A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2006100750A (ja) 回路装置およびその製造方法
CN112420649B (zh) 芯片封装结构及电子产品
KR102050130B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP2013197591A (ja) 半導体パッケージスリミング装置及び方法
JP2018060882A (ja) パッケージ基板の加工方法
KR102340866B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR102365004B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP3963914B2 (ja) 半導体装置
JP7190295B2 (ja) 切削装置及びパッケージ基板の加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160229

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161216

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170508

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20171101