JPH10162954A - 有機ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH10162954A JPH10162954A JP8334851A JP33485196A JPH10162954A JP H10162954 A JPH10162954 A JP H10162954A JP 8334851 A JP8334851 A JP 8334851A JP 33485196 A JP33485196 A JP 33485196A JP H10162954 A JPH10162954 A JP H10162954A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成で透明電極と背面電極の間での短
絡がなく、歩留の良い有機ＥＬ素子の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０
の表面にＩＴＯ等の透明な電極材料により、エッチング
又はマスク蒸着により所定形状の透明電極１２を形成す
る。この透明電極１２の表面にホール輸送材料１４及び
電子輸送材料１６その他発光材料による有機ＥＬ材料か
らなる発光層１５を積層する際に、透明電極１２が形成
された基板１０に対する発光層１５の蒸着方向を、各層
毎に各々透明電極１２に対する入射が互いに反対方向に
設定して蒸着を行ない、この後、背面電極１８を蒸着す
る。
絡がなく、歩留の良い有機ＥＬ素子の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０
の表面にＩＴＯ等の透明な電極材料により、エッチング
又はマスク蒸着により所定形状の透明電極１２を形成す
る。この透明電極１２の表面にホール輸送材料１４及び
電子輸送材料１６その他発光材料による有機ＥＬ材料か
らなる発光層１５を積層する際に、透明電極１２が形成
された基板１０に対する発光層１５の蒸着方向を、各層
毎に各々透明電極１２に対する入射が互いに反対方向に
設定して蒸着を行ない、この後、背面電極１８を蒸着す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターンの発光表示に用いられ
る有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
スプレイ、その他所定のパターンの発光表示に用いられ
る有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばドットマトリクス発光させ
る有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、図３
に示すように、ガラス基板１０に透光性のＩＴＯ膜を一
面に形成し、このＩＴＯ膜をストライプ状にエッチング
して透明電極１２を形成し、その表面にトリフェニルア
ミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸送材料１４を設け、
その上に発光材料であるアルミキレート錯体（Ａｌ
ｑ3）等の電子輸送材料１６を積層している。そしてそ
の表面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の背面電極
１８を、上記透明電極１２のパターンと直交する方向に
ストライプ状に蒸着等で付着して形成している。この有
機有機ＥＬ素子は、透明電極１２と背面電極１８の交点
に所定の電流を流し、発光させるものである。そして、
この有機ＥＬ素子の製造は、エッチングによりストライ
プ状に透明電極１２が形成されたガラス基板１０上に、
順次上記電極材料及びＥＬ材料を真空蒸着により形成す
るものである。
る有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、図３
に示すように、ガラス基板１０に透光性のＩＴＯ膜を一
面に形成し、このＩＴＯ膜をストライプ状にエッチング
して透明電極１２を形成し、その表面にトリフェニルア
ミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸送材料１４を設け、
その上に発光材料であるアルミキレート錯体（Ａｌ
ｑ3）等の電子輸送材料１６を積層している。そしてそ
の表面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の背面電極
１８を、上記透明電極１２のパターンと直交する方向に
ストライプ状に蒸着等で付着して形成している。この有
機有機ＥＬ素子は、透明電極１２と背面電極１８の交点
に所定の電流を流し、発光させるものである。そして、
この有機ＥＬ素子の製造は、エッチングによりストライ
プ状に透明電極１２が形成されたガラス基板１０上に、
順次上記電極材料及びＥＬ材料を真空蒸着により形成す
るものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、有機ＥＬ素子
は電流が流れる素子であり、導体経路による損失を少な
くする必要があり、さらに導体経路長の差による抵抗値
の差から、発光量が異なってしまうのをできるだけ防止
しなければならない。従って、導体経路の抵抗値をでき
るだけ抑えるために、ＩＴＯ膜の厚さは、１μｍ程度で
あった。一方、発光層の材料は、半導体特性のため厚い
と電流が流れず、上記ＴＰＤ、Ａｌｑ3ともに５００Å
程度の薄い層に形成されている。
は電流が流れる素子であり、導体経路による損失を少な
くする必要があり、さらに導体経路長の差による抵抗値
