KR20080006735A - 촉매 담지 탄소나노튜브를 이용한 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents
촉매 담지 탄소나노튜브를 이용한 태양전지 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080006735A KR20080006735A KR1020060065835A KR20060065835A KR20080006735A KR 20080006735 A KR20080006735 A KR 20080006735A KR 1020060065835 A KR1020060065835 A KR 1020060065835A KR 20060065835 A KR20060065835 A KR 20060065835A KR 20080006735 A KR20080006735 A KR 20080006735A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- solar cell
- cathode
- carbon nanotubes
- carbon nanotube
- metal catalyst
- Prior art date
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 65
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 61
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 claims description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 claims description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 7
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical compound FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTOFIJKJBFKUGM-UHFFFAOYSA-M 1,2-dimethyl-3-octylimidazol-1-ium;iodide Chemical compound [I-].CCCCCCCCN1C=C[N+](C)=C1C QTOFIJKJBFKUGM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRFVTYWOQMYALW-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthine Chemical compound O=C1NC(=O)NC2=C1NC=N2 LRFVTYWOQMYALW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 thiocin Chemical compound 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXPLCAKVOYHAJA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-carboxypyridin-2-yl)pyridine-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(O)=O)=C1 FXPLCAKVOYHAJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 3,7-bis(dimethylamino)phenothiazin-5-ium Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropanenitrile Chemical compound COCCC#N OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IICCLYANAQEHCI-UHFFFAOYSA-N 4,5,6,7-tetrachloro-3',6'-dihydroxy-2',4',5',7'-tetraiodospiro[2-benzofuran-3,9'-xanthene]-1-one Chemical compound O1C(=O)C(C(=C(Cl)C(Cl)=C2Cl)Cl)=C2C21C1=CC(I)=C(O)C(I)=C1OC1=C(I)C(O)=C(I)C=C21 IICCLYANAQEHCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC=C1 YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003182 Surlyn® Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQOPAWAPLFHEEP-UHFFFAOYSA-M [7-(dimethylamino)-2-methylphenoxazin-3-ylidene]-diethylazanium;chloride Chemical compound [Cl-].O1C2=CC(N(C)C)=CC=C2N=C2C1=CC(=[N+](CC)CC)C(C)=C2 QQOPAWAPLFHEEP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 Chemical compound [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 239000000981 basic dye Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229930002875 chlorophyll Natural products 0.000 description 1
- 235000019804 chlorophyll Nutrition 0.000 description 1
- ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M chlorophyll a Chemical compound C1([C@@H](C(=O)OC)C(=O)C2=C3C)=C2N2C3=CC(C(CC)=C3C)=[N+]4C3=CC3=C(C=C)C(C)=C5N3[Mg-2]42[N+]2=C1[C@@H](CCC(=O)OC\C=C(/C)CCC[C@H](C)CCC[C@H](C)CCCC(C)C)[C@H](C)C2=C5 ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M 0.000 description 1
- CEJANLKHJMMNQB-UHFFFAOYSA-M cryptocyanin Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CC)C=CC1=CC=CC1=CC=[N+](CC)C2=CC=CC=C12 CEJANLKHJMMNQB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical compound [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IINNWAYUJNWZRM-UHFFFAOYSA-L erythrosin B Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(I)C(=O)C(I)=C2OC2=C(I)C([O-])=C(I)C=C21 IINNWAYUJNWZRM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940011411 erythrosine Drugs 0.000 description 1
- 235000012732 erythrosine Nutrition 0.000 description 1
- 239000004174 erythrosine Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- KIQQAJNFBLKFPO-UHFFFAOYSA-N magnesium;porphyrin-22,23-diide Chemical compound [Mg+2].[N-]1C(C=C2[N-]C(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 KIQQAJNFBLKFPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- 229940081623 rose bengal Drugs 0.000 description 1
- 229930187593 rose bengal Natural products 0.000 description 1
- STRXNPAVPKGJQR-UHFFFAOYSA-N rose bengal A Natural products O1C(=O)C(C(=CC=C2Cl)Cl)=C2C21C1=CC(I)=C(O)C(I)=C1OC1=C(I)C(O)=C(I)C=C21 STRXNPAVPKGJQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOUHUMACVWVDME-UHFFFAOYSA-N safranin O Chemical compound [Cl-].C12=CC(N)=CC=C2N=C2C=CC(N)=CC2=[N+]1C1=CC=CC=C1 SOUHUMACVWVDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 229940075420 xanthine Drugs 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2022—Light-sensitive devices characterized by he counter electrode
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/02—Single-walled nanotubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/04—Nanotubes with a specific amount of walls
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
- C01B2202/34—Length
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
- C01B2202/36—Diameter
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
- H10K30/821—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising carbon nanotubes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/344—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising ruthenium
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 촉매 담지 탄소나노튜브를 이용한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토 애노드, 금속촉매 입자가 담지된 탄소나노튜브 층을 포함하는 캐소드, 및 상기 포토 애노드와 캐소드 사이에 형성된 전해질 층을 포함하는 태양전지에 관한 것이며, 본 발명에 의한 태양 전지는 제조비용 및 제조공정 면에서 경제적일 뿐 아니라 전해질층과의 증대된 접촉 면적 및 전도특성으로 인해 개선된 촉매활성을 나타내어 이를 태양 전지에 적용하는 경우 우수한 광전 효율을 나타낸다.
