KR20140135639A - 가공 장치 - Google Patents

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KR20140135639A
KR20140135639A KR20140057626A KR20140057626A KR20140135639A KR 20140135639 A KR20140135639 A KR 20140135639A KR 20140057626 A KR20140057626 A KR 20140057626A KR 20140057626 A KR20140057626 A KR 20140057626A KR 20140135639 A KR20140135639 A KR 20140135639A
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가즈마 세키야
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은, 피가공물의 종류에 대응한 가공 조건을 확실하게 가공할 수 있는 가공 장치를 제공한다.
피가공물을 유지하는 피가공물 유지 수단과, 상기 피가공물 유지 수단에 의해 유지된 피가공물을 가공하는 가공 수단과, 상기 피가공물 유지 수단에 의해 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단을 포함하는 가공 장치로서, 촬상 수단으로부터의 화상 신호에 기초하여 가공 조건을 설정하는 제어 수단을 포함하고, 제어 수단은, 피가공물의 종류에 따른 복수의 가공 조건과 피가공물의 종류에 대응한 복수의 특징 패턴을 기억하는 메모리를 구비하며, 촬상 수단에 의해 촬상된 피가공물의 특징 패턴의 화상 신호와 메모리에 기억된 복수의 특징 패턴을 대조하여, 화상 신호와 동일성을 갖는 특징 패턴을 특정하고, 특정된 특징 패턴과 대응하는 피가공물의 가공 조건을, 가공하여야 하는 피가공물의 가공 조건으로서 결정한다.

Description

가공 장치{MACHINING APPARATUS}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 가공하는 절삭 장치나 레이저 가공 장치 등의 가공 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 공정에 있어서는, 대략 원판 형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 배열된 스트리트라고 불리는 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성한다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 스트리트를 따라 절삭 장치 등의 다이싱 장치에 의해 다이싱함으로써 개개의 반도체 디바이스를 제조하고 있다.
웨이퍼에 형성된 스트리트의 간격 및 웨이퍼의 크기는, 디바이스의 종류에 따라 상이하다. 이러한 여러가지의 웨이퍼를 절삭 장치에 의해 스트리트를 따라 절삭하는 경우, 절입 깊이, 절삭수의 유량, 세정 조건 등의 가공 조건이 웨이퍼의 종류에 따라 상이하여, 웨이퍼의 종류에 따라 설정되어 있고, 가공 개시 시에 오퍼레이터에 의해 웨이퍼의 종류에 대응한 가공 조건이 절삭 장치의 제어 수단에 입력된다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2009-117776호 공보
웨이퍼의 가공에 있어서 오퍼레이터는, 웨이퍼의 품번, 명칭에 따라 웨이퍼의 종류를 특정하여, 가공 조건을 설정하고 있다. 그런데, 스킬이 부족한 오퍼레이터는, 웨이퍼의 품번, 명칭에 따라 웨이퍼의 종류를 특정할 수 없어, 잘못된 가공 조건을 설정하여 디바이스를 손상시킨다고 하는 문제가 있다.
이러한 문제는, 절삭 장치에 한정되지 않고 레이저 가공 장치 등의 다른 가공 장치 전반에 공통되는 문제이다.
본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 주된 기술적 과제는, 피가공물의 종류에 대응한 가공 조건을 확실하게 가공할 수 있는 가공 장치를 제공하는 것이다.
상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 피가공물을 유지하는 피가공물 유지 수단과, 상기 피가공물 유지 수단에 의해 유지된 피가공물을 가공하는 가공 수단과, 상기 피가공물 유지 수단에 의해 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단을 구비하는 가공 장치에 있어서,
상기 촬상 수단으로부터의 화상 신호에 기초하여 가공 조건을 설정하는 제어 수단을 구비하고,
상기 제어 수단은, 피가공물의 종류에 따른 복수의 가공 조건과 피가공물의 종류에 대응한 복수의 특징 패턴을 기억하는 메모리를 구비하며, 상기 촬상 수단에 의해 촬상된 피가공물의 특징 패턴의 화상 신호와 메모리에 기억된 복수의 특징 패턴을 대조하여, 화상 신호와 동일성을 갖는 특징 패턴을 특정하고, 상기 특정된 특징 패턴과 대응하는 피가공물의 가공 조건을, 가공하여야 하는 피가공물의 가공 조건으로서 결정하는 것을 특징으로 하는 가공 장치가 제공된다.
