JP2845856B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法に関する。
ミネッセンス素子の製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】エレクトロルミネッセンス素子（以下ＥＬ
素子という）は、自己発光するため視認性が高いうえ
に、完全固体であるため液晶等と比較して耐衝撃性に優
れていること等から新しい発光デバイスとして注目を集
めている。ＥＬ素子には、発光層に無機化合物を用いた
ものと有機化合物を用いたものとがあり、とくに、発光
層に有機化合物を用いた有機ＥＬ素子については、直流
低電圧にて高輝度を得られる様々な材料、構成が提案さ
れている。有機ＥＬ素子の製造方法としては、真空槽に
おいて、所定の有機化合物を種々の加熱方法により蒸発
させて基板上に成膜する真空蒸着法が一般的である。
素子という）は、自己発光するため視認性が高いうえ
に、完全固体であるため液晶等と比較して耐衝撃性に優
れていること等から新しい発光デバイスとして注目を集
めている。ＥＬ素子には、発光層に無機化合物を用いた
ものと有機化合物を用いたものとがあり、とくに、発光
層に有機化合物を用いた有機ＥＬ素子については、直流
低電圧にて高輝度を得られる様々な材料、構成が提案さ
れている。有機ＥＬ素子の製造方法としては、真空槽に
おいて、所定の有機化合物を種々の加熱方法により蒸発
させて基板上に成膜する真空蒸着法が一般的である。
【０００３】従来の有機ＥＬ素子では、十分に優れた初
期性能を有する素子でも性能が短時間に著しく低下する
ことがあり、設計通りの性能が安定して得られなかっ
た。このような性能低下は基板の汚染に起因すると考え
られ、とくに有機ＥＬ素子では、電極／有機物層の界
面、有機物層／有機物層の界面の汚染が基板電極から有
機層へのキャリア注入の阻害因子となり、素子性能に大
きく影響することがわかっている。
期性能を有する素子でも性能が短時間に著しく低下する
ことがあり、設計通りの性能が安定して得られなかっ
た。このような性能低下は基板の汚染に起因すると考え
られ、とくに有機ＥＬ素子では、電極／有機物層の界
面、有機物層／有機物層の界面の汚染が基板電極から有
機層へのキャリア注入の阻害因子となり、素子性能に大
きく影響することがわかっている。
【０００４】このような汚染による素子性能の低下を防
止するために、水の接触角が２５°未満になるように洗
浄した電極付基板の表面に有機物層を形成する方法（特
開平７−２２０８７３号公報）が開示されている。この
方法では、洗浄後の清浄な基板を真空中や不活性ガス中
で保管して汚染を防止するようにしている。また、真空
槽に複数の作業用真空室を設け、これらの真空室で各層
を順次成膜することにより有機ＥＬ素子を真空一貫で製
造する技術（特開平８−１１１２８５号公報）が開示さ
れている。これらの真空室にはそれぞれ成膜用の蒸着源
が設けられ、成膜の際には、基板を所定の真空室内に配
置してゲートバルブを閉めた後、その真空室内の蒸着源
の加熱を開始して蒸着を行うようにしている。
止するために、水の接触角が２５°未満になるように洗
浄した電極付基板の表面に有機物層を形成する方法（特
開平７−２２０８７３号公報）が開示されている。この
方法では、洗浄後の清浄な基板を真空中や不活性ガス中
で保管して汚染を防止するようにしている。また、真空
槽に複数の作業用真空室を設け、これらの真空室で各層
を順次成膜することにより有機ＥＬ素子を真空一貫で製
造する技術（特開平８−１１１２８５号公報）が開示さ
れている。これらの真空室にはそれぞれ成膜用の蒸着源
が設けられ、成膜の際には、基板を所定の真空室内に配
置してゲートバルブを閉めた後、その真空室内の蒸着源
の加熱を開始して蒸着を行うようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した特開