태양 전지, 캐소드, 포토 애노드, 담지촉매, 탄소나노튜브, 금속촉매 입자
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조를 나타내는 모식도이다.
도 2는 본 발명의 제조예 1에 따라 제조된 Pt 입자 담지 탄소나노튜브의 TEM 사진이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100: 포토 애노드 110, 210: 투명 기판
120, 220: 전도성 물질 130: 금속 산화물막
140: 염료 200: 캐소드
230: 금속 촉매가 담지된 탄소나노튜브층 300: 전해질층
본 발명은 촉매 담지 탄소나노튜브를 이용한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 금속촉매 입자가 담지되어 있는 탄소 나노튜브를 이 용하여 간단하고 저렴한 공정을 통해 제조할 수 있는 태양 전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 들어 직면하는 에너지 문제를 해결하기 위하여 기존의 화석연료를 대체할 수 있는 대체 에너지원에 대한 다양한 연구가 진행되어 오고 있다. 특히 수십년 이내에 고갈될 석유 자원을 대체하기 위하여 풍력, 원자력, 태양력 등의 자연 에너지를 활용하기 위한 광범위한 연구가 진행되어 오고 있다.
이들 중 태양 에너지를 이용한 태양 전지는 기타 다른 에너지원과 달리 무한하고 환경 친화적이므로 많은 각광을 받고 있는데, 그 중 염료감응형 태양 전지는 특히 제작 비용이 현저히 저렴하여 적극 검토되어 오고 있다. 염료감응형 태양 전지는 광을 흡수하여 전자를 생성 및 전달하는 포토 애노드, 포토 애노드와 캐소드 사이에 위치하면서 포토 애노드로 이온을 전달하는 통로 역할을 하는 전해질층, 외부의 임의의 회로를 통해 일을 한 후 복귀한 전자를 전해질층과의 고체/액체 계면에서 산화-환원 반응에 의해 전달하는 캐소드를 포함하는 구조로 이루어진다. 그 중 상기 캐소드는 기판 위에 촉매층을 포함하는 구조로 이루어지는데, 상기 촉매층은 산화-환원 반응을 촉진하는 역할을 한다. 그래서 높은 촉매 활성을 보이면서, 제조단가가 낮은 재료 및 공정이 바람직하다. 종래에는 통상적으로 상기 캐소드의 촉매층은 투명 기판 상에 고가의 백금, 팔라듐 등의 촉매 금속 박막을 진공 증착하여 형성하였다. 그러나, 상기 촉매 금속 박막 또는 입자의 제조 방법은 많은 양의 촉매를 사용하게 되고, 진공 증착에 따른 고가의 진공장비가 필요한 공정을 거치게 되어 제조비용이 문제점이 있을 수 있으며, 전해질층과의 반응 표면적이 적어 촉매 활성이 높지 않은 문제점이 있다.
이와 관련하여 미국특허공개 제2005-92359호는 기판 및 전도성 카본층을 포함하는 캐소드을 구비한 태양 전지에 대해 개시하고 있다. 상기 공개특허는 캐소드에 포함되는 촉매층을 전도성 카본으로 형성함으로써 상기한 반응 표면적의 증대, 제조비용의 저렴화, 제조공정의 효율화 등의 문제를 해결하려고 한다. 그러나 상기 특허의 캐소드는 카본만을 촉매로 사용하기 때문에 금속 입자를 촉매로서 사용하는 경우보다 훨씬 저하된 반응성을 나타내는 문제점을 안고 있다.
한편 일본 특허공개 2004-111216호에는 캐소드를 나노미터 크기의 섬유상 탄소로 형성한 태양전지에 대해서 개시하고 있으나, 변환효율 측면에서 Pt 박막을 형성한 태양전지 대비 떨어지는 효율을 나타내고 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 제조비용 및 제조공정 면에서 경제적이며 높은 촉매 활성을 보이는 태양 전지를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 태양전지를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 양상은 포토 애노드, 금속촉매 입자가 담지된 탄소나노튜브 층을 포함하는 캐소드, 및 상기 포토 애노드와 캐소드 사이에 형성된 전해질 층을 포함하는 태양전지에 관한 것이다.
