KR20090029687A - 위치 어긋남 검출 장치 및 이것을 이용한 처리 시스템 - Google Patents

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KR20090029687A
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Abstract

복수의 아암부를 서로 선회 가능하게 직렬로 접속함과 아울러, 최선단의 아암부에 피(被)처리체를 지지시켜 피처리체를 반송하도록 한 반송 기구에 형성한 피처리체의 위치 어긋남 검출 장치에 있어서, 복수의 아암부 중의 최선단의 아암부 이외의 아암부에 형성되어, 적어도 최선단의 아암부에 지지된 피처리체의 에지를 검출하기 위한 에지 검출 수단과, 당해 에지 검출 수단의 검출치에 기초하여 피처리체의 위치 어긋남을 구하는 위치 어긋남 검출부를 구비하도록 구성한다.
아암부, 반송 기구, 에지, 위치 어긋남

Description

위치 어긋남 검출 장치 및 이것을 이용한 처리 시스템 {APPARATUS FOR DETECTING POSITIONAL OFFSET AND PROCESSING SYSTEM USING THE SAME}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피(被)처리체에 대하여 소정의 처리를 행하는 처리 시스템 및 이에 이용하는 위치 어긋남 검출 장치에 관한 것이다.
일반적으로, IC 등과 같은 반도체 집적 회로를 제조하려면, 실리콘 기판 등의 반도체 웨이퍼의 표면에, 성막, 산화 확산, 에칭, 어닐 등의 각종 처리를 반복하여 행할 필요가 있다. 이 경우, 처리 효율을 향상시키기 위해, 각각의 처리를 행하는 처리실을 1개의 공통 반송실에 연결시켜 형성하고, 소위 클러스터 툴(cluster tool) 장치화하여, 웨이퍼를 각 처리실간에 돌아다니도록 반송하면서 일련의 전술한 바와 같은 처리를 행하도록 하고 있다.
도11 은 전술한 바와 같은 종래의 처리 시스템의 일 예를 나타내는 개략 구성도이다. 도시하는 바와 같이, 이 처리 시스템(2)은, 예를 들면 진공 흡인이 가능하게 이루어진 공통 반송실(4)에 각각 게이트 밸브(G)를 통하여 복수, 여기에서는 4개의 처리실(6A∼6D)을 연결하여 구성된다. 각 처리실(6A∼6D) 내에는, 그 상면에 웨이퍼를 올려놓는 재치대(載置臺; 8A∼8D)가 형성된다.
또한, 이 공통 반송실(4)에는, 게이트 밸브(G)를 통하여, 로드락실(load- lock chamber; 10A, 10B)이 연결됨과 아울러, 이 로드락실(10A, 10B)의 반대측은, 게이트 밸브(G)를 통하여 로더실(12)에 연결되어 있다. 상기 로더실(12)의 일 측면에는, 카세트 등의 용기에 수용한 미처리의 웨이퍼를 설치하기 위한 로드 포트(14)가 형성된다. 그리고, 상기 로더실(12)이나 공통 반송실(4) 내에는, 선회(旋回) 및 신장과 굴절 가능하게 이루어진 다관절 아암(arm)으로 이루어지는 반송 기구(16, 18)가 형성되어 있고, 이 반송 기구(16, 18)로 웨이퍼(W)를 지지하여 반송하도록 되어 있다.
이 경우, 웨이퍼(W)를 반송 기구(16, 18)로 지지하여 반송할 때에는, 반송 도중의 웨이퍼가 다른 부재와 간섭하거나 충돌하거나 하는 것을 방지하기 위해, 이 웨이퍼(W)를 반송 기구(16, 18)의 선단의 픽크(16A, 18A) 상의 적정한 위치에 정밀도 좋게, 게다가 위치 어긋남 없이 지지시키지 않으면 안 된다. 그 때문에, 종래의 처리 시스템에 있어서는, 예를 들면 도11 에 나타내는 바와 같이, 상기 공통 반송실 내에 고정적으로 복수의 위치 어긋남 검출 센서(20)를 형성하여, 반송 기구에 지지된 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 검출하도록 하고 있다(특허 문헌 1∼4).
특허 문헌 1 : 일본공개특허공보 평10-223732호
특허 문헌 2 : 일본공개특허공보 평10-247681호
특허 문헌 3 : 일본공개특허공보 2002-43394호
특허 문헌 4 : 일본공개특허공보 2004-140147호
(발명이 해결하고자 하는 과제)
그런데, 전술한 바와 같은 위치 어긋남 검출 센서(20)에 있어서는, 공통 반송실 내에 고정적으로 형성해 두는 점에서, 이 위치 어긋남 출력 센서(20)가 웨이퍼(W)의 반송 경로 상에 위치하고 있지 않은 경우에는, 웨이퍼의 반송 경로를 일부러 우회시켜 위치 어긋남 검출 센서(20) 상을 지나게 하여 위치 어긋남의 검출을 행하지 않으면 안 되기 때문에, 그만큼, 웨이퍼(W)의 반송 경로가 길어져 스루풋(throughput)을 저하시키는 원인이 되고 있었다. 또한, 스루풋의 저하를 방지하기 위해, 모든 반송 조작에서 위치 어긋남 검출 센서(20)에 의해 위치 어긋남 검출을 하는 것이 아니라, 가끔의 반송 조작시밖에 위치 어긋남 검출을 행하지 않도록 하는 경우도 있는데, 이 경우에는, 위치 어긋남 검출을 행하지 않는 반송 조작시에 큰 위치 어긋남이 발생했을 때에는 웨이퍼의 충돌이 생기는 경우가 있어, 신뢰성이 결여되는 점이 있었다.
또한, 상기 모든 처리실 앞에 위치 어긋남 검출 센서(20)를 형성하여 처리실로부터 웨이퍼를 반출할 때에 항상 위치 어긋남을 검출하는 일도 행해지지만, 이 구성의 경우에는, 위치 어긋남 검출 센서(20)를 복수개 형성하지 않으면 안 되며, 그만큼, 비용 상승을 초래한다는 문제가 있었다.
