JP7433179B2 - 制御方法及び基板搬送システム - Google Patents

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Description

本開示は、制御方法及び基板搬送システムに関する。
ウエハ等の基板を搬送する搬送機構を備える基板搬送システムが知られている。
特許文献１には、複数のアーム部を互いに旋回可能に直列に接続すると共に、最先端のアーム部に被処理体を保持させて前記被処理体を搬送するようにした搬送機構に設けた被処理体の位置ずれ検出装置において、前記複数のアーム部の内の前記最先端のアーム部以外のアーム部に設けられて、少なくとも前記最先端のアーム部に保持された前記被処理体のエッジを検出するためのエッジ検出手段と、該エッジ検出手段の検出値に基づいて前記被処理体の位置ずれを求める位置ずれ検出部と、を備えるように構成したことを特徴とする位置ずれ検出装置が開示されている。
特開２００８－３１１３０３号公報
ところで、搬送機構は、目標位置まで精度よく搬送することが求められている。
本開示の一態様は、搬送精度を向上する制御方法及び基板搬送システムを提供する。
本開示の一態様に係る制御方法は、基板を保持する保持部を有し、前記基板を搬送する搬送機構の制御方法であって、前記搬送機構によって搬送される前記基板の外縁を検出し、予め設定された前記基板を搬送する経路に対応する調整値を用いて前記基板の中心位置を計測する工程と、前記基板の中心位置と予め設定された前記保持部の基準位置とのずれ量に基づいて、目標位置を補正する工程と、前記保持部の基準位置が補正された前記目標位置となるように前記搬送機構を制御する工程と、を有する。
本開示の一態様によれば、搬送精度を向上する制御方法及び基板搬送システムを提供する。
一実施形態に係る基板処理システムの構成を示す平面図の一例。 制御装置の機能ブロック図の一例。 載置部から載置部に基板を搬送する際の搬送機構の動作の一例を説明する図。 載置部から載置部に基板を搬送する際の搬送機構の動作の一例を説明する図。 計測位置から目標位置まで搬送する際の経路を説明する図の一例。 基板を保持する第３アームの形状とセンサとの関係を示す図の一例。 計測位置を通り目標位置まで搬送する際の経路を説明する図の一例。 計測位置を通り目標位置まで搬送する際の経路を説明する図の一例。 計測位置を通り目標位置まで搬送する際の経路を説明する図の一例。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
＜基板処理システム＞
一実施形態に係る基板処理システム１の全体構成の一例について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理システム１の構成を示す平面図の一例である。なお、図１では、基板Ｗにドットのハッチングを付して図示している。なお、以下の説明において、搬送機構５の第３アーム５３に基板Ｗを保持して、真空搬送室３から処理室４の載置部４１に基板Ｗを搬送するものとして説明する。
図１に示す基板処理システム１は、クラスタ構造（マルチチャンバタイプ）のシステムである。基板処理システム１は、ロードロック室２と、真空搬送室３と、処理室４と、搬送機構５と、センサ６と、制御装置７と、を備えている。また、基板Ｗを搬送する基板搬送システムは、搬送機構５と、センサ６と、制御装置７と、を備えている。
ロードロック室２は、真空搬送室３と大気搬送室（図示せず）との間に設けられている。ロードロック室２は、基板Ｗを載置する載置部２１を有する。ロードロック室２内は、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えることができるように構成されている。ロードロック室２と真空雰囲気の真空搬送室３とは、ゲートバルブ２２の開閉により連通する。ロードロック室２と大気雰囲気の大気搬送室（図示せず）とは、ゲートバルブ（図示せず）の開閉により連通する。なお、ロードロック室２内の真空雰囲気または大気雰囲気の切り替えは、制御装置７によって制御される。
真空搬送室３は、所定の真空雰囲気に減圧されている。また、真空搬送室３の内部には、基板Ｗを搬送する搬送機構５が設けられている。