본 발명의 일 구현예에 따르면 상기 포토 애노드는 투명 기판; 상기 기판 상에 형성된 투명 전극; 상기 투명 전극 상에 형성된 금속 산화물층; 및 상기 금속 산화물 층에 흡착된 염료를 포함하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따르면 상기 탄소 나노튜브로는 직경이 1∼100nm, 길이가 100nm∼2㎛, 비표면적이 50∼1000 m2/g, 면저항이 0.01∼100 Ω/cm2인 것을 사용할 수 있으며, 다중벽, 이중벽 또는 단일벽 구조의 탄소나노튜브를 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면 상기 금속촉매 입자는 백금(Pt), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 셀레늄(Se), 주석(Sn), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 납(Pb), 비스무트(Bi), 이들의 혼합물 또는 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 1 내지 10 nm의 평균 입자 크기를 가질 수 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 양상은 기판 상에 금속촉매입자가 담지된 탄소나노튜브 용액을 코팅하여 탄소나노튜브층을 형성하여 캐소드를 제조하는 단계, 상기 캐소드에 마주하여 포토 애노드를 위치시키는 단계, 및 상기 캐소드 및 포토 애노드극 사이에 전해질층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 구현예에 따르면 상기 탄소나노튜브층은 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅, 닥터 블레이딩, 잉크 젯팅 및 전기영동법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 코팅 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따르면 상기 탄소나노튜브층 형성 후 탄소나노튜브를 활성화 하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
이하에서 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조이다. 도 1에서 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 감응형 태양전지는 포토 애노드(100), 금속촉매가 담지된 탄소나노튜브층(230)을 포함하는 캐소드(200) 및 전해질층(300)으로 이루어진다.
종래의 캐소드가 금속촉매 자체를 투명 기판 상에 스퍼터링 또는 진공 증착하여 형성됨으로써 제조비용이 많이 들고 제조과정이 까다로우며 반응 표면적이 적어 낮은 촉매 활성을 나타내는 것과 달리, 본 발명에서는 촉매가 담지된 탄소나노튜브를 이용하여 캐소드를 형성함으로써 이러한 문제점을 해결하였다. 즉, 본 발명은 탄소 나노튜브 상에 나노 크기의 금속촉매 입자가 담지되어 있는 담지 촉매를 이용하기 때문에, 적은 양의 금속으로도 넓은 표면적을 갖는 전극을 상온 용액 공정에 의해 용이하게 제조할 수 있으며, 금속촉매 입자의 로딩(loading) 양을 당업자의 적절한 판단에 따라 자유로이 조절할 수 있어, 특히 제조비용 및 제조공정 면에서 실용적이다. 또한 탄소 나노튜브의 우수한 비표면적 및 전도성 특성으로 인하여 제조된 태양전지의 효율 특성 역시 우수하다.
상기 캐소드를 제조하는데 사용되는 탄소 나노튜브의 직경은 1∼100nm의 범위이며, 바람직하게는 1∼10nm 범위인 것을 사용하나, 이에 제한되지 않는다.
또한 일반적으로 탄소 나노튜브의 길이는 100nm∼2㎛가 되며, 비표면적 특성을 고려할 때 100nm∼1㎛ 범위인 것을 사용하는 것이 바람직하나, 이에 제한되지 않는다.
본 발명에서 사용되는 탄소 나노튜브는 다중벽, 이중벽 또는 단일벽 구조를 모두 사용할 수 있는데, 이를 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 또한 상기 탄소 나노튜브의 비표면적은 50∼1000 m2/g의 범위이며, 면저항 특성은 0.01∼ 100 Ω/cm2 범위이다.
한편 탄소나노튜브에 담지되는 금속촉매 입자로는 특별한 제한은 없으나, 구체적인 예로서 백금(Pt), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 셀레늄(Se), 주석(Sn), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 납(Pb), 비스무트(Bi), 이들의 혼합물 또는 이들의 합금 등이 있다.
상기 촉매금속은 단일 금속 또는 2 이상의 금속 합금일 수 있으며, 태양 전지의 캐소드의 촉매층에 사용되므로 백금 또는 백금 합금을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 금속촉매 입자의 평균 입자 크기가 너무 작으면 촉매반응을 촉진시키지 못할 가능성이 있고, 너무 크면 전체 촉매입자의 반응 표면적이 감소하여 활성이 줄어들 수 있으므로, 이러한 점을 고려하여, 상기 금속촉매 입자의 평균 입자 크기는 약 1 내지 10 nm 정도이다.
상기한 촉매가 담지된 탄소나노튜브를 이용하여 본 발명의 담지 촉매를 제조하는 방법으로는 함침법, 침전법, 콜로이드법 등 공지된 다양한 담지 촉매 제조방법이 사용될 수 있다.
본 발명에서 상기 탄소나노튜브 중 금속촉매 입자의 함량은 당업자의 적절한 판단에 따라 탄소나노튜브 및 금속촉매 전체 중량을 기준으로 약 0.1 내지 80 중량% 정도로 자유로이 조절할 수 있는데, 상기 담지 촉매 중의 금속촉매 입자의 함량이 작으면 태양전지 효율이 저하되고, 반대로 크면 경제적으로 불리하고 촉매 입자 크기가 증가될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 염료 감응형 태양 전지는 전도성 물질(220)이 코팅된 기판(210) 상에 금속입자를 담지한 탄소나노튜브층(230)을 코팅하여 형성된 캐소드(200)를 포함한다.
구체적으로 금속 나노입자가 담지된 탄소나노튜브를 유기용매 내에 고르게 분산시켜 슬러리 내지는 페이스트 조성물을 제조한 후, 이를 일반적인 상온 용액 공정에 의해 기판 상에 코팅함으로써 형성된다.
이와 같이 본 발명은 나노 크기의 금속촉매 입자가 담지되어 있는 탄소나노튜브를 이용하기 때문에 통상의 상온 용액 공정에 의해 캐소드(200)을 형성할 수 있어서 제조비용이 많이 들지 않으며, 제조공정 면에서도 번거롭지 않다.
