KR20200034607A - 기판 반송 방법 및 기판 반송 모듈 - Google Patents

기판 반송 방법 및 기판 반송 모듈 Download PDF

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Abstract

[과제] 반송 용기 내에 있어서의 기판의 자세의 결함에 의하여 당해 반송 용기 내로부터 기판의 반출을 하지 못하게 되는 것을 억제한다.
[해결 수단] 반송 용기 내에 있어서의 각 기판의 기준 높이를 취득하는 기준 높이 취득 공정과, 적재부에 적재된 반송 용기 내의 각 기판의 높이를 센서부에 의하여 검출하는 높이 검출 공정과, 계속해서 반송 용기 내의 하나의 기판에 대한 높이 검출 공정에 있어서 검출된 기판의 높이와 기준 높이의 차분에 대응하는 제1 차분값을 취득하는 공정과, 그런 후, 미리 설정된 높이 간격과 상기 제1 차분값에 기초하여, 하나의 기판의 기준 높이에 대응하는 제1 진입 높이와, 당해 제1 진입 높이를 제1 차분값에 따라 보정한 제2 진입 높이 중, 어느 높이로 당해 기판 지지부를 반송 용기 내로 진입시킬지를 결정하는 진입 높이 결정 공정과, 결정한 진입 높이로 기판 지지부를 반송 용기 내로 진입시켜 하나의 기판을 수취하는 수취 공정을 실시한다.

Description

기판 반송 방법 및 기판 반송 모듈{SUBSTRATE TRANSFER METHOD AND SUBSTRATE TRANSFER MODULE}
본 개시는 기판 반송 방법 및 기판 반송 모듈에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)가 반송 용기에, 단을 이루도록 복수 격납되어 공장 내를 반송된다. 그리고 반송처의 처리 장치에서는, 반송 기구에 의하여 상기 반송 용기로부터 1매씩 기판을 취출하여 처리를 행한다. 특허문헌 1에는, 카세트(반송 용기)를 사이에 두고 대향하여 배치되는 투광 소자와 수광 소자를 구비하는 광 센서와, 광 센서를 카세트에 대하여 수직 방향으로 이동시키는 수직 구동 수단을 구비하는 기판 검출 장치에 대하여 기재되어 있다. 이 기판 검출 장치에서는, 광 센서로부터의 출력에 기초하여 카세트 내에 있어서의 웨이퍼의 수직 방향의 위치가 검출되고, 그 검출 결과에 기초하여 암(반송 기구)이 카세트 내로 진입하여 웨이퍼를 수취한다.
일본 특허 공개 평9-148403호 공보
본 개시는, 반송 용기 내에 있어서의 기판의 자세의 결함에 의하여 당해 반송 용기 내로부터 기판의 반출을 하지 못하게 되는 것을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 기판 반송 방법은, 복수의 기판을 상하로 단을 이루도록 격납하는 반송 용기를, 당해 반송 용기의 측방에 개구된 기판 취출구가, 하우징의 측벽에 개구되는 기판 반송구에 겹쳐지도록, 당해 하우징의 외측에 마련되는 적재부에 적재하는 적재 공정과,
상기 기판의 하면을 지지하여 승강 및 수평 방향으로 이동하는 기판 지지부를 구비하는 반송 기구에 의하여, 상기 적재부에 적재된 상기 반송 용기와 상기 하우징 내 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송 공정과,
상기 적재 공정 및 반송 공정을 행하기 전에, 상기 적재부에 적재되는 상기 반송 용기 내에 있어서의 기판의 기준 높이를 취득하는 기준 높이 취득 공정과,
상기 기준 높이 취득 공정 및 상기 적재 공정 후이자 상기 반송 공정 전에 행해져, 상기 적재부에 적재된 상기 반송 용기 내의 기판 높이를 센서부에 의하여 검출하는 높이 검출 공정과,
계속해서 상기 반송 용기 내의 하나의 기판에 관한 상기 높이 검출 공정에 있어서 검출된 기판의 높이와 상기 기준 높이의 차분에 대응하는 제1 차분값을 취득하는 공정과,
그런 후, 미리 설정된 높이 간격과 상기 제1 차분값에 기초하여, 상기 하나의 기판의 기준 높이에 대응하는 제1 진입 높이와, 당해 제1 진입 높이를 제1 차분값에 따라 보정한 제2 진입 높이 중, 어느 하나를 선택하여 당해 기판 지지부가 상기 반송 용기 내로 진입하는 진입높이를 결정하는 진입 높이 결정 공정과,
결정한 진입 높이로 상기 기판 지지부를 상기 반송 용기 내로 진입시켜 상기 하나의 기판을 수취하는 수취 공정
을 구비한다.
본 개시에 의하면, 반송 용기 내에 있어서의 기판의 자세의 결함에 의하여 당해 반송 용기 내로부터 기판의 반출을 하지 못하게 되는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 형태인 진공 처리 장치의 평면도이다.
도 2는 상기 진공 처리 장치에 마련되는 로더 모듈의 종단 측면도이다.
도 3은 상기 로더 모듈에 마련되는 기판 지지부의 평면도이다.
도 4는 상기 기판 지지부와 웨이퍼 사이에 마련되는 클리어런스를 설명하기 위한 설명도이다.
도 5는 비교예에 있어서의 기판 지지부의 진입 높이의 결정 방법을 설명하는 설명도이다.
도 6은 비교예에 있어서의 기판 지지부의 진입 높이의 결정 방법을 설명하는 설명도이다.
도 7은 실시예에 있어서의 기판 지지부의 진입 높이의 결정 방법을 설명하는 설명도이다.
도 8은 실시예에 있어서의 기판 지지부의 진입 높이의 결정 방법을 설명하는 설명도이다.
도 9는 실시예의 기판 지지부의 진입 높이의 결정 방법을 도시하는 흐름도이다.
본 개시의 일 실시 형태인 로더 모듈(3)을 포함하는 진공 처리 장치(1)에 대하여 도 1을 참조하면서 설명한다. 로더 모듈(3)은, 예를 들어 가로가 길게 구성된 EFEM(Equipment Front End Module)이며, 이 로더 모듈(3) 내는 대기 분위기 또한 상압 분위기로 형성되어 있다. 로더 모듈(3)은, 복수의 웨이퍼 W를 격납하는 밀폐 용기인 반송 용기 B로부터 당해 웨이퍼 W를 취출하여 진공 처리 장치(1) 내로 도입하는 기판 반송 모듈로서 구성된다.
로더 모듈(3)의 측방에는, 웨이퍼 W의 방향이나 편심의 조정을 행하는 얼라인먼트 모듈(11)이 마련되어 있다. 로더 모듈(3)의 후방측의 좌우에는 로드 로크 모듈(12, 13)이 마련되어 있다. 로드 로크 모듈(12, 13)은 서로 마찬가지로 구성되어 있다. 로드 로크 모듈(12, 13)은 웨이퍼 W를 로더 모듈(3)과 후술하는 진공 반송 모듈(14) 사이에서 반송하기 위하여, 내부를 N2(질소) 가스 분위기의 상압 분위기와 진공 분위기 사이에서 전환 가능하게 구성된다. 또한 도면 중, 12A, 13A는, 로드 로크 모듈(12, 13)에 각각 마련되는 웨이퍼 W의 스테이지이다. 또한 로드 로크 모듈(12, 13)과 로더 모듈(3) 사이에는 게이트 밸브 G1이 각각 개재된다.
