JP2014223708A - 加工装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 83
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 49
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 45
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229940095676 wafer product Drugs 0.000 description 1
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
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- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段によって保持された被加工物を加工する加工手段と、該被加工物保持手段によって保持された被加工物を撮像する撮像手段とを具備する加工装置であって、撮像手段からの画像信号に基づいて加工条件を設定する制御手段を具備し、制御手段は、被加工物の種類に応じた複数の加工条件と被加工物の種類に対応した複数の特徴パターンを記憶するメモリを備え、撮像手段によって撮像された被加工物の特徴パターンの画像信号とメモリに記憶された複数の特徴パターンとを照合して、画像信号と同一性を有する特徴パターンを特定し、特定された特徴パターンと対応する被加工物の加工条件を加工すべき被加工物の加工条件として決定する。
【選択図】図5
Description
このような問題は、切削装置に限らずレーザー加工装置等の他の加工装置全般に共通する問題である。
該撮像手段からの画像信号に基づいて加工条件を設定する制御手段を具備し、
該制御手段は、被加工物の種類に応じた複数の加工条件と被加工物の種類に対応した複数の特徴パターンを記憶するメモリを備え、該撮像手段によって撮像された被加工物の特徴パターンの画像信号とメモリに記憶された複数の特徴パターンとを照合して、画像信号と同一性を有する特徴パターンを特定し、該特定された特徴パターンと対応する被加工物の加工条件を加工すべき被加工物の加工条件として決定する、
ことを特徴とする加工装置が提供される。
図示の実施形態における切削装置は、略直方体状の装置ハウジング2を具備している。この装置ハウジング2内には、被加工物を保持する被加工物保持手段としてのチャックテーブル3が切削送り方向である矢印Xで示す方向に移動可能に配設されている。チャックテーブル3は、チャックテーブル本体31と、該チャックテーブル本体31上に装着された吸着チャック32を具備しており、該吸着チャック32の表面である保持面に被加工物である例えば円板形状のウエーハを図示しない吸引手段によって吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル3は、図示しない回転機構によって回動可能に構成されている。なお、チャックテーブル3には、被加工物として後述するウエーハをダイシングテープを介して支持する環状の支持フレームを固定するためのクランプ33が配設されている。このように構成されたチャックテーブル3は、図示しない加工送り手段としての切削送り手段によって、矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるようになっている。
図3には、上述した切削装置によって切削加工される被加工物としての半導体ウエーハ9の斜視図が示されている。図3に示す半導体ウエーハ9は、シリコンウエーハからなっており、表面9aに複数のストリート91が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート91によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス92が形成されている。
一方、半導体ウエーハ9のデバイス92は、デバイス独特の特徴パターンを備えており、加工領域を検出するアライメント作業において利用されている。
3:チャックテーブル
31:チャックテーブル本体
32:吸着チャック
4:スピンドルユニット
41:スピンドルハウジング
42:回転スピンドル
43:切削ブレード
5:撮像機構
6:表示手段
7:カセットテーブル
8:カセット
9:半導体ウエーハ
10:制御手段
11:仮置き手段
12:被加工物搬出手段
13:第1の搬送手段
14:洗浄手段
15:第2の搬送手段
F:環状の支持フレーム
T:ダイシングテープ
Claims (1)
- 被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段によって保持された被加工物を加工する加工手段と、該被加工物保持手段によって保持された被加工物を撮像する撮像手段と、を具備する加工装置において、
該撮像手段からの画像信号に基づいて加工条件を設定する制御手段を具備し、
該制御手段は、被加工物の種類に応じた複数の加工条件と被加工物の種類に対応した複数の特徴パターンを記憶するメモリを備え、該撮像手段によって撮像された被加工物の特徴パターンの画像信号とメモリに記憶された複数の特徴パターンとを照合して、画像信号と同一性を有する特徴パターンを特定し、該特定された特徴パターンと対応する被加工物の加工条件を加工すべき被加工物の加工条件として決定する、
ことを特徴とする加工装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013104762A JP6224350B2 (ja) | 2013-05-17 | 2013-05-17 | 加工装置 |
TW103111223A TWI606501B (zh) | 2013-05-17 | 2014-03-26 | Processing device |
CN201410193909.3A CN104167378B (zh) | 2013-05-17 | 2014-05-08 | 加工装置 |
KR20140057626A KR20140135639A (ko) | 2013-05-17 | 2014-05-14 | 가공 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013104762A JP6224350B2 (ja) | 2013-05-17 | 2013-05-17 | 加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014223708A true JP2014223708A (ja) | 2014-12-04 |
JP6224350B2 JP6224350B2 (ja) | 2017-11-01 |
Family
ID=51911143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013104762A Active JP6224350B2 (ja) | 2013-05-17 | 2013-05-17 | 加工装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6224350B2 (ja) |
KR (1) | KR20140135639A (ja) |
CN (1) | CN104167378B (ja) |
TW (1) | TWI606501B (ja) |
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JP7423157B2 (ja) | 2020-04-30 | 2024-01-29 | 株式会社ディスコ | 加工装置の管理方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2013
- 2013-05-17 JP JP2013104762A patent/JP6224350B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-26 TW TW103111223A patent/TWI606501B/zh active
- 2014-05-08 CN CN201410193909.3A patent/CN104167378B/zh active Active
- 2014-05-14 KR KR20140057626A patent/KR20140135639A/ko not_active Application Discontinuation
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JP7423157B2 (ja) | 2020-04-30 | 2024-01-29 | 株式会社ディスコ | 加工装置の管理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6224350B2 (ja) | 2017-11-01 |
TW201503248A (zh) | 2015-01-16 |
CN104167378A (zh) | 2014-11-26 |
CN104167378B (zh) | 2018-06-29 |
KR20140135639A (ko) | 2014-11-26 |
TWI606501B (zh) | 2017-11-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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