の差から、発光量が異なってしまうのをできるだけ防止
しなければならない。従って、導体経路の抵抗値をでき
るだけ抑えるために、ＩＴＯ膜の厚さは、１μｍ程度で
あった。一方、発光層の材料は、半導体特性のため厚い
と電流が流れず、上記ＴＰＤ、Ａｌｑ3ともに５００Å
程度の薄い層に形成されている。
【０００４】従って、この透明電極１２と発光層の厚さ
の差がきわめて大きいために、透明電極１２の角部や側
面部に、ＥＬ材料の薄い部分や存在しない部分が生じ
る。そして、背面電極１８の蒸着源は、ＥＬ材料の蒸着
源とは異なる位置にあり、背面電極の蒸着厚さは１００
０Å以上と比較的厚いので、蒸着材料の薄いまたは設け
られていない透明電極１２の一部に付着し、背面電極１
８がＥＬと透明電極１２との間に短絡が生じる場合があ
った。
の差がきわめて大きいために、透明電極１２の角部や側
面部に、ＥＬ材料の薄い部分や存在しない部分が生じ
る。そして、背面電極１８の蒸着源は、ＥＬ材料の蒸着
源とは異なる位置にあり、背面電極の蒸着厚さは１００
０Å以上と比較的厚いので、蒸着材料の薄いまたは設け
られていない透明電極１２の一部に付着し、背面電極１
８がＥＬと透明電極１２との間に短絡が生じる場合があ
った。
【０００５】この発明は、上記従来の技術に鑑みてなさ
れたもので、簡単な構成で透明電極と背面電極の間での
短絡がなく、歩留の良い有機ＥＬ素子の製造方法を提供
することを目的とする。
れたもので、簡単な構成で透明電極と背面電極の間での
短絡がなく、歩留の良い有機ＥＬ素子の製造方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラスや石
英、樹脂等の透明な基板表面にＩＴＯ等の透明な電極材
料により、エッチング又はマスク蒸着により所定形状の
透明電極を形成し、この透明電極の表面にホール輸送材
料及び電子輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料
からなる発光層を積層する際に、上記透明電極が形成さ
れた基板に対する発光層の蒸着方向を、各層毎に各々上
記透明電極に対する入射が互いに反対方向になるように
蒸着を行ない、この後、背面電極を蒸着する有機ＥＬ素
子の製造方法である。この各発光層を基板に蒸着する際
の蒸着方向は、各材料を上記基板に立てた垂線に対して
互いにほぼ対称な角度で入射させるものである。
英、樹脂等の透明な基板表面にＩＴＯ等の透明な電極材
料により、エッチング又はマスク蒸着により所定形状の
透明電極を形成し、この透明電極の表面にホール輸送材
料及び電子輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料
からなる発光層を積層する際に、上記透明電極が形成さ
れた基板に対する発光層の蒸着方向を、各層毎に各々上
記透明電極に対する入射が互いに反対方向になるように
蒸着を行ない、この後、背面電極を蒸着する有機ＥＬ素
子の製造方法である。この各発光層を基板に蒸着する際
の蒸着方向は、各材料を上記基板に立てた垂線に対して
互いにほぼ対称な角度で入射させるものである。
【０００７】上記発光層のＥＬ材料を上記基板に立てた
垂線に対して互いにほぼ対称な角度で入射させるには、
蒸着源を上記基板に対して移動させるものや、基板を上
記蒸着源に対して平行移動又は揺動させるものや、同一
条件の蒸着源を複数設け、同一条件で蒸着させるもので
ある。
垂線に対して互いにほぼ対称な角度で入射させるには、
蒸着源を上記基板に対して移動させるものや、基板を上
記蒸着源に対して平行移動又は揺動させるものや、同一
条件の蒸着源を複数設け、同一条件で蒸着させるもので
ある。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を基にして説明する。図１、図２はこの発明の
有機ＥＬ素子の一実施形態を示すもので、この実施形態
の有機ＥＬ素子は、図１に示すように、ガラスや石英、
樹脂等の透明な基板１０の一方の側にＩＴＯ等の透明な
電極材料による透明電極１２が形成されている。透明電
極１２は、ストライプ状に形成され、その表面には、５
００Å程度のホール輸送材料１４、及び５００Å程度の
電子輸送材料１６その他発光材料による有機ＥＬ材料か
らなる発光層１５が積層されている。そして、発光層１
５の電子輸送材料１６の表面には、例えばＬｉを０．０
１〜０．０５％程度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合
金の背面電極１８を、適宜の５００Å〜１０００Å程度
の厚さで、透明電極１２と直交する方向にストライプ状
に形成されている。
いて図面を基にして説明する。図１、図２はこの発明の
有機ＥＬ素子の一実施形態を示すもので、この実施形態
の有機ＥＬ素子は、図１に示すように、ガラスや石英、
樹脂等の透明な基板１０の一方の側にＩＴＯ等の透明な
電極材料による透明電極１２が形成されている。透明電
極１２は、ストライプ状に形成され、その表面には、５
００Å程度のホール輸送材料１４、及び５００Å程度の
電子輸送材料１６その他発光材料による有機ＥＬ材料か
らなる発光層１５が積層されている。そして、発光層１
５の電子輸送材料１６の表面には、例えばＬｉを０．０
１〜０．０５％程度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合
金の背面電極１８を、適宜の５００Å〜１０００Å程度
の厚さで、透明電極１２と直交する方向にストライプ状
に形成されている。
【０００９】さらに、この背面電極１８の表面には、適