이 때, 상기 유기용매로는 통상의 유기용매를 제한 없이 사용할 수 있으며, 구체적으로는 아세톤, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, n-프로필알코올, 부틸알코올, 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드(DMSO), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 테트라하이드로퓨란(THF), 테트라부틸아세테이트, n-부틸아세테이트, m-크레졸, 톨루엔, 에틸렌글리콜(EG), γ-부티로락톤, 헥사플루오로이소프로판올(HFIP) 등을 단독 또는 조합하여 사용할 수 있다.
상기 탄소나노튜브의 슬러리 또는 페이스트 조성물에는 통상의 바인더 수지, 점도 조절제, 소포제, 분산제, 충진제 등 기타의 첨가제가 추가로 사용될 수 있는데, 그 구체적인 예로 Elvacite, 글래스 프릿, 에틸렌글리콜, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등이 사용될 수 있으며, 유동성 조절을 위한 첨가제로서 터피네올, 다이옥틸프탈레이트, 폴리에틸렌글라이콜 등이 첨가될 수 있다.
상온 용액 공정의 구체적인 예로는 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅, 닥터 블레이딩, 잉크 젯팅, 전기영동법 등을 들 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 기판(210)으로는 유리 또는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 전도성 측면의 개선을 위하여, 상기 투명 기판으로 인듐틴 옥사이드(ITO), 플로린 도핑된 틴 옥사이드(FTO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3 등의 전도성 물질(220)이 코팅된 투명 기판(210)을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
상기 본 발명의 일 실시예에 따른 캐소드는 제조비용이 저렴하고 제조공정이 간단할 뿐 아니라 전해질층과의 접촉 표면적이 확대되어 높은 촉매 활성을 나타내며, 전도성이 우수하여 이를 태양 전지에 응용하는 경우 전자 전달 성능이 개선되어 우수한 광전효율을 나타낼 수 있다.
한편 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 감응형 태양전지에 포함되는 포토 애노드(100)는 전도성 물질(120)이 코팅된 투명 기판(110) 상에 다공성의 금속 산화물을 도포 및 소성하여 금속 산화물막(130)을 형성한 다음, 이를 염료가 용해되어 있는 용액에 일정 시간 함침시켜 상기 금속 산화물막의 표면에 염료(140)가 흡착되도록 함으로써 형성할 수 있다.
이 때, 상기 투명 기판(110)으로는 위에서 본 발명의 캐소드에 대해 설명한 것과 동일한 기판을 사용할 수 있다.
상기 금속 산화물(130)로는 특별히 한정되는 것은 아니나, 티타늄 산화물, 니오븀 산화물, 하프늄 산화물, 텅스텐 산화물, 주석 산화물 및 아연 산화물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 사용할 수 있다. 또한, 상기 금속 산화물의 도포 방법으로는 스크린 프린팅, 스핀 코팅 등의 일반적인 코팅 방법을 사용할 수 있다.
상기 염료(140)로는 태양 전지 분야에서 일반적으로 사용되는 것이라면 아무 제한 없이 사용할 수 있다. 구체적으로는 루테늄 착물, 로다민 B, 로즈벤갈, 에오신, 에리스로신 등의 크산틴계 색소, 퀴노시아닌, 크립토시아닌 등의 시아닌계 색소, 페노사프라닌, 카프리블루, 티오신, 메틸렌 블루 등의 염기성 염료, 클로로필, 아연 포르피린, 마그네슘 포르피린 등의 포르피린계 화합물, 기타 아조 색소, 프탈로시아닌 화합물, Ru 트리스비피리딜 등의 착화합물, 안트라퀴논계 색소, 다환퀴논계 색소 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
한편 본 발명의 일실시예에 따른 염료 감응형 태양전지에 포함되는 전해질층(300)은 전해액으로 이루어지고, 예를 들면 요오드의 아세토나이트릴 용액, NMP용액, 3-메톡시프로피오나이트릴 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 홀 전도 기능이 있는 것이라면 어느 것이나 제한 없이 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 염료감응형 태양전지의 제조방법은 특별히 한정되는 것은 아니며, 보다 구체적으로는 기판 상에 금속촉매입자가 담지된 탄소나노튜브 용액을 코팅하여 탄소나노튜브층을 형성하여 캐소드를 제조하는 단계, 상기 캐소드에 마주하여 포토 애노드를 위치시키는 단계, 및 상기 캐소드 및 포토 애노드극 사이에 전해질층을 형성하는 단계를 거쳐서 진행될 수 있다.
이 때 상기 탄소나노튜브층은 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅, 닥터 블레이딩, 잉크 젯팅, 전기 영동법 등을 이용하여 이루어질 수 있다.