処理室４は、真空搬送室３に隣接して配置される。処理室４は、基板Ｗを載置する載置部４１を有する。処理室４は、所定の真空雰囲気に減圧され、その内部にて載置部４１に載置された基板Ｗに所望の処理（例えば、エッチング処理、成膜処理、クリーニング処理、アッシング処理等）を施す。処理室４と真空搬送室３とは、ゲートバルブ４２の開閉により連通する。なお、処理室４における処理のための各部の動作は、制御装置７によって制御される。
搬送機構５は、ゲートバルブ２２の開閉に応じて、ロードロック室２と真空搬送室３との間で基板Ｗの搬入及び搬出を行う。また、搬送機構５は、ゲートバルブ４２の開閉に応じて、処理室４と真空搬送室３との間で基板Ｗの搬入及び搬出を行う。なお、搬送機構５の動作、ゲートバルブ２２，４２の開閉は、制御装置７によって制御される。
搬送機構５は、例えば、基台部５０と、第１アーム５１と、第２アーム５２と、第３アーム５３と、を備える多関節アームとして構成される。基台部５０と第１アーム５１の長手方向の一方側とは、回転軸５５で回転可能に接続される。第１アーム５１の長手方向の他方側と第２アーム５２の長手方向の一方側とは、回転軸５６で回転可能に接続される。第２アーム５２の長手方向の他方側と第３アーム５３の長手方向の一方側とは、回転軸５７で回転可能に接続される。第３アーム５３の長手方向の他方側は、基板Ｗを保持（載置）する保持部５３ａを有する。
真空搬送室３の内部には、処理室４及びロードロック室２に対応して、搬送機構５によって搬送される基板Ｗを検出するセンサ（計測部）６が設けられている。センサ６は、搬送機構５が基板Ｗを真空搬送室３から処理室４またはロードロック室２に搬入する際、または、搬送機構５が基板Ｗを処理室４またはロードロック室２から真空搬送室３に搬出する際に、基板Ｗが通過する位置に設けられている。
センサ６は、２つのセンサ６ａ，６ｂを有する。センサ６ａ，６ｂは、例えば光電センサであって、搬送機構５によって搬送される基板Ｗがセンサ６ａ，６ｂを通過することにより、基板Ｗの外縁の４点を検出することができる。制御装置７（後述する中心位置算出部７２）は、センサ６（センサ６ａ，６ｂ）による基板Ｗの外縁の検出及びその際の搬送機構５の動作に基づいて、第３アーム５３に保持された基板Ｗの外縁座標を検出する。そして、制御装置７は、検出された４点の外縁座標から基板Ｗの中心位置を算出する。これにより、センサ６及び制御装置７は、第３アーム５３に保持された基板Ｗの中心位置を計測する計測部として機能する。これにより、制御装置７は、予め設定される第３アーム５３における基板Ｗを載置する基準位置（保持部５３ａの中心位置）と、センサ６に基づいて検出した第３アーム５３に保持された基板Ｗの中心位置との、ずれ（偏心量）を検出する。
制御装置７は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）及びＨＤＤ（Hard Disk Drive）を有する。制御装置７は、ＨＤＤに限らずＳＳＤ（Solid State Drive）等の他の記憶領域を有してもよい。ＨＤＤ、ＲＡＭ等の記憶領域には、プロセスの手順、プロセスの条件、搬送条件が設定されたレシピが格納されている。
ＣＰＵは、レシピに従って各処理室における基板Ｗの処理を制御し、基板Ｗの搬送を制御する。ＨＤＤやＲＡＭには、各処理室における基板Ｗの処理や基板Ｗの搬送を実行するためのプログラムが記憶されてもよい。プログラムは、記憶媒体に格納して提供されてもよいし、ネットワークを通じて外部装置から提供されてもよい。
＜搬送機構＞
次に、搬送機構５の制御について、図２を用いて説明する。図２は、制御装置７の機能ブロック図の一例である。
センサ６の検出信号は、制御装置７に入力される。
搬送機構５は、第１軸モータ９１、第２軸モータ９２及び第３軸モータ９３を有する。第１軸モータ９１は、第１アーム５１内に設けられている。第１軸モータ９１は、基台部５０に対して第１アーム５１を回転軸５５で回転させる。第２軸モータ９２は、第１アーム５１内に設けられている。第２軸モータ９２は、第１アーム５１に対して第２アーム５２を回転軸５６で回転させる。第３軸モータ９３は、第２アーム５２内に設けられている。第３軸モータ９３は、第２アーム５２に対して第３アーム５３を回転軸５７で回転させる。