본 발명에 따른 가공 장치에 있어서, 제어 수단은, 피가공물의 종류에 따른 복수의 가공 조건과 피가공물의 종류에 대응한 복수의 특징 패턴을 기억하는 메모리를 구비하며, 촬상 수단에 의해 촬상된 피가공물의 특징 패턴의 화상 신호와 메모리에 기억된 복수의 특징 패턴을 대조하여, 화상 신호와 동일성을 갖는 특징 패턴을 특정하고, 상기 특정된 특징 패턴과 대응하는 피가공물의 가공 조건을, 가공하여야 하는 피가공물의 가공 조건으로서 결정하므로, 스킬이 부족한 오퍼레이터여도, 웨이퍼의 품번이나 명칭에 따라 웨이퍼의 종류를 특정할 필요가 없기 때문에, 잘못된 가공 조건을 설정함으로써 디바이스를 손상시킨다고 하는 문제가 해소된다.
도 1은 본 발명에 따라 구성된 가공 장치로서의 절삭 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 절삭 장치에 장비되는 제어 수단의 블록 구성도이다.
도 3은 피가공물로서의 반도체 웨이퍼의 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 반도체 웨이퍼를 환형의 프레임에 장착된 다이싱 테이프의 표면에 접착한 상태를 도시하는 사시도이다.
도 5는 웨이퍼의 종류와, 각 웨이퍼의 특징 패턴과, 가공 조건이 설정된 가공 조건 설정 테이블이다.
도 6은 도 1에 도시된 절삭 장치에 장비된 촬상 수단에 의해 촬상된 특징 패턴을 도시하는 설명도이다.
이하, 본 발명에 따라 구성된 가공 장치의 적합한 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1에는, 본 발명에 따라 구성된 가공 장치로서의 절삭 장치의 사시도가 도시되어 있다.
도시된 실시형태에 있어서의 절삭 장치는, 대략 직육면체형의 장치 하우징(2)을 구비하고 있다. 이 장치 하우징(2) 내에는, 피가공물을 유지하는 피가공물 유지 수단으로서의 척 테이블(3)이 절삭 이송 방향인 화살표 X로 나타내는 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 척 테이블(3)은, 척 테이블 본체(31)와, 상기 척 테이블 본체(31) 상에 장착된 흡착 척(32)을 구비하고 있으며, 상기 흡착 척(32)의 표면인 유지면에 피가공물인, 예컨대 원판 형상의 웨이퍼를 도시하지 않은 흡인 수단에 의해 흡인 유지하도록 되어 있다. 또한, 척 테이블(3)은, 도시하지 않은 회전 기구에 의해 회동 가능하게 구성되어 있다. 한편, 척 테이블(3)에는, 피가공물로서 후술하는 웨이퍼를 다이싱 테이프를 통해 지지하는 환형 지지 프레임을 고정하기 위한 클램프(33)가 설치되어 있다. 이와 같이 구성된 척 테이블(3)은, 도시하지 않은 가공 이송 수단으로서의 절삭 이송 수단에 의해, 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향으로 이동되도록 되어 있다.
도시된 실시형태에 있어서의 절삭 장치는, 가공 수단으로서의 스핀들 유닛(4)을 구비하고 있다. 스핀들 유닛(4)은, 도시하지 않은 이동 베이스에 장착되어 인덱싱 방향인 화살표 Y로 나타내는 방향 및 절입 방향인 화살표 Z로 나타내는 방향으로 이동 조정되는 스핀들 하우징(41)과, 상기 스핀들 하우징(41)에 회전 가능하게 지지되어 도시하지 않은 회전 구동 기구에 의해 회전 구동되는 회전 스핀들(42)과, 상기 회전 스핀들(42)에 장착된 절삭 블레이드(43)를 구비하고 있다. 또한, 스핀들 유닛(4)은, 순수와 같은 절삭수를 공급하기 위한 절삭수 공급 수단(44)도 부설되어 있다.