로드 로크 모듈(12, 13)의 후방측에는, 내부가 진공 분위기로 되는 진공 반송 모듈(14)이 마련되어 있다. 진공 반송 모듈(14)은 반송 암(15)을 구비하고 있다. 진공 반송 모듈(14)에는 그 둘레를 따라, 예를 들어 4개의 성막 모듈(2)이 접속되어 있으며, 진공 반송 모듈(14)과 성막 모듈(2) 사이에는 게이트 밸브 G2가 개재되어 있다.
예를 들어 성막 모듈(2)은, 진공 용기와, 진공 용기 내에서 웨이퍼를 적재함과 함께 가열하는 스테이지와, 가스 공급부인 샤워 헤드를 구비하고 있다. 샤워 헤드로부터는 원료 가스로서, 예를 들어 TiCl4(사염화티타늄) 가스, 환원 가스로서, 예를 들어 NH3(암모니아) 가스가 공급된다. 또한 TiCl4 가스가 공급되는 기간과 NH3 가스가 공급되는 기간 사이의 기간에 있어서, 샤워 헤드로부터는 퍼지 가스로서 N2 가스가 공급된다. 즉, 이 성막 모듈(2)에서는, 웨이퍼 W에 ALD(AtomicLayer Deposition)가 행해져 TiN(질화티타늄)막이 형성된다.
반송 용기 B에 격납되는 웨이퍼 W는 로더 모듈(3) → 얼라인먼트 모듈(11) → 로더 모듈(3) →로드 로크 모듈(12(13)) → 진공 반송 모듈(14) → 성막 모듈(2)의 순으로 반송되어 성막 처리된다. 성막 처리된 웨이퍼 W는 성막 모듈(2) → 진공 반송 모듈(14) → 로드 로크 모듈(12(13)) → 로더 모듈(3) → 반송 용기 B의 순으로 반송된다. 로드 로크 모듈(12, 13)과 진공 반송 모듈(14)과 성막 모듈(2) 사이에 있어서의 웨이퍼 W의 반송은 상기 반송 암(15)에 의하여 행해진다. 반송 용기 B와 얼라인먼트 모듈(11)과 로더 모듈(3)과 로드 로크 모듈(12, 13) 사이에 있어서의 웨이퍼 W의 반송은, 로더 모듈(3)에 마련되는 후술하는 반송 기구(4)에 의하여 행해진다.
계속해서 도 2의 종단 측면도도 참조하면서 로더 모듈(3)에 대하여 상세히 설명한다. 이 로더 모듈(3)은 각형의 하우징(31)을 구비하고 있으며, 당해 하우징(31)은 평면으로 보아 좌우로 가로로 긴 직사각 형상으로 구성된다. 하우징(31)의 후방측의 측벽의 좌우에, 간격을 두고 상기 게이트 밸브 G1에 의하여 개폐되는 반송구(32)가 개구되어 있다. 하우징(31) 내에는 반송 기구(4)가 마련되어 있다. 반송 기구(4)는, 좌우로 이동 가능하고 또한 승강 가능한 다이(41)와, 다이(41) 상에 마련되는 다관절 암(42)에 의하여 구성되며, 다관절 암(42)은, 수평인 제1 암(43), 수평인 제2 암(44), 및 기판 지지부(45)에 의하여 구성되어 있다. 제1 암(43)의 기단부가 다이(41) 상에, 수직축 둘레로 회동 가능하게 마련되고, 제2 암(44)의 기단부가 제1 암(43)의 선단부 상에, 수직축 둘레로 회동 가능하게 마련되어 있다. 기판 지지부(45)는 수평으로 신장되는 판형으로 형성되고, 기판 지지부(45)의 기단부는 제2 암(44)의 선단부 상에, 수직축 둘레로 회동 가능하게 마련되어 있다.
기판 지지부(45)의 선단측(전방측)은 좌우로 두 갈래로 나뉘어, 전방으로 신장되어 나가 2개의 전방부(46)를 형성하고 있다. 한쪽 전방부(46)의 선단, 다른 쪽 전방부(46)에는 투광부(47A), 수광부(47B)가 각각 마련되어 있다. 투광부(47A), 수광부(47B)는 서로 쌍을 이루어 센서부(47)를 구성한다. 센서부(47)는, 후술하는 반송 용기 B 내의 웨이퍼 W의 높이 검출(매핑)을 행하기 위하여 마련된다. 또한 수광부(47B)는, 수광한 광에 따른 검출 신호를 후술하는 제어부(6)에 송신한다.
또한 기판 지지부(45)의 전방부(46)의 선단부는 상방으로 돌출되어, 측면에서 보아 L자형을 이루는 맞닿음부(48)를 형성한다. 이 맞닿음부(48)에 대하여, 높이가 큰 전방측을 전방 부위(48A), 높이가 낮은 후방측을 후방 부위(48B)라 한다. 기판 지지부(45)에 하방으로부터 들어 올려짐으로써 웨이퍼 W는, 그 하면의 주연부가 후방 부위(48B)와 기판 지지부(45)의 기단측에 지지되어, 수평으로 유지되어 반송된다. 기판 지지부(45)의 기단측에는, 구동 기구(40)와, 당해 구동 기구(40)에 의하여 전후로 이동 가능한 롤러(49)가 마련되어 있다. 기판 지지부(45)에 지지된 웨이퍼 W는 롤러(49)에 의하여 맞닿음부(48)의 전방 부위(48A)에 압박되어 보유 지지된다.
상기 하우징(31)의 전방측의 측벽, 즉, 상기 반송구(32)가 마련되는 측벽에 대향하는 측벽에는 반송구(51)가 3개, 횡 방향으로 간격을 두고 마련되어 있다(도 1 참조). 그리고 반송구(51)별로, 반송 용기 B로부터 하우징(31) 내로 웨이퍼 W를 반출입함과 함께 당해 반송구(51)를 개폐하는 로드 포트(5)가 마련되어 있다. 이 반송 용기 B는, 예를 들어 FOUP(Front Open Unified Pod)이며, 용기 본체 B1과, 용기 본체 B1에 대하여 착탈 가능한 덮개체 B2에 의하여 구성되어 있다. 덮개체 B2는 용기 본체 B1에 대하여 착탈됨으로써, 용기 본체 B1의 전방측면에 형성된 기판 취출구 B3을 개폐한다. 또한 덮개체 B2는 도시하지 않은 로크 기구를 구비하며, 당해 로크 기구에 의하여 용기 본체 B1에 고정된다.