나아가, 상기 로더실(12)의 반송 기구(16)에 대해서는, 로더실(12) 내에 여유 스페이스가 충분히 존재하지 않는 점에서, 위치 어긋남 검출 센서(20)를 형성할 수 없다는 문제도 있었다.
본 발명은, 이상과 같은 문제점에 착안하여, 이를 유효하게 해결하기 위해 창안된 것이다. 본 발명의 목적은, 서로 직렬로 접속된 일부의 아암(arm)부에 에지(edge) 검출 수단을 형성함으로써, 간단한 구조로 스루풋을 저하시키는 일 없이 간이하게 피처리체의 위치 어긋남을 검출하는 것이 가능한 위치 어긋남 검출 장치 및 이를 이용한 처리 시스템을 제공하는 것에 있다.
(과제를 해결하기 위한 수단)
청구항 1에 따른 발명은, 복수의 아암부를 서로 선회 가능하게 직렬로 접속함과 아울러, 최선단의 아암부에 피처리체를 지지시켜 상기 피처리체를 반송하도록 한 반송 기구에 형성한 피처리체의 위치 어긋남 검출 장치에 있어서, 상기 복수의 아암부 중의 상기 최선단의 아암부 이외의 아암부에 형성되어, 적어도 상기 최선단의 아암부에 지지된 상기 피처리체의 에지(edge)를 검출하기 위한 에지 검출 수단과, 상기 에지 검출 수단의 검출치에 기초하여 상기 피처리체의 위치 어긋남을 구하는 위치 어긋남 검출부를 구비하도록 구성한 것을 특징으로 하는 위치 어긋남 검출 장치이다.
이와 같이, 서로 직렬로 접속된 일부의 아암부에 에지 검출 수단을 형성함으로써, 간단한 구조로 스루풋을 저하시키는 일 없이 간단하고 용이하게 피처리체의 위치 어긋남을 검출할 수 있다.
이 경우, 예를 들면 청구항 2에 기재된 바와 같이, 상기 에지 검출 수단은, 서로 떨어뜨려 형성한 2이상의 광전 센서로 이루어진다.
또한, 예를 들면 청구항 3에 기재된 바와 같이, 상기 광전 센서는, 상기 에지 검출 수단을 형성한 상기 아암부에서 연재(extend)된 센서 부착봉에 형성한 제1 광소자와, 상기 에지 검출 수단을 형성한 상기 아암부의 본체에 형성됨과 아울러, 상기 제1 광소자에 대응하는 제2 광소자로 이루어진다.
또한, 예를 들면 청구항 4에 기재된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 광소자 중, 어느 한쪽은 발광 소자이며, 다른 한쪽은 수광 소자이다.
또한, 예를 들면 청구항 5에 기재된 바와 같이, 상기 광전 센서는, 상기 에지 검출 수단을 형성한 상기 아암부에서 연재된 센서 부착봉에 형성된 송수광(送受光) 소자로 이루어진다.
또한, 예를 들면 청구항 6에 기재된 바와 같이, 상기 센서 부착봉은, 상기 에지 검출 수단을 형성한 상기 아암부의 길이 방향의 중심축을 따라 평행하게 형성된다.
또한, 예를 들면 청구항 7에 기재된 바와 같이, 상기 최선단의 아암부는, 1 또는 서로 개별로 선회 가능하게 이루어진 복수의 픽크로 이루어진다.
또한, 예를 들면 청구항 8에 기재된 바와 같이, 상기 위치 어긋남 검출부는, 상기 구한 위치 어긋남량이 허용량보다 클 때에는 상기 반송 기구의 동작을 제어하도록 이루어져 있다.
또한, 예를 들면 청구항 9에 기재된 바와 같이, 상기 위치 어긋남 검출부는, 상기 구한 위치 어긋남량을 보상하도록 상기 반송 기구의 동작을 정지시키도록 이루어져 있다.
또한, 예를 들면 청구항 10에 기재된 바와 같이, 상기 에지 검출 수단을 형성한 상기 아암부는, 상기 최선단의 아암부의 바로 앞의 단(段)의 아암부이다.
또한, 예를 들면 청구항 11에 기재된 바와 같이, 상기 에지 검출 수단은, 상기 최선단의 아암부의 어긋남량을 검출한다.
청구항 12에 따른 발명은, 피처리체에 대하여 소정의 처리를 행하는 복수의 처리실과, 상기 복수의 처리실에 공통으로 연결되는 공통 반송실과, 상기 공통 반송실 내에 형성되어 상기 피처리체를 반송하는 제1 반송 기구와, 상기 공통 반송실에 로드락실을 통하여 연결되는 피처리체 도입실과, 상기 피처리체 도입실에 형성되어 처리해야 할 상기 피처리체를 설치하기 위한 도입 포트와, 상기 피처리체 도입실 내에 형성되어 상기 피처리체를 반송하는 제2 반송 기구를 갖는 처리 시스템에 있어서, 상기 제1 및/또는 제2 반송 기구에는, 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 기재된 위치 어긋남 검출 장치가 형성되는 것을 특징으로 하는 처리 시스템이다.
(발명의 효과)
본 발명에 따른 위치 어긋남 검출 장치 및 이를 이용한 처리 시스템에 의하면, 다음과 같이 우수한 작용 효과를 발휘할 수 있다.
서로 직렬로 접속된 일부의 아암부에 에지 검출 수단을 형성함으로써, 간단한 구조로 스루풋을 저하시키는 일 없이 간단하고 용이하게 피처리체의 위치 어긋남을 검출할 수 있다.
도1 은 본 발명에 따른 위치 어긋남 검출 장치를 갖는 처리 시스템의 일 예를 나타내는 개략 구성도이다.
도2 는 본 발명에서 이용하는 반송 기구를 나타내는 개략 평면도이다.
도3 은 위치 어긋남 검출 장치를 설치한 반송 기구의 일 예를 나타내는 사시도이다.
도4 는 접은 상태의 반송 기구를 나타내는 측면도이다.
도5 는 반송 기구를 접을 때에 에지 검출 수단의 빛을 차단할 때의 동작을 나타내는 평면도이다.
도6 은 반송 기구를 접을 때에 에지 검출 수단의 빛을 차단할 때의 동작을 나타내는 평면도이다.