또한 상기 탄소나노튜브층 형성 후 탄소나노튜브를 활성화 하는 단계를 추가로 포함할 수 있으며, 이러한 활성화 단계는 종래 알려진 테이프 활성화법(Tape Activiation), 플라즈마 활성화법(Plasma Activation), 화학적 에칭법(Chemical Etching) 등을 이용할 수 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 더욱 상세하게 설명할 것이나, 이러한 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명의 보호범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
[
Pt
가
담지된
탄소나노튜브 제조]
<
제조예
1 >
에틸렌글리콜 20g에 H2PtCl6 0.9422g을 넣고 용해시켰다. 이와는 별도로 단일벽 탄소나노튜브 0.25g을 물 100g 및 에틸렌글리콜 80g을 넣고 분산시켰다. 제조된 탄소나노튜브 용액을 상기에서 제조된 Pt용액에 투입한 후 NaOH를 이용하여 pH를 11로 조절한 후 온도를 105℃에서 2시간 유지하고, 110℃에서 1시간 유지하여 Pt 환원 및 담지를 진행하였다. 반응 완료후 반응용액을 원심분리하여 물로 세척하고, 원심분리된 Pt 담지 탄소나노튜브를 동결건조하였다. 도 2는 탄소가 담지된 Pt의 TEM 사진을 나타낸다.
[
캐소드
제조]
<
제조예
2>
제조예 1에서 제조된 Pt 담지 탄소나노튜브 0.55g, 글래스 프릿 0.5g, 바인더 14g, 터피네올 15g을 혼합한 후 3-롤 밀에서 30분간 분산시켜 페이스트를 제조하였다. 제조된 페이스트를 FTO가 코팅된 유리기판 상에 코팅한 후 70℃에서 30분 간 건조시켰다. 다음으로 430℃에서 20분간 질소분위기에서 소성한 후 표면처리를 행하여 캐소드를 제조하였다.
<제조예 3>
상기 제조예 2에서 물리적 활성화법(mechanical activation)에 의해 코팅된 탄소나노튜브를 활성화하는 단계를 추가로 진행한 것을 제외하고는 상기 제조예 2와 동일한 방법으로 실시하여 캐소드를 제조하였다.
[태양 전지의 제조]
< 실시예 1 >
유리 기판 상에 스퍼터를 사용하여 플로린 도핑된 틴 옥사이드(FTO)를 도포한 후, 입경 20nm 크기의 TiO2 입자 페이스트를 스크린 프린팅법을 이용하여 도포하고 450℃에서 30분간 소성하여 약 15㎛ 두께의 다공성 TiO2 막을 제작하였다. 이어서 상기 TiO2 막이 형성된 유리 기판을 0.3mM 농도의 루테늄 디티오시아네이트 2,2'-비피리딜-4,4'-디카르복실레이트 용액에 24시간 침지한 후 건조시켜 상기 염료를 TiO2 층 표면에 전 흡착시킴으로써 포토 애노드를 제조하였다.
이어서 포토 애노드와 상기 제조예 2에서 얻어진 캐소드를 조립하였다. 이 때 포토 애노드와 캐소드 사이에 SURLYN (Du Pont사 제조)으로 이루어지는 약 25미크론 두께의 고분자를 놓고 약 100 내지 120℃의 가열판 상에서 약 1 내지 3기압으 로 상기 두 전극을 밀착시켰다. 열 및 압력에 의하여 상기 고분자가 상기 두 전극의 표면에 밀착되었다.
다음으로 상기 양극의 표면에 형성된 미세 구멍을 통하여 상기 두 전극 사이의 공간에 전해질 용액을 충진하여 본 발명에 따른 염료감응형 태양 전지를 완성하였다. 상기 전해질 용액은 0.6M의 1,2-디메틸-3-옥틸-이미다졸륨 아이오다이드 (1,2-디메틸-3-옥틸-이미다졸륨 아이오다이드), 0.2M LiI, 0.04M I2 및 0.2M 4-tert-부틸 피리딘(TBP: 4-tert-부틸피리딘)을 아세토나이트릴에 용해시킨 I3 -/I-의 전해질 용액을 사용하였다.
<실시예 2>
캐소드로 제조예 3에서 제조된 것을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
<비교예>
캐소드로 ITO가 코팅된 유리기판 상에 Pt를 200nm증착시켜 형성된 것을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
[태양 전지의 특성 평가]
상기 실시예 1, 2 및 비교예에서 제조한 소자의 광전효율을 측정하기 위해 광전압 및 광전류를 측정하였다. 광원으로는 제논 램프(Xenon lamp, Oriel, 01193)를 사용하였으며, 상기 제논 램프의 태양 조건(AM 1.5)은 표준 태양 전지(Furnhofer Institute Solare Engeriessysteme, Certificate No. C-ISE369, Type of material: Mono-Si + KG 필터)를 사용하여 보정하였다. 측정된 광전류 전압 곡선으로부터 계산된 전류밀도(Isc), 전압(Voc) 및 충진 계수(fill factor, FF)를 하기 광전환 효율 계산식을 통해 계산한 광전 효율(ηe)을 하기 표 1에 나타내었다.
ηe = (Voc·Isc·FF)/(Pinc)
상기 식에서, Pinc는 100mw/cm2(1sun)을 나타낸다.