平７−２２０８７３号公報の方法によって有機ＥＬ素子
を製造しても、依然十分な素子性能の安定化を図ること
ができなかった。また、特開平８−１１１２８５号公報
の方法では、基板を真空室内に配置した後に蒸着源の加
熱を開始するため、蒸発初期に生じる不純物が基板に付
着して素子性能が低下するという不具合が生じる。つま
り、有機物層を構成する有機化合物や電極を構成する金
属等の蒸着材料は、蒸発源に設置する前に大気に晒され
るので大気中の有機物、二酸化炭素、水、酸素等の不純
物を吸着している。とくに、有機化合物は、合成すると
きに溶媒中に生成するため、この溶媒が蒸着材料中に不
純物として残留することがある。このような不純物は、
蒸着源の加熱初期に蒸発し、基板や膜の汚染の原因にな
っていた。
平７−２２０８７３号公報の方法によって有機ＥＬ素子
を製造しても、依然十分な素子性能の安定化を図ること
ができなかった。また、特開平８−１１１２８５号公報
の方法では、基板を真空室内に配置した後に蒸着源の加
熱を開始するため、蒸発初期に生じる不純物が基板に付
着して素子性能が低下するという不具合が生じる。つま
り、有機物層を構成する有機化合物や電極を構成する金
属等の蒸着材料は、蒸発源に設置する前に大気に晒され
るので大気中の有機物、二酸化炭素、水、酸素等の不純
物を吸着している。とくに、有機化合物は、合成すると
きに溶媒中に生成するため、この溶媒が蒸着材料中に不
純物として残留することがある。このような不純物は、
蒸着源の加熱初期に蒸発し、基板や膜の汚染の原因にな
っていた。
【０００６】本発明の目的は、所望の素子性能を安定し
て確保できる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法を提供することにある。
て確保できる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明者らは真空中における基板の汚染状態に着目
し、水の接触角をパラメータにして基板の汚染状態の経
時変化を調べた。具体的には、基板を真空中に保管し、
その表面の水の接触角を経時的に測定した。その結果、
基板表面の水の接触角は真空中においても時間経過とと
もに増加することがわかり、基板は真空中に保管しても
真空槽内に存在する不純物によって汚染されるという知
見が得られた。この知見から、前述した方法（特開平７
−２２０８７３号公報）で素子性能の安定化を図れない
原因は、洗浄した基板を真空中で保管することや、各成
膜工程の間に基板上の薄膜を真空中に長時間晒すことに
あると考えられる。本発明は、真空中で基板や膜の汚染
が進行する前に次の膜を成膜することによって、所望の
素子性能を安定的に確保しようとするものである。
に、本発明者らは真空中における基板の汚染状態に着目
し、水の接触角をパラメータにして基板の汚染状態の経
時変化を調べた。具体的には、基板を真空中に保管し、
その表面の水の接触角を経時的に測定した。その結果、
基板表面の水の接触角は真空中においても時間経過とと
もに増加することがわかり、基板は真空中に保管しても
真空槽内に存在する不純物によって汚染されるという知
見が得られた。この知見から、前述した方法（特開平７
−２２０８７３号公報）で素子性能の安定化を図れない
原因は、洗浄した基板を真空中で保管することや、各成
膜工程の間に基板上の薄膜を真空中に長時間晒すことに
あると考えられる。本発明は、真空中で基板や膜の汚染
が進行する前に次の膜を成膜することによって、所望の
素子性能を安定的に確保しようとするものである。
【０００８】具体的には、本発明は、基板上に電極を設
けた電極付基板を洗浄してから、電極上に有機物層およ
び対向電極を含む複数層の膜を真空中で順次成膜する有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