搬送機構５は、第１軸角度センサ９１ａ、第２軸角度センサ９２ａ及び第３軸角度センサ９３ａを有する。第１軸角度センサ９１ａは、第１軸モータ９１の回転角度を検出する。第２軸角度センサ９２ａは、第２軸モータ９２の回転角度を検出する。第３軸角度センサ９３ａは、第３軸モータ９３の回転角度を検出する。第１軸角度センサ９１ａ、第２軸角度センサ９２ａ及び第３軸角度センサ９３ａは、例えば、エンコーダを用いることができる。第１軸角度センサ９１ａ、第２軸角度センサ９２ａ及び第３軸角度センサ９３ａの検出値は、制御装置７に入力される。
制御装置７は、第１軸角度センサ９１ａ、第２軸角度センサ９２ａ、第３軸角度センサ９３ａの検出値に基づいて、第１軸モータ９１、第２軸モータ９２、第３軸モータ９３を制御することで、搬送機構５の動作を制御する。
また、制御装置７は、姿勢算出部７１と、中心位置算出部７２と、記憶部７３と、を備える。
姿勢算出部７１は、角度センサ９１ａ～９３ａの検出値に基づいて、搬送機構５の姿勢を算出する。算出された搬送機構５の姿勢に基づいて、第３アーム５３における基板Ｗを載置する基準位置（保持部５３ａの中心位置）を算出する。
中心位置算出部７２は、センサ６（センサ６ａ，６ｂ）による基板Ｗの外縁の検出及びその際の搬送機構５の動作に基づいて、第３アーム５３に保持された基板Ｗの外縁座標を検出する。そして、制御装置７は、検出された４点の外縁座標から基板Ｗの中心位置を算出する。
記憶部７３には、センサ６のキャリブレーションデータ（調整値）が記憶されている。
ここで、センサ６のキャリブレーションとは、搬送機構５に対するセンサ６の位置情報を取得する作業である。具体的には、保持部５３ａの中心位置と基板Ｗの中心位置が一致するように基板Ｗを保持部５３ａに保持した状態で、基板Ｗをセンサ６の上を通過させる。これにより、搬送機構５に対するセンサ６の位置情報をキャリブレーションデータとして取得する。
中心位置算出部７２は、センサ６（センサ６ａ，６ｂ）による基板Ｗの外縁の検出、姿勢算出部７１で算出した基準位置、センサ６のキャリブレーションデータ（センサ位置）に基づいて、基板Ｗの中心位置を算出する。
このように、制御装置７の中心位置算出部７２は、センサ６を用いて基板Ｗの中心位置を計測する。そして、制御装置７は、基板Ｗの中心位置と第３アーム５３の基準位置（保持部５３ａの中心位置）とのずれ量を算出し、目標位置を補正する。そして、制御装置７は、第３アーム５３の基準位置（保持部５３ａの中心位置）が補正された目標位置となるように搬送機構５を制御する。これにより、基板Ｗを目標位置まで搬送することができる。
次に、基板Ｗを搬送する際の搬送機構５の動作の一例について、図３から図５を用いて説明する。
図３は、載置部２１から載置部４１Ｂに基板Ｗを搬送する際の搬送機構５の動作の一例を説明する図である。図３（ａ）は載置部２１から基板Ｗを搬送する際の搬送機構５の動作を説明する図の一例である。図３（ａ）において、載置部２１から基板Ｗを受け取った際の搬送機構５を実線で示し、基板Ｗをロードロック室２から搬送する際の搬送機構５を破線で示す。図３（ｂ）は載置部４１Ｂに基板Ｗに搬送する際の搬送機構５の動作を説明する図の一例である。図３（ｂ）において、基板Ｗがセンサ６を通過する計測位置Ｐ１における搬送機構５を実線で示し、基板Ｗを載置部４１Ｂに受け渡す目標位置Ｐ２における搬送機構５を破線で示す。搬送機構５は、載置部２１から経路１０１を通って計測位置Ｐ１まで基板Ｗを搬送し、計測位置Ｐ１から経路１０２を通って目標位置Ｐ２まで基板Ｗを搬送する。なお、経路１０２における揺れは、誇張して図示している。
図４は、載置部４１Ａから載置部４１Ｂに基板Ｗを搬送する際の搬送機構５の動作の一例を説明する図である。図４（ａ）は載置部４１Ａから基板Ｗを搬送する際の搬送機構５の動作を説明する図の一例である。図４（ａ）において、載置部４１Ａから基板Ｗを受け取った際の搬送機構５を実線で示し、基板Ｗを処理室４から搬送する際の搬送機構５を破線で示す。図４（ｂ）は載置部４１Ｂに基板Ｗに搬送する際の搬送機構５の動作を説明する図の一例である。図４（ｂ）において、基板Ｗがセンサ６を通過する計測位置Ｐ１における搬送機構５を実線で示し、基板Ｗを載置部４１Ｂに受け渡す目標位置Ｐ２における搬送機構５を破線で示す。搬送機構５は、載置部４１Ａから経路２０１を通って計測位置Ｐ１まで基板Ｗを搬送し、計測位置Ｐ１から経路２０２を通って目標位置Ｐ２まで基板Ｗを搬送する。なお、経路２０２における揺れは、誇張して図示している。