TiO2 두께 | Jsc(mA/cm2) | Voc(mV) | FF | h(%) | |
실시예 1 | 17.82 | 9.896 | 649.8 | 0.746 | 4.819 |
실시예 2 | 17.85 | 10.431 | 637.7 | 0.733 | 4.893 |
비교예 | 16.27 | 8.012 | 615.0 | 0.722 | 3.570 |
상기 표 1에 나타난 바와 같이 Pt가 담지된 탄소나노튜브를 사용하여 캐소드를 형성하는 경우, Pt 증착법에 의해 캐소드를 형성한 경우보다 우수한 효율을 나타냄을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 촉매가 담지된 탄소나노튜브를 이용하여 캐소드를 제조함으로서 제조비용 및 제조공정 면에서 경제적일 뿐 아니라 전해질층 과의 증대된 접촉면적 및 전도성으로 인해 개선된 촉매활성을 나타내는 염료감응형 태양 전지를 제공할 수 있다.
Claims (16)
- 포토 애노드;금속촉매 입자가 담지된 탄소나노튜브 층을 포함하는 캐소드; 및상기 포토 애노드와 캐소드 사이에 형성된 전해질 층을 포함하는 태양전지.
- 제 1항에 있어서,상기 포토 애노드는 투명 기판; 상기 기판 상에 형성된 투명 전극; 상기 투명 전극 상에 형성된 금속 산화물층; 및 상기 금속 산화물 층에 흡착된 염료를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 1항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브의 직경이 1∼100nm인 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 1항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브의 길이가 100nm∼2㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 1항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브는 다중벽, 이중벽, 단일벽 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 1항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브의 비표면적이 50∼1000 m2/g인 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 1항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브의 면저항은 0.01∼100 Ω/cm2인 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 1항에 있어서, 상기 금속촉매 입자가 백금(Pt), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 셀레늄(Se), 주석(Sn), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 납(Pb), 비스무트(Bi), 이들의 혼합물 또는 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 8항에 있어서, 상기 금속촉매 입자가 백금(Pt) 또는 백금합금인 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 8항에 있어서, 상기 금속촉매 입자가 1 내지 10 nm의 평균 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브로의 금속촉매 입자의 담지함량이 상기 탄소나노튜브 및 금속촉매 전체 중량을 기준으로 0.1 내지 80중량%인 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브층이 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅, 닥터 블레이딩, 잉크 젯팅 및 전기영동법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 코팅 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 1항에 있어서, 상기 투명기판이 유리 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 기판 상에 금속촉매입자가 담지된 탄소나노튜브 용액을 코팅하여 탄소나노튜브층을 형성하여 캐소드를 제조하는 단계;상기 캐소드에 마주하여 포토 애노드를 위치시키는 단계; 및상기 캐소드 및 포토 애노드극 사이에 전해질층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제 14항에 있어서, 상기 탄소나노튜브층이 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅, 닥터 블레이딩, 잉크 젯팅 및 전기영동법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 코팅 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
- 제 14항에 있어서, 상기 탄소나노튜브층 형성 후 탄소나노튜브를 활성화 하는 단계를 추가로 포함하는 태양전지의 제조방법.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060065835A KR20080006735A (ko) | 2006-07-13 | 2006-07-13 | 촉매 담지 탄소나노튜브를 이용한 태양전지 및 그 제조방법 |
US11/560,413 US20080083454A1 (en) | 2006-07-13 | 2006-11-16 | Photovoltaic Cell Using Catalyst-Supporting Carbon Nanotube and Method for Producing the Same |
EP07110207A EP1879203A1 (en) | 2006-07-13 | 2007-06-13 | Photovoltaic cell using catalyst-supporting carbon nanotube and method for producing the same |
CNA2007101103575A CN101106165A (zh) | 2006-07-13 | 2007-06-13 | 使用载催化剂的碳纳米管的光电池及其制造方法 |
JP2007178999A JP2008021651A (ja) | 2006-07-13 | 2007-07-06 | 触媒が担持されたカーボンナノチューブを用いた太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060065835A KR20080006735A (ko) | 2006-07-13 | 2006-07-13 | 촉매 담지 탄소나노튜브를 이용한 태양전지 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080006735A true KR20080006735A (ko) | 2008-01-17 |
Family
ID=38544067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060065835A KR20080006735A (ko) | 2006-07-13 | 2006-07-13 | 촉매 담지 탄소나노튜브를 이용한 태양전지 및 그 제조방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080083454A1 (ko) |
EP (1) | EP1879203A1 (ko) |
JP (1) | JP2008021651A (ko) |
KR (1) | KR20080006735A (ko) |
CN (1) | CN101106165A (ko) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100956695B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2010-05-10 | 한국화학연구원 | 양자점 감응형 태양전지의 제조방법 |