도시된 실시형태에 있어서의 절삭 장치는, 상기 척 테이블(3)을 구성하는 흡착 척(32)의 표면인 유지면에 유지된 웨이퍼의 표면을 촬상하고, 상기 절삭 블레이드(43)에 의해 절삭하여야 하는 영역을 검출하기 위한 촬상 수단(5)을 구비하고 있다. 이 촬상 수단(5)은 현미경이나 CCD 카메라 등의 광학 수단으로 이루어져 있고, 촬상한 화상 신호를 후술하는 제어 수단에 보낸다. 또한, 절삭 장치는, 촬상 수단(5)에 의해 촬상된 화상이나 후술하는 가공 조건 등을 표시하는 표시 수단(6)을 구비하고 있다.
상기 장치 하우징(2)에서의 카세트 배치 영역(7a)에는, 피가공물을 수용하는 카세트를 배치하는 카세트 배치 테이블(7)이 설치되어 있다. 이 카세트 배치 테이블(7)은, 도시하지 않은 승강 수단에 의해 상하 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 카세트 배치 테이블(7) 상에는, 피가공물로서의 후술하는 반도체 웨이퍼를 수용하는 카세트(8)가 배치된다.
도시된 실시형태에 있어서의 절삭 장치는, 카세트(8)에 수용된 피가공물로서의 후술하는 반도체 웨이퍼를 가배치 수단(11)에 반출하는 피가공물 반출 수단(12)과, 상기 피가공물 반출 수단(12)에 의해 가배치 수단(11)에 반출된 반도체 웨이퍼를 상기 척 테이블(3) 상에 반송하는 제1 반송 수단(13)과, 척 테이블(3) 상에서 절삭 가공된 반도체 웨이퍼를 세정하는 세정 수단(14)과, 척 테이블(3) 상에서 절삭 가공된 반도체 웨이퍼를 세정 수단(14)에 반송하는 제2 반송 수단(15)을 구비하고 있다.
도시된 실시형태에 있어서의 절삭 장치는, 상기 가공 수단으로서의 스핀들 유닛(4)을 포함하는 각 수단에 의한 가공 작업을 제어하기 위한, 도 2에 도시된 제어 수단(10)을 구비하고 있다. 제어 수단(10)은 컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 제어 프로그램에 따라 연산 처리하는 중앙 처리 장치(CPU)(101)와, 제어 프로그램 등을 저장하는 리드 온리 메모리(ROM)(102)와, 후술하는 피가공물의 종류에 따른 복수의 가공 조건과 피가공물의 종류에 대응한 복수의 특징 패턴이나 연산 결과 등을 저장하는 기록 및 판독 가능한 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)와, 입력 인터페이스(104) 및 출력 인터페이스(105)를 구비하고 있다. 제어 수단(10)의 입력 인터페이스(104)에는, 상기 촬상 수단(5) 등으로부터의 신호가 입력된다. 그리고, 제어 수단(10)의 출력 인터페이스(105)로부터는, 상기 표시 수단(6)에 표시 신호가 출력되며, 상기 가공 수단으로서의 스핀들 유닛(4)을 포함하는 각 수단에 제어 신호가 출력된다.
도시된 실시형태에서의 절삭 장치는 이상과 같이 구성되어 있고, 이하에 그 작동에 대해서 설명한다.
도 3에는, 전술한 절삭 장치에 의해 절삭 가공되는 피가공물로서의 반도체 웨이퍼(9)의 사시도가 도시되어 있다. 도 3에 도시된 반도체 웨이퍼(9)는, 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(9a)에 복수의 스트리트(91)가 격자형으로 형성되어 있으며, 상기 복수의 스트리트(91)에 의해 구획된 복수의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(92)가 형성되어 있다.