図５は、計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２まで搬送する際の経路を説明する図の一例である。なお、経路１０２，２０２における揺れは、誇張して図示している。
制御装置７の姿勢算出部７１は、角度センサ９１ａ～９３ａの検出値に基づいて第３アーム５３の基準位置を算出する。制御装置７は、算出した基準位置が計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２への経路（一点鎖線参照）で移動するように、モータ９１～９３を制御する。
一方、動作する搬送機構５の回転軸５５～５７でアーム間にねじれが生じる等によって、実際の経路１０２，２０２は、角度センサ９１ａ～９３ａの検出値に基づく経路（一点鎖線参照）から誤差が生じている。また、図５に示すように、計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２まで基板Ｗを搬送する際、載置部２１から搬送した場合（計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２への搬送方向に対して右側から搬送した場合）の経路１０２と、載置部４１Ａから搬送した場合（計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２への搬送方向に対して左側から搬送した場合）の経路２０２とは、一致せずに異なっている。これは、計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２までの搬送機構５の伸縮動作にいたる直前の動作（図３の経路１０１、図４の経路２０１）に依存する。このため、センサ６を用いて基板Ｗの中心と基準位置とのずれ量を算出する際の精度が低下する。
ここで、制御装置７の記憶部７３には、搬送経路ごとにキャリブレーションデータが格納されている。即ち、予め搬送経路ごとにキャリブレーションを行い、搬送経路ごとにキャリブレーションデータを記憶しておく。中心位置算出部７２は、搬送経路に対応するキャリブレーションデータを用いて、基板Ｗの中心位置を算出する。これにより、センサ６を用いて基板Ｗの中心位置と基準位置とのずれ量を算出する際の精度を向上させることができる。また、基板Ｗを目標位置まで搬送する際の搬送精度を向上させることができる。
また、搬送経路をグルーピングして、搬送経路のグループごとのキャリブレーションを行い、搬送経路のグループごとにキャリブレーションデータを記憶してもよい。中心位置算出部７２は、搬送経路のグループに対応するキャリブレーションデータを用いて、基板Ｗの中心位置を算出する。データを用いてもよい。これにより、キャリブレーションの作業の回数を低減し、記憶部７３に記憶されるデータ量を削減することができる。
図６は、基板Ｗを保持する第３アーム５３の形状とセンサ６との関係を示す図の一例である。また、図６において、一点鎖線は、センサ６ａ，６ｂが通る軌跡を示す。
図６（ａ）に示す例において、センサ６ａ及びセンサ６ｂは、基板Ｗの外縁４点を検出する。これにより、中心位置算出部７２は、基板Ｗの中心位置を算出することができる。
一方、図６（ｂ）に示す例において、第３アーム５３は、基板Ｗよりも外側に突出する突出部５４を有する。突出部５４の外縁は、第３アーム５３の基準位置を中心とする円弧形状に形成されている。なお、突出部５４の円弧形状の半径は既知の値であり、予め記憶部７３に記憶されている。センサ６ａは、突出部５４の外縁２点を検出する。センサ６ｂは、基板Ｗの外縁２点を検出する。
中心位置算出部７２は、センサ６ａで検出した突出部５４の外縁２点と、突出部５４の円弧半径と、に基づいて、突出部５４の円弧の中心、換言すれば第３アーム５３の基準位置を算出する。即ち、センサ６ａ及び中心位置算出部７２は、第３アーム５３の基準位置を計測する基準位置計測部として機能する。
また、中心位置算出部７２は、センサ６ｂで検出した基板Ｗの外縁２点と、基板Ｗの直径と、に基づいて、基板Ｗの中心位置を算出する。即ち、センサ６ｂ及び中心位置算出部７２は、基板Ｗの中心位置を計測する中心位置計測部として機能する。なお、基板Ｗの直径は、予め設定された寸法を用いてもよい。また、事前の工程で、基板Ｗの直径を計測してもよい。