宜９９．９９９％以上の純度のＡｌ等によるによる導電
パターンを形成しても良い。背面電極１８の表面には、
さらに、保護層２０が積層されている。保護層２０は、
Ａｇ、Ａｌ等の金属薄膜や、フェノール、エポキシ等の
樹脂や、導電性塗料により形成され、背面電極１８及び
発光層１５を外気から遮断するものである。
宜９９．９９９％以上の純度のＡｌ等によるによる導電
パターンを形成しても良い。背面電極１８の表面には、
さらに、保護層２０が積層されている。保護層２０は、
Ａｇ、Ａｌ等の金属薄膜や、フェノール、エポキシ等の
樹脂や、導電性塗料により形成され、背面電極１８及び
発光層１５を外気から遮断するものである。
【００１０】発光層１５は、母体材料のうちホール輸送
材料１４としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰ
Ｄ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等があ
る。また、電子輸送材料１６としては、アルミキレート
錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰ
ＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアント
ラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、
ペリレン類、チアゾール類等を用いる。さらに、適宜の
発光材料を混合しても良く、ホール輸送材料１４と電子
輸送材料１６を混合した発光層１５を形成しても良く、
その場合、ホール輸送材料１４と電子輸送材料１６の比
は、１０：９０乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能で
ある。
材料１４としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰ
Ｄ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等があ
る。また、電子輸送材料１６としては、アルミキレート
錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰ
ＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアント
ラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、
ペリレン類、チアゾール類等を用いる。さらに、適宜の
発光材料を混合しても良く、ホール輸送材料１４と電子
輸送材料１６を混合した発光層１５を形成しても良く、
その場合、ホール輸送材料１４と電子輸送材料１６の比
は、１０：９０乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能で
ある。
【００１１】この実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法
は、基板１０の表面に、ＩＴＯ等の透明電極１２の電極
材料を、真空薄膜形成技術により全面に形成する。透明
電極材料は、その抵抗率が、１０Ω／□程度の抵抗率に
なるように約１μｍ程度の厚さに形成する。この後、ス
トライプ状にエッチング材料を塗布し、透明電極材料を
ストライプ状にエッチングして透明電極１２を形成す
る。この後、透明電極１２の表面に、ホール輸送材料１
４及び発光材料を含む電子輸送材料１６を、真空薄膜形
成技術により各々順次一面に積層する。
は、基板１０の表面に、ＩＴＯ等の透明電極１２の電極
材料を、真空薄膜形成技術により全面に形成する。透明
電極材料は、その抵抗率が、１０Ω／□程度の抵抗率に
なるように約１μｍ程度の厚さに形成する。この後、ス
トライプ状にエッチング材料を塗布し、透明電極材料を
ストライプ状にエッチングして透明電極１２を形成す
る。この後、透明電極１２の表面に、ホール輸送材料１
４及び発光材料を含む電子輸送材料１６を、真空薄膜形
成技術により各々順次一面に積層する。
【００１２】発光層１５の蒸着に際して、各ホール輸送
材料１４及び電子輸送材料１６を基板に蒸着する際の蒸
着方向を、基板１０に立てた垂線に対して互いにほぼ対
称な角度で入射させるようにする。そのために、図２に
示すように、ホール輸送材料１４の蒸着に際して、約半
分の蒸着を基板１０に対して一方の側に蒸着源２４を設
置して蒸着し、残りの半分の蒸着は、蒸着源２４を反対
側へ移動させて行なう。蒸着範囲はシャッター２６によ
り規制し、移動中及び昇温中はシャッター２６を閉じて
おく。発光材料を含む電子輸送材料１６の蒸着も同様に
行なう。なお、この移動は、加熱しながらシャッター２
６を開けて移動しても良い。
材料１４及び電子輸送材料１６を基板に蒸着する際の蒸
着方向を、基板１０に立てた垂線に対して互いにほぼ対
称な角度で入射させるようにする。そのために、図２に
示すように、ホール輸送材料１４の蒸着に際して、約半
分の蒸着を基板１０に対して一方の側に蒸着源２４を設
置して蒸着し、残りの半分の蒸着は、蒸着源２４を反対
側へ移動させて行なう。蒸着範囲はシャッター２６によ
り規制し、移動中及び昇温中はシャッター２６を閉じて
おく。発光材料を含む電子輸送材料１６の蒸着も同様に
行なう。なお、この移動は、加熱しながらシャッター２
６を開けて移動しても良い。
【００１３】発光層１５の蒸着後、Ｌｉを０．０１〜