전술한 반도체 웨이퍼(9)를 스트리트(91)를 따라 분할하기 위해, 우선, 반도체 웨이퍼(9)의 이면(9b)에 합성 수지로 이루어지는 다이싱 테이프의 표면을 접착하며, 다이싱 테이프의 외주부를 환형의 프레임에 의해 지지하는 웨이퍼 지지 공정을 실시한다. 즉, 도 4에 도시하는 바와 같이, 환형의 프레임(F)의 내측 개구부를 덮도록 외주부가 장착된 다이싱 테이프(T)의 표면에 반도체 웨이퍼(9)의 이면(9b)을 접착한다. 한편, 다이싱 테이프(T)는, 도시된 실시형태에서는 염화비닐(PVC) 시트에 의해 형성되어 있다. 이와 같이 웨이퍼 지지 공정이 실시된 반도체 웨이퍼(9)는, 환형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)의 표면에 이면(9b)이 접착된 상태로 상기 카세트(8)에 수용된다.
전술한 반도체 웨이퍼(9)는, 크기(웨이퍼 사이즈)나 스트리트(91)의 간격이 웨이퍼의 종류에 따라 상이하다. 그리고, 여러가지의 반도체 웨이퍼(9)를 상기 절삭 장치에 의해 스트리트(91)를 따라 절삭하는 경우, 절입 깊이, 절삭수의 유량 등의 가공 조건이 웨이퍼의 종류에 따라 상이하다. 따라서, 웨이퍼의 종류를 특정하고, 특정된 웨이퍼에 대응하는 가공 조건을 설정할 필요가 있다.
한편, 반도체 웨이퍼(9)의 디바이스(92)는, 디바이스 특유의 특징 패턴을 구비하고 있으며, 가공 영역을 검출하는 얼라이먼트 작업에서 이용되고 있다.
본 발명은, 웨이퍼의 종류를 특정하기 위한 상기 특징 패턴을 이용하는 것으로, 웨이퍼의 종류와, 각 웨이퍼의 특징 패턴과, 가공 조건(웨이퍼 사이즈, 스트리트 간격, 절입 깊이, 절삭수 유량)이 설정된, 도 5에 나타내는 가공 조건 설정 테이블을 작성하고, 상기 제어 수단(10)의 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)에 저장해 둔다. 이와 같이 하여, 가공 조건 설정 테이블을 제어 수단(10)의 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)에 저장함으로써, 절삭 장치에 의해 절삭 가공하기 위한 준비 작업이 완료한다.
전술한 절삭 장치에 의한 가공 작업을 실시하기 위해서는, 반도체 웨이퍼(9)가 수용된 카세트(8)를 카세트 배치 테이블(7) 상에 배치시킨다. 그리고, 도시하지 않은 작업 개시 스위치를 ON함으로써 작업을 개시한다. 즉, 카세트 배치 테이블(7) 상에 배치된 카세트(8)의 정해진 위치에 수용되어 있는 환형 지지 프레임(F)에 다이싱 테이프(T)를 통해 지지된 반도체 웨이퍼(9)는, 도시하지 않은 승강 수단에 의해 카세트 테이블(7)이 상하 이동함으로써 반출 위치에 위치된다. 다음에, 피가공물 반출 수단(12)이 진퇴 작동하여 반출 위치에 위치된 반도체 웨이퍼(9)를 다이싱 테이프(T)를 통해 지지하고 있는 환형 지지 프레임(F)을 파지하여 가배치 수단(11)에 반출한다. 가배치 수단(11)에 반출된 환형 지지 프레임(F)에 다이싱 테이프(T)를 통해 지지된 반도체 웨이퍼(9)는, 제1 반송 수단(13)에 의해 척 테이블(3)을 구성하는 흡착 척(32)의 유지면 상에 반송된다. 척 테이블(3)의 흡착 척(32) 상에 반송된 반도체 웨이퍼(9)는, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동시킴으로써, 다이싱 테이프(T)를 통해 흡착 척(32)에 흡인 유지된다. 그리고, 환형 지지 프레임(F)이 클램프(33)에 의해 고정된다. 이와 같이 하여 반도체 웨이퍼(9)를 흡인 유지한 척 테이블(3)은, 촬상 수단(5)의 바로 아래까지 이동된다. 척 테이블(3)이 촬상 수단(5)의 바로 아래에 위치되면, 촬상 수단(5)에 의해 반도체 웨이퍼(9)에 형성되어 있는 스트리트가 검출되고, 스핀들 유닛(4)을 인덱싱 방향인 화살표 Y 방향으로 이동 조절하여 정밀 위치 정렬 작업이 행해진다(얼라이먼트 공정). 이 얼라이먼트 공정은, 촬상 수단(5)에 의해 반도체 웨이퍼(9)의 디바이스(92)에 형성되어 있는 특징 패턴을 촬상하여 좌표값을 구하고, 이 좌표값으로부터 설계 상에 있어서 설정된 정해진 거리를 이격한 위치에 스트리트가 위치되어 있는 것으로 하여 실시된다.