図６（ｂ）に示す構成によれば、センサ６ａを用いて第３アーム５３の基準位置（突出部５４の円弧中心）を検出する。また、センサ６ａを用いて第３アーム５３の基準位置を検出するタイミングと、センサ６ｂを用いて基板Ｗの中心位置を検出するタイミングとを、近接するタイミングとすることができる。これにより、両データに含まれる誤差を同等とすることができる。よって、基板Ｗの中心位置と第３アーム５３の基準位置（保持部５３ａの中心位置）とのずれ量を算出する際、差分をとることで誤差が相殺され、基板Ｗの中心位置と基準位置とのずれ量を精度よく求めることができる。これにより、センサ６を用いて基板Ｗの中心位置と基準位置とのずれ量を算出する際の精度を向上させることができる。また、基板Ｗを目標位置まで搬送する際の搬送精度を向上させることができる。
なお、突出部５４は、図６（ｂ）に示す形状に限られない。図６（ｃ）に示すように、センサ６ａが通る位置よりも外側に切り欠き部５４ａが設けられていてもよい。これにより、第３アーム５３の幅寸法を抑制することができる。
次に、搬送機構５の温度変化について説明する。搬送機構５は、内部に熱源としてのモータ９１～９３を有している。また、高温の処理室４に基板Ｗを搬送する際、処理室４から搬送機構５に入熱する。また、処理室４で処理された高温の基板Ｗを搬送する際に、基板Ｗから搬送機構５に伝熱する。このため、第１アーム５１、第２アーム５２のリンク長が熱膨張により変化する。また、モータ９１～９３に接続されるギア等が熱膨張することにより回転軸５５～５７の角度伝達誤差が変化する。このため、姿勢算出部７１で算出される基準位置と実際の基準位置との間に誤差が生じるおそれがある。このため、センサ６を用いて基板Ｗの中心と基準位置とのずれ量を算出する際の精度が低下するおそれがある。
ここで、制御装置７の記憶部７３には、温度ごとにキャリブレーションデータが格納されている。例えば、記憶部７３には、常温時におけるキャリブレーションデータと、高温時におけるキャリブレーションデータが格納されている。
ここで、常温時におけるキャリブレーションデータ及び高温時におけるキャリブレーションデータの計測方法について、説明する。
まず、常温時において、目標位置と基板Ｗの中心位置が一致するようにして載置部４１に基板Ｗをセットする。搬送機構５は、載置部４１から基板Ｗを受け取り、伸縮動作をすることで、保持部５３ａに保持された基板Ｗがセンサ６上を通過する。これにより、常温時におけるセンサ６のキャリブレーションデータを取得する。そして、基板Ｗは載置部４１へと戻される。
次に、搬送機構５を暖機運転する。暖機方法は、モータ９１～９３を動作させることによって行われてもよい。また、高温の処理室４に基板Ｗを搬送する動作を行うことで、搬送機構５の暖機を行ってもよい。
搬送機構５が所定の温度（高温状態）となった状態で、載置部４１から基板Ｗを受け取り、伸縮動作をすることで、保持部５３ａに保持された基板Ｗがセンサ６上を通過する。これにより、高温時におけるセンサ６のキャリブレーションデータを取得する。そして、基板Ｗは載置部４１へと戻される。
なお、搬送機構５の複数の温度について、それぞれキャリブレーションデータを取得してもよい。
次に、搬送機構５による基板Ｗの搬送時における処理について説明する。搬送時には、制御装置７は、搬送機構５の搬送時における温度と、温度ごとのキャリブレーションデータと、に基づいて、リファレンスデータを生成する。リファレンスデータは、例えば、温度ごとのキャリブレーションデータを一時近似して、リファレンスデータを生成する。
中心位置算出部７２は、搬送機構５の温度に基づいて生成されたリファレンスデータをセンサ６のキャリブレーションデータとして中心位置を算出する。
これによれば、搬送機構５の温度に基づくリファレンスデータを用いることで、搬送機構５の熱によるアーム５１，５２の伸びや、角度伝達誤差による影響を低減することができる。また、センサ６を用いて基板Ｗの中心位置と基準位置とのずれ量を算出する際の精度を向上させることができる。また、基板Ｗを目標位置まで搬送する際の搬送精度を向上させることができる。
また、搬送精度を向上する他の方法について、図７及び図８を用いて説明する。
図７は、計測位置Ｐ１を通り目標位置Ｐ２まで搬送する際の経路を説明する図の一例である。ここで、搬送機構５は、経路１０１を通って基板Ｗを計測位置Ｐ１に搬送した場合には、そのまま目標位置Ｐ２まで搬送する。この際、基板Ｗは経路１０２を通る。