도7 은 픽크에 지지되어 있는 반도체 웨이퍼의 위치 어긋남을 검출하기 위한 동작을 나타내는 플로우 차트이다.
도8 은 반도체 웨이퍼가 위치 어긋남 없이 적정한 위치에 지지되어 있을 때의 상태를 나타내는 도면이다.
도9 는 반도체 웨이퍼가 위치 어긋남되어 지지되어 있을 때의 일 예를 나타내는 도면이다.
도10 은 반송 기구의 변형예를 나타내는 도면이다.
도11 은 종래의 처리 시스템의 일 예를 나타내는 개략 구성도이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
M0 : 재치 중심 위치
W0 : 웨이퍼 중심 위치
W : 반도체 웨이퍼(피처리체)
22 : 처리 시스템
24A∼24D : 처리실
26 : 공통 반송실
28A, 28B : 로드락실
30 : 피처리체 도입실
34 : 제1 반송 기구
40 : 도입 포트
48 : 제2 반송 기구
54 : 시스템 제어부
60 : 제1 아암부
62 : 제2 아암부
64 : 제3 아암부
64A, 64B : 픽크(pick)
66 : 위치 어긋남 검출 장치
68 : 에지 검출 수단
70 : 위치 어긋남 검출부
72, 74 : 광전 센서
72A, 74A : 제1 광소자
72B, 72B : 제2 광소자
76 : 센서 부착봉
(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)
이하에, 본 발명에 따른 위치 어긋남 검출 장치 및 처리 시스템의 일 실시예를 첨부 도면에 기초하여 상술한다.
도1 은 본 발명에 따른 위치 어긋남 검출 장치를 갖는 처리 시스템의 일 예를 나타내는 개략 구성도이며, 도2 는 본 발명에서 이용하는 반송 기구의 개략 평면도이며, 도3 은 위치 어긋남 검출 장치를 설치한 반송 기구의 일 예를 나타내는 사시도이며, 도4 는 접은 상태의 반송 기구를 나타내는 측면도이며, 도5 및 도6 은 반송 기구를 접을 때에 에지 검출 수단의 빛을 차단할 때의 동작을 나타내는 평면도이다.
우선, 상기 처리 시스템에 대하여 설명한다.
도1 에 나타내는 바와 같이, 이 처리 시스템(22)은, 복수, 예를 들면 4개의 처리실(24A, 24B, 24C, 24D)과, 대략 오각형 형상의 진공 흡인이 가능하게 이루어진 공통 반송실(26)과, 로드락 기구를 갖는 진공 흡인 및 대기압 복귀의 반복이 가능하게 이루어진 제1 및 제2 로드락실(28A, 28B)과, 가늘고 긴 피처리체 도입실(30)을 주로 갖고 있다.
구체적으로는, 대략 오각형 형상의 상기 공통 반송실(26)의 4변에 상기 각 처리실(24A∼24D)이 접합되고, 다른 변에, 상기 제1 및 제2 로드락실(28A, 28B)이 각각 접합된다. 그리고, 이 제1 및 제2 로드락실(28A, 28B)의 타단측에, 상기 피처리체 도입실(30)이 공통으로 접속된다. 또한, 상기 공통 반송실(26)의 형상이나 이에 접속되는 처리실의 대(臺)수는, 특히 한정되는 것이 아니다.
상기 공통 반송실(26)과 상기 4개의 각 처리실(24A∼24D)과의 사이 및, 상기 공통 반송실(26)과 상기 제1 및 제2 로드락실(28A, 28B)과의 사이는, 각각 기밀하게 개폐 가능하게 이루어진 게이트 밸브(G)가 각각 개재(interpose)하여 접합되고, 클러스터 툴화되어 있어, 필요에 따라 공통 반송실(26) 내와 연이어 통함이 가능하게 이루어져 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 각 로드락실(28A, 28B)과 상기 피처리체 도입실(30)과의 사이에도, 각각 기밀하게 개폐 가능하게 이루어진 게이트 밸브(G)가 개재되어 있다.
상기 4개의 처리실(24A∼24D) 내에는, 각각 피처리체로서의 반도체 웨이퍼를 올려놓는 서셉터(32A∼32D)가 형성되어 있어, 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 여러 가지의 처리를 행하도록 되어 있다. 그리고, 이 공통 반송실(26) 내에 있어서는, 상기 2개의 각 로드락실(28A, 28B) 및 4개의 각 처리실(24A∼24D)에 액세스할 수 있는 위치에, 신장과 굴절 및 선회 가능하게 이루어진 제1 반송 기구(34)가 형성되어 있어, 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 되어 있다. 여기에서는, 한번에 2장의 웨이퍼를 취급할 수 있도록 되어 있다. 또한, 상기 제1 반송 기구(34)의 구성에 대해서는 후술한다.
상기 피처리체 도입실(30)은, 가로로 긴 상자체에 의해 형성되어 있고, 이 가로로 긴 일측에는, 피처리체인 반도체 웨이퍼를 도입하기 위한 1개 내지 복수의, 도시 예에서는 3개의 반입구(36)가 형성되고, 각 반입구(36)에는, 개폐 가능하게 이루어진 개폐 도어(38)가 형성된다. 또한, 이 피처리체 도입실(30) 내는, N2 등의 불활성 가스나 청정한 공기에 의해 채워져 있다. 그리고, 이 각 반입구(36)에 대응시켜, 도입 포트(40)가 각각 형성되고, 여기에 각각 1개씩, 예를 들면 카세트 용기(42)를 올려놓을 수 있도록 되어 있다. 각 카세트 용기(42)에는, 미처리, 혹은 처리가 끝난 복수매, 예를 들면 25매의 기판(W)을 등(等) 피치(pitch)로 다단(多段)으로 올려놓아 수용할 수 있도록 되어 있다. 또한, 카세트 용기(42)는, 밀폐 용기 형상으로 이루어져 있어도 좋고, 단순히 선반 형상으로 이루어진 용기를 이용해도 좋다.