도 3은, 용기 본체 B1의 횡단 평면도이다. 이 도 3에 도시한 바와 같이, 용기 본체 B1의 좌우의 각각의 측벽에는, 전후방향에 따른 홈 B5가 마련된다. 이 홈 B5는 상하로 다단으로 형성되어 있다. 웨이퍼 W의 주연부는 각 홈 B5 내에 삽입되어 지지되며, 용기 본체 B1 내에는 25매의 웨이퍼 W가 상하로 단을 이루어 격납된다. 이와 같이 용기 본체 B1 내에 있어서 각 홈 B5가 위치하는 높이는, 웨이퍼 W가 격납되는 스페이스를 제공하고, 이 격납 스페이스를 슬롯이라고 기재한다. 슬롯은, 예를 들어 25개, 등간격을 두고 마련되어 있다. 각 슬롯에 대하여 하방의 슬롯으로부터 차례로 1 내지 25의 번호를 붙여서 설명하는 경우가 있다. 하나의 슬롯으로부터 웨이퍼 W를 수취하는 데에 있어서, 기판 지지부(45)는 용기 본체 B1의 외측에서 당해 웨이퍼 W의 하방에 위치한 상태에서 용기 본체 B1 내를 향하여 수평으로 전진하여 진입 후, 상승하여 웨이퍼 W를 들어 올려서 수취한다. 이 용기 본체 B1로의 진입 시에 있어서 당해 기판 지지부(45)의 상측 웨이퍼 W 및 하측의 웨이퍼 W와 간섭하지 않도록, 후술하는 바와 같이 기판 지지부(45)의 높이가 제어된다. 또한 이와 같이 기판 지지부(45)는 수평 방향으로 이동하여 용기 본체 B1 내로 진입하는데, 이 수평 방향으로 이동한다는 것은, 장치의 설계상 수평 방향으로 이동한다는 것이다. 즉, 예를 들어 장치의 제조 오차나 조정 오차에 따라 수평 방향에 대하여 약간 비스듬한 횡 방향으로 이동하는 경우도, 설계상 수평 방향으로 이동하는 것이면 수평 방향으로 이동하는 것에 포함된다.
도 2로 되돌아가 설명을 계속한다. 상기 로드 포트(5)는 지지대(52), 이동 스테이지(53), 개폐 도어(54) 및 이동 기구(55)에 의하여 구성된다. 반송구(51)의 하우징(31)의 반대측을 앞쪽이라 하면, 지지대(52)는 하우징(31)의 외측에 있어서 반송구(51)의 하방 위치로부터 앞쪽으로 돌출된다. 이동 스테이지(53)는, 반송 용기 B를 적재한 상태에서 지지대(52) 상을 전후로 이동하는 반송 용기용 적재대이다. 이 이동 스테이지(53)의 이동에 의하여, 도 2에 도시한 바와 같이, 용기 본체 B1의 기판 취출구 B3의 구멍 테두리부 B4가 하우징(31)의 외측으로부터 반송구(51)의 구멍 테두리부(56)에 밀착됨과 함께 반송구(51)와 기판 취출구 B3이 서로 겹쳐져, 용기 본체 B1에 대하여 웨이퍼 W의 전달을 행할 수 있게 된다. 또한 이와 같이 구멍 테두리부 B4가 구멍 테두리부(56)에 밀착될 때의 용기 본체 B1의 위치를 전달 위치라 한다.
개폐 도어(54)는, 하우징(31)의 내측으로부터 반송구(51)를 닫는, 도 2에 실선으로 나타내는 폐쇄 위치에 위치할 수 있다. 또한 개폐 도어(54)는 도시하지 않은 로크 해제 기구를 구비하며, 상기와 같이 용기 본체 B1이 전달 위치에 위치하고, 또한 당해 개폐 도어(54)가 폐쇄 위치에 위치하는 상태에서 덮개체 B2의 로크 기구에 작용하여, 용기 본체 B1과 덮개체 B2 사이에 로크가 형성된 상태와 로크가 해제된 상태를 전환할 수 있다. 그와 같이 용기 본체 B1과의 로크가 해제된 덮개체 B2는 당해 개폐 도어(54)에 지지된다. 이동 기구(55)는, 덮개체 B2를 지지하는 개폐 도어(54)를, 폐쇄 위치와, 당해 폐쇄 위치의 후방이자 하방의 개방 위치로 이동시킬 수 있다. 개방 위치는, 반송 용기 B와 로드 로크 모듈(12, 13) 사이에서 웨이퍼 W를 반송할 때의 웨이퍼 W 반송로 상으로부터 개폐 도어(54)가 퇴피한 위치이며, 도 2에서는 쇄선으로 당해 개방 위치에 있어서의 개폐 도어(54)를 나타내고 있다.
또한 도 1에 도시한 바와 같이 진공 처리 장치(1)는, 컴퓨터를 포함하는 제어부(6)를 구비하고 있다. 제어부(6)는 진공 처리 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 송신하여 그 동작을 제어한다. 제어부(6)에 대해서는 후에 상세히 설명한다.
계속해서, 진공 처리 장치(1)의 운용 전에 행해지는, 티칭이라 칭해지는 작업에 대하여 설명한다. 이 티칭은, 세미(semi) 규격에 적합하게 구성된 반송 용기 B에 있어서의 각 슬롯의 웨이퍼 W의 높이와, 각 웨이퍼 W를 수취하기 위하여 기판 지지부(45)가 반송 용기 B에 대하여 전진하는 높이(진입 높이라 함)를 제어부(6)에 기억시키는 작업이다. 구체적으로는, 예를 들어 그와 같이 세미 규격에 적합한 티칭용의 반송 용기 B에 격납되는 웨이퍼 W에 대하여, 예를 들어 후술하는 매핑을 행함으로써 각 웨이퍼 W의 높이를 취득하고, 또한 이 웨이퍼 W의 높이에 기초하여 기판 지지부(45)의 진입 높이를 결정한다. 로드 포트(5)별로 제조 오차가 존재하기 때문에 각 로드 포트(5)에 대하여 이 티칭이 행해진다.
상기 매핑에 대하여 설명한다. 이 매핑은, 전달 위치에서 덮개체 B2가 떼어내진 용기 본체 B1 내에 기판 지지부(45)의 선단부가 진입하여, 기판 취출구 B3 부근의 웨이퍼 W의 전단부를 평면으로 보아 사이에 두도록 투광부(47A)와 수광부(47B)가 위치한다. 그리고 슬롯(1, 25)에 대응하는 각 높이로 투광부(47A)로부터 수광부(47B)로의 광 조사가 행해짐과 함께, 기판 지지부(45)가 승강한다. 또한 도 3의 쇄선 화살표는, 이 광 조사에 의하여 형성되는 광축을 나타내고 있다. 제어부(6)는, 웨이퍼 W의 전단부에 의한 광의 차단에 따라 변화되는 수광부(47B)로부터의 출력 신호에 기초하여 슬롯 1 및 슬롯 25의 각 웨이퍼 W의 높이를 검출한다. 또한 제어부(6)는 슬롯 2 내지 슬롯 24의 웨이퍼 W의 높이에 대하여, 슬롯 1의 웨이퍼 W의 높이와 슬롯 25의 웨이퍼 W의 높이의 차분을, 슬롯 1과 슬롯 25 사이의 슬롯의 수에 대응하는 값을 이용하여 등분할함으로써 산출한다.