一方、搬送機構５は、経路２０１を通って基板Ｗを計測位置Ｐ１に搬送した場合には、経路２１１に示すように、基板Ｗを経路１０１の逆方向に搬送する。そして、基板Ｗを経路１０１に沿った経路２１２で計測位置Ｐ１まで搬送する。そして、搬送機構５は、計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２まで基板Ｗを搬送する。このように、動作させることにより、基板Ｗは経路１０２を通って搬送される。
即ち、計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２への搬送方向に対して右側から搬送する場合には、そのまま搬送する。一方、計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２への搬送方向に対して左側から搬送する場合には、まず搬送方向に対して右側まで搬送し、次に搬送方向に対して右側から搬送する。なお、右側から搬送する構成を例に説明したが、これに限られるものではなく、左側から搬送する構成であってもよい。
この様に、計測位置Ｐ１に到達するまでの基板Ｗの経路２０１が経路１０１と異なっている場合、経路１０１に沿った経路２１１，２１２を通ることにより、計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２までの搬送機構５の伸縮動作にいたる直前の動作（経路１０１，２１２）を同一とすることができる。これにより、基板Ｗは、載置部２１から載置部４１Ｂに搬送する場合と載置部４１Ａから載置部４１Ｂに搬送する場合とで、同様の条件でセンサ６を通過する。これにより、同一のキャリブレーションデータを用いても、センサ６を用いて基板Ｗの中心位置と基準位置とのずれ量を算出する際の精度を向上させることができる。また、基板Ｗを目標位置まで搬送する際の搬送精度を向上させることができる。
図８は、計測位置Ｐ１を通り目標位置Ｐ２まで搬送する際の経路を説明する図の一例である。また、図８に示すように、経路２０１から基板Ｗを搬送した際、経路２１３に示すように、途中で経路２０１から離脱して経路１０１に沿って計測位置Ｐ１に到達するようにしてもよい。
即ち、計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２への搬送方向に対して右側から搬送する場合には、そのまま搬送する。一方、計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２への搬送方向に対して左側から搬送する場合には、まず搬送方向に対して右側まで搬送し、次に搬送方向に対して右側から搬送する。なお、右側から搬送する構成を例に説明したが、これに限られるものではなく、左側から搬送する構成であってもよい。
これにより、図７に示す場合と同様に、計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２までの搬送機構５の伸縮動作にいたる直前の動作（経路１０１，２１３）を同一とすることができる。これにより、基板Ｗは、載置部２１から載置部４１Ｂに搬送する場合と載置部４１Ａから載置部４１Ｂに搬送する場合とで、同様の条件でセンサ６を通過する。これにより、同一のキャリブレーションデータを用いても、センサ６を用いて基板Ｗの中心位置と基準位置とのずれ量を算出する際の精度を向上させることができる。また、基板Ｗを目標位置まで搬送する際の搬送精度を向上させることができる。
なお、図７及び図８に示す搬送機構５の動作は、搬送時間が増加する。このため、制御装置７は、搬送精度を優先するモードと、搬送時間を優先するモードと、を備え、動作モードを切り替え可能に構成されていてもよい。搬送精度を優先するモードでは、同じ方向から計測位置Ｐ１に搬送する（経路１０１，２１２，２１３参照）。搬送時間を優先するモードでは、それぞれの経路で計測位置Ｐ１に搬送する（経路１０１，２０１参照）。これにより、搬送精度と搬送速度のどちらを優先するかを選択することができる。
また、図７及び図８に示す例では、一方の載置部（２１，４１Ａ）から他方の載置部（４１Ｂ）に基板Ｗを搬送する際に搬送経路を変更する場合を例に説明したがこれに限られるものではない。載置部４１Ｂに基板Ｗを搬送する際には、所定の載置部２１を経由するようにしてもよい。例えば、載置部４１Ａから載置部４１Ｂに基板Ｗを搬送する際、搬送機構５は、まず載置部４１Ａから載置部２１に基板Ｗを搬送して、次に、載置部２１から載置部４１Ｂに基板Ｗを搬送する構成であってもよい。なお、載置部２１から載置部４１Ｂに基板Ｗを搬送する際、搬送機構５は、そのまま載置部２１から載置部４１Ｂに基板Ｗを搬送する。