또한, 피처리체 도입실(30) 내의 일 측에는, 웨이퍼의 위치 맞춤을 행하는 오리엔터(orientor; 44)가 형성되고, 이 오리엔터(44)는, 웨이퍼(W)를 올려놓아 회전하는 회전대(44A)와, 라인 센서로 이루어지는 광학 센서(44B)를 갖고 있고, 웨이퍼(W)의 주연부(에지)를 검출하여 웨이퍼(W)의 중심의 위치 어긋남량을 검출할 수 있도록 되어 있다.
또한 피처리체 도입실(30) 내의 타측에는, 이 내부에 취입한 미처리의 웨이퍼나 처리가 끝난 웨이퍼를 일시적으로 보관하기 위한 보관 선반(46)이 형성되어 있어, 웨이퍼(W)를 예를 들면 50매 정도 보관할 수 있도록 되어 있다. 그리고, 이 피처리체 도입실(30) 내의 길이 방향의 대략 중앙부의 측벽에는, 상기 각 로드락실(28A, 28B), 각 도입 포트(40), 오리엔터(44) 및, 보관 선반(46)으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송하기 위해 굴신 및 선회 가능하게 이루어진 제2 반송 기구(48)가 형성된다. 이 제2 반송 기구(48)의 베이스(50)는, 상하 방향을 따른 안내 레일(52)에 슬라이드 가능하게 형성되어 있어, 이 제2 반송 기구(48)의 전체를 승강 (昇降) 이동할 수 있도록 하고 있다.
그리고, 상기 각 처리실(24A∼24D)에 있어서의 처리나, 상기 제1 및 제2 반송 기구(34, 48) 등의 동작도 포함하는 이 처리 시스템(22)의 전체의 동작은, 예를 들면 컴퓨터 등으로 이루어지는 제어부(54)에 의해 제어되게 된다.
<반송 기구의 구성>
다음으로, 상기 제1 및 제2 반송 기구(34, 48) 및 이에 형성되는 위치 어긋남 검출 장치의 구성에 대하여 설명한다. 상기 제1 및 제2 반송 기구(34, 48) 및 이들에 형성되는 위치 어긋남 검출 장치는 완전히 동일하게 구성되어 있기 때문에, 여기에서는 제2 반송 기구(48)를 예로 들어 설명하고, 제1 반송 기구(34)에 대해서는 동일 참조 부호를 붙여, 그 설명을 생략한다.
도2 내지 도6 에 나타내는 바와 같이, 이 제2 반송 기구(48)는, 제1 반송 기구(34)와 동일하게 구성되어 있고, 복수의 아암부를 서로 선회 가능하게 직렬로 접속함과 아울러, 최선단의 아암부에 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)를 지지시켜, 이를 반송할 수 있도록 되어 있다. 구체적으로, 여기에서, 상기 반송 장치(48)는, 제1단의 제1 아암부(60)와, 제2단의 제2 아암부(62)와, 제3단의 제3 아암부(64)의 3단의 아암부에 의해 구성되어 있다. 상기 제1 아암부(60)의 기단부(基端部)는, 베이스(50)측으로 회전 가능하게 지지되고, 이 제1 아암부(60)의 선단부에는, 상기 제2 아암부(62)의 기단부가 회전 가능하게 지지된다.
그리고, 이 제2 아암부(62)의 선단부에, 상기 제3 아암부(64)의 기단부가 회전 가능하게 지지된다. 여기에서 제3 아암부(64)는, 최선단의 아암부로 이루어지 고, 여기에서 제3 아암부(64)는, 선단이 두 갈래 형상으로 이루어져 서로 개별로 선회 가능하게 이루어진 복수, 도시 예에서는 2개의 픽크(pick; 64A, 64B)를 상하 2단으로 배치하여 구성되어 있고, 이 픽크(64A, 64B) 상에 웨이퍼(W)를 올려놓은 상태로 반송하도록 되어 있다. 또한, 이 픽크를 1개만, 혹은 3이상 형성하도록 해도 좋다.
따라서, 이 반송 기구(48)는 각 아암부(60, 62, 64)의 지지축을 중심으로 하여 각각의 아암부(60, 62, 64)가 선회함으로써 임의의 방향을 향하여 신장과 굴절이 자유롭게 이루어져 있다. 또한 이 반송 기구(48) 내에는, 주지한 바와 같이 내부에 벨트나 톱니바퀴 등이 편입되어 있고, 이들을 정역(正逆) 방향으로 회전시킴으로써, 상기 반송 기구(48)의 선회나 신장과 굴절 등의 구동을 행하도록 되어 있다.
그리고, 이와 같이 구성된 반송 기구(48)에 본 발명에 따른 피처리체의 위치 어긋남 검출 장치(66)가 형성되어 있다. 이 위치 어긋남 검출 장치(66)는, 최선단의 아암부 이외의 아암부에 형성되어 있고, 이 위치 어긋남 검출 장치(66)는 적어도 최선단의 아암부, 즉 여기에서는 제3 아암부(64)에 지지된 웨이퍼(W)의 에지를 검출하기 위한 에지 검출 수단(68)과, 이 에지 검출 수단(68)의 검출치에 기초하여 상기 웨이퍼의 위치 어긋남을 구하는 위치 어긋남 검출부(70)에 의해 주로 구성되어 있다. 이 위치 어긋남 검출부(70)의 검출 결과는, 시스템 제어부(54)(도1 참조)로 입력됨으로써, 이 시스템 제어부(54)는, 이에 형성되는 경보 수단(71)을 필요에 따라 기동하도록 되어 있다.
구체적으로는, 여기에서 상기 에지 검출 수단(68)은, 상기 제3 아암부(64)의 바로 앞의 단인 제2 아암부(62)에 형성되어 있고, 서로 소정의 간격만큼 떨어뜨려 배치한 2개의 광전 센서(72, 74)에 의해 구성되어 있다. 또한, 이 광전 센서를 3개 이상 형성하도록 해도 좋다.
도4 에도 나타내는 바와 같이, 이 광전 센서(72, 74)를 부착하기 위해, 상기 제2 아암부(62)의 기단부측에는, 이곳부터 팔을 펴도록 하여 수평 방향으로 연재시켜 부착된 센서 부착봉(76)이 형성되어 있다. 이 센서 부착봉(76)은, 상기 제2 아암부(62)의 길이 방향의 중심축(78)(도5 참조)을 따라 형성됨과 아울러, 웨이퍼(W)를 지지한 제3 아암부(64)가 선회할 때에 이것과 간섭하지 않도록 이 센서 부착봉(76)은 상기 제2 아암부(62)의 본체보다도 소정의 폭만큼 상방으로 떨어뜨려 배치되어 있다.