본 발명에서는, 상기 얼라이먼트 공정에 있어서 촬상 수단(5)에 의해 촬상된 반도체 웨이퍼(9)의 디바이스(92)에 형성되어 있는 특징 패턴에 기초하여 반도체 웨이퍼(9)의 종류를 특정한다. 즉, 제어 수단(10)은, 촬상 수단(5)에 의해 촬상된 반도체 웨이퍼(9)의 디바이스(92)에 형성되어 있는 특징 패턴의 화상 신호와 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)에 저장된 도 5에 나타내는 가공 조건 설정 테이블에 설정되어 있는 복수의 특징 패턴을 대조하여, 화상 신호와 동일성을 갖는 특징 패턴을 특정한다. 예컨대, 촬상 수단(5)으로부터 보내온 화상 신호가, 도 6에 도시된 특징 패턴을 나타내는 것인 경우, 제어 수단(10)은 도 5에 나타내는 가공 조건 설정 테이블에 설정되어 있는 복수의 특징 패턴과 대조하여 웨이퍼(B)라고 특정한다. 그리고, 제어 수단(10)은, 웨이퍼(B)의 가공 조건(웨이퍼 사이즈: 100 ㎜, 스트리트 간격: 5 ㎜, 절입 깊이: 테이프를 5 ㎛까지 절입, 절삭수 유량: 1 L/분)이 촬상 수단(5)에 의해 촬상된 가공하여야 하는 반도체 웨이퍼(9)의 가공 조건이라고 결정한다(가공 조건 결정 공정). 이와 같이 하여 결정된 가공 조건은, 확인을 위해 상기 표시 수단(6)에 표시된다.
전술한 가공 조건 결정 공정을 실시하였다면, 제어 수단(10)은 도시하지 않은 가공 이송 수단을 작동시켜 반도체 웨이퍼(9)를 흡인 유지한 반도체 웨이퍼(9)를 절삭 블레이드(43)에 의한 절삭 영역에 위치시킨다. 그리고, 제어 수단(10)은, 전술한 바와 같이 결정한 가공 조건에 기초하여 상기 가공 수단으로서의 스핀들 유닛(4) 및 도시하지 않은 가공 이송 수단 등을 제어하여, 반도체 웨이퍼(9)를 스트리트(91)를 따라 절단한다(절삭 공정). 이 결과, 반도체 웨이퍼(9)는, 개개의 디바이스(92)로 분할된다. 분할된 디바이스(92)는, 다이싱 테이프(T)의 작용에 의해 뿔뿔이 흩어지지 않고, 환형 지지 프레임(F)에 지지된 반도체 웨이퍼(9)의 상태가 유지되어 있다. 이와 같이 하여 반도체 웨이퍼(9)의 절삭이 종료된 후, 반도체 웨이퍼(9)를 유지한 척 테이블(3)은, 최초에 환형 지지 프레임(F)에 지지된 반도체 웨이퍼(9)를 흡인 유지한 위치로 복귀되고, 여기서 반도체 웨이퍼(9)의 흡인 유지를 해제한다. 척 테이블(3) 상에 있어서 흡인 유지가 해제된 개개의 디바이스(92)로 분할되어 있는 반도체 웨이퍼(9)는, 제2 반송 수단(15)에 의해 세정 수단(14)에 반송된다. 세정 수단(14)에 반송된 개개의 디바이스로 분할된 반도체 웨이퍼(W)는, 세정 수단(14)에 의해 상기 절삭 시에 생성된 오염물이 세정 제거된다. 세정 수단(14)에 의해 세정된 반도체 웨이퍼(9)는, 상기 제1 반송 수단(13)에 의해 상기 가배치 수단(11)에 반송된다. 가배치 수단(11)에 반송된 반도체 웨이퍼(9)는, 피가공물 반출 수단(12)에 의해 카세트(8)의 정해진 위치에 수납된다.