KR101023021B1 (ko) * | 2009-07-17 | 2011-03-24 | 한국과학기술원 | 인버티드 유기 태양전지 및 인버티드 유기 태양전지 제조방법 |
KR101023020B1 (ko) * | 2009-07-17 | 2011-03-24 | 한국과학기술원 | 인버티드 투명 유기 태양전지 및 인버티드 투명 유기 태양전지 제조방법 |
KR101039907B1 (ko) * | 2009-05-02 | 2011-06-09 | 숭실대학교산학협력단 | 요오드 전기환원용 비백금계 전이금속 매크로사이클 촉매 |
KR101462356B1 (ko) * | 2013-11-25 | 2014-11-17 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 염료감응형 태양 전지 및 그 제조 방법 |
US9336957B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-05-10 | Korea Institute Of Science And Technology | Method of preparing counter electrode for dye-sensitized solar cell |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101596372B1 (ko) * | 2008-02-15 | 2016-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치용 투명전극, 표시장치 및 표시장치의 제조방법 |
US10103359B2 (en) * | 2008-04-09 | 2018-10-16 | Agency For Science, Technology And Research | Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices |
KR20100013792A (ko) * | 2008-08-01 | 2010-02-10 | 주식회사 동진쎄미켐 | 염료감응 태양전지 또는 이의 서브모듈 |
CN101345140B (zh) * | 2008-08-12 | 2011-03-16 | 浙江科技学院 | 染料敏化太阳能电池光阳极的制备方法 |
KR101523742B1 (ko) * | 2009-05-27 | 2015-05-28 | 한양대학교 산학협력단 | 표면 플라즈몬 효과를 이용한 태양 전지 및 그 제조 방법 |
EP2471104A4 (en) * | 2009-08-28 | 2013-11-13 | Charles V Pownall-Ryan | ORGANIC PHOTOVOLTAIC CELL STRUCTURE |
SG184829A1 (en) * | 2010-04-27 | 2012-11-29 | Univ Florida | Electronic gate enhancement of schottky junction solar cells |
CN101872842A (zh) * | 2010-06-24 | 2010-10-27 | 电子科技大学 | 一种有机光电器件及其制备方法 |
US8668984B2 (en) | 2010-10-14 | 2014-03-11 | Wnc Solar, Llc | Multilayer composite |
CN102064205B (zh) * | 2010-11-23 | 2012-10-03 | 奇瑞汽车股份有限公司 | 一种柔性光阴极及其制备方法 |
TWI426617B (zh) * | 2010-12-22 | 2014-02-11 | Univ Nat Cheng Kung | 染料敏化太陽能電池及其製作方法 |
EP2784792A4 (en) * | 2011-11-23 | 2015-07-22 | Oceans King Lighting Science | ACTIVE SUBSTANCE FOR CONTRA-ELECTRODE, PREPARATION METHOD THEREFOR, SOLAR CELL BACK-ELECTRODE USING ACTIVE MATERIAL FOR BACK-ELECTRODE, AND PREPARATION METHOD THEREOF |
WO2013187982A1 (en) * | 2012-06-11 | 2013-12-19 | Viceroy Chemical | Method and apparatus for a photocatalytic and electrocatalytic catalyst |
US20140030843A1 (en) | 2012-07-26 | 2014-01-30 | International Business Machines Corporation | Ohmic contact of thin film solar cell |
JP6155615B2 (ja) * | 2012-12-13 | 2017-07-05 | 日本ゼオン株式会社 | 色素増感型太陽電池用対向電極、色素増感型太陽電池、および太陽電池モジュール |
JP6135166B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2017-05-31 | 日本ゼオン株式会社 | 酸化還元触媒、電極材料、電極、太陽電池、燃料電池、および窒素酸化物除去触媒 |
JP6089146B2 (ja) | 2013-05-17 | 2017-03-01 | エクセジャー スウェーデン エービーExeger Sweden Ab | 色素増感太陽電池および前記太陽電池の製造方法 |
US10964486B2 (en) * | 2013-05-17 | 2021-03-30 | Exeger Operations Ab | Dye-sensitized solar cell unit and a photovoltaic charger including the solar cell unit |
JPWO2015045396A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-03-09 | 日本ゼオン株式会社 | 色素増感型太陽電池および太陽電池モジュール |
CN103560013B (zh) * | 2013-11-07 | 2016-08-17 | 武汉大学 | 一种硫化物对电极的染料敏化太阳能电池及其制备方法 |
CN105489907B (zh) * | 2015-11-30 | 2018-02-13 | 北京化工大学 | 一种碳纳米管负载铂‑铁超晶格合金纳米粒子及其制备方法 |
CN107557789B (zh) * | 2017-09-08 | 2019-11-22 | 中国科学院海洋研究所 | 一种光阳极材料及其制备与应用 |
CN109599412B (zh) * | 2017-09-30 | 2020-09-08 | 清华大学 | 一种光电自储能器件 |
CN109119604A (zh) * | 2018-07-12 | 2019-01-01 | 暨南大学 | 一种二次锌基电池用纳米Zn@C负极材料及其制备方法 |
PL3824488T3 (pl) * | 2018-07-16 | 2023-09-25 | Exeger Operations Ab | Ogniwo słoneczne uczulane barwnikiem, ładowarka fotowoltaiczna zawierająca ogniwo słoneczne uczulane barwnikiem i sposób wytwarzania ogniwa słonecznego |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6996147B2 (en) * | 2001-03-30 | 2006-02-07 | The Regents Of The University Of California | Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom |
WO2003103085A1 (ja) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | 新日本石油株式会社 | 光電変換素子 |
US8035185B2 (en) * | 2003-03-26 | 2011-10-11 | Sony Corporation | Electrode, method of making same, photoelectric transfer element, method of manufacturing same, electronic device and method of manufacturing same |
