JPH06349691A

JPH06349691A - 半導体装置及びその製造装置と製造方法

Info

Publication number: JPH06349691A
Application number: JP13343893A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Ota; 裕之太田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-06-03
Filing date: 1993-06-03
Publication date: 1994-12-22

Abstract

(57)【要約】【目的】ウエハ単位でなく、半導体装置を１個あるい
は数個単位で製造する場合に、該製造単位毎にそれぞれ
識別し、該半導体装置の工程を管理することの可能な半
導体装置及び半導体製造装置を提供する。【構成】半導体装置１に工程記録領域５を設け、識別
標識としての記号１６を形成（記載）し、半導体装置１
の一連の製造工程で、個々の加工時、あるいは加工終了
時に読み出して工程管理に活用する。【効果】それぞれの製造単位を識別できることから、
多数あるいは多種類の半導体装置を平行して製造するこ
とが可能となり、工程管理の自動化を図ることができ
る。さらに不良発生時における原因追求が容易になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
装置と製造方法に係り、特に工程管理の容易な、多種類
の半導体装置の同時生産の可能な半導体装置及びその製
造装置と製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在の半導体装置の生産においては、ウ
エハ単位で一度に多数の半導体装置が加工される。また
半導体装置の高集積化にともない、１つの半導体装置当
りの面積が大きくなる傾向にあって収率が低下するの
で、これを補うためにウエハの大口径化が進められてい
る。しかし製造装置もこれに対応して大面積を高精度に
加工できるものが要求され、複雑化しコストも上昇して
いる。そこで、特開昭６１−１７７７０９号公報にある
ように、丸いウエハから切り出して加工するときの形状
を限定して半導体製造装置を大型化することなく半導体
装置を生産することのメリットが注目されている。すな
わち一度に製造できる個数は１個あるいは数個という単
位であり、丸いウエハに比べて少ないが製造装置への投
資が減らせ、歩留まりの向上も容易となる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような一度に加工
できる基板の形状を限定する生産形態においては、これ
までの丸いウエハの場合のように多数の半導体装置を一
度に生産するわけではないので、工程管理が複雑にな
る、不良発生時に原因の追求がむずかしい等の問題が生
じた。また本形態による半導体装置の生産ではこの工程
管理の複雑さから、多種類の半導体装置を平行して生産
することは困難であった。また、ウエハ単位での生産に
おいてはオリフラを位置決めに使って加工を行っていた
が、本形態における加工においてはオリエンタルフラッ
トが存在しないので新しい位置決め方法が必要であっ
た。

【０００４】本発明の目的は、上記問題点を解消するた
めになされたもので、ウエハ単位でなく、半導体装置を
１個あるいは数個単位で製造する場合に、製造単位毎に
それぞれを識別し、半導体装置の工程を管理することの
可能な半導体装置及びその製造装置と製造方法を提供す
ることである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めには、ウエハ単位ではなく半導体装置に工程管理に用
いる記号を記載して管理を行う手段が必要である。また
半導体製造装置としては半導体装置に記載された該記号
を読み取り、情報を得ながら加工を行うことにより自動
化や多種類の半導体装置の生産が可能となる。そこで、
上記目的を達成するために本発明の半導体装置は、半導
体基板、もしくは該半導体基板の表面上に形成された薄
膜に、２次元的或いは３次元的に構成された識別標識を
形成したことを特徴とするものである。また、前記識別
標識として、前記半導体装置の製造番号、あるいは前記
半導体装置の製造に携わった製造装置を識別可能な識別
標識と、前記製造装置による製造条件を表す識別標識と
のうち、少なくともいずれかの識別標識を形成したり、
前記半導体装置の製造工程における個々の工程を表す識
別標識と、前記個々の工程に対応していずれかの工程が
終了したことを表す識別標識とを形成したものである。

【０００６】また、上記目的は、半導体装置の製造に携
わる装置固有の識別標識、もしくは製造条件を表す識別
標識、もしくは製造工程のうちいずれかの工程の終了を
示す識別標識のうち、少なくともいずれかの識別標識を
前記半導体装置に形成する手段を有することを特徴とす
る半導体装置の製造装置により達成される。