그리고, 이 센서 부착봉(76)에, 상기 광전 센서(72, 74)의 일부를 형성하는 제1 광소자(72A, 74A)가 소정의 간격을 두어 각각 설치되어 있다. 또한, 상기 제2 아암부(62)의 본체측에는, 상기 각 제1 광소자(72A, 74A)에 각각 대향하는 곳에 위치시켜 제2 광소자(72B, 74B)가 각각 설치되어 있다. 여기서 상기 제1 광소자(72A, 74A)로서는, 예를 들면 발광 다이오드 소자나 레이저 소자와 같은 발광 소자가 이용되고, 제2 광소자(72B, 74B)로서는 예를 들면 수광 소자가 이용되어, 상기 발광 소자로부터 출력되는 광원(L1, L2)(도4 참조)을 차단했을 때에 웨이퍼(W)의 에지의 통과를 검출할 수 있도록 되어 있다.
또한, 상기 발광 소자와 수광 소자의 부착 위치를 역으로 하여, 제1 광소 자(72A, 74A)로서 수광 소자를 이용하고, 제2 광소자(72B, 74B)로서 발광 소자를 이용해도 좋고, 어쨌든 광선(L1, L2)의 차단을 검출할 수 있다면 어떻게 구성해도 좋다.
도5 는 제3 아암부(64)의 한쪽의 픽크(64A)에 지지한 웨이퍼(W)의 에지가 2개의 광전 센서(72, 74)의 부분에서 동시에 광선을 차단했을 때의 상태를 나타내고, 도6 은 도5 에 나타내는 상태로부터 도5 중의 화살표(80) 방향으로 픽크(64A)가 추가로 선회한 상태를 나타내고 있다. 여기서 각 아암부(60, 62, 64)의 선회 각도는, 당연한 것으로서 시스템 제어부(54)측에서 제어되고, 또한, 제3 아암부(64)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 위치 어긋남은, 제3 아암부(64)의 선회시에 이 시스템 제어부(54)에 의해 항상 감시하도록 되어 있다.
구체적으로, 도5 에서는 상단의 픽크(64A)의 재치 중심 위치(M0)와 웨이퍼(W)의 중심 위치(W0)가 일치되어 웨이퍼(W)가 위치 어긋남 없이 픽크(64A)에 지지되어 있는 상태를 나타내고, 또한 2개의 광전 센서(72, 74)가 동시에 광선의 차단을 검출했을 때의 상황을 나타내고 있다. 또한, 여기에서는 이해를 용이하게 하기 위해, 웨이퍼(W)가 적정 위치에 올려놓여졌을 때에 2개의 광전 센서(72, 74)가 동시에 광선을 차단한 경우를 예로 들어 설명하지만, 이들의 2개의 광전 센서(72, 74)가 다른 타이밍으로 광선을 차단하도록 해도 좋은 것은 물론이다.
도5 에 나타내는 바와 같은 상태에 있어서, 제3 아암부(64)의 선회 중심(82)을 원점(0,0)으로 함과 아울러, 제2 아암부(62)의 중심축(78)을 X축으로 한다. 그리고, 픽크(64A)의 길이 방향에 있어서의 중심축(84)과 상기 제2 아암부(62)의 중 심축(78)인 X축이 이루는 각도(θ0)를 기준 각도로 한다. 그리고, 이때의 재치 중심 위치(M0)를 기준 극좌표(r0, θ0)로서 미리 시스템 제어부(54)측에 기억되게 된다. 또한, 웨이퍼(W)의 직경, 픽크(64A)의 선회 중심(82)과 재치 중심 위치(M0)와의 사이의 거리(r0), 상기 선회 중심(82)과 양 광전 센서(72, 74)와의 사이의 각 거리 등도 미리 상기 시스템 제어부(54)에 기억되어 있다.
또한 다른 한쪽의 픽크(64B)에 관한 수치도, 상기 픽크(64A)와 동일하게 상기 시스템 제어부(54)에 미리 기억되어 있다. 또한, 이 경우, 양 픽크(64A, 64B)에 관한 상기 각 수치는 완전히 동일하며, 또한 상기 제2 반송 기구(48)에 관한 극좌표의 설명은, 제1 반송 기구(34)에 대해서도 동일하게 적용되어 있다.
다음으로, 이상과 같이 구성된 처리 시스템(22)에 있어서의 반도체 웨이퍼(W)의 움직임에 대하여 설명한다.
우선, 피처리체 도입실(30)의 어느 하나의 도입 포트(40)에는, 앞으로 처리해야 할 미처리의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트 용기(42)가 설치되어 있고, 혹은 미처리의 웨이퍼(W)는 이미 피처리체 도입실(30) 내에 취입되어 보관 선반(46)에 보관되어 있거나 한다.
그리고, 웨이퍼(W)를 반송하려면, 상기 피처리체 도입실(30) 내에 형성된 제2 반송 기구(48)가 상기 도입 포트(40)나 보관 선반(46)에 액세스하여, 이 제3 아암부(64)의 한쪽의 픽크, 예를 들면 픽크(64A)로 미처리의 웨이퍼(W)를 지지한다. 이 지지된 웨이퍼(W)는, 제2 반송 기구(48)에 의해 오리엔터(44)까지 반송되고, 여기서 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 오리엔테이션(orientation) 플랫이나 노치의 위치 방향이나 위치 어긋남이 검출되어 위치 결정을 행한다. 또한, 오리엔터(44)에 이미 웨이퍼(W)가 설치되어 위치 결정이 이루어져 웨이퍼(W)가 존재하는 경우에는, 다른 한쪽의 빈 상태의 픽크(64B)로 이 위치 결정이 끝난 웨이퍼(W)를 집어 올리고, 다른 한쪽의 픽크(64A)에 지지하고 있었던 웨이퍼(W)를 오리엔터(44)로 위치 결정을 위해 설치하게 된다.