電極付基板の洗浄完了から第一層の成膜開始まで時間
を、電極の表面の水の接触角が洗浄完了時の値から真空
中で３０°増加するまでの時間よりも短くすることを特
徴とする。
けた電極付基板を洗浄してから、電極上に有機物層およ
び対向電極を含む複数層の膜を真空中で順次成膜する有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
電極付基板の洗浄完了から第一層の成膜開始まで時間
を、電極の表面の水の接触角が洗浄完了時の値から真空
中で３０°増加するまでの時間よりも短くすることを特
徴とする。
【０００９】本発明における素子の製造にあたっては、
予め、真空中で電極表面の水の接触角が洗浄直後から３
０°増加するまでの時間を調べておき、この時間に基づ
いて第一層の成膜を行えばよい。本発明では、基板を洗
浄した直後から電極の表面の水の接触角が３０°増加す
る前に第一層の成膜を行うため、不純物の混入を確実に
抑制できる。つまり、基板を洗浄すると、一般に、電極
表面の水の接触角は洗浄前の値から３０°以上減少する
ため、水の接触角が洗浄完了から３０°以上増加する前
に第一層を成膜することで、洗浄前よりも清浄な電極の
上に第一層を成膜できるから、電極／第一層の界面の汚
染を確実に抑制できる。従って、素子への不純物の混入
を確実に低減できることから、所望の素子性能を安定的
に確保できる。
予め、真空中で電極表面の水の接触角が洗浄直後から３
０°増加するまでの時間を調べておき、この時間に基づ
いて第一層の成膜を行えばよい。本発明では、基板を洗
浄した直後から電極の表面の水の接触角が３０°増加す
る前に第一層の成膜を行うため、不純物の混入を確実に
抑制できる。つまり、基板を洗浄すると、一般に、電極
表面の水の接触角は洗浄前の値から３０°以上減少する
ため、水の接触角が洗浄完了から３０°以上増加する前
に第一層を成膜することで、洗浄前よりも清浄な電極の
上に第一層を成膜できるから、電極／第一層の界面の汚
染を確実に抑制できる。従って、素子への不純物の混入
を確実に低減できることから、所望の素子性能を安定的
に確保できる。
【００１０】また、電極表面の洗浄直後から第一層を成
膜するまでの水の接触角の増加は２０°以下にすること
が好ましく、より好ましくは１０°以下である。２０°
以下になるように第一層を成膜すると、発光面内の均一
性を向上させることができ、１０°以下になるように成
膜すると、発光面内の均一性を含む発光性能の向上を図
ることができるうえに、長寿命の素子が得られる。
膜するまでの水の接触角の増加は２０°以下にすること
が好ましく、より好ましくは１０°以下である。２０°
以下になるように第一層を成膜すると、発光面内の均一
性を向上させることができ、１０°以下になるように成
膜すると、発光面内の均一性を含む発光性能の向上を図
ることができるうえに、長寿命の素子が得られる。
【００１１】また、本発明は、基板上に電極を設けた電
極付基板の電極上に、有機物層および対向電極を含む複
数層の膜を真空中で成膜する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法であって、ｎ＝１，２，３，…とし
たときに、第ｎ層の成膜完了から第ｎ＋１層の成膜開始
までの時間を、第ｎ層の表面の水の接触角が成膜完了時
の値から真空中で３０°増加するまで時間よりも短くす
ることを特徴とする。
極付基板の電極上に、有機物層および対向電極を含む複
数層の膜を真空中で成膜する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法であって、ｎ＝１，２，３，…とし
たときに、第ｎ層の成膜完了から第ｎ＋１層の成膜開始
までの時間を、第ｎ層の表面の水の接触角が成膜完了時
の値から真空中で３０°増加するまで時間よりも短くす
ることを特徴とする。
【００１２】素子の製造にあたっては、予め、真空中で