これにより、計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２までの搬送機構５の伸縮動作にいたる直前の動作（経路１０１）を同一とすることができる。また、同一のキャリブレーションデータを用いても、センサ６を用いて基板Ｗの中心位置と基準位置とのずれ量を算出する際の精度を向上させることができる。また、基板Ｗを目標位置まで搬送する際の搬送精度を向上させることができる。
図９は、計測位置Ｐ１を通り目標位置Ｐ２まで搬送する際の経路を説明する図の一例である。センサ６は、センサ６１を及びセンサ６２を有する。
ここで、計測位置Ｐ１は、基板Ｗがセンサ６１を遮ることで基板Ｗの外縁を検出する位置である（センサ６１の遮光位置）。この位置において、経路１０１と経路２０１とは一致している。
位置Ｐ３は、基板Ｗがセンサ６１を通過したことで基板Ｗの外縁を検出する位置である（センサ６１の投光位置）。この位置において、経路１０２と経路２０２とは位置がずれている。このため、同一のリファレンスデータを用いた場合、搬送経路によって、基板Ｗの中心位置と基準位置とのずれ量の計測精度が低下する。
位置Ｐ４は、位置Ｐ３から目標位置Ｐ２へと向かう途中の位置であり、基板Ｗがセンサ６２を通過したことで基板Ｗの外縁を検出する位置である（センサ６２の投光位置）。ここで、経路１０２と経路２０２は、位置Ｐ４よりも前で合流して、目標位置Ｐ２へと向かうようになっている。
ここで、センサ６は、搬送機構５の動作（経路）に依存しない位置で基板Ｗの外縁を検出する。即ち、図９に示す例において、センサ６は、センサ６１の遮光位置とセンサ６２の投光位置に基づいて、基板Ｗの中心位置を算出する。これにより、計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２までの搬送機構５の伸縮動作にいたる直前の動作（経路１０１，２０１）が異なっていることにより、計測位置Ｐ１から目標位置Ｐ２までの動作（経路１０２，２０２）が異なっていたとしても動作依存のない位置で基板Ｗの外縁を検出することができる。これにより、同一のキャリブレーションデータを用いても、センサ６を用いて基板Ｗの中心位置と基準位置とのずれ量を算出する際の精度を向上させることができる。また、基板Ｗを目標位置まで搬送する際の搬送精度を向上させることができる。
以上、基板処理システム１及び基板搬送システムの実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
Ｗ 基板
１ 基板処理システム
２ ロードロック室
２１ 載置部
３ 真空搬送室
４ 処理室
４１ 載置部
５ 搬送機構
５３ 第３アーム
５３ａ 保持部
６，６ａ，６ｂ，６１，６２ センサ（計測部）
７ 制御装置
７１ 姿勢算出部
７２ 中心位置算出部
７３ 記憶部
９１～９３ モータ
９１ａ～９３ａ 角度センサ

Claims (7)

  1. 基板を保持する保持部を有し、前記基板を搬送する搬送機構の制御方法であって、
    前記搬送機構によって搬送される前記基板の外縁を検出し、予め設定された前記基板を搬送する経路に対応する調整値を用いて前記基板の中心位置を計測する工程と、
    前記基板の中心位置と予め設定された前記保持部の基準位置とのずれ量に基づいて、目標位置を補正する工程と、
    前記保持部の基準位置が補正された前記目標位置となるように前記搬送機構を制御する工程と、を有する制御方法。
  2. 前記保持部は、保持された前記基板よりも突出する突出部を有し、
    前記基板を搬送して前記基板の外縁を検出する際、前記突出部の外縁を検出して、前記保持部の基準位置を計測する、
    請求項１に記載の制御方法。
  3. 前記突出部の外縁は、前記保持部の基準位置を中心とする円弧形状を有する、
    請求項２に記載の制御方法。
  4. 前記搬送機構の温度に対応する前記調整値を記憶し、
    前記基板を搬送する経路及び前記搬送機構の温度に対応する前記調整値を用いて前記基板の中心位置を計測する、
    請求項1乃至請求項３のいずれか１項に記載の制御方法。
  5. 基板を保持する保持部を有し、前記基板を搬送する搬送機構と、