이 오리엔터(44)에서 위치 결정된 웨이퍼(W)는, 다음으로, 제2 반송 기구(48)에 의해 제1 및 제2 로드락실(28A, 28B) 중 어느 한쪽의 로드락실 내로 수용되어, 여기에 올려놓여진다.
다음으로, 이 웨이퍼(W)가 수용된 로드락실 내는 밀폐된 후에 진공 흡인되고, 게이트 밸브(G)를 열어 이 로드락실을, 이미 진공 상태로 이루어져 있는 공통 반송실(26) 내와 연이어 통하게 한다.
다음으로, 이 공통 반송실(26) 내의 제1 반송 기구(34)를 이용하여 상기 연통한 로드락실 내에 액세스하여, 이 로드락실 내에 수용되어 있는 미처리의 웨이퍼(W)를 2개의 픽크(64A, 64B) 중 어느 한쪽의 픽크로 집어 올리고, 이 웨이퍼에 대상이 되는 처리를 행하기 위해, 4개의 처리실(24A∼24D) 중 어느 하나의 처리실, 예를 들면 처리실(24A) 내로 반송하고, 이 중의 서셉터 상에 웨이퍼(W)를 이동하여 올린다. 그리고, 게이트 밸브(G)를 닫음으로써 이 처리실(24A)을 밀폐한 후에 소정의 처리를 웨이퍼(W)에 대하여 행하게 된다.
그리고, 이 웨이퍼(W)는, 추가로 다른 처리실(24B∼24D)에서 처리를 행하는 경우에는, 그것에 대응하는 처리실을 향하여 순차로 돌아다니도록 제1 반송 기 구(34)를 이용하여 반송되어 가고, 그때마다, 대응하는 처리실에서 소정의 처리가 행해지게 된다.
그리고, 전술한 바와 같이 웨이퍼(W)에 대하여 행해야 할 일련의 처리가 완료되었다면, 이 처리가 끝난 웨이퍼(W)는 제1 반송 수단(34)에 의해 2개의 로드락실(28A, 28B) 중의 어느 한쪽의 로드락실 내로 반입된다. 그리고, 이 로드락실이 대기압 복귀된 후에 제2 반송 기구(48)를 이용하여 피처리체 도입실(30)측으로 반출함과 아울러, 이 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 보관 선반(46)으로 일시 보관하거나, 혹은 도입 포트(40)에 올려놓여져 있는 카세트 용기(42) 내로 되돌리게 되어, 이에 따라 일련의 반송이 완료하게 된다.
그런데, 이와 같이 하여 웨이퍼(W)를 제1 및 제2 반송 기구(34, 48)로 반송할 때에는, 다른 부재와의 간섭을 피하기 위해, 각 반송 기구(34, 48)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 접어져, 그리고 이 상태로 전체의 선회 동작 등이 행해지는데, 이때, 웨이퍼(W)가 제3 아암부(64) 상의 적정한 위치에 위치 어긋남 없이 지지되어 있는지 아닌지, 즉 위치 어긋남의 검출이 행해진다.
이 경우, 도5 및 도6 에 나타내는 바와 같이, 제3 아암부(64)의, 예를 들면 픽크(64A)가 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 이 제3 아암부(64)가 접혀지면, 이 접기 도중에서, 웨이퍼(W)의 에지(주변부)가 2개의 광전 센서(72, 74)에 있어서의 각 광선(L1, L2)(도4 참조)을 차단하기 때문에, 이 차단했을 때의 각 타이밍, 구체적으로는 제3 아암부(64(픽크(64A))의 선회 각도를 검출함으로써, 웨이퍼(W)가 위치 어긋남 없이 픽크(64A) 상에 올려놓여져 있는지 아닌지를 판단할 수 있다.
이상의 동작에 대하여 보다 상세하게 설명한다. 도7 은 픽크에 지지되어 있는 반도체 웨이퍼의 위치 어긋남을 검출하기 위한 동작을 나타내는 플로우 차트이며, 도8 은 반도체 웨이퍼가 위치 어긋남 없이 적정한 위치에 지지되어 있을 때의 상태를 나타내는 도면이며, 도9 는 반도체 웨이퍼가 위치 어긋남되어 지지되어 있을 때의 일 예를 나타내는 도면이다. 또한, 상기 도7∼도9 에 나타내는 내용은, 제1 및 제2 반송 기구(34, 48)에 있어서 공통으로 적용된다.
우선, 도7 에 나타내는 플로우 차트에 기초하여 위치 어긋남 검출시의 흐름에 대하여 설명하면, 반송 기구(34, 48)의 제3 아암부(64)의 예를 들면 픽크(64A)로 웨이퍼(W)를 지지하면(S1), 이 제3 아암부(64)를 접기 방향으로 선회한다(S2). 이때, 도5 및 도6 에서 나타낸 바와 같이, 양 광전 센서(72, 74)에서 발생하는 각 광선(L1, L2)(도4 참조)을 웨이퍼(W)의 에지가 각각 차단하기 때문에, 그 차단했을 때의 상기 제3 아암부(64)의 픽크(64A)의 선회 각도를 각각 검출하여 기억한다(S3). 이 기억은 예를 들면 위치 어긋남 검출부(70)에 있어서의 도시하지 않은 메모리로 행한다.
그리고, 이 위치 어긋남 검출부(70)는, 상기 선회 각도의 검출치에 기초하여, 픽크(64A)의 선회 각도가 "θ0"일 때의 웨이퍼(W)의 중심 위치(재치 위치)의 극좌표(r10, θ10)를 구한다(도6 참조). 그리고, 이 극좌표(r10, θ10)와 픽크(64A) 상에 위치 어긋남 없이 적정하게 지지되어 있을 때의 웨이퍼(W)의 중심 위치인 재치 중심 위치의 기준 극좌표(r0, θ0)와의 사이의 차, 즉 위치 어긋남량을 구하게 된다(S4). 또한, 상기 기준 극좌표(r0, θ0)는 미리 상기 위치 어긋남 검 출부(70)에 기억되어 있다.