그런데 로드 포트(5)로 반송되는 반송 용기 B는 다양하여, 열화나 제조의 결함 등 각종 이유에 의하여 세미 규격에 적합하지 않은 반송 용기 B가 반송되는 경우가 있다. 또한 반송 용기 B 내에 있어서의 웨이퍼 W의 격납 상태도 다양하여, 세미 규격에 적합하지 않도록 높이가 어긋나거나 경사지거나 하여 격납된 상태로 되어 있는 경우도 있다. 따라서 장치의 운용 중(반도체 제품의 제조 중)에 로드 포트(5)로 반송 용기 B가 반송되면, 상기 매핑이 행해져 각 슬롯의 웨이퍼 W의 높이가 검출된다. 그리고 제어부(6)는, 이와 같이 취득된 웨이퍼 W의 높이와 티칭 시에 취득된 웨이퍼 W의 높이에 기초하여 각 웨이퍼 W의 수취 가부의 판단을 행하여, 웨이퍼 W를 수취하는 경우에는, 티칭에 의하여 미리 취득되어 있는 기판 지지부(45)의 진입 높이를 보정하여 실제 진입 높이를 결정한다. 상기와 같이 장치의 운용 중에 매핑에 의하여 취득되는 웨이퍼 W의 높이에 대하여, 검출 높이 P1이라 한다. 그리고 상기 티칭에 있어서 취득되는 웨이퍼 W의 높이에 대하여, 기준 높이 P0이라 한다.
상기와 같이 기판 지지부(45)는, 반송 용기 B로의 진입 시에 상측의 웨이퍼 W 및 하측의 웨이퍼 W에 접촉하지 않을 것이 요구된다. 그 때문에, 검출 높이가 취득된 웨이퍼 W에 대하여 하방으로 이격되도록 기판 지지부(45)의 진입 높이가 결정된다. 웨이퍼 W와 기판 지지부(45)의 진입 높이의 관계에 대하여 설명하지만, 그 전에 도 4를 이용하여 기판 지지부(45)에 대하여 더 설명해 둔다. 이 도 4는, 반송 용기 B 내로 진입하는 기판 지지부(45)의 선단부의 측면, 및 반송 용기 B에 격납되는 웨이퍼 W의 측면을 도시한 모식도이다. 기판 지지부(45)에 대해서는 수평으로 되도록 구성되지만, 실제로는 수평에 대한 오차가 존재할 수 있다. 또한 기판 지지부(45)의 반송 용기 B로의 진입 경로에 대해서도 수평으로 구성되지만, 실제로는 수평에 대한 오차가 존재할 수 있다. 그 외에, 반송 용기 B로의 진입 시에 기판 지지부(45)에는 상하의 진동이 발생하는 경우가 있으며, 이때 상하의 진폭이 크면 기판 지지부(45)가 웨이퍼 W에 접촉해 버릴 위험성이 높아진다. 또한, 반송 용기 B가 적재되는 로드 포트(5)의 이동 스테이지(53)에 대해서도 수평으로 구성되지만, 실제로는 수평에 대한 오차가 존재할 수 있다.
이들 요인을 고려하여, 기판 지지부(45)에 대해서는 실제 상단보다도 상방의 b1 더 이격된 높이에 상단이 위치하고, 실제 하단보다도 하방 b2 더 이격된 높이에 하단이 위치하는 것으로 간주한다. 즉, 기판 지지부(45)의 실제 두께가 a인 것으로 하더라도, 운용상은 이 두께 a에 높이 b1 및 높이 b2가 가산되는 것으로서 취급한다. 즉, 웨이퍼 W 사이에, 측면에서 보아 두께(높이)가 a+b1+b2이도록 직사각형으로 나타나는 기판 지지부(45)가 진입하는 것으로 간주하며, 이 직사각형체에 대하여 가상의 지지부(45A)라 한다. 또한 이 도 4 및 후술하는 각 도면에 있어서, 검출 높이 P1을 웨이퍼 W의 상하 폭의 중심의 위치로서 나타내고 있다.
상기와 같이 기판 지지부(45)의 상하의 높이에 대하여 실제 높이보다도 큰 것으로서 당해 기판 지지부(45)의 진입 높이가 정해지지만, 설명의 편의상, 실시예의 기판 지지부(45)의 진입 높이의 결정 방법을 설명하기 전에, 비교예에 있어서의 기판 지지부(45)의 진입 높이의 결정 방법에 대하여 설명한다. 이 비교예의 진입 높이의 결정 방법을 설명하기 위하여, 당해 비교예에 있어서, 수취 대상으로 되는 웨이퍼 W의 하방에 마련되는 클리어런스에 대하여 설명한다.
상기와 같이 매핑에서는, 용기 본체 B1의 전방측(기판 취출구 B3측)에 있어서의 웨이퍼 W의 높이를 검출하고 있으며, 후방측에 있어서의 웨이퍼 W의 높이는 검출되지 않는다. 그러나 상기와 같이 반송 용기 B 내에 웨이퍼 W는 경사지게 격납되어 있는 경우가 있다. 따라서 기판 지지부(45)의 수취 대상인 웨이퍼 W가, 세미 규격의 적합 범위 내에서 가장 후방측이 낮아지도록 경사져 있더라도, 가상의 지지부(45A)와 웨이퍼 W의 후단이 접촉하지 않도록, 매핑에 의하여 취득되는 웨이퍼 W의 전단부의 하면의 위치와 가상의 지지부(45A) 사이에 클리어런스가 설정된다.
도 4에서는, 그와 같이 기판 지지부(45)의 수취 대상인 웨이퍼 W(기판 지지부(45)가 수취하고자 하는 웨이퍼 W)가, 세미 규격에 적합한 범위 내에서 가장 후방측이 낮아지도록 경사져 있는 예를 도시하고 있으며, 이와 같은 경사로 되어 있는 웨이퍼 W를 워스트 케이스의 웨이퍼 W라 한다. 또한 다수의 도트를 찍음과 함께 프레임으로 에워싸서 표시한 직사각형 영역은, 상기 수취 대상인 웨이퍼 W의 하면의 존재가 세미 규격에 있어서 허용되어 있는 허용 영역이다. 따라서 보다 상세히 설명하면, 워스트 케이스의 웨이퍼 W란, 웨이퍼 W의 하면에 있어서의 전단이 허용 영역 L1의 상단에, 후단이 허용 영역 L1의 하단에 각각 위치할 때와 동일한 경사를 갖는 웨이퍼 W이다. 도 4에서는, 상기 웨이퍼 W의 전단부의 하면의 위치와 가상의 지지부(45A) 사이의 클리어런스의 높이를 c로서 나타내고 있다. 가상의 지지부(45A)의 용기 본체 B1 내로의 진입 시에 하방측의 웨이퍼 W로의 접촉을 피하기 위하여, 클리어런스의 높이 c에 대해서는 필요 최소한의 크기로 설정되어 있으며, 따라서 미리 설정되는 높이 간격인 이 높이 c는 상기 허용 영역 L1의 높이와 동일한 크기이다. 이와 같이 높이 c가 설정되어 있으므로, 도 4에 도시하는 하면이 허용 영역 L1에 드는 워스트 케이스의 웨이퍼 W를 수취하는 데에 있어서, 허용 영역 L1의 하면의 높이와, 당해 웨이퍼 W의 후단의 높이와, 가상의 지지부(45A)의 상단의 높이가 서로 정렬되게 된다. 티칭에 있어서는, 이상에 설명한 웨이퍼 W의 수취를 행할 수 있도록 기판 지지부(45)의 진입 높이 위치가 설정된다.