０．０５％程度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金に
よる背面電極材料を、適宜の５００Å〜１０００Å程度
の厚さに真空薄膜形成技術によりストライプ状に形成す
る。背面電極１８の表面には、例えばマスク蒸着によ
り、導電層２４と直角方向にＡｌ等によるによる導電パ
ターンを形成する。また、Ａｌを全面に蒸着後、エッチ
ングによりストライプパターンを形成しても良い。そし
て、適宜保護層２０を積層する。保護層２０は、Ａｇ、
Ａｌ等の金属薄膜や、フェノール、エポキシ等の樹脂
や、導電性塗料により形成され、背面電極１８及び発光
層１５を外気から遮断するものである。
０．０５％程度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金に
よる背面電極材料を、適宜の５００Å〜１０００Å程度
の厚さに真空薄膜形成技術によりストライプ状に形成す
る。背面電極１８の表面には、例えばマスク蒸着によ
り、導電層２４と直角方向にＡｌ等によるによる導電パ
ターンを形成する。また、Ａｌを全面に蒸着後、エッチ
ングによりストライプパターンを形成しても良い。そし
て、適宜保護層２０を積層する。保護層２０は、Ａｇ、
Ａｌ等の金属薄膜や、フェノール、エポキシ等の樹脂
や、導電性塗料により形成され、背面電極１８及び発光
層１５を外気から遮断するものである。
【００１４】ここで蒸着条件は、例えば、真空度が６×
１０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜させる。また、発光層１５等をフラッシュ
蒸着により形成しても良い。フラッシュ蒸着法は、予め
所定の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００
℃好ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落
下させ、有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。
また、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその
容器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
１０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜させる。また、発光層１５等をフラッシュ
蒸着により形成しても良い。フラッシュ蒸着法は、予め
所定の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００
℃好ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落
下させ、有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。
また、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその
容器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
【００１５】なお、発光層１５のＥＬ材料を基板１０に
立てた垂線に対して互いにほぼ対称な角度で入射させる
方法として、蒸着源２４を基板１０に対して移動させる
ものや、基板１０を蒸着源２４に対して平行移動又は揺
動させて、透明電極１２の側面及び角部に材料が蒸着さ
れるようにしても良い。この平行移動又は揺動は、異方
光に１回のみでも良く、往復動させるものでも良い。さ
らに、同一条件の蒸着源２４を複数設け、同一条件で蒸
着させるものでも良い。その場合、蒸着源２４の加熱装
置を直列に接続し、同一条件で、加熱がなされるように
すると良い。
立てた垂線に対して互いにほぼ対称な角度で入射させる
方法として、蒸着源２４を基板１０に対して移動させる
ものや、基板１０を蒸着源２４に対して平行移動又は揺
動させて、透明電極１２の側面及び角部に材料が蒸着さ
れるようにしても良い。この平行移動又は揺動は、異方
光に１回のみでも良く、往復動させるものでも良い。さ
らに、同一条件の蒸着源２４を複数設け、同一条件で蒸
着させるものでも良い。その場合、蒸着源２４の加熱装
置を直列に接続し、同一条件で、加熱がなされるように
すると良い。
【００１６】この発明の有機ＥＬ素子は、透明電極に蒸
着される有機ＥＬ材料が、互いに相対的にほぼ対称の反
対側に位置して、基板に対して蒸着するものであれば良
く、移動方法や配置手段は問わない。また、蒸着方法
は、通常の真空蒸着の他、スパッタリングやその他の真
空中で原子または分子の粒子を飛ばして付着させる薄膜
形成方法を用いたものであれば良い。
着される有機ＥＬ材料が、互いに相対的にほぼ対称の反
対側に位置して、基板に対して蒸着するものであれば良
く、移動方法や配置手段は問わない。また、蒸着方法
は、通常の真空蒸着の他、スパッタリングやその他の真
空中で原子または分子の粒子を飛ばして付着させる薄膜
形成方法を用いたものであれば良い。
【００１７】
【発明の効果】この発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、
透明電極の側面部に確実にＥＬ材料が蒸着し、背面電極
と透明電極間での短絡が生じないものであり、製造時の
歩留が向上し、品質も良いものとなる。また、透明電極
の側面部にも発光層が形成されるため、発光効率の良い
ものとなる。
透明電極の側面部に確実にＥＬ材料が蒸着し、背面電極