이상과 같이, 도시된 실시형태에서의 절삭 장치는, 촬상 수단(5)에 의해 촬상된 반도체 웨이퍼(9)의 디바이스(92)에 형성되어 있는 특징 패턴의 화상 신호와 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)에 저장된, 도 5에 나타내는 가공 조건 설정 테이블에 설정되어 있는 복수의 특징 패턴을 대조하여, 화상 신호와 동일성을 갖는 특징 패턴을 특정하며, 특정한 특징 패턴의 웨이퍼의 종류를 특정하여, 특정한 웨이퍼의 가공 조건을 촬상 수단(5)에 의해 촬상된 가공하여야 하는 반도체 웨이퍼(9)의 가공 조건이라고 결정하므로, 스킬이 부족한 오퍼레이터라도, 웨이퍼의 품번이나 명칭에 따라 웨이퍼의 종류를 특정할 필요가 없기 때문에, 잘못 가공 조건을 설정함으로써 디바이스를 손상시킨다고 하는 문제가 해소된다.
이상, 본 발명을 도시된 실시형태에 기초하여 설명하였지만, 본 발명은 실시형태에만 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 취지의 범위에서 여러가지의 변형은 가능하다. 예컨대, 도시된 실시형태에 있어서는 본 발명을 절삭 장치에 적용한 예를 나타내었지만, 본 발명은 웨이퍼의 종류를 특정하여 레이저 광선의 출력 등의 가공 조건을 설정하는 레이저 가공 장치나 다른 가공 장치에 적용할 수도 있다.
2 : 장치 하우징 3 : 척 테이블
31 : 척 테이블 본체 32 : 흡착 척
4 : 스핀들 유닛 41 : 스핀들 하우징
42 : 회전 스핀들 43 : 절삭 블레이드
5 : 촬상 기구 6 : 표시 수단
7 : 카세트 테이블 8 : 카세트
9 : 반도체 웨이퍼 10 : 제어 수단
11 : 가배치 수단 12 : 피가공물 반출 수단
13 : 제1 반송 수단 14 : 세정 수단
15 : 제2 반송 수단 F : 환형 지지 프레임
T : 다이싱 테이프

Claims (1)

  1. 피가공물을 유지하는 피가공물 유지 수단과, 상기 피가공물 유지 수단에 의해 유지된 피가공물을 가공하는 가공 수단, 그리고 상기 피가공물 유지 수단에 의해 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단을 포함하는 가공 장치에 있어서,
    상기 촬상 수단으로부터의 화상 신호에 기초하여 가공 조건을 설정하는 제어 수단을 포함하고,
    상기 제어 수단은, 피가공물의 종류에 따른 복수의 가공 조건과 피가공물의 종류에 대응한 복수의 특징 패턴을 기억하는 메모리를 구비하며, 상기 촬상 수단에 의해 촬상된 피가공물의 특징 패턴의 화상 신호와 메모리에 기억된 복수의 특징 패턴을 대조하여, 화상 신호와 동일성을 갖는 특징 패턴을 특정하고, 상기 특정된 특징 패턴과 대응하는 피가공물의 가공 조건을, 가공하여야 하는 피가공물의 가공 조건으로서 결정하는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
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