    前記搬送機構によって搬送される前記基板の外縁を検出し、前記基板の中心位置を計測する計測部と、
    前記搬送機構を制御する制御部と、を備え、
    前記計測部は、
    予め設定された前記基板を搬送する経路に対応する調整値を用いて前記基板の中心位置を計測し、
    前記制御部は、
    前記基板の中心位置と前記保持部の基準位置とのずれ量に基づいて、目標位置を補正し、
    前記保持部の基準位置が補正された前記目標位置となるように前記搬送機構を制御する、基板搬送システム。
  6. 基板を保持する保持部を有し、前記基板を搬送する搬送機構と、
    前記搬送機構によって搬送される前記基板の外縁を検出し、前記基板の中心位置を計測する計測部と、
    前記搬送機構を制御する制御部と、を備え、
    前記保持部は、保持された前記基板よりも突出する突出部を有し、
    前記制御部は、
    前記基板を搬送する際、前記突出部の外縁を前記計測部で検出して、前記保持部の基準位置を計測するとともに、前記基板の外縁を前記計測部で検出して、前記基板の中心位置を計測し、
    前記基板の中心位置と前記保持部の基準位置とのずれ量に基づいて、目標位置を補正し、
    前記保持部の基準位置が補正された前記目標位置となるように前記搬送機構を制御する、
    基板搬送システム。
  7. 前記突出部の外縁は、前記保持部の基準位置を中心とする円弧形状を有する、
    請求項６に記載の基板搬送システム。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243479A (ja) 2002-02-19 2003-08-29 Tokyo Electron Ltd 搬送手段の停止位置調整機構

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4697192B2 (ja) 2007-06-12 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 位置ずれ検出装置及びこれを用いた処理システム
US8185242B2 (en) * 2008-05-07 2012-05-22 Lam Research Corporation Dynamic alignment of wafers using compensation values obtained through a series of wafer movements
US9196518B1 (en) * 2013-03-15 2015-11-24 Persimmon Technologies, Corp. Adaptive placement system and method
JP2015005682A (ja) * 2013-06-24 2015-01-08 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送ロボット、円盤状搬送対象物の搬送方法
KR102469258B1 (ko) * 2014-11-18 2022-11-22 퍼시몬 테크놀로지스 코포레이션 엔드 이펙터 위치 추정을 위한 로봇의 적응형 배치 시스템
JP6918770B2 (ja) * 2015-07-13 2021-08-11 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド オンザフライ方式の自動ウェハセンタリング方法および装置
KR102373081B1 (ko) * 2017-02-15 2022-03-11 퍼시몬 테크놀로지스 코포레이션 다수의 엔드-이펙터들을 가진 재료-핸들링 로봇
KR102411116B1 (ko) * 2018-12-10 2022-06-20 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템, 기판처리시스템의 기판이송방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243479A (ja) 2002-02-19 2003-08-29 Tokyo Electron Ltd 搬送手段の停止位置調整機構

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