그리고, 여기에서 구해진 위치 어긋남량이, 예를 들면 시스템 제어부(54)로 보내지고, 이 시스템 제어부(54)에서는, 이 위치 어긋남량이 이미 정해져 기억된 허용량 이내에 들어가 있는지 아닌지가 판단되고(S5), YES의 경우, 즉 위치 어긋남량이 허용량 이내인 경우에는, 웨이퍼(W)가 다른 부재와 간섭할 우려가 없기 때문에, 당해 반송 기구의 동작을 속행하여 이 웨이퍼(W)를 목적으로 하는 장소로 반송하여 이동하여 올리게 된다(S6).
이에 대하여, 상기 스텝 S5에 있어서, NO의 경우, 즉 위치 어긋남량이 허용치보다도 큰 경우에는, 그대로 반송을 속행하면 웨이퍼(W)가 다른 부재와 간섭할 우려나 수율 저하의 원인이 되기 때문에, 당해 반송 기구의 동작을 정지하고(S7), 경보 수단(71)(도1 참조)을 동작하여 오퍼레이터에 대하여 경보를 발하고, 그 취지를 알리게 된다(S8). 또한, 상기 스텝 S5, S7, S8 등의 동작을 위치 어긋남 검출부(70)에서 행하도록 해도 좋다. 또한, 상기 스텝 S4에 있어서 위치 어긋남량을 구했다면, 다음으로 이 위치 어긋남량을 보상하도록, 즉 위치 어긋남량을 상쇄하도록 이 반송 기구를 수정 동작시켜 웨이퍼를 목적 장소로 반송하도록 해도 좋다.
여기서 스텝 S3 및 S4에 있어서의 위치 어긋남량을 구하기까지의 과정의 일 예를, 도8 및 도9 를 참조하여 설명한다. 도8 은 도5 에 나타내는 도면을 개략적으로 나타내고 있고, 도9 는 웨이퍼(W)가 픽크 상에 위치 어긋남 상태로 지지되어 있을 때의 상태를 나타내고 있다. 전술한 바와 같이, 웨이퍼 중심(W0)과 픽크(64A)(도5 참조)의 재치 중심 위치(M0)가 일치하여 웨이퍼(W)가 위치 어긋남 없 이 지지되어 있을 때에는, 제2 아암부(62)(도5 참조)의 중심축(78)을 따라 위치하는 양 광전 센서(72, 74)는 동시에 웨이퍼(W)의 에지를 검출한다. 여기에서 픽크(64A)의 선회 중심(82)의 극좌표는 원점(0,0)을 나타내고, 기준 극좌표는 (r0, θ0)을 나타낸다.
다음으로, 도9 에 나타내는 바와 같이, 픽크(64A)에 대하여 웨이퍼(W)가 위치 어긋남되어 지지되어 있는 경우에는, 예를 들면 도9(A) 및 도9(B) 에 나타내는 바와 같이, 다른 타이밍(선회 각도)으로 각 광전 센서(72, 74)의 광선을 각각 차단한다. 예를 들면 도9(A) 에 나타내는 바와 같이, 픽크(64A)의 중심축(84)의 선회 각도가 "θ1"일 때에 한쪽의 광전 센서(74)의 광선을 차단하고 있고, 또한 도9(B) 에 나타내는 바와 같이 픽크(64A)의 중심축(84)의 선회 각도가 "θ2"일 때에 다른 한쪽의 광전 센서(72)의 광선을 차단하고 있다.
그런데, 이와 같은 상황에 있어서, 상기 도9(A) 의 경우에는, 광선이 차단된 광전 센서(74)를 중심으로 하여 웨이퍼(W)의 반경에 상당하는 반경(R)의 크기의 원(90A)을 그리고, 도9(B) 의 경우에는, 광선이 차단된 광전 센서(72)를 중심으로 하여 동일하게 반경(R)의 크기의 원(90B)을 그린다. 이 경우, 상기 원(90A, 90B)의 원주 상에 웨이퍼(W)의 중심(W0)이 위치하게 된다. 그리고, 도9(A) 의 상기 원(90A)에 관해서는, 이 원(90A)을 "θ1"이 "θ0"이 되도록 선회 이동시킨다. 즉, 원(90A)을 "θ0―θ1"의 각도만큼 반시계 회전 방향으로 선회시켜 원(90A1)을 만든다.
마찬가지로 도9(B) 의 상기 원(90B)에 관해서는, 이 원(90B)을 "θ2"가 "θ 0"이 되도록 선회 이동시킨다. 즉 원(90B)을 "θ0―θ2"의 각도만큼 반시계 회전 방향으로 선회시켜 원(90B1)을 만든다. 그리고, 상기 2개의 원(90A1 및 90B1)의 교점이 2개 존재하고, 이 중의 픽크로부터 크게 벗어나 이론상 있을 수 없는 한쪽의 교점을 무시하고, 다른 한쪽의 교점이, 픽크(64A)의 선회 각도가 "θ0"일 때의 웨이퍼(W)의 중심 위치가 된다. 이때의 웨이퍼(W)의 중심 위치(WO)의 극좌표가 "r10, θ10"으로 된다(도6 참조).
그리고, 웨이퍼(W)가 위치 어긋남된 극좌표(r10, θ10)와 상기 기준 극좌표(r0, θ0)와의 차가 위치 어긋남량으로 된다. 이 위치 어긋남량의 연산은 컴퓨터의 프로그램에 따른 연산으로 용이하게 구할 수 있다. 또한, 상기 연산의 방법은, 단순히 일 예를 나타냄에 지나지 않고, 다른 어떠한 연산 방법을 이용해도 좋다. 이러한 위치 어긋남량의 검출은, 전술한 바와 같이 각 반송 기구(34, 48)의 각 픽크(64A, 64B)마다 행해지게 된다. 이와 같이, 본 발명에 의하면, 서로 직렬로 접속된 일부의 아암부, 예를 들면 제2 아암부(62)에 에지 검출 수단(68)을 형성함으로써, 간단한 구조로 스루풋을 저하시키는 일 없이 간이하게 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 검출할 수 있다.
또한, 상기 실시예에 있어서는, 광전 센서(72, 74)를 포함하는 에지 검출 수단(68)을, 웨이퍼(W)를 지지하는 제3 아암부(64)의 바로 앞의 단의 아암부인 제2 아암부(62)에 형성하도록 했지만, 이에 한정되지 않고, 상기 제3 아암부(64) 이외의 다른 아암부, 여기에서는 제1 아암부(60)에 형성하도록 해도 좋다.