JP4937560B2 (ja) | 2004-12-22 | 2012-05-23 | 株式会社フジクラ | 光電変換素子用の対極及び光電変換素子 |
JP5028412B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-09-19 | コリア エレクトロテクノロジー リサーチ インスティテュート | 炭素ナノチューブ電極を利用した色素増感型太陽電池モジュール及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-07-13 KR KR1020060065835A patent/KR20080006735A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-11-16 US US11/560,413 patent/US20080083454A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-06-13 EP EP07110207A patent/EP1879203A1/en not_active Withdrawn
- 2007-06-13 CN CNA2007101103575A patent/CN101106165A/zh active Pending
- 2007-07-06 JP JP2007178999A patent/JP2008021651A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100956695B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2010-05-10 | 한국화학연구원 | 양자점 감응형 태양전지의 제조방법 |
KR101039907B1 (ko) * | 2009-05-02 | 2011-06-09 | 숭실대학교산학협력단 | 요오드 전기환원용 비백금계 전이금속 매크로사이클 촉매 |
KR101023021B1 (ko) * | 2009-07-17 | 2011-03-24 | 한국과학기술원 | 인버티드 유기 태양전지 및 인버티드 유기 태양전지 제조방법 |
KR101023020B1 (ko) * | 2009-07-17 | 2011-03-24 | 한국과학기술원 | 인버티드 투명 유기 태양전지 및 인버티드 투명 유기 태양전지 제조방법 |
US9336957B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-05-10 | Korea Institute Of Science And Technology | Method of preparing counter electrode for dye-sensitized solar cell |
KR101462356B1 (ko) * | 2013-11-25 | 2014-11-17 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 염료감응형 태양 전지 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1879203A1 (en) | 2008-01-16 |
JP2008021651A (ja) | 2008-01-31 |
CN101106165A (zh) | 2008-01-16 |
US20080083454A1 (en) | 2008-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20080006735A (ko) | 촉매 담지 탄소나노튜브를 이용한 태양전지 및 그 제조방법 | |
Mali et al. | Bio-inspired carbon hole transporting layer derived from aloe vera plant for cost-effective fully printable mesoscopic carbon perovskite solar cells | |
KR101061970B1 (ko) | 전도성 비금속 필름을 이용한 광전극 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지 | |
Yeh et al. | A composite catalytic film of PEDOT: PSS/TiN–NPs on a flexible counter-electrode substrate for a dye-sensitized solar cell | |
EP1830431B1 (en) | Counter electrode for photoelectric converter and photoelectric converter | |
Yeh et al. | A low-cost counter electrode of ITO glass coated with a graphene/Nafion® composite film for use in dye-sensitized solar cells | |
KR101437046B1 (ko) | 염료감응 태양전지용 광전극과 그 제조방법 및 이를 이용한 염료감응 태양전지 | |
JP5308661B2 (ja) | 色素増感型太陽電池用の触媒電極、及びそれを備えた色素増感型太陽電池 | |
KR101174887B1 (ko) | 담지촉매를 이용한 태양 전지용 대향 전극 | |
KR20140003998A (ko) | 페로브스카이트 기반 메조다공 박막 태양전지 제조 기술 | |
Hilmi et al. | Universal low-temperature MWCNT-COOH-based counter electrode and a new thiolate/disulfide electrolyte system for dye-sensitized solar cells | |
Dissanayake et al. | A low-cost, vein graphite/tin oxide nanoparticles based composite counter electrode for efficient dye-sensitized solar cells | |
KR101627161B1 (ko) | 고분자 지지층을 포함하는 염료감응 태양전지, 및 이의 제조 방법 | |
KR101417996B1 (ko) | 다중수소결합에 의해 고차구조를 지니는 탄소나노소재를 상대전극으로 이용한 염료감응 태양전지 | |
Imbrogno et al. | Optimizing dye adsorption in graphene–TiO 2 photoanodes for the enhancement of photoconversion efficiency of DSSC devices | |
US20100300537A1 (en) | Dye-sensitized solar cell and organic solvent-free electrolyte for dye-sensitized solar cell | |
Li et al. | Components control for high-voltage quasi-solid state dye-sensitized solar cells based on two-phase polymer gel electrolyte | |
KR101406427B1 (ko) | 우수한 촉매활성도와 전기전도도를 갖는 염료 감응형 태양전지용 전도성 고분자-탄소 복합체 전극과 이를 이용한 염료 감응형 태양전지 및 이들의 제조방법 | |
JP2005310722A (ja) | 色素増感型太陽電池 | |
JP2010177197A (ja) | 色素増感光電変換素子の製造方法 | |
JP4799852B2 (ja) | 光電変換素子用電極、光電変換素子および色素増感太陽電池 | |
JP4954855B2 (ja) | 色素増感太陽電池の製法 | |
JP2015141955A (ja) | 光電変換素子 | |
JP4507834B2 (ja) | 色素増感光電変換素子およびその製造方法 | |
Desilvestro et al. | FOR DYE-SENSITIZED SOLAR CELLS |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |