KR20010062735A - 막 형성장치 및 막 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

막두께 분포에서 높은 균일성을 가진 막형성용 장치가 제공된다. 증착원은 길이방향을 가진 증착셀, 또는 다수의 증착셀이 형성될 때 사용되며, 증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 증착원을 이동하여 기판 위에 박막이 형성된다. 증착원을 길게 제작하여, 길이방향으로 막두께 분포의 균일성이 향상된다. 증착원이 이동하고, 막형성이 전체기판 위에서 이루어지며, 따라서 전체기판 위의 막두께 분포의 균일성이 향상될 수 있다.

Description

막 형성장치 및 막 형성 방법{Film formation apparatus and method for forming a film}
본 발명은 양극, 음극, 및 양극과 음극사이에 위치하는 발광물질, 특히 EL(Electro Luminescence)이 얻어지는 자가발광 유기물질(이하 유기EL물질로 지칭)로 구성되는 구조를 가진 EL소자를 제작하는 데 사용되는 막 형성용 장치 또는 방법에 관한 것이다.
패시브형(단순 매트릭스) 및 액티브형(액티브 매트릭스)의 두 가지 형태의 EL표시장치가 있고, 두 형태의 개발이 열정적으로 이루어지고 있다. 특히, 액티브 매트릭스 EL표시장치는 현재 주목을 받고 있다. 또한, 유기물질 및 무기물질이 EL소자의 발광층이 되는 EL물질로서 존재하며, 또한 유기물질은 저분자계(단량체)유기 EL물질 및 고분자계(중합체)유기 EL물질로 나누어진다. 두 물질은 활발하게 연구되어지고, 저분자계 유기 EL물질의 막은 주로 증착(蒸着)법에 의해 형성되지만, 고분자계 유기 EL물질의 막은 주로 도포(塗布)법에 의해 형성된다.
색 표시 EL표시장치를 제작하기 위해, 각 화소에서 다른 색을 발색하는 EL물질의 막을 형성하는 것이 필요하다. 하지만, 일반적으로 EL물질은 물 및 산소에 대해 약하고, 광 리소그래피에 의한 패턴닝이 이루어 질 수 없다. 따라서 패턴닝과 동시에 막을 형성하는 것이 필요하다.
가장 일반적인 방법은 막이 형성되는 기판 및 증착 원 사이에, 개구부를 가지며 금속판 또는 유리판으로 이루어진 마스크를 형성하는 방법이다. 이런 경우에, 증착원으로부터 기화된 EL물질은 오직 개구부를 통해서 선택적으로 막이 형성되며, 따라서 막 형성 및 패턴닝이 동시에 이루어지는 EL층 형성이 가능해진다.
통상적인 증착장치로, 하나의 증착원으로부터 방사상으로 날아 흩어지는 EL물질은 기판 위에 쌓여, 박막이 형성되며, 따라서 EL물질이 덮는 거리를 고려한 기판의 배치가 연구되어졌다. 예를 들어, 증착원으로부터 기판까지의 거리가 모두 같도록, 기판을 기판지지체 형태의 원추체에 고정하는 방법이 이루어진다.
하지만, 다수의 화소가 대형 기판에 형성되는 다중사면(斜面)의 처리를 적용할 때, 전술(前述)한 처리가 이루어지면 기판지지체는 극히 커지며, 이것은 막 형성장치의 본체가 커지게 한다. 또한, 기판은 단일 웨이퍼처리에 의해 이루어질 때는 평탄하고, 따라서 증착원으로부터의 거리는 기판상에서 다르게 되어 일정한 막 두께로 도포되는 것이 어렵게되는 문제점이 남는다.
또한, 만약 대형기판을 사용할 때 증착원 및 새도우 마스크 사이의 거리를 연장하지 않으면, 기화된 EL물질은 충분하게 퍼지지 않고, 전체 기판표면 위에 일정한 박막을 형성하는 것이 어렵게 된다. 이 거리를 유지하는 것이 또한 장치를 대형으로 만들게 한다.
본 발명은 전술한 문제의 관점에서 구성되고, 본 발명의 목적은 높은 처리율로 일정한 막두께 분포를 가진 박막을 형성할 수 있는 막 형성장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 본 발명의 막형성 장치를 사용하여 막 형성방법을 제공하는 것이다.
도 1은 증착 원의 구조를 나타낸 도면,
도 2는 증착 실의 구조를 나타낸 도면,
도 3은 증착 실의 구조를 나타낸 도면,
도 4는 막 형성장치의 구조를 나타낸 도면,
도 5는 막 형성장치의 구조를 나타낸 도면,
도 6은 막 형성장치의 구조를 나타낸 도면,
도 7은 막 형성장치의 구조를 나타낸 도면,
도 8은 막 형성장치의 구조를 나타낸 도면,
본 발명에서 길이방향의 증착셀(cell)(증착을 위한 박막물질이 위치하는 부분), 또는 다수의 증착셀을 형성하는 증착원이 본 발명에서 사용된다. 증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 증착원을 이동하여, 박막이 형성된다. "길이방향"은 길고 얇은 장방형, 길고 얇은 타원형, 또는 선형이라는 것을 나타낸다. 처리가 일거(一擧)에 이루어지기 때문에 길이방향의 길이가 본 발명을 위한 기판의 한 측의 길이보다 긴 것이 바람직하다. 구체적으로, 300㎜에서 1200㎜(전형적으로 600㎜ 및800㎜사이)의 길이가 될 수도 있다.
본 발명의 증착원 및 기판사이의 위치관계는 도 1A 내지 도 1C에 나타난다. 도 1A는 상면도이고, 도 1B는 도 1A의 선A-A'를 따라 자른 횡단면도이며, 도 1C는 도 1A의 선B-B'를 따라 자른 횡단면도이다. 도 1A 내지 도 1C에서 공통부호가 사용된다는 것을 주목하자.
도 1A에 나타낸 대로, 새도우 마스크(102)는 기판(101)밑에 위치하고, 또한 다수의 증착셀(103)이 일직선으로 정렬된 장방형 증착원(104)이 새도우 마스크(102)밑에 위치한다. 본 명세서에서, 기판은 기판 및 기판에 형성된 박막을 포함한다. 또한, 기판표면은 박막이 형성된 기판표면을 나타낸다는 것을 주목하자.
증착원(104)의 길이방향의 길이는 기판(101)의 한측의 길이보다 길고, 화살표로 나타낸 방향(증착원(104)의 길이방향에 수직인 방향)으로 증착원(104)을 이동하기 위한 기구를 비치한다. 이때 증착원(104)을 이동하여, 박막이 기판의 전체표면에 형성될 수 있다. 길이방향의 길이가 기판의 한 측의 길이보다 짧을 때, 박막은 다수의 주사를 반복하여 형성될 수도 있다. 또한, 같은 박막의 적층이 증착원(104)을 반복적으로 이동하여 형성될 수도 있다.
각각의 증착셀(103)에 의해 기화된 박막물질이 상방(上方)으로 산란되고, 새도우 마스크(102)에 형성된 개구부(도면에 나타내지 않음)를 통해, 기판(101)에 쌓인다. 따라서 기판(101)에 박막이 선택적으로 형성된다. 하나의 증착셀(103)로부터 산란되는 박막물질로 막이 형성되는 영역은 인접한 증착셀(103)로부터 산란되는 박막물질로 막을 형성하는 영역과 중첩된다. 막이 형성되는 영역을 상호 중첩하여,막이 장방형 영역으로 형성된다. 박막의 막두께의 균일성은 본 발명으로 정렬된 다수의 증착셀을 가진 증착원을 사용하고, 종래의 점(點)으로부터의 방사 대신에 선(線)으로부터의 방사에 의해 크게 향상될 수 있다. 또한, 기판 밑의 장방형 증착원을 이동하여 높은 처리율로 막형성이 이루어질 수 있다.
부가적으로, 본 발명에서 증착원(104) 및 새도우 마스크(102)사이의 거리를 길게 할 필요는 없고, 증착은 극히 밀착된 상태에서 이루어질 수 있다. 이것은 다수의 증착셀이 일렬로 형성되기 때문이며, 만약 박막물질의 산란거리가 짧아지더라도 막 형성은 기판의 중심에서 가장자리부분까지 동시에 이루어질 수 있다. 이런 효과는 증착셀(103)이 정렬하는 밀도가 높을수록 커진다.
증착원(104)에서 새도우 마스크(102)까지의 거리는 형성되는 증착셀(103)의 밀도에 따라 달라지기 때문에 특히 제한되지는 않는다. 하지만, 너무 밀착되면, 중심에서 가장자리부분까지 균일한 막을 형성하는 것이 어렵게되고, 만약 너무 멀면 점으로부터 방사되는 통상적인 증착법과 아무런 차이가 없다. 따라서, 만약 증착셀(103)사이의 간격을 "a"라고 하면, 증착원(104) 및 새도우 마스크(102)사이의 거리를 2a 내지 100a(더욱 바람직하게는 5a 내지 50a)로 제작하는 것이 바람직하다.
기술(記述)된 구조로 된 본 발명의 막형성장치로, 장방형, 타원형, 또는 선형 영역에서 박막의 막 두께 균일성은 증착원을 사용하여, 영역 위에서 증착원을 이동하여 확보되며, 기판의 전체표면에서 높은 균일성을 가진 박막을 형성할 수 있다. 또한, 이것은 점으로부터의 증착이 아니고, 따라서 증착원 및 기판사이의 거리는 짧게 만들 수 있고, 막 두께의 균일성을 또한 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 막 형성장치에서 처리실에 플라즈마 발생용 수단을 첨가하는 것이 효과적이다. 산소가스에 의한 플라즈마처리 또는 불소함유가스에 의한 플라즈마처리를 수행하여, 처리실 벽에 도포된 박막이 제거되고, 처리실 내의 클리닝을 이룰 수 있다. 평행판 전극이 처리실에 형성될 수도 있고, 플라즈마는 플라즈마 발생용 수단인 평행판 사이에 발생할 수도 있다.
[실시형태]
본 발명의 막형성 장치로 마련된 증착처리실의 구조가 도 2A 및 도 2B에 나타난다. 도 2A는 증착처리실의 상면도이고, 도 2B는 횡단면도이다. 공통영역에는 공통부호가 사용된 것을 주목하자. 또한, 박막으로 EL막을 형성한 예가 실시형태에서 나타난다.
도 2A에서, 201은 처리실을 나타내고, 202는 기판을 처리실(201)의 내부로 반송하기 위한 기판 반송구(搬送口)를 나타낸다. 반송된 기판(203)은 기판지지대(204)에 놓여지고, 화살표(205b)에 의해 나타낸 대로 반송레일(205a)에 의해 막형성 영역(206)으로 반송된다.
기판(203)이 막형성 영역(206)에 반송될 때, 마스크 지지대(207)에 고정된 새도우 마스크(208)는 기판(203)에 근접한다. 이 실시형태에서는 금속판이 새도우 마스크(208)의 물질로서 사용된 것을 주목하자(도 2B). 또한, 이 실시형태에서 개구부(209)는 새도우 마스크(208)에서 장방형, 타원형, 또는 선형으로 형성된다. 개구부의 형태는 제한되지 않고, 물론 매트릭스형태 또는 그물형태로 형성될 수도 있다.
실시형태의 이런 점에서, 도 2B에 나타낸 대로 전자석(210)이 기판(203)에 근접하는 구조로 된다. 전자석(210)에 의해 자기장이 형성될 때, 새도우 마스크(208)는 기판(203)쪽으로 끌려지고 다소의 간격이 유지된다. 이 간격은 도 3에 나타낸 대로, 새도우 마스크(208)에 형성된 다수의 돌출부(301)에 의해 확보된다.
이런 형태의 구조는 기판(203)이 300㎜이상의 대형기판일 때 특히 효과적이다. 만약 기판(203)이 대형기판일 때, 휨(warp)은 기판의 무게 자체에 의해 발생한다. 하지만, 기판(203)이 전자석(210)쪽으로 당겨질 수 있고 상쇄될 수 있는 휨은 새도우 마스크(208)가 전자석(210)에 의해 기판(203)쪽으로 끌려지도록 제공된다. 도 4에 나타낸 대로, 전자석(210)에 돌출부(401)를 형성하고 기판(203) 및 전자석(210)사이의 간격을 유지하는 것이 바람직하다는 것을 주목하자.
기판(203) 및 새도우 마스크(208)사이의 간격이 확보되면, 길이방향의 증착셀(211)이 형성되도록 증착원(212)이 화살표방향(213)으로 이동한다. 증착셀의 내부영역에 형성되는 EL물질은 이동하는 동안 가열에 의해 기화가 되고, 막형성 영역(206)의 처리실에서 산란된다.
증착원(212) 및 기판(203)사이의 거리는 본 발명의 경우에서 극히 짧게 할 수 있고, 따라서 처리실에서 구동부(증착원, 기판 지지대, 또는 마스크 지지대 구동용 영역)에 EL물질의 접착을 줄일 수 있다.
증착원(212)은 기판(203)의 한 단부에서 다른 단부로 주사된다. 도 2A에서나타낸 대로, 증착원(212)의 길이방향의 길이는 실시형태에서 충분히 길고, 따라서 한번의 주사로 기판(203)의 전체표면에서 이동할 수 있다.
전술(前述)된 방법처럼 적색, 녹색, 또는 청색 EL물질(여기서는 적색 EL물질)의 막이 형성된 후에, 전자석(210)의 자기장이 소멸하고, 마스크 지지대(207)는 하강하여 새도우 마스크(208) 및 기판(203)사이의 거리가 증가한다. 이때 기판 지지대(204)는 하나의 화소부를 위해 변위되고, 마스크 지지대(207)는 다시 상승하며 새도우 마스크(208) 및 기판(203)은 밀착되게 된다. 또한, 자기장이 전자석(210)에 의해 형성되고, 새도우 마스크(208) 및 기판(203)의 휨은 제거된다. 다음으로 증착셀로 바뀌면서, 적색, 녹색, 또는 청색 EL물질(여기서는 녹색)의 막형성이 이루어진다.
여기서는 기판 지지대(204)가 하나의 화소부를 위해 변위되는 구조를 나타나지만, 역시 마스크 지지대(207)가 하나의 화소부를 위해 변위될 수도 있다.
이런 반복의 방식으로 적색, 녹색, 및 청색 EL물질의 모든 막형성을 이룬 후에, 기판(203)은 최종적으로 기판반송구(202)로 반송되며 로봇팔(도면에 나타내지 않음)에 의해 처리실(201)로부터 나오게 된다. 따라서 본 발명을 이용한 EL막의 막형성은 완성된다.
[실시예 1]
도 5를 이용하여 본 발명의 막형성 장치에 대해 설명한다. 도 5에서, 501은 반송실을 나타낸다. 반송기구(502)는 반송실(501)에 갖추어지고 기판(503)의 반송이 이루어진다. 반송실(501)은 감압(減壓)분위기이며, 문에 의해 각 처리실에 연결된다. 각 처리실로 기판의 운반은 문이 개폐될 때, 반송기구(502)에 의해 이루어진다. 또한, 반송실(501)의 압력이 낮은 상태에서 오일 밀봉 로터리 펌프, 기계적 부스터 펌프, 터보분자펌프, 및 크라이오 펌프 등의 배기펌프를 사용하는 것이 가능하며, 습기를 제거하는데 효과적인 크라이오 펌프를 사용하는 것이 바람직하다.
각 처리실에 관한 설명이 이하에서 이루어진다. 반송실(501)이 감압(減壓)분위기를 가지고, 따라서 배기펌프(도면에 나타내지 않음)는 반송실(501)에 직접 연결된 각 처리실에 준비된다. 전술된 오일 밀봉 로터리 펌프, 기계적 부스터 펌프, 터보분자펌프, 및 크라이오 펌프가 배기펌프로서 사용된다.
먼저, 504는 기판설치용 반입(load)실을 나타내고, 또한 반출(unload)실이다. 반입실(504)은 문(500a)에 의해 반송실(501)에 연결되며, 기판(503)이 놓여진 캐리어(도면에 나타내지 않음)가 여기에 배열된다. 반입실(504)은 또한 기판 반입실 및 기판 반출실로 나누어질 수도 있다. 또한, 고순도 질소가스 또는 노블(noble)가스를 주입하기 위해 전술한 배기펌프 및 청정관(purge line)이 반입실(504)에 준비된다.
EL소자의 양극이 되는 투명전도막의 형성을 통하여 처리되는 기판이 실시예 1에서 기판(503)으로 사용된다는 것을 주목하자. 기판(503)은 막이 하향으로 면하도록 캐리어에 놓여진다. 이것은 이후에 증착으로 막형성이 이루어질 때 더욱 쉽게 이루어지는 하면(face-down)방법(또는 상방도포(deposition-up)방법으로 지칭)을 적용하기 위해서이다. 하면방법이란 막형성이 막이 기판표면에서 하향되면서 형성되는 방법을 나타내고, 불순물(오염물질) 또는 그와 같은 것의 접착이 이 방법에의해 방지될 수 있다.
다음으로, 505는 EL소자의 양극 또는 음극의 표면(실시예 1에서는 양극)을 처리하기 위한 처리실을 나타내고, 처리실(505)은 문(500b)에 의해 반송실(501)에 연결된다. 처리실은 EL물질의 제작처리에 따라서 여러 가지로 변화될 수 있고, 실시예 1에서는 투명 전도막으로 형성된 양극표면의 열처리가 자외선이 조사(照射)하는 동안 100℃ 및 120℃사이에서 이루어질 수 있다. 이런 형태의 전처리는 EL물질의 양극표면을 처리할 때 효과적이다.
다음으로, 506은 증착에 의한 유기EL물질의 막형성용 증착실을 나타내고, 증착실(A)로서 지칭한다. 증착실(A)(506)은 문(500c)을 통해 반송실(501)에 연결된다. 실시예 1에서 도 2A 및 도 2B에 나타낸 구조를 가진 증착실이 증착실(A)(506)로서 사용된다.
증착실(A)(506)의 막형성부(507)에서, 먼저 정공주입층이 기판의 전체표면 위에 도포되고, 이때 적색발광용 발광층이 형성되며, 다음으로 녹색발광용 발광층이 형성되고, 마지막으로 청색발광용 발광층이 형성된다. 다른 공지된 물질이 정공 주입층, 적색발광층, 녹색발광층, 및 청색발광층으로 사용될 수도 있다.
증착실(A)(506)은 막형성 증착원의 유기물질형태에 따라 변환할 수 있는 구조를 가진다. 즉, 다수의 증착원 형태를 저장하기 위한 준비실(508)은 증착실(A)(506)에 연결되고, 내부 반송기구에 의해 증착원 변환이 이루어진다. 따라서 막형성용 유기EL물질을 바꿀 때 증착원이 바뀐다. 또한, 막형성용 유기EL물질이 변할 때마다 하나의 화소부에 의해 새도우마스크와 동일한 마스크가 이동한다.
도 2A 및 도 2B는 증착실(A)(506)에서 일어나는 막형성처리에 관한 것으로 생각할 수도 있음을 주목하자.
다음으로, 509는 증착에 의해 EL소자의 양극 또는 음극이 되는 전도막(실시예 1에서는 금속막이 음극으로 사용됨)의 막형성용 증착실을 나타내고, 증착실(B)로서 지칭한다. 증착실(B)(509)은 문(500d)을 통해 반송실(501)에 연결된다. 도 2A 및 도 2B에서 나타낸 구조를 가진 증착실은 실시예 1에서 증착실(B)(509)로서 사용된다. 증착실(B)(509)의 막형성부(510)에서, Al-Li 합금막(알루미늄 및 리튬의 합금막)이 EL소자의 음극이 되는 전도막으로 도포된다.
주기율표의 1족 또는 2족의 원소 및 알루미늄이 공동증착 할 수 있다는 것을 주목하자. 공동증착이란 셀(cell)을 동시에 가열하고, 막형성 단계에서 다른 물질이 조합되는 증착법을 지칭한다.
다음으로, 511은 밀봉실(또는 밀폐실 또는 글러브 박스로 지칭)을 나타내고, 문(500e)을 통해 반입실(504)에 연결된다. EL소자의 마지막 밀봉처리가 밀봉실(511)에서 이루어진다. 이런 처리는 산소 및 습기로부터 형성된 EL소자를 보호하기 위한 처리이며, 기계적으로 밀봉물질로 밀봉하기 위한 수단 또는 열 경화성수지 또는 자외선 경화성수지에 의해 밀봉하기 위한 수단이 사용된다.
유리, 세라믹, 플라스틱, 및 금속이 밀봉물질로 사용될 수 있지만, 광이 밀봉물질에 조사될 때 물질은 투광성을 가져야한다. 또한, 밀봉물질 및 EL소자가 형성된 기판을 열 경화성수지 또는 자외선 경화성수지를 사용해 결합할 때, 수지는 열처리 또는 자외선조사처리에 의해 경화되어 밀폐공간을 형성한다. 전형적으로 산화바륨의 건조제를 밀폐공간에 형성하는 것이 또한 효과적이다.
또한, 밀봉물질 및 EL소자가 형성된 기판사이의 공간을 열 경화성수지 또는 자외선 경화성수지에 의해 역시 채울 수 있다. 이런 경우에, 열 경화성수지 또는 자외선 경화성수지에 전형적으로 산화바륨과 같은 건조제가 첨가되는 것이 효과적이다.
자외선조사용 기구(이하 자외선조사기구로 지칭)(512)는 밀봉실(511)의 내부에 형성되고, 도 5에 나타낸 막형성장치는 자외선 경화성수지가 자외선조사기구(512)로부터 나오는 자외선에 의해 경화되는 구조를 가진다. 또한, 배기펌프에 연결하여 밀봉실(511)의 내부압력을 감소시킬 수 있다. 로봇 팔을 이용하여 기계적으로 밀봉처리가 이루어질 때, 감소된 압력에서 처리가 이루어짐으로서 산소 및 습기가 섞이는 것을 방지할 수 있다. 덧붙여서, 밀봉실(511)의 내부를 역시 고압으로 유지할 수 있다. 이런 경우에, 고압유지는 클리닝이 이루어지는 동안 고순도 질소가스 또는 노블가스에 의해 이루어지고, 대기중의 산소 등의 불순물 침투를 방지한다.
다음으로, 인도실(pass box)(513)이 밀봉실(511)에 연결된다. 반송기구(B)(514)는 인도실(513)에 형성되고, EL소자가 밀봉실(511)에서 완전히 밀봉된 기판은 인도실(513)로 반송된다. 역시 인도실(513)을 배기펌프에 연결하여 감압상태로 만들 수 있다. 인도실(513)은 밀봉실(511)이 직접적으로 대기중에 노출되지 않도록 사용되는 기구이며, 기판이 여기에서 나오게 된다.
따라서 대기에 노출됨이 없이, EL소자가 밀폐공간에 완전히 밀봉된다는 점을통해서 처리가 완성되기 때문에, 도 5에 나타낸 막형성장치를 사용하여 높은 신뢰도의 EL표시장치가 제작될 수 있다.
[실시예 2]
본 발명의 막형성장치를 다중실 방식(클러스터 툴(cluster tool) 방식으로 지칭)에서 사용하는 경우가 도 6을 사용하여 설명한다. 601은 반송실을 나타낸다. 반송기구(A)(602)는 반송실(601)에 준비되고, 기판(603)의 반송이 이루어진다. 반송실(601)은 감소된 압력분위기를 가지며, 문에 의해 각 처리실로 연결된다. 각 처리실로 기판의 인도는 문이 개폐될 때, 반송기구(A)(602)에 의해 이루어진다. 또한, 반송실(601)의 압력이 낮은 상태에서 오일 밀봉 로터리 펌프, 기계적 부스터 펌프, 터보분자펌프, 및 크라이오 펌프 등의 배기펌프를 사용하는 것이 가능하며, 습기를 제거하는데 효과적인 크라이오 펌프를 사용하는 것이 바람직하다.
각 처리실에 관한 설명이 이하에서 이루어진다. 반송실(501)이 감압(減壓)분위기를 가지고, 따라서 배기펌프(도면에 나타내지 않음)는 반송실(501)에 직접 연결된 각 처리실에 준비된다. 전술된 오일 밀봉 로터리 펌프, 기계적 부스터 펌프, 터보분자펌프, 및 크라이오 펌프가 배기펌프로서 사용된다.
먼저, 604는 기판설치용 반입실을 나타내고, 또한 반출실이다. 반입실(604)은 문(600a)에 의해 반송실(601)에 연결되며, 기판(603)이 놓여진 캐리어(도면에 나타내지 않음)가 여기에 배열된다. 반입실(604)은 또한 기판 반입실 및 기판 반출실로 나누어질 수도 있다. 또한, 고순도 질소가스 또는 노블가스를 주입하기 위해 전술한 배기펌프 및 청정 관이 반입실(604)에 준비된다.
다음으로, 605는 EL소자의 양극 또는 음극의 표면(실시예 2에서는 양극)을 처리하기 위한 전처리실을 나타내고, 처리실(605)은 문(600b)에 의해 반송실(601)에 연결된다. 처리실은 EL물질의 제작처리에 따라서 여러 가지로 변화될 수 있고, 실시예 2에서는 투명 전도막으로 형성된 양극표면의 열처리가 자외선이 조사하는 동안 100℃ 및 120℃사이에서 이루어질 수 있다. 이런 형태의 전처리는 EL물질의 양극표면을 처리할 때 효과적이다.
다음으로, 606은 증착에 의한 유기EL물질의 막형성용 증착실을 나타내고, 증착실(A)로서 지칭한다. 증착실(A)(606)은 문(600c)을 통해 반송실(601)에 연결된다. 실시예 2에서 도 2A 및 도 2B에 나타낸 구조를 가진 증착실이 증착실(A)(606)로서 사용된다.
증착실(A)(606)의 막형성부(607)에서, 먼저 정공주입층이 기판의 전체표면 위에 도포되고, 이때 적색발광용 발광층이 형성된다. 따라서, 증착원 및 새도우 마스크가 정공주입층 및 적색발광층이 되는 유기물질에 각각 연관되는 두 가지 형태로 제공되고, 변환될 수 있도록 구조화된다. 공지된 물질이 정공주입층 및 적색발광층으로 사용될 수도 있다는 것을 주목하자.
다음으로, 608은 증착에 의한 유기EL물질의 막형성용 증착실을 나타내고, 증착실(B)로서 지칭한다. 증착실(B)(608)은 문(600d)을 통해 반송실(601)에 연결된다. 실시예 2에서, 도 2A 및 도 2B에 나타낸 구조를 가진 증착실이 증착실(B)(608)로서 사용된다. 실시예 2에서 녹색발광용 발광층이 증착실(B)(608)의 막형성부(609)에 도포 된다. 공지된 물질이 실시예 2에서 녹색발광용 발광층으로사용될 수도 있다는 것을 주목하자.
다음으로, 610은 증착에 의한 유기EL물질의 막형성용 증착실을 나타내고, 증착실(C)로서 지칭한다. 증착실(C)(610)은 문(600e)을 통해 반송실(601)에 연결된다. 실시예 2에서, 도 2A 및 도 2B에 나타낸 구조를 가진 증착실이 증착실(C)(610)로서 사용된다. 실시예 2에서 청색발광용 발광층이 증착실(C)(610)의 막형성부(611)에 도포 된다. 공지된 물질이 실시예 2에서 청색발광용 발광층으로 사용될 수도 있다는 것을 주목하자.
다음으로, 612는 증착에 의해 EL소자의 양극 또는 음극이 되는 전도막(실시예 2에서는 금속막이 음극으로 사용됨)의 막형성용 증착실을 나타내고, 증착실(D)로서 지칭한다. 증착실(D)(612)은 문(600f)을 통해 반송실(601)에 연결된다. 도 2A 및 도 2B에서 나타낸 구조를 가진 증착실은 실시예 2에서 증착실(D)(612)로서 사용된다. 증착실(D)(612)의 막형성부(613)에서, Al-Li 합금막(알루미늄 및 리튬의 합금막)이 EL소자의 음극이 되는 전도막으로 도포된다. 역시 주기율표의 1족 또는 2족의 원소 및 알루미늄을 공동증착 할 수 있다는 것을 주목하자.
다음으로, 614는 밀봉실을 나타내고, 문(600g)을 통해 반입실(604)에 연결된다. 밀봉실(614)의 설명은 실시예 1을 참조로 한다. 또한, 실시예 1과 비슷하게, 자외선조사기구(615)는 밀봉실(614)의 내부에 형성된다. 또한, 인도실(616)은 밀봉실(614)에 연결된다. 반송기구(B)(617)는 인도실(616)에 형성되고, 밀봉실(614)에서 완전히 밀봉된 EL소자의 기판이 인도실(616)로 보내진다. 실시예 1은 인도실(616)의 설명을 위해 참조될 수도 있다.
대기에 노출되지 않고, EL소자가 밀폐공간에서 완전히 밀봉되는 점을 통해 처리가 완성되기 때문에, 도 6에 나타낸 막형성장치를 사용하여 신뢰도가 높은 EL표시장치를 제작할 수 있게 된다.
[실시예 3]
인 라인(in-line)방식에서 본 발명의 막형성장치를 사용하는 경우에는 도 7을 이용하여 설명한다. 701은 반입실을 나타내고, 기판의 반송이 여기서 이루어진다. 배기시스템(700a)이 반입실(701)에 준비되고, 배기시스템(700a)은 제 1밸브(71), 터보분자펌프(72), 제 2밸브(73), 및 로터리펌프(오일 밀봉 로터리 펌프)(74)를 포함한 구조를 가진다.
제 1밸브(71)가 주밸브가 되고, 전도밸브와 결합되는 경우가 있고, 나비밸브가 사용되는 경우도 역시 있다. 제 2밸브(73)는 전방밸브이고 제 2밸브(73)가 먼저 열리고 로터리펌프에 의해 반입실(701)의 압력이 급격하게 감소된다. 다음으로 제 1밸브(71)가 열리고 고진공이 될 때까지 터보분자펌프(72)에 의해 압력이 감소한다. 터보분자펌프 대신으로 기계적 부스터 펌프 또는 크라이오 펌프를 사용할 수 있지만, 특히 크라이오 펌프가 수분을 제거하는데 효과적이다.
다음으로, 702는 EL소자의 양극 또는 음극의 표면(실시예 3에서는 양극)을 처리하기 위한 전처리실을 나타내고, 전처리실(702)은 배기시스템(700b)이 준비된다. 또한, 도면에 나타내지 않은 문에 의해 반입실(701)로부터 밀봉된다. 전처리실(702)은 EL소자의 제작처리에 따라서 여러 가지로 변화될 수 있고, 실시예 3에서는 투명 전도막으로 형성된 양극표면의 열처리가 자외선이 조사하는 동안 100℃ 및 120℃사이에서 이루어질 수 있다.
다음으로, 703은 증착에 의한 유기EL물질의 막형성용 증착실을 나타내고, 증착실(A)로서 지칭한다. 또한, 도면에 나타내지 않은 문에 의해 반입실(701)로부터 밀봉된다. 증착실(A)(703)에는 배기시스템(700c)이 준비된다. 실시예 3에서, 도 2A 및 도 2B에 나타낸 구조를 가진 증착실이 증착실(A)(703)로서 사용된다.
기판(704)은 증착실(A)(703)로 보내지고, 증착실(A)(703)에 준비된 증착원(705)은 화살표방향으로 각각 이동하며 막형성이 이루어진다. 도 2A 및 도 2B는 증착실(A)(703)의 상세한 작동에 관하여 참조가 될 수도 있다는 것을 주목하자. 실시예 3에서 정공주입층이 증착실(A)(703)에서 도포된다. 공지된 물질이 정공주입층으로 사용될 수도 있다.
다음으로, 706은 증착에 의한 유기EL물질의 막형성용 증착실을 나타내고, 증착실(B)로서 지칭한다. 증착실(B)(706)에는 배기시스템(700d)이 준비된다. 또한, 도면에 나타내지 않은 문에 의해 증착실(A)(703)로부터 밀봉된다. 실시예 3에서, 도 2A 및 도 2B에 나타낸 구조를 가진 증착실이 증착실(B)(706)로서 형성된다. 따라서 도 2A 및 도 2B는 증착실(B)(706)의 상세한 작동에 관하여 참조가 될 수도 있다. 또한, 적색발광용 발광층이 증착실(B)(706)에서 도포된다. 공지된 물질이 적색발광용 발광층으로 사용될 수도 있다.
다음으로, 707은 증착에 의한 유기EL물질의 막형성용 증착실을 나타내고, 증착실(C)로서 지칭한다. 증착실(C)(707)에는 배기시스템(700e)이 준비된다. 또한, 도면에 나타내지 않은 문에 의해 증착실(B)(706)로부터 밀봉된다. 실시예 3에서,도 2A 및 도 2B에 나타낸 구조를 가진 증착실이 증착실(C)(707)로서 형성된다. 따라서 도 2A 및 도 2B의 설명이 증착실(C)(707)의 상세한 작동에 관하여 참조가 될 수도 있다. 또한, 녹색발광용 발광층이 증착실(C)(707)에서 도포된다. 공지된 물질이 녹색발광용 발광층으로 사용될 수도 있다.
다음으로, 708은 증착에 의한 유기EL물질의 막형성용 증착실을 나타내고, 증착실(D)로서 지칭한다. 증착실(D)(708)에는 배기시스템(700f)이 준비된다. 또한, 도면에 나타내지 않은 문에 의해 증착실(C)(707)로부터 밀봉된다. 실시예 3에서, 도 2A 및 도 2B에 나타낸 구조를 가진 증착실이 증착실(D)(708)로서 형성된다. 따라서 도 2A 및 도 2B의 설명이 증착실(D)(708)의 상세한 작동에 관하여 참조가 될 수도 있다. 또한, 청색발광용 발광층이 증착실(D)(708)에서 도포된다. 공지된 물질이 청색발광용 발광층으로 사용될 수도 있다.
다음으로, 709는 증착에 의해 EL소자의 양극 또는 음극이 되는 전도막(실시예 3에서는 음극이 되는 금속막이 사용됨)의 막형성용 증착실을 나타내고, 증착실(E)로서 지칭한다. 증착실(E)(709)에는 배기시스템(700g)이 준비된다. 또한, 도면에 나타내지 않은 문에 의해 증착실(D)(708)로부터 밀봉된다. 도 2A 및 도 2B에서 나타낸 구조를 가진 증착실이 실시예 3에서 증착실(E)(709)로서 사용된다. 따라서 도 2A 및 도 2B의 설명이 증착실(E)(709)의 상세한 작동에 관하여 참조가 될 수도 있다.
증착실(E)(709)에서 Al-Li 합금막(알루미늄 및 리튬의 합금막)이 EL소자의 음극이 되는 전도막으로 도포된다. 역시 주기율표의 1족 또는 2족의 원소, 및 알루미늄을 공동증착 할 수 있다는 것을 주목하자.
다음으로, 710은 밀봉실을 나타내고, 배기시스템(700h)이 갖추어진다. 또한, 도면에 나타내지 않은 문에 의해 증착실(E)(709)로부터 밀봉된다. 실시예 1이 밀봉실(710)의 설명에 관하여 참조가 될 수도 있다. 덧붙여서, 실시예 1과 비슷하게, 자외선조사기구가 밀봉실(710)의 내부에 제공된다.
마지막으로, 711은 반출실을 나타내고, 배기시스템(700i)이 갖추어진다. EL소자가 형성된 기판이 여기에서 반출된다.
대기에 노출되지 않고, EL소자가 밀폐공간에서 완전히 밀봉되는 점을 통해 처리가 완성되기 때문에, 도 7에 나타낸 막형성장치를 사용하여 신뢰도가 높은 EL표시장치를 제작할 수 있게 된다. 인라인 방식에 의해서 EL표시장치가 높은 처리율로 또한 제작될 수 있다.
[실시예 4]
인 라인(in-line)방식에서 본 발명의 막형성장치를 사용하는 경우에는 도 8을 이용하여 설명한다. 도 8에서, 801은 반입실을 나타내고 기판의 반송이 여기서 이루어진다. 배기시스템(800a)이 반입실(801)에 준비되고, 배기시스템(800a)은 제 1밸브(81), 터보분자펌프(82), 제 2밸브(83), 및 로터리펌프(오일 밀봉 로터리 펌프)(84)를 포함한 구조를 가진다.
다음으로, 802는 EL소자의 양극 또는 음극의 표면(실시예 4에서는 양극)을 처리하기 위한 전처리실을 나타내고, 전처리실(802)은 배기시스템(800b)이 준비된다. 또한, 도면에 나타내지 않은 문에 의해 반입실(801)로부터 밀봉된다.전처리실(802)은 EL소자의 제작처리에 따라서 여러 가지로 변화될 수 있고, 실시예 4에서는 투명 전도막으로 형성된 양극표면의 열처리가 자외선이 조사하는 동안 100℃ 및 120℃사이에서 이루어질 수 있다.
다음으로, 803은 증착에 의한 유기EL물질의 막도포용 증착실을 나타내고, 증착실(803)에는 배기시스템(800c)이 준비된다. 실시예 4에서, 도 2A 및 도 2B에서 나타낸 구조를 가진 증착실이 증착실(803)로서 사용된다. 기판(804)은 증착실(803)로 보내지고, 증착실(803)에 준비된 증착원(805)은 화살표방향으로 이동하여 막형성이 이루어진다.
실시예 4에서, 정공주입층, 적색발광층, 녹색발광층, 청색발광층, 또는 음극이 되는 전도막을 형성하도록 증착원(805) 또는 새도우 마스크를 증착실(803)에서 막 도포시에 변환하는 것이 바람직하다. 실시예 4에서, 증착실(803)은 증착원 및 새도우 마스크가 적당하게 변환되도록 저장되는 예비실(806)에 연결된다.
다음으로, 807은 밀봉실을 나타내고, 배기시스템(800d)이 준비된다. 또한, 도면에 나타내지 않은 문에 의해 증착실(803)로부터 밀봉된다. 실시예 1은 밀봉실(807)의 설명에 관하여 참조가 될 수도 있다. 또한, 실시예 1과 비슷하게, 자외선조사기구(도면에 나타내지 않음)가 밀봉실(807)의 내부에 제공된다.
마지막으로, 808은 반출실을 나타내고, 배기시스템(800e)이 준비된다. EL소자가 형성된 기판이 여기서 반출된다.
따라서, 대기에 노출되지 않고 EL소자가 밀폐공간에서 완전히 밀봉되는 점을 통해 처리가 완성되기 때문에, 도 8에 나타낸 막형성장치를 사용하여 신뢰도가 높은 EL표시장치를 제작할 수 있게 된다. 인라인 방식에 의해서 EL표시장치가 높은 처리율로 또한 제작될 수 있다.
본 발명의 막형성장치를 사용하여, 기판표면에 막두께 분포의 균일성이 높은 박막을 높은 처리율로 실행할 수 있다.

Claims (20)

  1. 길이방향을 가진 증착원; 및
    증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 증착원을 이동시키기 위한 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  2. 제 1항에 있어서, 증착원에 길이방향을 가진 증착셀이 제공되는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  3. 제 1항에 있어서, 증착원에 다수의 증착셀이 제공되는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  4. 길이방향을 가진 증착원;
    증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 증착원을 이동시키기 위한 기구; 및
    기구의 상부 위에 형성된 전자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  5. 제 4항에 있어서, 증착원에 길이방향을 가진 증착셀이 제공되는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  6. 제 4항에 있어서, 증착원에 다수의 증착셀이 제공되는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  7. 반입실;
    반입실에 연결된 반송실; 및
    반송실에 연결된 증착실을 포함하고, 증착실에 길이방향을 가진 증착원 및 증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 증착원을 이동시키기 위한 기구를 갖춘 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  8. 제 7항에 있어서, 증착원에 길이방향을 가진 증착셀이 제공되는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  9. 제 7항에 있어서, 증착원에 다수의 증착셀이 제공되는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  10. 반입실;
    반입실에 연결된 반송실; 및
    반송실에 연결된 증착실을 포함하고, 증착실에 길이방향을 가진 증착원, 증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 증착원을 이동시키기 위한 기구, 및 기구의 상부위에 형성된 전자석을 갖춘 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  11. 제 10항에 있어서, 증착원에 길이방향을 가진 증착셀이 제공되는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  12. 제 10항에 있어서, 증착원에 다수의 증착셀이 제공되는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  13. 반입실;
    반출실; 및
    증착실을 포함하고, 상기 반입실 및 상기 반출실 및 상기 증착실이 직렬로 연결되며, 증착실에 길이방향을 가진 증착원 및 증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 증착원을 이동시키기 위한 기구를 갖춘 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  14. 제 13항에 있어서, 증착원에 길이방향을 가진 증착셀이 제공되는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  15. 제 13항에 있어서, 증착원에 다수의 증착셀이 제공되는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  16. 반입실;
    반출실; 및
    증착실을 포함하고, 상기 반입실 및 상기 반출실 및 상기 증착실이 직렬로 연결되며, 증착실에 길이방향을 가진 증착원 및 증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 증착원을 이동시키기 위한 기구 및 기구의 상부 위에 형성된 전자석을 갖춘 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  17. 제 16항에 있어서, 증착원에 길이방향을 가진 증착셀이 제공되는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  18. 제 16항에 있어서, 증착원에 다수의 증착셀이 제공되는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  19. 길이방향을 가진 증착원을 증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 이동시키는 동안 기판 위에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  20. 길이방향을 가진 증착원을 증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 이동시키는 동안 기판 위에 박막을 형성하고, 기판 및 금속으로 구성된 새도우 마스크가 전자석에 의해 접촉된 상태로 되는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100422487B1 (ko) * 2001-12-10 2004-03-11 에이엔 에스 주식회사 전자석을 이용한 유기전계발광소자 제작용 증착장치 및그를 이용한 증착방법
KR100468792B1 (ko) * 2002-05-28 2005-01-29 주식회사 야스 기판과 쉐도우 마스크 고정장치
KR100471358B1 (ko) * 2002-07-19 2005-03-15 엘지전자 주식회사 유기 전자 발광층의 증착 장치
KR100637127B1 (ko) * 2002-01-10 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착 방법 및 그 장치

Families Citing this family (186)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
CN1264387C (zh) * 2000-03-22 2006-07-12 出光兴产株式会社 有机el显示装置的制造装置以及使用其制造有机el显示装置的方法
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
US20020011205A1 (en) * 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
JP2002175878A (ja) * 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
JP4906018B2 (ja) * 2001-03-12 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法、発光装置の作製方法及び成膜装置
DE10128091C1 (de) 2001-06-11 2002-10-02 Applied Films Gmbh & Co Kg Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats
JP4078813B2 (ja) * 2001-06-12 2008-04-23 ソニー株式会社 成膜装置および成膜方法
JP2003017254A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2003017255A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP4707271B2 (ja) * 2001-06-29 2011-06-22 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4865165B2 (ja) 2001-08-29 2012-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TW529317B (en) 2001-10-16 2003-04-21 Chi Mei Electronic Corp Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display
US20030101937A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
SG149680A1 (en) 2001-12-12 2009-02-27 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
TWI262034B (en) * 2002-02-05 2006-09-11 Semiconductor Energy Lab Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device
TWI286044B (en) 2002-02-22 2007-08-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus
SG113448A1 (en) * 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
JP3877613B2 (ja) * 2002-03-05 2007-02-07 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
TW589919B (en) * 2002-03-29 2004-06-01 Sanyo Electric Co Method for vapor deposition and method for making display device
US8900366B2 (en) * 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US7309269B2 (en) * 2002-04-15 2007-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
JP2004006311A (ja) * 2002-04-15 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法および製造装置
US6749906B2 (en) * 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4634698B2 (ja) * 2002-05-17 2011-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 蒸着装置
JP4954434B2 (ja) * 2002-05-17 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
US20030221620A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
US6943066B2 (en) * 2002-06-05 2005-09-13 Advantech Global, Ltd Active matrix backplane for controlling controlled elements and method of manufacture thereof
US20040007183A1 (en) * 2002-07-11 2004-01-15 Ulvac, Inc. Apparatus and method for the formation of thin films
CN1226448C (zh) * 2002-07-19 2005-11-09 Lg电子株式会社 有机场致发光膜蒸镀用蒸镀源
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP3690380B2 (ja) * 2002-08-02 2005-08-31 セイコーエプソン株式会社 材料の配置方法、電子装置の製造方法、電気光学装置の製造方法
JP4515060B2 (ja) * 2002-08-30 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置および有機化合物を含む層の作製方法
TWI277363B (en) * 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
JP2004146369A (ja) * 2002-09-20 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置および発光装置の作製方法
KR101006938B1 (ko) * 2002-09-20 2011-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 제조 시스템 및 발광장치 제작방법
US7067170B2 (en) * 2002-09-23 2006-06-27 Eastman Kodak Company Depositing layers in OLED devices using viscous flow
JP4139186B2 (ja) * 2002-10-21 2008-08-27 東北パイオニア株式会社 真空蒸着装置
AU2003289212A1 (en) * 2002-12-12 2004-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, manufacturing apparatus, film-forming method, and cleaning method
US20040144321A1 (en) * 2003-01-28 2004-07-29 Eastman Kodak Company Method of designing a thermal physical vapor deposition system
US7211461B2 (en) * 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
DE10312641B4 (de) * 2003-03-21 2009-11-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer OLED-Anzeige
JP4346336B2 (ja) * 2003-04-02 2009-10-21 三洋電機株式会社 有機el表示装置の製造方法
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
US20040206307A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Eastman Kodak Company Method and system having at least one thermal transfer station for making OLED displays
JP4493926B2 (ja) 2003-04-25 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP2004353082A (ja) 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置
JP2004353083A (ja) 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置
JP2004353084A (ja) 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置の固定部材
JP3915734B2 (ja) * 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
JP4015064B2 (ja) * 2003-05-28 2007-11-28 トッキ株式会社 蒸着装置
JP4447256B2 (ja) * 2003-06-27 2010-04-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP4522777B2 (ja) * 2003-07-25 2010-08-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US7211454B2 (en) * 2003-07-25 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate
US20050022743A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation container and vapor deposition apparatus
US8123862B2 (en) * 2003-08-15 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition apparatus and manufacturing apparatus
JP4685404B2 (ja) * 2003-10-15 2011-05-18 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光素子の垂直蒸着方法,その装置,及び有機電界発光素子の垂直蒸着装置に使用される蒸着源
US20050244580A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Eastman Kodak Company Deposition apparatus for temperature sensitive materials
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
WO2006016669A1 (en) * 2004-08-13 2006-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20060018746A (ko) * 2004-08-25 2006-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기물 증착 장치
KR100700840B1 (ko) 2005-01-05 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 섀도우마스크 부착방법
US9530968B2 (en) * 2005-02-15 2016-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
EP1715075B1 (de) * 2005-04-20 2008-04-16 Applied Materials GmbH & Co. KG Magnetische Maskenhalterung
JP4789551B2 (ja) * 2005-09-06 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 有機el成膜装置
US7485580B2 (en) * 2005-09-20 2009-02-03 Air Products And Chemicals, Inc. Method for removing organic electroluminescent residues from a substrate
US7531470B2 (en) * 2005-09-27 2009-05-12 Advantech Global, Ltd Method and apparatus for electronic device manufacture using shadow masks
JP4974504B2 (ja) * 2005-10-13 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置、発光装置の作製方法
KR20070043541A (ko) * 2005-10-21 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법
JP5064810B2 (ja) * 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
KR100836471B1 (ko) * 2006-10-27 2008-06-09 삼성에스디아이 주식회사 마스크 및 이를 이용한 증착 장치
KR100842183B1 (ko) * 2006-12-29 2008-06-30 두산메카텍 주식회사 증발원 스캐닝 장치
JP2008221532A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Oshima Denki Seisakusho:Kk 成膜装置
KR100977971B1 (ko) * 2007-06-27 2010-08-24 두산메카텍 주식회사 증착 장치
KR100830839B1 (ko) 2008-02-12 2008-05-20 문대규 증발원
KR100964224B1 (ko) 2008-02-28 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치 및 박막 형성 방법
JP2009231277A (ja) * 2008-02-29 2009-10-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置
JP5416987B2 (ja) 2008-02-29 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
JP5238544B2 (ja) * 2008-03-07 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
US8409672B2 (en) * 2008-04-24 2013-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device
KR101517020B1 (ko) * 2008-05-15 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조장치 및 제조방법
EP2135970A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-23 Applied Materials, Inc. Processing system and method for processing a substrate
JP2010111916A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置、蒸着源、成膜室、蒸着容器交換方法
JP5623786B2 (ja) * 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置
JP5620146B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-05 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置
US8882920B2 (en) * 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) * 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9174250B2 (en) 2009-06-09 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
US8802200B2 (en) 2009-06-09 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) * 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101097311B1 (ko) * 2009-06-24 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치
KR101117720B1 (ko) * 2009-06-25 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법
JP5244725B2 (ja) * 2009-07-21 2013-07-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 成膜装置
CN101962750B (zh) * 2009-07-24 2013-07-03 株式会社日立高新技术 真空蒸镀方法及其装置
KR20110014442A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101127575B1 (ko) * 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
US20110033621A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
KR101127578B1 (ko) * 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP5676175B2 (ja) * 2009-08-24 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
US8486737B2 (en) * 2009-08-25 2013-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5677785B2 (ja) * 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5611718B2 (ja) * 2009-08-27 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
CN105161543A (zh) * 2009-09-24 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101146982B1 (ko) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
KR101084184B1 (ko) * 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) * 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) * 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR20120012638A (ko) 2010-08-02 2012-02-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 형성 장치
JP5607470B2 (ja) * 2010-09-14 2014-10-15 公益財団法人かずさDna研究所 基材表面親水化処理方法及び被処理物の製造装置
KR20120029166A (ko) 2010-09-16 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101678056B1 (ko) 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120039944A (ko) * 2010-10-18 2012-04-26 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 증착 시스템 및 증착 방법
JP5298244B2 (ja) 2010-10-19 2013-09-25 シャープ株式会社 蒸着装置
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
JP2012140671A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Canon Tokki Corp 成膜装置
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
US9722212B2 (en) * 2011-02-14 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device, light-emitting device, and manufacturing method and manufacturing apparatus thereof
JP2012178278A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Ulvac Japan Ltd 光透過性金属酸化物膜の形成方法
JP5902515B2 (ja) 2011-03-14 2016-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 連続成膜装置及び連続成膜方法
US20120237679A1 (en) * 2011-03-17 2012-09-20 Kateeva, Inc. Apparatus and methods for depositing one or more organic materials on a substrate
KR101923174B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857992B1 (ko) 2011-05-25 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR20130010730A (ko) 2011-07-19 2013-01-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
JP5812753B2 (ja) * 2011-08-11 2015-11-17 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
KR20130069037A (ko) 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
US9055654B2 (en) 2011-12-22 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method
KR20130095063A (ko) * 2012-02-17 2013-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치와, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP2013216955A (ja) * 2012-04-11 2013-10-24 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置
KR102015872B1 (ko) 2012-06-22 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
CN103545460B (zh) 2012-07-10 2017-04-12 三星显示有限公司 有机发光显示装置、有机发光显示设备及其制造方法
KR101959974B1 (ko) 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR102013315B1 (ko) 2012-07-10 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101632298B1 (ko) 2012-07-16 2016-06-22 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
KR101968664B1 (ko) * 2012-08-06 2019-08-14 삼성디스플레이 주식회사 박막 형성 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102013318B1 (ko) 2012-09-20 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101994838B1 (ko) 2012-09-24 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140050994A (ko) 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102052069B1 (ko) 2012-11-09 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102075525B1 (ko) 2013-03-20 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140118551A (ko) 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102073765B1 (ko) * 2013-04-04 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 제조방법 및 이에 사용될 수 있는 증착장치
KR102081284B1 (ko) 2013-04-18 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102037376B1 (ko) 2013-04-18 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102086550B1 (ko) * 2013-05-31 2020-03-10 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102107104B1 (ko) 2013-06-17 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102108361B1 (ko) 2013-06-24 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
CN103726019B (zh) * 2013-12-13 2015-10-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 改善球面光学元件镀膜均匀性的挡板的设计方法
KR102162797B1 (ko) 2013-12-23 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US20170198384A1 (en) * 2014-05-30 2017-07-13 Sharp Kabushiki Kaisha Deposition apparatus and deposition method
EP2975155A1 (en) * 2014-07-15 2016-01-20 Essilor International (Compagnie Generale D'optique) A process for physical vapor deposition of a material layer on surfaces of a plurality of substrates
CN104593731B (zh) * 2015-02-04 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 蒸镀换料一体化设备及其使用方法
CN105154832B (zh) * 2015-10-15 2018-06-08 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备和蒸镀方法
CN105177510B (zh) * 2015-10-21 2018-04-03 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备及蒸镀方法
US10892415B2 (en) 2016-03-10 2021-01-12 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Deposition mask, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic EL display apparatus
JP2017036512A (ja) * 2016-11-07 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置
JP6580105B2 (ja) * 2017-10-26 2019-09-25 キヤノントッキ株式会社 測定装置
CN109881179B (zh) * 2019-04-19 2023-07-25 江苏可润光电科技有限公司 一种全包裹派瑞林镀膜工艺及镀膜装置
CN114583060A (zh) * 2020-12-01 2022-06-03 杭州纤纳光电科技有限公司 钙钛矿薄膜节奏化沉积生产方法与设备
JP7362693B2 (ja) * 2021-06-01 2023-10-17 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び電子デバイスの製造装置

Family Cites Families (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2351536A (en) * 1941-04-25 1944-06-13 Spencer Lens Co Method of treating surfaces
US2435997A (en) * 1943-11-06 1948-02-17 American Optical Corp Apparatus for vapor coating of large surfaces
US3110620A (en) * 1960-06-28 1963-11-12 Ibm Method of making plural layer thin film devices
US3235647A (en) * 1963-06-06 1966-02-15 Temescal Metallurgical Corp Electron bombardment heating with adjustable impact pattern
US3312190A (en) * 1964-02-25 1967-04-04 Burroughs Corp Mask and substrate alignment apparatus
US3420977A (en) * 1965-06-18 1969-01-07 Air Reduction Electron beam apparatus
US3391490A (en) * 1966-02-23 1968-07-09 David H. Evans Remotely controlled vehicle system
US3543717A (en) * 1968-04-25 1970-12-01 Itek Corp Means to adjust collimator and crucible location in a vapor deposition apparatus
US3636305A (en) * 1971-03-10 1972-01-18 Gte Sylvania Inc Apparatus for metal vaporization comprising a heater and a refractory vessel
US3710072A (en) * 1971-05-10 1973-01-09 Airco Inc Vapor source assembly
US3756193A (en) * 1972-05-01 1973-09-04 Battelle Memorial Institute Coating apparatus
JPS5315466B2 (ko) * 1973-04-28 1978-05-25
FR2244014B1 (ko) * 1973-09-17 1976-10-08 Bosch Gmbh Robert
US3971334A (en) * 1975-03-04 1976-07-27 Xerox Corporation Coating device
US4023523A (en) * 1975-04-23 1977-05-17 Xerox Corporation Coater hardware and method for obtaining uniform photoconductive layers on a xerographic photoreceptor
US4187801A (en) * 1977-12-12 1980-02-12 Commonwealth Scientific Corporation Method and apparatus for transporting workpieces
JPS5828812Y2 (ja) 1978-02-26 1983-06-23 ナショナル住宅産業株式会社 反り止め装置
JPS54127877A (en) 1978-03-28 1979-10-04 Ricoh Co Ltd Preparation of thin film
US4233937A (en) * 1978-07-20 1980-11-18 Mcdonnell Douglas Corporation Vapor deposition coating machine
DE2834806A1 (de) 1978-08-09 1980-02-14 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verfahren und vorrichtung zum vakuumaufdampfen duenner schichten, insbesondere bei der herstellung von bildschirmen von katodenstrahlroehren
US4225805A (en) * 1978-12-22 1980-09-30 Gte Products Corporation Cathode ray tube getter sealing structure
JPS6032361Y2 (ja) 1980-03-17 1985-09-27 三国工業株式会社 多連装式気化器のスタ−タ操作機構
JPS57123973A (en) 1981-01-22 1982-08-02 Fuji Electric Co Ltd Container for vacuum-depositing material
JPS6214379Y2 (ko) 1981-01-27 1987-04-13
JPS57172060A (en) 1981-04-17 1982-10-22 Mitsui Keikinzoku Kako Upstair
JPS57172060U (ko) * 1981-04-20 1982-10-29
US4446357A (en) * 1981-10-30 1984-05-01 Kennecott Corporation Resistance-heated boat for metal vaporization
US4469719A (en) * 1981-12-21 1984-09-04 Applied Magnetics-Magnetic Head Divison Corporation Method for controlling the edge gradient of a layer of deposition material
JPS58177463A (ja) 1982-04-12 1983-10-18 Hitachi Ltd 積層薄膜成膜装置
US4405487A (en) * 1982-04-29 1983-09-20 Harrah Larry A Combination moisture and hydrogen getter
JPS58177463U (ja) 1982-05-21 1983-11-28 株式会社日本ロツク 電子ロツク錠式チエンロツク
CH651592A5 (de) * 1982-10-26 1985-09-30 Balzers Hochvakuum Dampfquelle fuer vakuumbedampfungsanlagen.
DE3480243D1 (en) * 1983-03-31 1989-11-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing thin-film integrated devices
JPS59203238A (ja) * 1983-04-30 1984-11-17 Tdk Corp 磁気記録媒体の製造方法
JPS6032361A (ja) 1983-08-03 1985-02-19 Hitachi Ltd 半導体装置用電極配線の製造方法
DE3330092A1 (de) * 1983-08-20 1985-03-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen
GB8332394D0 (en) * 1983-12-05 1984-01-11 Pilkington Brothers Plc Coating apparatus
JPS60121616A (ja) 1983-12-06 1985-06-29 セイコーエプソン株式会社 透明導電膜の製造方法
JPS60121616U (ja) 1984-01-25 1985-08-16 三菱電機株式会社 負荷時タツプ切換装置
US5259881A (en) * 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
US4672265A (en) * 1984-07-31 1987-06-09 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescent device
US4600160A (en) 1984-09-20 1986-07-15 Oscar Mayer Foods Corporation Chopper blade assembly
JPH0246667B2 (ja) 1986-09-20 1990-10-16 Anelva Corp Hakumakujochakusochi
US4897290A (en) * 1986-09-26 1990-01-30 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Method for manufacturing the substrate for liquid crystal display
JPS6379959U (ko) 1986-11-14 1988-05-26
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US4885211A (en) * 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
JPS63186763U (ko) * 1987-02-16 1988-11-30
US4769292A (en) * 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
JPS63297549A (ja) 1987-05-29 1988-12-05 Komatsu Ltd 真空蒸着装置
JPS6442392A (en) 1987-08-07 1989-02-14 Nec Corp Apparatus for molecular beam epitaxy
JPS6442392U (ko) 1987-09-03 1989-03-14
JP2832836B2 (ja) * 1988-12-26 1998-12-09 株式会社小松製作所 真空成膜装置
US5111022A (en) * 1989-08-23 1992-05-05 Tfi Telemark Cooling system for electron beam gun and method
JP2672680B2 (ja) * 1990-02-09 1997-11-05 沖電気工業株式会社 薄膜の製造方法及びこれに用いる蒸発源
US5310410A (en) * 1990-04-06 1994-05-10 Sputtered Films, Inc. Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus
JP2913745B2 (ja) * 1990-04-10 1999-06-28 松下電器産業株式会社 真空蒸着装置
JPH0423523A (ja) * 1990-05-17 1992-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 衛星受信用チューナ
JPH04116169A (ja) 1990-09-05 1992-04-16 Shin Meiwa Ind Co Ltd 多層成膜用の真空蒸着装置
US5167984A (en) 1990-12-06 1992-12-01 Xerox Corporation Vacuum deposition process
US5258325A (en) * 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
JP3181611B2 (ja) 1991-02-22 2001-07-03 コニカ株式会社 蒸着装置
JP3125279B2 (ja) * 1991-02-25 2001-01-15 東海カーボン株式会社 真空蒸着用黒鉛ルツボ
JPH04116169U (ja) 1991-03-28 1992-10-16 株式会社島津製作所 レーザ装置
JP2784615B2 (ja) * 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
US5429884A (en) * 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
JP2688555B2 (ja) 1992-04-27 1997-12-10 株式会社日立製作所 マルチチャンバシステム
JP3257056B2 (ja) 1992-09-04 2002-02-18 石川島播磨重工業株式会社 真空蒸着装置
JP3482969B2 (ja) * 1993-01-19 2004-01-06 石川島播磨重工業株式会社 連続真空蒸着装置
DE69304038T2 (de) * 1993-01-28 1996-12-19 Applied Materials Inc Vorrichtung für ein Vakuumverfahren mit verbessertem Durchsatz
JP3059972B2 (ja) 1993-03-12 2000-07-04 工業技術院長 有機系光学薄膜の製造法とその装置
JP2821347B2 (ja) * 1993-10-12 1998-11-05 日本電気株式会社 電流制御型発光素子アレイ
KR100291971B1 (ko) 1993-10-26 2001-10-24 야마자끼 순페이 기판처리장치및방법과박막반도체디바이스제조방법
JP2770299B2 (ja) * 1993-10-26 1998-06-25 富士ゼロックス株式会社 薄膜el素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット
JP2734965B2 (ja) 1993-12-20 1998-04-02 双葉電子工業株式会社 電界放出素子とその製造方法
JPH07192866A (ja) 1993-12-26 1995-07-28 Ricoh Co Ltd 有機薄膜型電界発光素子
JPH07216539A (ja) 1994-01-28 1995-08-15 Toray Ind Inc 製膜装置およびこれを用いた薄膜の製造方法
JP2599569B2 (ja) 1994-03-09 1997-04-09 工業技術院長 複合型光学薄膜の製造方法とその製造装置
US5701055A (en) * 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
DE4422697C1 (de) 1994-06-29 1996-01-25 Zsw Verdampferquelle für eine Aufdampfanlage und ihre Verwendung
US5534314A (en) * 1994-08-31 1996-07-09 University Of Virginia Patent Foundation Directed vapor deposition of electron beam evaporant
JPH08111285A (ja) 1994-10-07 1996-04-30 Tdk Corp 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置
US5972183A (en) * 1994-10-31 1999-10-26 Saes Getter S.P.A Getter pump module and system
US5550066A (en) * 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US5945967A (en) * 1995-01-18 1999-08-31 I-O Display Systems, Llc Speckle depixelator
EP0732731A3 (en) * 1995-03-13 1997-10-08 Applied Materials Inc Treatment of a layer of titanium nitride to improve resistance to high temperatures
JPH0916960A (ja) * 1995-06-30 1997-01-17 Hitachi Maxell Ltd 情報記録媒体の製造装置
US5935395A (en) * 1995-11-08 1999-08-10 Mitel Corporation Substrate processing apparatus with non-evaporable getter pump
JPH09209127A (ja) 1996-02-05 1997-08-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 真空蒸着装置およびその真空蒸着装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH09256142A (ja) 1996-03-15 1997-09-30 Sony Corp 成膜装置
TW320687B (ko) * 1996-04-01 1997-11-21 Toray Industries
JP3539125B2 (ja) 1996-04-18 2004-07-07 東レ株式会社 有機電界発光素子の製造方法
JPH1050478A (ja) * 1996-04-19 1998-02-20 Toray Ind Inc 有機電界発光素子およびその製造方法
JP3113212B2 (ja) * 1996-05-09 2000-11-27 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネルの蛍光体層形成装置および蛍光体塗布方法
JP3224396B2 (ja) * 1996-05-29 2001-10-29 出光興産株式会社 有機el素子
US5902688A (en) * 1996-07-16 1999-05-11 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display device
US5817366A (en) * 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
US5844363A (en) * 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
JPH10162954A (ja) 1996-11-29 1998-06-19 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 有機el素子の製造方法
JP4059946B2 (ja) 1996-12-06 2008-03-12 株式会社アルバック 有機薄膜形成装置及び有機材料の再利用方法
JP3483719B2 (ja) 1997-01-09 2004-01-06 株式会社アルバック 有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機薄膜形成装置
JP3162313B2 (ja) * 1997-01-20 2001-04-25 工業技術院長 薄膜製造方法および薄膜製造装置
US5904961A (en) * 1997-01-24 1999-05-18 Eastman Kodak Company Method of depositing organic layers in organic light emitting devices
JPH10214682A (ja) 1997-01-30 1998-08-11 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法
US6049167A (en) * 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
JP2848371B2 (ja) * 1997-02-21 1999-01-20 日本電気株式会社 有機el表示装置及びその製造方法
JP2845856B2 (ja) 1997-03-10 1999-01-13 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH10270164A (ja) 1997-03-26 1998-10-09 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法およびその製造装置
DE29707686U1 (de) * 1997-04-28 1997-06-26 Balzers Prozess Systeme Vertriebs- und Service GmbH, 81245 München Magnethalterung für Folienmasken
CN1144198C (zh) * 1997-05-08 2004-03-31 松下电器产业株式会社 光记录媒体制造装置和制造方法
US5906857A (en) * 1997-05-13 1999-05-25 Ultratherm, Inc. Apparatus, system and method for controlling emission parameters attending vaporized in a HV environment
AUPO712097A0 (en) * 1997-05-30 1997-06-26 Lintek Pty Ltd Vacuum deposition system
JPH10335062A (ja) 1997-05-30 1998-12-18 Tdk Corp 有機el素子の製造装置および製造方法
US6011904A (en) * 1997-06-10 2000-01-04 Board Of Regents, University Of Texas Molecular beam epitaxy effusion cell
JP3508484B2 (ja) * 1997-07-14 2004-03-22 松下電器産業株式会社 機能性薄膜の形成方法及び形成装置
JPH1145779A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Tdk Corp 有機el素子の製造方法および装置
JPH1161386A (ja) * 1997-08-22 1999-03-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子の成膜装置
US6124215A (en) * 1997-10-06 2000-09-26 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Apparatus and method for planarization of spin-on materials
DE69734113T2 (de) 1997-10-15 2006-07-13 Toray Industries, Inc. Verfahren zur herstellung einer organischen elektrolumineszenten vorrichtung
IT1295340B1 (it) * 1997-10-15 1999-05-12 Getters Spa Pompa getter ad elevata velocita' di assorbimento di gas
JP4058149B2 (ja) * 1997-12-01 2008-03-05 キヤノンアネルバ株式会社 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法
JP3014368B2 (ja) 1997-12-18 2000-02-28 セントラル硝子株式会社 クリーニングガス
US6673262B1 (en) * 1997-12-18 2004-01-06 Central Glass Company, Limited Gas for removing deposit and removal method using same
IT1297013B1 (it) * 1997-12-23 1999-08-03 Getters Spa Sistema getter per la purificazione dell'atmosfera di lavoro nei processi di deposizione fisica da vapore
JP3453290B2 (ja) * 1997-12-26 2003-10-06 松下電器産業株式会社 蒸着用電極構造、蒸着装置、蒸着方法および有機発光素子の製造方法
JPH11229123A (ja) 1998-02-12 1999-08-24 Casio Comput Co Ltd 蒸着装置
US6251233B1 (en) * 1998-08-03 2001-06-26 The Coca-Cola Company Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation
US6284052B2 (en) 1998-08-19 2001-09-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber
JP2000068055A (ja) * 1998-08-26 2000-03-03 Tdk Corp 有機el素子用蒸発源、この有機el素子用蒸発源を用いた有機el素子の製造装置および製造方法
US6132805A (en) * 1998-10-20 2000-10-17 Cvc Products, Inc. Shutter for thin-film processing equipment
JP3782245B2 (ja) 1998-10-28 2006-06-07 Tdk株式会社 有機el表示装置の製造装置及び製造方法
US6214631B1 (en) * 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
JP2002529444A (ja) * 1998-11-12 2002-09-10 アリアド・ファーマシューティカルズ・インコーポレイテッド 二環式シグナル伝達阻害剤、それを含む組成物とその用途
JP3019095B1 (ja) * 1998-12-22 2000-03-13 日本電気株式会社 有機薄膜elデバイスの製造方法
US6328815B1 (en) * 1999-02-19 2001-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Multiple chamber vacuum processing system configuration for improving the stability of mark shielding process
JP2000348859A (ja) 1999-06-03 2000-12-15 Chisso Corp 有機el素子
US6469439B2 (en) * 1999-06-15 2002-10-22 Toray Industries, Inc. Process for producing an organic electroluminescent device
JP4472056B2 (ja) * 1999-07-23 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 エレクトロルミネッセンス表示装置及びその作製方法
TW504941B (en) * 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
US6660409B1 (en) * 1999-09-16 2003-12-09 Panasonic Communications Co., Ltd Electronic device and process for producing the same
JP4140674B2 (ja) * 1999-09-27 2008-08-27 東京エレクトロン株式会社 多孔質アモルファス膜の観察方法及びその観察装置
JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
TW574396B (en) 1999-10-22 2004-02-01 Kurt J Lesker Company Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum
KR20010047128A (ko) * 1999-11-18 2001-06-15 이경수 액체원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치
US6537607B1 (en) * 1999-12-17 2003-03-25 Texas Instruments Incorporated Selective deposition of emissive layer in electroluminescent displays
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US6244212B1 (en) * 1999-12-30 2001-06-12 Genvac Aerospace Corporation Electron beam evaporation assembly for high uniform thin film
US6633121B2 (en) * 2000-01-31 2003-10-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
JP2001279429A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 素子用薄膜層の成膜方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
US20020011205A1 (en) * 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
EP1167566B1 (en) * 2000-06-22 2011-01-26 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Apparatus for and method of vacuum vapor deposition
JP2002075638A (ja) 2000-08-29 2002-03-15 Nec Corp マスク蒸着方法及び蒸着装置
JP2002175878A (ja) * 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
JP2002105622A (ja) 2000-10-04 2002-04-10 Sony Corp 蒸着用治具及び蒸着方法
TW463522B (en) * 2000-11-07 2001-11-11 Helix Technology Inc Manufacturing method for organic light emitting diode
US6641674B2 (en) * 2000-11-10 2003-11-04 Helix Technology Inc. Movable evaporation device
TW550672B (en) * 2001-02-21 2003-09-01 Semiconductor Energy Lab Method and apparatus for film deposition
US20030015140A1 (en) * 2001-04-26 2003-01-23 Eastman Kodak Company Physical vapor deposition of organic layers using tubular sources for making organic light-emitting devices
JP4704605B2 (ja) * 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
JP2003002778A (ja) * 2001-06-26 2003-01-08 International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd 薄膜堆積用分子線セル
JP4707271B2 (ja) * 2001-06-29 2011-06-22 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2003113466A (ja) * 2001-07-31 2003-04-18 Fuji Photo Film Co Ltd 真空蒸着装置
US20030101937A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
US7655397B2 (en) * 2002-04-25 2010-02-02 The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services Selections of genes and methods of using the same for diagnosis and for targeting the therapy of select cancers
KR100490537B1 (ko) * 2002-07-23 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 가열용기와 이를 이용한 증착장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100422487B1 (ko) * 2001-12-10 2004-03-11 에이엔 에스 주식회사 전자석을 이용한 유기전계발광소자 제작용 증착장치 및그를 이용한 증착방법
KR100637127B1 (ko) * 2002-01-10 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착 방법 및 그 장치
KR100468792B1 (ko) * 2002-05-28 2005-01-29 주식회사 야스 기판과 쉐도우 마스크 고정장치
KR100471358B1 (ko) * 2002-07-19 2005-03-15 엘지전자 주식회사 유기 전자 발광층의 증착 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW490714B (en) 2002-06-11
JP2003293122A (ja) 2003-10-15
US8119189B2 (en) 2012-02-21
JP6371820B2 (ja) 2018-08-08
EP1113087B1 (en) 2016-08-31
CN1240250C (zh) 2006-02-01
KR100794292B1 (ko) 2008-01-11
JP2013147754A (ja) 2013-08-01
CN1790773A (zh) 2006-06-21
KR20070029770A (ko) 2007-03-14
US20010006827A1 (en) 2001-07-05
JP2001247959A (ja) 2001-09-14
JP2017045728A (ja) 2017-03-02
JP5315361B2 (ja) 2013-10-16
EP1113087A3 (en) 2003-11-19
US8968823B2 (en) 2015-03-03
US9559302B2 (en) 2017-01-31
JP5589115B2 (ja) 2014-09-10
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