【０００７】また、半導体装置の製造方法において、前
記半導体装置に形成されている該半導体装置の製造装置
固有の記号、製造条件を表す記号、工程終了を示す記号
のうち少なくともいずれかの情報を読み取り、該情報に
より該半導体装置の加工を制御することを特徴とするも
のである。

【０００８】

【作用】上記構成によれば、ウエハでなく半導体装置そ
のものに、たとえば成膜、エッチング、イオン注入、レ
ーザ等の手段を用いて該装置の製造番号を記載すること
により、個々の半導体装置が識別できるので、これを基
に工程管理を行うことができる。また半導体装置に該装
置の製造に携わった半導体製造装置の識別番号や製造条
件を製造過程において記載することにより、製造工程の
管理が容易となる。たとえば、すでに行った半導体製造
装置の認識番号を確認することにより、次に行うべき加
工の工程が認識されるので、種類の異なる半導体装置の
製造を平行して行う場合においても、それぞれの加工工
程の手順が誤らず、正しい一連の加工を行うことができ
る。また、不良発生時においても製造工程や製造条件が
半導体装置上に記載されているので原因の追求が容易と
なる。また半導体装置に方向識別のできる部分を形成す
ることで、ウエハの場合におけるオリフラの役目をさせ
ることができる。

【０００９】

【実施例】以下、本発明のいくつかの実施例を、図面を
参照して説明する。図１に本発明における一実施例であ
る半導体装置１の模式図を示す。本装置は半導体基板
２、素子形成層３、方向識別部４、工程記録部５より構
成される。素子形成層３はおもに導電性のある膜（トラ
ンジスタ用電極、配線等）と導電性の無い膜（ゲート酸
化膜、フィールド酸化膜、層間絶縁膜等）から構成され
ている。しかしながら、たとえば実際のＭＯＳ半導体素
子（トランジスタのｐ−ｎジャンクション）ではゲート
電極近傍の半導体基板２中に形成されることになるが、
ここでは便宜上、ゲート酸化膜もしくはゲート電極の無
い構造ではトランジスタの電極から上を素子形成層３と
定義する。

【００１０】また、方向識別部４は半導体装置１の方向
を規定するものであり、この半導体装置１はウエハ単位
ではなく、１個あるいは数個の単位で製造する場合に必
要となるものである。たとえば１枚のウエハ上で半導体
装置１が多数製造される場合には、ウエハのオリエンタ
ルフラット（オリフラ）面を基準として半導体装置１の
方向が定められ、素子形成層３内の各積層膜の形成位置
が決定された。しかしながら、半導体装置１を１個ある
いは数個まとめて短冊状にして製造する場合にはウエハ
の場合と異なり、素子形成面内の対称軸が２本あること
から半導体装置１の辺を位置決めに用いても方向が決定
できない。つまり短冊状の半導体素子１を１８０度回転
させても同じ形状となる。そこで本実施例では、方向識
別部４を短冊の４隅のうちの１隅に設けることにより半
導体装置１の方向が規定できるようにしたので、素子形
成層３内の各積層膜の形成時に方向を間違えて形成する
ことを防ぐことができる。

【００１１】また、工程記録部５は素子形成層３を形成
するのに用いた半導体製造装置（半導体装置の製造装
置、以下同じ。）とその製造時のプロセス条件を記録す
るために設けてある。また、該半導体装置を識別するた
めの製造番号をこの代わりに記録してもよい。この工程
記録部５には記号１６が形成（記載）されている。記号
１６は数字、図形など容易に識別可能なものであればよ
い。本実施例においては記号１６の具体的な記録手段と
して薄膜に算用数字を型どった穴を開けたものを用いて
いる。この数字群は半導体装置１の製造に携わった半導
体製造装置とそのプロセス条件に対応している。また、
工程記録部５の記号１６は切り欠き、くぼみのような形
態をもって形成されていてもよい。

【００１２】この半導体装置１をウエハ単位ではなく１
個あるいは数個の単位で製造する場合には、ウエハ単位
ではなく１個あるいは数個の製造単位での工程管理情報
が必要となってくる。たとえば原因不明の不良が発生し
た場合に、１枚のウエハ上で半導体装置１が多数製造さ
れたときはそのウエハを調査するためにウエハナンバを
手がかりに装置あるいはプロセス条件が調査され、原因
が追求される。しかしながら半導体装置１をウエハ単位
ではなく１個あるいは数個の単位で製造する場合にはな
んらかの識別方法が必要となる。そこで本実施例によれ
ば工程記録部５を設けることにより、それぞれの半導体
装置１の工程管理ができるので不良原因の追求が容易に
なり、歩留まりの向上に役立つ。

【００１３】本実施例によれば半導体装置１を製造した
半導体製造装置のそれぞれの識別番号と製造時のプロセ
ス条件が工程記録部５に記載されている。工程記録部５
内に存在する記号１６は以下の様にして形成（記載）さ
れた。まず、半導体基板２上の工程記録部５に対応する
部分に薄膜を形成する。半導体製造装置にて１つの工程
の加工が終了した時点において、該薄膜にレーザを照射
し、該薄膜を溶融して穴を開ける。この穴が製造装置の
認識番号とプロセス条件を示す数字の形状となるように
レーザを走査する。このとき、薄膜はレーザ光を透過し
にくいものが望ましい。またレーザはある程度の出力を
持つ、エキシマ、炭酸ガスレーザ等が望ましい。

【００１４】また、図２に本発明の第二の実施例を示
す。本実施例は半導体基板２の裏面（素子形成層３の形
成されていない側）に工程記録部５を形成した例であ
る。本実施例によれば工程記録部５が素子形成層３と同
一面内にこないことから、同じ半導体基板２の面積であ
っても素子形成層３を広く形成できる利点がある。同様
に図３に記載したように、工程記録部５を半導体基板の
側面に形成してもよい。また、本実施例では方向識別部
４は本発明の第一の実施例のように４隅のうちの１隅を
欠けさせる方法ではなく、１隅にマークを付ける方法で
ある。具体的にはあらかじめ形成された薄膜に穴を開け
ることで行っている。本工程は第一の実施例における工
程記録部５の形成過程と基本的には同様である。

【００１５】さらに図４に本発明の第三の実施例を示
す。本実施例では工程記録部５における記号１６をレー
ザＣＶＤにより形成したものである。レーザＣＶＤはレ
ーザ光によって誘起された熱、またはレーザ光の持つ光
エネルギによって気体状分子を分解し、遊離した原子
（分子）を基板上に析出させて膜を形成することであ
る。また、本実施例においてはレーザを用いたが集束イ
オンビーム、エレクトロンビームでもよい。すなわち、
これらのビームの照射された領域に膜が形成されるの
で、ビームを工程記録部５に照射し、所望の記号の形状
に走査することで記号１６が形成される。すなわち、本
方法によれば、工程記録部５に記号１６の形の導電性の
ある膜が形成されることになる。本実施例においてはレ
ーザＣＶＤを用いたが、工程記録部５に記号１６の形の
膜を形成する方法としては通常のフォトリソグラフィ技
術と成膜技術を用いる方法もある。

【００１６】図５には本発明の第四の実施例を示したも
のである。本実施例は記号１６を数字ではなく棒状の膜
で形成し、この棒の間隔および棒の有無で識別するもの
である。なお、本実施例では記号１６は棒状のマークと
して記載されているが、記号１６のマークの形状として
は認識し易い図形であれば特定しない。また本実施例は
棒の間隔及び並び方で識別する方法であるが、他に、マ
ークの大きさ、個数、あるいは高さで識別してもよい。
本実施例によれば記号１６の導電性のある膜は半導体装
置１の表面に露出しているので、工程記録部５にプロー
バを二本ずつ接触させその導通の有無で自動的に記号１
６を識別することができる。

【００１７】図６は本発明の第五の実施例を示したもの
である。本実施例においては記号１６を半導体基板１上
の工程記録部５内に形成したものである。本実施例にお
いては記号１６は集束イオンビームを用いて半導体基板
１を削ることによって形成したものである。この場合、
集束イオンビームの他に、レーザ、エッチング加工等で
も形成可能である。また半導体基板１上に本発明の第四
の実施例と同様にレーザ、エレクトロンビーム、集束イ
オンビーム等を用いて膜として記号１６を形成すること
も可能である。

【００１８】図７は本発明の第６の実施例を示したもの
である。本実施例においては記号１６を半導体基板１上
の工程記録部５内にイオン注入領域として形成したもの
である。半導体基板２上にイオン注入に対するマスクと
してレジストを塗布し、さらに記号１６に相当する領域
のみレジストを除去する。こののち、シリコン基板に電
気的導通が得られる程度にイオン注入を行い、記号１６
に相当する領域のみ電気的導通が得られるようにした。
本実施例においては半導体基板２上にある記号１６であ
る導電性のある部分は表面に露出しているので、工程記
録部５にプローバを二本ずつ接触させその導通の有無で
自動的に記号１６を識別することができる。

【００１９】図８は本発明における半導体製造装置１５
のうち、真空チャンバの部分を模式的に表したもので、
本発明の第七の実施例を示したものである。半導体装置
１の素子の製造に携わる主チャンバ９の中には半導体装
置１を固定する目的でチャック７が配置され、またチャ
ック７に固定された半導体装置１に向かってレーザを発
射できる能力を持つビーム発射部８がチャック上方に配
置してある。本実施例においてはビーム発射部８からは
レーザを発射する能力があるが、場合に応じて、集束イ
オンビーム、エレクトロンビームでもよい。ビーム発射
部８から発射されたレーザビームは半導体基板１上の工
程記録部５に照射され、工程記録部５にあらかじめ形成
された薄膜に穴をあけることができる。レーザビームを
記号１６の形に相当するように走査することにより、工
程記録部５の薄膜に記号１６の形状を持つ穴を開けるこ
とが可能である。またビーム発射部８をチャック７の側
方に配置することにより半導体装置の側面に工程記録部
５を形成することが可能である。またビームによって溶
かされた膜によって多少汚染の危険があることから、半
導体製造装置１５の主目的である素子形成層３を加工し
た後にこの工程記録部５の形成は行うのが望ましい。

【００２０】図９は本発明の第八の実施例を示すため
に、半導体製造装置１５の中のチャンバの部分を模式的
に表したものである。本実施例では主チャンバ９にロー
ドロック室としての機能を持つ副チャンバ１０を加えた
ものである。この副チャンバは半導体装置１の運搬機能
と真空排気機能と工程記録部５の記号１６の形成機能を
有する。本実施例は素子形成層３の加工用である主チャ
ンバ９に、工程記録部５形成時に発生する汚染が混入す
ることが無いので、良好な素子形成層３の加工が可能で
ある。

【００２１】図１０は本発明の第九の実施例として、チ
ャック７の構造を最適化したものを示す。本実施例は本
発明の第二の実施例に対応したものであり、半導体装置
１の裏面に工程記録部５を形成する場合に有効である。
チャック７の一部からビームが通過できるようにスリッ
ト６を設けたものである。またスリット６の背面から真
空排気を行う（半導体装置１に対してビーム発射部８と
同じ側から排気する）ことにより工程記録部５の形成時
に発生する汚染を半導体基板１の素子形成層３の側に触
れることなく排気することができる。また、本実施例に
おいてはスリットを用いたが、ビームの通過することが
できる穴でもよい。

【００２２】図１１は本発明の第十の実施例として、各
種の加工装置１１が結合して構成されている半導体製造
装置１５に適用した場合である。本実施例においては半
導体製造装置１５は各種の加工装置１１（成膜装置、エ
ッチング装置、イオン注入装置、酸化炉、アニール炉、
リソグラフィ装置等）と、これらを結合する搬送系１
２、搬送系制御装置１４、記号読み取り機１３より構成
されている。記号読み取り機１３は各処理装置１１にそ
れぞれ付属していてもよい。また図１１では搬送系１２
は中心部で交わっているが、図１２に示すように、それ
ぞれの加工装置１１を網目状に結合してもよい。

【００２３】図１３は図１１に示されたような記号１６
の読み取り機構を持つ半導体製造装置１５を用いて半導
体装置１を製造するときの手順を示したフローチャート
である。半導体装置１の搬送過程において工程記録部５
上の記号１６は記号読み取り機１３により認識、判読さ
れ、この情報は搬送制御装置１４に送られる。搬送制御
装置１４は半導体装置１がどの工程まで終了しているか
認識できるので、次の処理装置まで半導体装置１を搬送
するように搬送系１２に対して指令を送ることができ
る。処理装置では素子形成層３の加工後、該処理装置に
固有の記号１６を工程記録部５に形成する。この動作を
半導体装置１の完成まで繰り返し行う。本実施例によれ
ば工程を誤ることがなく、信頼性が向上する。この動作
は複数の半導体装置１が半導体製造装置１５上に存在し
ても可能である。これら複数の半導体装置を続けて製造
する場合に、搬送制御装置によって最も効率よく加工が
行えるように半導体装置１の配置を最適化することもで
きる。

【００２４】図１４は本発明における第十一番目の実施
例をフローチャートにまとめたものである。装置の構成
は図１１と同様であるが、それぞれの作用と動作が十番
目の実施例と異なり、同時に多種類の半導体装置を製造
することが可能である。まず、あらかじめ製造したい半
導体装置の種類に応じて工程記録部５に記号１６を形成
しておく。つまり、半導体装置には製造番号、あるいは
該半導体装置の型番に相当する記号あるいは番号を記載
しておく。そして半導体製造装置１５に投入すると搬送
経路において記号読み取り機１３によって工程記録部５
の記号１６である半導体装置の種類が読み取られる。こ
の情報は搬送制御装置１４に伝えられ、認識され、半導
体装置１を目的の加工装置１１へ搬送するように搬送系
１２に指令される。加工装置１１にて素子形成層３の加
工を終了したのち、工程記録部５に該加工装置での処理
が終了したことを示す記号を形成（記載）する。このよ
うに半導体装置１の種類を表す情報と工程の進捗状況を
示す情報を適宜読み取りながら加工が進み、工程が終了
したことを確認後、半導体製造装置１５より排出され
る。半導体装置１にあらかじめ生産したい半導体装置１
の種類を記録してあるので、多種類の半導体装置が混在
して加工されても識別できる。このため多種類の半導体
装置の同時生産が可能となる。

【００２５】図１５は半導体装置１上の工程記録部５に
種類を示す記号のみをあらかじめ形成した本発明の第十
二番目の実施例である。まずあらかじめ製造したい半導
体装置の種類に応じて工程記録部５に記号１６を形成し
ておく。そして半導体製造装置１５に投入すると搬送経
路において記号読み取り機１３によって工程記録部５の
記号１６である半導体装置の種類が読み取られる。この
情報は搬送制御装置１４に伝えられ、認識され、製造す
る半導体装置１の加工工程の通りに搬送するようにプロ
グラムされる。このプログラムに従って搬送系１２によ
って搬送され、それぞれの加工装置１１にて順次加工が
行われるが、適宜、記号１６の半導体装置１の種類を表
す情報はは搬送系１２の記号読み取り機にて読み取ら
れ、位置情報として活用される。プログラム終了後、半
導体製造装置１５より完成した半導体装置１は排出され
る。

【００２６】図１６は半導体装置１上の工程記録部５に
あらかじめ半導体装置１の種類を表す記号と、必要な加
工工程を表す記号を形成しておく本発明の第十三番目の
実施例である。まず、あらかじめ製造したい半導体装置
の種類に応じて工程記録部５に半導体装置１の種類と必
要な加工工程を表す記号を工程順に形成しておく。そし
て半導体製造装置１５に投入すると搬送経路において記
号読み取り機１３によって工程記録部５の記号１６であ
る半導体装置１の加工工程が読み取られる。この情報は
搬送制御装置１４に伝えられ、認識され、読み取られた
通りの加工装置１１へ搬送するように搬送系１２に指令
される。加工装置１１では工程記録部５の記号１６の通
りに加工が行われる。この加工が終了したのち、工程記
録部５に該処理装置での加工が終了したことを示す記号
（加工終了記号）を形成する。さらに記号読み取り機１
３により記号１６を読み取り、搬送制御装置によって加
工終了記号の付いていない次の加工を示す記号を認識し
たのちに搬送系１２によって所定の処理装置まで搬送を
行う。これを工程が終了するまで行う。工程が終了した
ことを確認後、半導体製造装置１５より排出される。本
実施例によれば半導体装置１に製造に必要な工程が記載
されているので、多種の半導体装置を同時に製造するこ
とができる。

【００２７】これらの実施例によれば、半導体装置１を
ウエハ単位でなく１個あるいは数個の製造単位で製造す
る場合においても、半導体装置１の形成過程における履
歴（製造工程）がそれぞれ明確になるので、工程管理が
行い易く、不良の発生原因の追求、および対策も容易に
なる。さらに、半導体装置１の方向が規定できるので、
素子形成層３内の各積層膜の形成時に方向を間違えて形
成することを防ぐことができる。またさらに、半導体装
置１に記載された記号を読み取りながら加工することが
可能なことから、多数あるいは多種類の半導体素子を平
行して製造する場合においても工程を誤ることなく製造
することができる。また、製造単位をそれぞれ認識でき
るようになるので工程管理の自動化が可能となる。

【００２８】

【発明の効果】上述のとおり本発明によれば、ウエハ単
位でなく、半導体装置を１個あるいは数個単位で製造す
る場合に、製造単位毎にそれぞれ識別し、半導体装置の
工程を管理することの可能な半導体装置及びその製造装
置と製造方法が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における第一の実施例の模式図。

【図２】本発明における第二の実施例の模式図。

【図３】本発明における第二の実施例の他の例の模式
図。

【図４】本発明における第三の実施例の模式図。

【図５】本発明における第四の実施例の模式図。

【図６】本発明における第五の実施例の模式図。

【図７】本発明における第六の実施例の模式図。

【図８】本発明における第七の実施例の模式図。

【図９】本発明における第八の実施例の模式図。

【図１０】本発明における第九の実施例の模式図。

【図１１】本発明における第十の実施例の模式図。

【図１２】本発明における第十の実施例の他の例の模式
図。

【図１３】本発明における第十の実施例を示すフローチ
ャート。

【図１４】本発明における第十一の実施例を示すフロー
チャート。

【図１５】本発明における第十二の実施例を示すフロー
チャート。

【図１６】本発明における第十三の実施例を示すフロー
チャート。

【符号の説明】

１半導体装置２半導体基板３素子形成層４方向識別部５工程記録部６スリット７チャック８ビーム発射部９主チャンバ１０副チャンバ１１加工装置１２搬送系１３記号読み取り機１４搬送系制御装置１５半導体製造装置１６記号１７レーザービーム１８真空排気系

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板、もしくは該半導体基板の表
面上に形成された薄膜に、２次元的或いは３次元的に構
成された識別標識を形成したことを特徴とする半導体装
置。
【請求項２】半導体基板、もしくは該半導体基板の表
面上に形成された薄膜に、半導体装置の製造番号を表す
識別標識を形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】半導体基板、もしくは該半導体基板の表
面上に形成された薄膜に、半導体装置の製造に携わった
製造装置を識別可能な識別標識と、前記製造装置による
製造条件を表す識別標識とのうち、少なくともいずれか
の識別標識を形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】半導体基板、もしくは該半導体基板の表
面上に形成された薄膜に、半導体装置の製造工程におけ
る個々の工程を表す識別標識と、前記個々の工程に対応
していずれかの工程が終了したことを表す識別標識とを
形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】請求項４に記載の半導体装置において、
前記製造工程における個々の工程を表す識別標識は、半
導体装置の製造に携わった製造装置あるいは製造条件を
表すことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】請求項４に記載の半導体装置において、
前記製造工程における個々の工程を表す識別標識に隣接
して、前記個々の工程に対応していずれかの工程が終了
したことを表す識別標識を形成したことを特徴とする半
導体装置。
【請求項７】請求項１、２、３または４に記載の半導
体装置において、前記識別標識は、記号あるいは番号で
あることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】請求項１、２、３または４に記載の半導
体装置において、前記識別標識として、マークの並び
方、個数、形状、大きさ、マークの高さ、マークの深さ
のうち、少なくとも１つの手段を用いたことを特徴とす
る半導体装置。
【請求項９】半導体基板、もしくは該半導体基板の表
面上に形成された薄膜に、２次元的或いは３次元的に構
成された識別標識を形成し、前記識別標識として、マー
クの並び方、個数、形状、大きさ、マークの高さ、マー
クの深さのうちの少なくとも１つの手段を用いることに
より、半導体装置の製造装置、製造条件、あるいは製造
番号のうち少なくとも１つが識別可能であることを特徴
とする半導体装置。
【請求項１０】請求項１、２、３または４に記載の半
導体装置において、前記識別標識が、半導体装置の素子
形成面、その裏面あるいは側面のいずれかの面に形成さ
れていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】請求項１、２、３または４に記載の半
導体装置において、前記識別標識を示すマークとして、
半導体装置の素子形成面、その裏面あるいは側面に、任
意の間隔をもって複数の薄膜が形成されていることを特
徴とする半導体装置。
【請求項１２】請求項１、２、３または４に記載の半
導体装置において、前記識別標識を示すマークとして、
半導体装置の素子形成面、その裏面あるいは側面に形成
された薄膜に、任意の間隔をもって穴、くぼみ、切り欠
きのうちのいずれかが形成されていることを特徴とする
半導体装置。
【請求項１３】請求項１、２、３または４に記載の半
導体装置において、前記識別標識を示すマークとして、
半導体装置の素子形成面、その裏面あるいは側面に形成
された薄膜に、任意の間隔をもってイオン注入領域が形
成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】半導体装置における素子形成面の裏面
あるいは側面の半導体基板、もしくは該素子形成面の裏
面あるいは側面の半導体基板表面上に形成された薄膜
に、穴、くぼみ、薄膜、イオン注入領域のいずれかを形
成することによって識別標識を形成したことを特徴とす
る半導体装置。
【請求項１５】半導体基板の素子形成面内の形状にお
ける線対称軸が１本以下であることを特徴とする半導体
装置。
【請求項１６】半導体装置の製造に携わる装置固有の
識別標識、もしくは製造条件を表す識別標識、もしくは
製造工程のうちいずれかの工程の終了を示す識別標識の
うち、少なくともいずれかの識別標識を前記半導体装置
に形成する手段を有することを特徴とする半導体装置の
製造装置。
【請求項１７】請求項１６に記載の半導体装置の製造
装置において、前記識別標識は記号あるいは番号である
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１８】半導体装置を１個所に保持して素子形
成面の加工を行う複数の加工工程のうちの一部の加工工
程が、レーザビーム、エレクトロンビーム、イオンビー
ムのいずれかを用いた加工工程であることを特徴とする
半導体装置の製造装置。
【請求項１９】半導体装置を１個所に保持し、素子形
成面とその裏面とで異なる加工を行う加工手段を備えた
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２０】半導体装置を固定するチャックの一部
を通してレーザビーム、エレクトロンビーム、イオンビ
ームのいずれかが照射されることを特徴とする半導体装
置の製造装置。
【請求項２１】複数の加工手段を有した半導体装置の
製造装置において、前記半導体装置にあらかじめ形成さ
れている該半導体装置の製造番号あるいは加工条件を読
み取ることにより、加工の順番あるいは加工条件を決定
することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２２】半導体装置の製造に携わる装置固有の
識別標識、もしくは製造条件を表す識別標識、もしくは
製造工程のうちいずれかの工程の終了を示す識別標識の
うち、少なくともいずれかの識別標識を前記半導体装置
に形成する手段を有するとともに、前記半導体装置に形
成された識別標識から製造番号、あるいは加工条件を読
み取る手段を、前記半導体装置の搬送路中に設けたこと
を特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２３】半導体装置の素子形成面の裏面あるい
は側面の半導体基板、もしくは該素子形成面の裏面ある
いは側面の半導体基板表面上に形成された薄膜に、穴、
くぼみ、薄膜、イオン注入領域のいずれかにより、被加
工物である前記半導体装置の製造装置固有の記号、製造
条件を表す記号、工程終了を示す記号等を記載し、これ
らの記号のうち少なくともいずれかを読み取る手段を有
することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２４】複数の加工手段を有する半導体装置の
製造装置において、前記半導体装置にあらかじめ形成さ
れている該半導体装置の加工条件を読み取ることによっ
て、加工の順番あるいは加工条件を決定し、終了した加
工工程を示す記号を前記半導体装置上の領域に形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２５】半導体装置の製造方法において、前記
半導体装置に形成されている該半導体装置の製造装置固
有の記号、製造条件を表す記号、工程終了を示す記号の
うち少なくともいずれかの情報を読み取り、該情報によ
り該半導体装置の加工を制御することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
【請求項２６】半導体装置の製造装置において、前記
半導体装置にあらかじめ形成されている該半導体装置の
製造番号あるいは加工条件を読み取ることにより、加工
の順番あるいは加工条件を制御することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
【請求項２７】複数の加工手段を有する半導体装置の
製造装置において、前記半導体装置に形成されたすでに
終了した加工を表す記号を読み取ることによって、次の
加工方法を選択することを特徴とする半導体装置の製造
方法。