と透明電極間での短絡が生じないものであり、製造時の
歩留が向上し、品質も良いものとなる。また、透明電極
の側面部にも発光層が形成されるため、発光効率の良い
ものとなる。
【図１】この発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の断面図
である。
である。
【図２】この発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の製造工
程の概略図である。
程の概略図である。
【図３】従来の技術の有機ＥＬ素子の断面図である。
１０ 基板 １２ 透明電極 １４ ホール輸送材料 １５ 発光層 １６ 電子輸送材料 １８ 背面電極
Claims (5)
- 【請求項１】 透明な基板表面に透明な電極材料により
所定形状の透明電極を形成し、この透明電極の表面にホ
ール輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料による有
機ＥＬ材料からなる発光層を積層し、その際に、上記透
明電極が形成された基板に対する上記発光層の蒸着方向
を、各層毎に各々上記透明電極に対する入射が互いに反
対方向となるようにし、この後、背面電極を蒸着する有
機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項２】 上記各発光層を基板に蒸着する際の蒸着
方向は、各材料を上記基板に立てた垂線に対して互いに
ほぼ対称な角度で入射させるものである請求項１記載の
有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 上記発光層のＥＬ材料を上記基板に立て
た垂線に対して互いにほぼ対称な角度で入射させるに
は、蒸着源を上記基板に対して移動させる請求項１又は
２記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項４】 上記発光層のＥＬ材料を上記基板に立て
た垂線に対して互いにほぼ対称な角度で入射させるに
は、上記基板を上記蒸着源に対して平行移動又は揺動さ
せる請求項１又は２記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項５】 上記発光層のＥＬ材料を上記基板に立て
た垂線に対して互いにほぼ対称な角度で入射させるに
は、同一条件の蒸着源を複数設け、各々同一条件で蒸着
させる請求項１又は２記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8334851A JPH10162954A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8334851A JPH10162954A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10162954A true JPH10162954A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18281937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8334851A Pending JPH10162954A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10162954A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004063454A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 蒸着装置 |
| JP2013147754A (ja) * | 1999-12-27 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜方法 |
-
1996
- 1996-11-29 JP JP8334851A patent/JPH10162954A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013147754A (ja) * | 1999-12-27 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜方法 |
| US8968823B2 (en) | 1999-12-27 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device |
| US9559302B2 (en) | 1999-12-27 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device |
| JP2018066066A (ja) * | 1999-12-27 | 2018-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法 |
| JP2004063454A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 蒸着装置 |
| JP4503242B2 (ja) * | 2002-06-03 | 2010-07-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蒸着装置 |
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