또한, 여기에서 광전 센서(72, 74)는, 제1 및 제2 광전 소자로서 발광 소자 와 수광 소자로 나눈, 소위 투과형의 광전 센서를 이용했지만, 이에 한정되지 않고, 발광 소자와 수광 소자를 일체적으로 조입(incorporate)하여 이루어지는, 소위 반사형의 광전 센서를 이용하도록 해도 좋다. 이 경우에는, 웨이퍼 표면과 제2 아암부(62)의 표면과의 반사율의 차에 의해 웨이퍼 에지의 통과를 검출하게 된다.
또한, 여기에서는 반송 기구로서 도2 에도 나타내는 바와 같이, 3단의 아암부(60, 62, 64)를 직렬로 접속한 경우를 예로 들어 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 2단 또는 도10 에 나타내는 반송 기구의 변형예와 같이 추가로 1단의 아암부(94)를 형성하여 4단, 혹은 그 이상의 단수의 아암부를 접속하도록 해도 좋다.
나아가서, 여기에서는 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 검출하도록 했지만, 예를 들면 웨이퍼를 지지하고 있지 않을 때의 제3 아암부(64)의 픽크(64A, 64B)의 에지가 어느 한쪽의 광선을 차단할 때의 극좌표(기준 극좌표)를 기억해 두면, 시간 경과에 따른 변화 등에 의해 픽크(64A, 64B)의 선회 각도에 어긋남이 생긴 경우에도, 이 선회 어긋남량을 검출할 수 있다. 이 경우에는, 선회 어긋남량의 검출을 위해서는 1개의 광선으로 충분하며, 2개의 광선은 불필요하다. 이러한 픽크(64A, 64B)의 선회 어긋남량의 검출은, 컴퓨터용의 간단한 소프트웨어의 추가만으로 용이하게 행할 수 있다.
또한, 여기에서는 제1 및 제2 반송 기구(34, 48)의 양방에 위치 어긋남 검출 장치를 형성했지만, 이에 한정되지 않고, 어느 한쪽의 반송 기구에만 형성하도록 해도 좋다.
또한, 여기에서는 피처리체로서 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명했지만, 이 에 한정되지 않고, 유리 기판, LCD 기판, 세라믹 기판 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.
본 출원은, 2007년 6월 12일에 일본 특허청에 출원된 특허출원 제2007-155506호에 관련되는 주제를 포함하고, 그들의 내용의 전부를 여기에 원용한다.

Claims (12)

  1. 복수의 아암부를 서로 선회 가능하게 직렬로 접속함과 아울러, 최선단의 아암부에 피(被)처리체를 지지시켜 상기 피처리체를 반송하도록 한 반송 기구에 형성한 피처리체의 위치 어긋남 검출 장치에 있어서,
    상기 복수의 아암부 중의 상기 최선단의 아암부 이외의 아암부에 형성되어, 적어도 상기 최선단의 아암부에 지지된 상기 피처리체의 에지(edge)를 검출하기 위한 에지 검출 수단과,
    상기 에지 검출 수단의 검출치에 기초하여 상기 피처리체의 위치 어긋남을 구하는 위치 어긋남 검출부를 구비하도록 구성한 것을 특징으로 하는 위치 어긋남 검출 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에지 검출 수단은, 서로 떨어뜨려 형성된 2이상의 광전 센서로 이루어지는 것을 특징으로 하는 위치 어긋남 검출 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광전 센서는, 상기 에지 검출 수단을 형성한 상기 아암부에서 연재(extend)된 센서 부착봉에 형성한 제1 광소자와,
    상기 에지 검출 수단을 형성한 상기 아암부의 본체에 형성됨과 아울러, 상기 제1 광소자에 대응하는 제2 광소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 위치 어긋남 검출 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 광소자 중, 어느 한쪽은 발광 소자이며, 다른 한쪽은 수광 소자인 것을 특징으로 하는 위치 어긋남 검출 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 광전 센서는, 상기 에지 검출 수단을 형성한 상기 아암부에서 연재된 센서 부착봉에 형성된 송수광(送受光) 소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 위치 어긋남 검출 장치.
  6. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 센서 부착봉은, 상기 에지 검출 수단을 형성한 상기 아암부의 길이 방향의 중심축을 따라 평행하게 형성되는 것을 특징으로 하는 위치 어긋남 검출 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 최선단의 아암부는, 1 또는 서로 개별로 선회 가능하게 이루어진 복수의 픽크(pick)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 위치 어긋남 검출 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 위치 어긋남 검출부는, 상기 구한 위치 어긋남량이 허용량보다 클 때에는 상기 반송 기구의 동작을 정지시키도록 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 위치 어긋남 검출 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 위치 어긋남 검출부는, 상기 구한 위치 차이량을 보상하도록, 상기 반송 기구의 동작을 제어하도록 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 위치 어긋남 검출 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 에지 검출 수단을 형성한 상기 아암부는, 상기 최선단의 아암부의 바로 앞의 단(段)의 아암부인 것을 특징으로 하는 위치 어긋남 검출 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 에지 검출 수단은, 상기 최선단의 아암부의 어긋남량을 검출하는 것을 특징으로 하는 위치 어긋남 검출 장치.
  12. 피처리체에 대하여 소정의 처리를 행하는 복수의 처리실과,
    상기 복수의 처리실에 공통으로 연결되는 공통 반송실과,
    상기 공통 반송실 내에 형성되어 상기 피처리체를 반송하는 제1 반송 기구와,
    상기 공통 반송실에 로드락실(load-lock chamber)을 통하여 연결되는 피처리체 도입실과,
    상기 피처리체 도입실에 형성되어 처리해야 할 상기 피처리체를 설치하기 위한 도입 포트와,
    상기 피처리체 도입실 내에 형성되어 상기 피처리체를 반송하는 제2 반송 기구를 갖는 처리 시스템에 있어서,
    상기 제1, 또는 제2, 또는 제1 및 제2 반송 기구에는, 제1항에 기재된 위치 어긋남 검출 장치가 형성되는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
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