비교예에서는, 웨이퍼 W의 기준 높이 P0 및 검출 높이 P1에 구애받지 않고 웨이퍼 W의 전단부의 하면과 가상의 지지부(45A) 사이에 상기 클리어런스의 높이 c가 확보되도록 기판 지지부(45)의 진입 높이가 정해진다. 도 4와 마찬가지로 당해 진입 높이가 결정되어 반송 용기 B 내로 진입하는 기판 지지부(45)를 모식적으로 도시한 도 5, 도 6을 참조하여, 이 비교예에 있어서의 진입 높이의 결정 방법을 구체적으로 설명한다. 또한 이 도 5, 도 6 및 이후의 각 도면에서는, 수취 대상인 웨이퍼 W가 격납되는 하나의 슬롯에 있어서, 티칭 시에 격납되어 있던 웨이퍼 W를 W0로서 나타내고 있다. 그리고 이 웨이퍼 W0로부터 취득되는 기준 높이 P0에 대해서는, 검출 높이 P1과 마찬가지로 웨이퍼 W의 상하 폭의 중심 위치를 가리키도록 나타내고 있다.
도 5에 도시하는 예에서는, 웨이퍼 W0이 도 4에서 설명한 바와 같이 워스트 케이스이고, 그 하면이 허용 영역 L1에 들도록 격납되어 있던 것으로 한다. 따라서 당해 하나의 슬롯에 있어서의 웨이퍼 W의 기준 높이 P0은, 도 4 중의 검출 높이 P1과 동등하므로, 이 도 5에서 설명하는 예에서 티칭 시에 있어서 설정된 기판 지지부(45)의 진입 높이는, 도 4에서 나타낸 기판 지지부(45)의 진입 높이와 동일하다. 그리고 도 5에서는 수취 대상인 하나의 슬롯의 웨이퍼 W의 검출 높이 P1이, 기준 높이 P0보다도 높이 d1 하방의 위치에 검출된 예를 도시한다. 즉, 웨이퍼 W의 전단부의 하면에 대해서도, 도 4에서 설명한 위치보다도 d1 하방에 위치한다. 검출 높이 P1이 그와 같은 높이로 된 웨이퍼 W에 대하여, 워스트 케이스로 되도록 격납되어 있을 것으로 생각되기 때문에, 당해 웨이퍼 W의 하면에 대하여, 상기 클리어런스의 높이 c+기판 지지부(45)의 상측 높이 b1 이격되도록, 티칭 시에 설정된 기판 지지부(45)의 진입 높이가 보정된다. 더 상세히 설명하면, 상술한 바와 같이 도 5의 기준 높이 P0은 도 4의 검출 높이 P1과 동등한 점에서, 이 도 5에 도시하는 예의 기판 지지부(45)의 진입 높이는, 도 4에 도시한 기판 지지부(45)의 진입 높이보다도 d1 하방으로 어긋나게 되어, 가상의 지지부(45A)의 상단은 허용 영역 L1의 하면으로부터 d1 이격되게 된다. 또한 상기와 같이 수취 대상인 웨이퍼 W는 워스트 케이스로 될 것으로 생각되지만, 실제로는 웨이퍼 W를 수취하는 데에 있어서 그 경사 및 허용 영역 L1과의 위치 관계는 불분명하다. 도 5에서는, 수취 대상인 웨이퍼 W의 실제 격납 상태가 수평이며, 허용 영역 L1의 하면과 당해 수취 대상인 웨이퍼 W의 하면이 일치하고 있고, 클리어런스의 높이 c=높이 d1로 되어 있는 것으로서 도시하고 있다.
또한 도 6에서는, 하나의 슬롯의 웨이퍼 W의 검출 높이 P1이 기준 높이 P0보다도 높이 d2 하방의 위치인 예를 도시하고 있다. 즉, 웨이퍼 W의 전단부의 하면에 대해서도, 도 4에서 설명한 위치보다도 높이 d2 하방에 위치하고 있다. 또한 이 도 6의 예에 있어서는, 티칭 시의 웨이퍼 W0은 도 5에서 설명한 상태와 동일한 상태로 격납되어 있던 것으로 하며, 따라서 이 도 6의 예에 있어서의 기준 높이 P0에 대해서는, 도 5의 예와 동일하게 도 4의 검출 높이 P1의 높이와 동등한 것으로 한다.
이 도 6에 도시하는 예에서도, 도 5에서 설명한 바와 같이 당해 웨이퍼 W가 워스트 케이스로 되도록 격납되어 있는 것으로 하며, 기판 지지부(45)의 상방에는 높이 b1+c가 확보되도록 당해 기판 지지부(45)의 진입 높이가 결정된다. 따라서 도 6의 예에서는, 기판 지지부(45)의 진입 높이는, 티칭 시에 설정된 진입 높이보다도 높이 d2 하방으로 어긋나고, 그것에 의하여 가상의 지지부(45A)의 상단도 허용 영역 L1의 하면으로부터 d2 이격되도록 보정된다. 또한 도면의 번잡화를 피하기 위하여 이 도 6 및 후술하는 도 8에서는, 도 4 등과 달리 허용 영역 L1을 나타내는 프레임을 표시하고 있지 않으며, 도트만을 찍어서 표시하고 있다.
그런데, 예를 들어 진공 처리 장치(1)로 반송되기 전의 전공정에서 반송 용기 B로 웨이퍼 W를 복귀시킬 때에 용기 본체 B1의 후방측의 내벽에 웨이퍼 W가 접촉하고, 웨이퍼 W의 전방측이 안쪽에 비해 앞으로 처지는 자세로 되어, 그 하면의 위치가 세미 규격에서 정해지는 허용 영역 L1로부터 벗어나는 경우가 있다. 도 6에서는, 수취 대상인 웨이퍼 W가 그와 같이 앞으로 쳐져 허용 영역 L1로부터 벗어난 예를 도시하고 있으며, 따라서 상기 높이 d2는 비교적 크다. 이 비교예와 같이 기판 지지부(45)의 진입 높이를 결정하는 경우, 도 6의 예보다도 앞으로 처지는 정도가 더 크다고 하면, 기판 지지부(45)와 하방의 웨이퍼 W 표면의 접촉을 방지하기 위하여 높이 b2를 확보할 필요가 있으므로, 웨이퍼 W의 수취를 중지할 필요가 있다.
예를 들어 상기 기판 지지부(45)의 상하의 진폭이 크면, 가상의 지지부(45A)의 높이 b1, b2에 대해서도 비교적 크게 설정할 필요가 있다. 한편 웨이퍼 W의 앞 처짐이 커서 세미 규격을 초과하는 경우에도 웨이퍼 W와 접촉하지 않도록 기판 지지부(45)의 진입 높이를 결정할 것이 요구되고 있다. 실시예의 기판 지지부(45)의 진입 높이의 결정 방법은 그들 요청에 대응할 수 있는 것이다. 이 실시예의 기판 지지부(45)의 진입 높이의 결정 방법에 대하여, 도 7, 도 8을 이용하여 비교예의 진입 높이의 결정 방법과의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 7, 도 8에서는, 수취 대상인 웨이퍼 W의 높이 및 경사가, 도 5, 도 6의 수취 대상인 웨이퍼 W의 높이 및 경사와 동일하게 되어 있는 것으로서 도시하고 있다. 또한 티칭 시의 웨이퍼 W0의 높이 및 경사에 대해서도, 도 5, 도 6의 웨이퍼 W0의 높이 및 경사와 동일하게 되어 있는 것으로서 도시하고 있으며, 따라서 도 7, 도 8의 기준 높이 P0은 도 5, 도 6의 기준 높이 P0과 동일하다.
이 실시예의 진입 높이의 결정 방법에 있어서는, 기준 높이 P0과 검출 높이 P1의 차분값(제1 차분값이라 함)을 산출한다. 또한 이 제1 차분값에 대하여, 기준 높이 P0보다 검출 높이 P1이 하방에 위치할 때를 +라 한다. 그리고 이 제1 차분값을 상기 클리어런스의 높이 c(>0)와 비교한다. 보다 구체적으로는, 예를 들어 제2 차분값=제1 차분값-클리어런스의 높이 c를 산출하여, 당해 제2 차분값>0인지 여부를 판정한다.
도 7에서는 상기 높이 d1이 제1 차분값이다. 도 5에서 설명한 바와 같이 여기서는 d1=c이기 때문에, 이 도 7의 예에서는 제2 차분값=(제1 차분값-클리어런스의 높이 c)≤0이다. 제2 차분값이 이와 같이 0 이하인 경우에는, 기판 지지부(45)의 진입 높이의 보정이 행해지지 않으며, 도 4에서 설명한 바와 같이 티칭 시에 설정된 높이, 즉, 기준 높이 P0에 대응하는 높이로 기판 지지부(45)가 전진하도록 결정된다. 상기와 같이 이 도 7의 예에서는, 웨이퍼 W0은 워스트 케이스이고, 그 하면이 허용 영역 L1에 들도록 격납되어 있던 점에서, 이와 같이 기판 지지부(45)의 진입 높이가 결정된 것에 의하여 허용 영역 L1의 하면과 가상의 지지부(45A)의 상단이 정렬되게 된다.
도 8에서는 상기 높이 d2가 제1 차분값이며, 여기서는 d2>c인 것으로 한다. 따라서 제2 차분값=(제1 차분값-클리어런스의 높이 c)>0이다. 제2 차분값이 이와 같은 경우에는 기판 지지부(45)의 진입 높이의 보정이 행해지지만, 비교예의 보정과는 달리 제1 차분값 d2가 높이 c를 초과한 분만 보정한다. 즉, 제2 차분값=d2-c만큼, 미리 설정된 진입 높이로부터 하방으로 어긋나도록 진입 높이를 보정한다. 상기와 같이 이 도 8의 예에서는, 웨이퍼 W0은 워스트 케이스이고, 그 하면이 허용 영역 L1에 들도록 격납되어 있던 점에서, 이와 같이 기판 지지부(45)의 진입 높이가 결정된 것에 의하여, 허용 영역 L1의 하면으로부터 d2-c 하방으로 이격되도록 가상의 지지부(45A)의 상단이 위치하게 된다.
즉, 이 실시예에서도, 비교예와 마찬가지로 수취 대상인 웨이퍼 W가 워스트 케이스인 것을 상정하여 클리어런스의 높이 c가 설정되어 있다. 그 때문에, 수취 대상인 웨이퍼 W가 티칭 시의 웨이퍼 W에 비해 전방측이 하방으로 낮아지도록 경사지며, 그것에 의하여 기준 높이 P0보다도 낮게 검출 높이 P1이 위치하고 있더라도, 이들 높이 P1, P0의 차분값이 높이 c를 초과하지 않는 범위이면 가상의 지지부(45A)와 웨이퍼 W는 접촉하지 않는다. 따라서 그와 같이 차분값이 높이 c를 초과하지 않는 경우에는, 도 7에 도시한 예와 같이 티칭 시에 설정된 기판 지지부(45)의 진입 높이를 보정하지 않고 전진시킨다. 그리고 높이 P1, P0의 차분값이 높이 c를 초과하고 있을 때는, 도 8에 도시한 예와 같이 초과하고 있는 분만큼 진입 높이를 보정함으로써, 진입 높이의 하방으로의 보정량을 최소한으로 하고 있다.
이와 같은 실시예의 진입 높이의 결정 방법에서는, 비교예의 진입 높이의 결정 방법에 비해, 기준 높이 P0에 대하여 검출 높이 P1이 낮아졌을 때에 하방측으로의 기판 지지부(45)의 진입 높이의 보정량이 증가하는 것을 억제할 수 있다. 기판 지지부(45)의 진입 높이를 보정한 결과, 가상의 기판 지지부(45A)가 수취 대상인 하방 웨이퍼 W에 접촉해 버리게 될 경우에는 수취를 중지해야만 한다. 그러나 상기와 같이 진입 높이의 보정량을 억제할 수 있기 때문에, 기준 높이 P0과 검출 높이 P1의 차가 보다 큰 경우에도 웨이퍼 W를 수취할 수 있다. 즉, 보다 크게 앞으로 처진 웨이퍼 W를 수취할 수 있다. 따라서 웨이퍼 W의 자세의 결함에 의하여 당해 웨이퍼 W의 수취가 중지되는 것을 억제할 수 있으므로, 진공 처리 장치(1)의 생산성을 높일 수 있다. 또한 그와 같이 기준 높이 P0과 검출 높이 P1의 차가 큰 경우에도 웨이퍼 W의 수취가 가능할 수 있다는 것은, 운용 시의 기판 지지부(45)의 상하의 진폭 크기나 기판 지지부(45)의 수평도를 조정하는 데에 있어서, 그 진폭의 크기 및 수평도의 허용 범위를 크게 할 수 있다는 것이기도 하다. 따라서 장치를 조정하는 수고의 경감을 도모할 수 있다.
도 1에 도시하는 제어부(6)에 대하여 보충하여 설명해 둔다. 제어부(6)는, 이미 설명한 각 모듈 사이에서의 웨이퍼 W의 반송, 성막 모듈(2)에서의 웨이퍼 W의 처리, 및 실시예의 진입 높이의 결정 방법을 실시할 수 있도록 명령(각 스텝)이 짜진 프로그램(61)을 구비하고 있다. 이 프로그램(61)에 의하여 진공 처리 장치(1)의 각 부에 제어 신호가 출력되어 각 부의 동작이 제어된다. 이 프로그램(61)은, 예를 들어 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광 자기 디스크), DVD 등의 기억 매체에 저장된 상태에서 제어부(6)에 인스톨된다. 또한 제어부(6)는 기억부(62)를 구비하고 있다. 이 기억부(62)에는, 이미 설명한 실시예의 기판 지지부(45)의 높이의 결정 방법을 실시할 수 있도록 각종 데이터가 기억된다. 구체적으로는, 티칭에 의하여 취득되는 각 슬롯의 웨이퍼 W의 기준 높이 P0, 각 기준 높이 P0에 대응하는 기판 지지부(45)의 진입 높이, 클리어런스의 높이 c에 대하여 기억된다. 또한 장치의 운용 시(제품 웨이퍼 W의 처리 시)에 각 웨이퍼 W의 검출 높이 P1이 취득되면 이의 기억부(62)에 기억된다.
계속해서, 실시예의 기판 지지부(45)의 진입 높이의 결정 방법에 대하여 정리한 흐름도인 도 9를 참조하면서 당해 높이 결정 방법에 대하여 순서에 따라 설명한다. 먼저, 이미 설명한 티칭을 행하여, 각 슬롯의 웨이퍼 W의 기준 높이 P0, 및 기준 높이 P0에 대응하는 기판 지지부(45)의 진입 높이가 취득된다(스텝 S1). 계속해서, 진공 처리 장치(1)의 운용이 개시되어 로드 포트(5)에, 웨이퍼 W가 격납된 반송 용기 B가 적재된다(스텝 S2). 반송 용기 B의 덮개체 B2가 벗겨지고 매핑이 행해져 각 슬롯의 웨이퍼 W의 검출 높이 P1이 취득된다(스텝 S3). 그리고 하나의 슬롯의 웨이퍼 W에 대하여 기준 높이 P0과 검출 높이 P1의 차분값인 제1 차분값이 산출된다(스텝 S4). 계속해서, 제2 차분값으로서 제1 차분값-클리어런스의 높이 c가 산출되고(스텝 S5), 제2 차분값>0인지 여부가 판정된다(스텝 S6). 이 스텝 S6은, 제어부(6)에 기억되는 진입 높이(제1 진입 높이)로 기판 지지부(45)를 진입시킬지, 이 제1 진입 높이에 대하여 보정된 진입 높이(제2 진입 높이)로 기판 지지부(45)를 진입시킬지를 결정하는 진입 높이의 결정 공정에 상당한다.
제2 차분값>0이 아닌, 즉, 제2 차분값≤0이라고 판정된 경우에는, 기판 지지부(45)의 진입 높이는 보정되지 않으며, 스텝 S1에서 설정된 진입 높이로 기판 지지부(45)가 전진하여 반송 용기 B 내로 진입하여 웨이퍼 W의 수취가 행해진다(스텝 S7). 상기 도 7은, 이 스텝 S7의 기판 지지부(45)의 동작을 설명한 것이다. 제2 차분값>0이라고 판정된 경우에는, 이 제2 차분값의 분만큼 기판 지지부(45)의 진입 높이가 하방으로 어긋나게 보정되고, 보정된 높이로 기판 지지부(45)를 전진시켜 반송 용기 B 내에 기판 지지부(45)가 진입하고 웨이퍼 W의 수취가 행해진다(스텝 S8). 상기 도 8은, 이 스텝 S8의 기판 지지부(45)의 동작을 설명한 것이다. 스텝 S7, 스텝 S8에서 수취된 웨이퍼 W는 상술한 바와 같이 로더 모듈(2)의 하우징(31) 내로 반송된 후, 이미 설명한 경로로 진공 처리 장치(1) 내에서 반송되어 반송 용기 B로 복귀된다.
또한 반송 용기 B의 하나의 슬롯의 웨이퍼 W를 취출하는 것에 대하여 설명하였지만, 반송 용기 B 내의 각 슬롯의 웨이퍼 W에 대하여, 상기 제1 차분값 및 제2의 차분값이 산출되어, 각 웨이퍼 W를 취출하기 위한 기판 지지부(45)의 진입 높이가 결정된다. 즉, 상기 스텝 S1 내지 S8은 반송 용기 B 내의 각 웨이퍼 W에 대하여 실행된다. 단, 1매의 웨이퍼 W만을 이 스텝 S1 내지 S8의 흐름을 따라 취출해도 된다.
그런데 상기 예에서는, 기판 지지부(45)는, 롤러(49) 및 구동 기구(40)를 포함하는 웨이퍼 W의 압박 기구를 구비하지만, 기판 지지부(45)는 이와 같은 압박 기구를 구비하고 있지 않아도 된다. 단, 이와 같은 압박 기구를 구비하는 경우, 압박 기구의 중량의 영향에 의하여 기판 지지부(45)에 비교적 큰 진폭이 발생할 우려가 있기 때문에, 도 4에서 설명한 높이 b1 및 높이 b2가 비교적 커지므로, 본 개시의 기술이 특히 유효하다. 또한 매핑을 행하는 센서부(47)에 대해서는, 기판 지지부(45)와는 독립적으로 승강 기구에 의하여 반송구(51) 부근을 승강하게 마련해도 된다. 또한 진공 처리 장치(1)는 성막 모듈(2)을 구비하는 것으로 하고 있지만, 에칭이나 어닐 등의 성막 이외의 처리를 행하는 모듈을 구비하고 있어도 된다. 또한 로더 모듈(3)은 진공 분위기에서 기판에 처리를 행하는 장치에 내장되는 것에 한정되지 않으며, 레지스트의 도포나 현상액의 공급 등, 대기 분위기에서 기판에 처리를 행하는 기판 처리 장치에 내장되어 있어도 된다.
또한 상기 예에서는, 미리 제어부(6)에, 기준 높이 P0에 기초한 기판 지지부(45)의 진입 높이가 기억되어 있어서 이 진입 높이를 보정하지만, 제어부(6)에는 기준 높이 P0만 저장해 두어도 된다. 즉, 검출 높이 P1이 취득되고, 이미 설명한 바와 같이 산출되는 제2 차분값≤0이면, 기준 높이 P0에 소정의 값 A1이 감산되어 P0보다도 A1만큼 하방으로 되도록 기판 지지부(45)의 진입 높이가 결정된다. 그리고 제2 차분값>0이면, 기준 높이 P0에 소정의 값 A1을 감산하고, 또한 제2 차분값 A2를 감산하여, P0보다도 A1+A2만큼 하방으로 되도록 기판 지지부(45)의 진입 높이를 결정한다. 즉, 미리 제어부(6)에 기억되어 있는 기판 지지부(45)의 진입 높이를 보정하는 것에 한정되지는 않는다. 또한, 상기 예에서는, 매핑 시에 있어서, 슬롯 2 내지 24의 웨이퍼 W의 높이에 대해서는 슬롯 1, 25의 각 웨이퍼 W의 높이로부터 산출하고 있지만, 센서부(47)를 승강시켜 이들 슬롯 2 내지 24의 웨이퍼 W의 높이를 직접 검출해도 된다.
또한 제1 차분값에 대하여 기준 높이 P0과 검출 높이 P1의 차분값으로 하였지만, 이 높이 P0, P1의 차분값에, 예를 들어 소정의 보정값을 가산하거나 하여 보정한 것을 제1 차분값으로 해도 된다. 즉, 제1 차분값은, 기준 높이 P0과 검출 높이 P1의 차분에 대응하는 값이면 된다. 마찬가지로 제2 차분값에 대해서도 제1 차분값과 클리어런스의 높이 c의 차분값으로 하였지만, 이 차분값에, 예를 들어 소정의 보정값을 가산하거나 하여 보정한 것을 제2 차분값으로 해도 된다. 즉, 제2 차분값은, 제1 차분값과 클리어런스의 높이 c의 차분에 대응하는 값이면 된다. 또한 차분에 대응하는 값이란, 차분 자체도 포함한다는 의미이다.
또한 도 4 등에서 나타낸 클리어런스의 높이 c는, 상기 예에서는 웨이퍼 W가 워스트 케이스로 되는 것을 상정하여, 예를 들어 1㎜로 설정되어 있다. 단, 이 높이 c에 대하여, 웨이퍼 W가 워스트 케이스로 되지 않을 것을 상정하여 1㎜보다 작게 설정되어 있어도 되고, 워스트 케이스보다도 더 웨이퍼 W의 후단이 낮아지도록 경사질 것을 상정하여 1㎜보다 크게 설정되어 있어도 된다. 높이 c가 지나치게 크면, 기판 지지부(45)가 하방의 웨이퍼 W에 접촉하기 쉬워질 것을 고려하여 당해 높이 c는, 예를 들어 0.5㎜ 내지 1.5㎜로 설정된다. 또한 도 4 등에서 도시하는 기판 지지부(45)의 상하의 높이 a는 3㎜ 내지 6㎜, 기판 지지부(45)의 상측에 설정하는 높이 b1은 1㎜ 내지 3㎜, 기판 지지부(45)의 하측에 설정하는 높이 b2는 1㎜ 내지 3㎜이다.
또한 금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부된 특허 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이 다양한 형태에서 생략, 치환, 변경되어도 된다.
c: 클리어런스의 높이
B: 반송 용기
B3: 기판 취출구
P0: 기준 높이
P1: 검출 높이
W: 웨이퍼
3: 로더 모듈
31: 하우징
4: 반송 기구
45: 기판 지지부
46: 센서부
51: 반송구

Claims (5)

  1. 복수의 기판을 상하로 단을 이루도록 격납하는 반송 용기를, 당해 반송 용기의 측방에 개구된 기판 취출구가, 하우징의 측벽에 개구되는 기판 반송구에 겹쳐지도록, 당해 하우징의 외측에 마련되는 적재부에 적재하는 적재 공정과,
    상기 기판의 하면을 지지하여 승강 및 수평 방향으로 이동하는 기판 지지부를 구비하는 반송 기구에 의하여, 상기 적재부에 적재된 상기 반송 용기와 상기 하우징 내 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송 공정과,
    상기 적재 공정 및 반송 공정을 행하기 전에, 상기 적재부에 적재되는 상기 반송 용기 내에 있어서의 각 기판의 기준 높이를 취득하는 기준 높이 취득 공정과,
    상기 기준 높이 취득 공정 및 상기 적재 공정 후이자 상기 반송 공정 전에 행해져, 상기 적재부에 적재된 상기 반송 용기 내의 각 기판의 높이를 센서부에 의하여 검출하는 높이 검출 공정과,
    계속해서 상기 반송 용기 내의 하나의 기판에 대한 상기 높이 검출 공정에 있어서 검출된 기판의 높이와 상기 기준 높이의 차분에 대응하는 제1 차분값을 취득하는 공정과,
    그런 후, 미리 설정된 높이 간격과 상기 제1 차분값에 기초하여, 상기 하나의 기판의 기준 높이에 대응하는 제1 진입 높이와, 당해 제1 진입 높이를 제1 차분값에 따라 보정한 제2 진입 높이 중, 어느 하나를 선택하여 당해 기판 지지부가 상기 반송 용기 내로 진입하는 진입높이를 결정하는 진입 높이 결정 공정과,
    결정한 진입 높이로 상기 기판 지지부를 상기 반송 용기 내로 진입시켜 상기 하나의 기판을 수취하는 수취 공정
    을 포함하는, 기판 반송 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 진입 높이 결정 공정은,
    상기 미리 설정된 높이 간격과 상기 제1 차분값의 차분에 대응하는 제2 차분값을 취득하고, 당해 제2 차분값에 기초하여, 상기 제1 진입 높이와 상기 제2 진입 높이 중 어느 하나를 상기 진입 높이로 결정하는 공정을 포함하는, 기판 반송 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 차분값은, 상기 높이 검출 공정에 있어서 검출된 상기 기판의 높이와 상기 기준 높이의 차분이고,
    상기 진입 높이 결정 공정은,
    제1 차분값-미리 설정된 높이 간격≤0일 때는 상기 제1 진입 높이로,
    제1 차분값-미리 설정된 높이 간격>0일 때는 상기 제2 진입 높이로 각각,
    상기 기판 지지부의 진입 높이를 결정하는 공정을 포함하는, 기판 반송 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반송 용기 내의 각 기판에 대하여, 상기 제1 차분값을 취득하는 공정, 상기 진입 높이 결정 공정 및 상기 수취 공정이 행해지는, 기판 반송 방법.
  5. 측벽에 기판 반송구가 마련된 하우징과,
    복수의 기판을 상하로 단을 이루도록 격납하는 반송 용기를, 당해 반송 용기의 측방에 개구된 기판 취출구가 상기 기판 반송구에 겹쳐지도록 상기 하우징의 외측에 적재하는 적재부와,
    상기 기판의 하면을 지지하여 승강 및 수평 방향으로 이동하는 기판 지지부를 구비하고, 상기 반송 용기와 상기 하우징 내 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송 기구와,
    상기 적재부에 적재된 상기 반송 용기에 격납되는 각 기판을 상기 기판 지지부가 수취하기 위하여 당해 각 기판의 높이를 검출하는 센서부와,
    상기 적재부에 적재된 상기 반송 용기에 격납되는 상기 각 기판의 기준 높이가 기억되는 기억부와,
    상기 적재부에 적재된 상기 반송 용기 내의 하나의 기판에 대한 상기 센서부에 의하여 검출된 기판의 높이와 상기 기준 높이의 차분에 대응하는 제1 차분값을 취득하는 스텝과, 그런 후, 미리 설정된 높이 간격과 상기 제1 차분값에 기초하여, 상기 하나의 기판의 기준 높이에 대응하는 제1 진입 높이와, 당해 제1 진입 높이를 제1 차분값에 따라 보정한 제2 진입 높이 중, 어느 하나를 선택하여 당해 기판 지지부가 상기 반송 용기 내로 진입하는 진입 높이를 결정하는 진입 높이 결정 스텝을 실시하고, 결정한 진입 높이로 상기 기판 지지부를 상기 반송 용기 내로 진입시켜 당해 하나의 기판을 수취하고 상기 하우징 내로 반송하도록 제어 신호를 출력하는 제어부
    를 포함하는, 기판 반송 모듈.
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