第ｎ層の表面の水の接触角が第ｎ層成膜直後から３０°
増加するまでの時間を調べておき、この時間に基づいて
第ｎ＋１層の成膜を行えばよい。本発明では、第ｎ層の
成膜直後の清浄な状態から第ｎ層の表面の水の接触角が
３０°増加する前に第ｎ＋１層の成膜を行うため、第ｎ
層／第ｎ＋１層の界面への不純物の混入を抑制できるか
ら、所望の素子性能を安定的に確保できる。
第ｎ層の表面の水の接触角が第ｎ層成膜直後から３０°
増加するまでの時間を調べておき、この時間に基づいて
第ｎ＋１層の成膜を行えばよい。本発明では、第ｎ層の
成膜直後の清浄な状態から第ｎ層の表面の水の接触角が
３０°増加する前に第ｎ＋１層の成膜を行うため、第ｎ
層／第ｎ＋１層の界面への不純物の混入を抑制できるか
ら、所望の素子性能を安定的に確保できる。
【００１３】また、第ｎ層の成膜直後から第ｎ＋１層を
成膜するまでの水の接触角の増加は２０°以下にするこ
とが好ましく、より好ましくは１０°以下である。２０
°以下になるように第ｎ＋１層を成膜すると、発光面内
の均一性を向上させることができ、１０°以下になるよ
うに成膜すると、発光面内の均一性を含む発光性能の向
上を図ることができるうえに、長寿命の素子が得られ
る。
成膜するまでの水の接触角の増加は２０°以下にするこ
とが好ましく、より好ましくは１０°以下である。２０
°以下になるように第ｎ＋１層を成膜すると、発光面内
の均一性を向上させることができ、１０°以下になるよ
うに成膜すると、発光面内の均一性を含む発光性能の向
上を図ることができるうえに、長寿命の素子が得られ
る。
【００１４】前述した複数層の膜はスパッタ法等の各種
薄膜形成方法によって成膜してもよいが、これらの複数
層の膜の成膜を蒸着によって行うとともに、第ｎ層の成
膜完了前に、予め第ｎ＋１層の蒸着源を加熱しておくこ
とが望ましい。
薄膜形成方法によって成膜してもよいが、これらの複数
層の膜の成膜を蒸着によって行うとともに、第ｎ層の成
膜完了前に、予め第ｎ＋１層の蒸着源を加熱しておくこ
とが望ましい。
【００１５】このように第ｎ＋１層の蒸着源を予備加熱
しておくと、第ｎ＋１層の蒸着源の加熱初期に蒸発する
不純物を、第ｎ＋１層を蒸着する前に除去することがで
きるので、第ｎ＋１層の汚染を回避できるから、高性能
の素子が確実に得られる。また、第ｎ＋１層の蒸着源に
おける蒸発状態を第ｎ層の成膜完了時から短時間で安定
化させることができるので、第ｎ層の成膜完了から第ｎ
＋１層の成膜開始までの時間を確実に短縮できる。つま
り、第ｎ層の表面の水の接触角が成膜完了時の値から真
空中で３０°増加する前に第ｎ＋１層の成膜を確実に開
始できる。従って、第ｎ層の表面の汚染、すなわち、第
ｎ層／第ｎ＋１層の界面の汚染を確実に低減できるか
ら、安定した素子性能を確保できる。
しておくと、第ｎ＋１層の蒸着源の加熱初期に蒸発する
不純物を、第ｎ＋１層を蒸着する前に除去することがで
きるので、第ｎ＋１層の汚染を回避できるから、高性能
の素子が確実に得られる。また、第ｎ＋１層の蒸着源に
おける蒸発状態を第ｎ層の成膜完了時から短時間で安定
化させることができるので、第ｎ層の成膜完了から第ｎ
＋１層の成膜開始までの時間を確実に短縮できる。つま
り、第ｎ層の表面の水の接触角が成膜完了時の値から真
空中で３０°増加する前に第ｎ＋１層の成膜を確実に開
始できる。従って、第ｎ層の表面の汚染、すなわち、第
ｎ層／第ｎ＋１層の界面の汚染を確実に低減できるか
ら、安定した素子性能を確保できる。
【００１６】さらに、第ｎ＋１層の蒸着源の加熱は、こ
の第ｎ＋１層を成膜する際の基板上への所定成膜速度ｒ
を基準にして、第ｎ＋１層の蒸着材料の基板上への成膜
速度Ｒが、第ｎ層の成膜完了までに０．７ｒ≦Ｒ≦１．
３ｒ、かつ、Ｒ≧１０Å／秒を満たすように行うことが
好ましい。
の第ｎ＋１層を成膜する際の基板上への所定成膜速度ｒ
を基準にして、第ｎ＋１層の蒸着材料の基板上への成膜
速度Ｒが、第ｎ層の成膜完了までに０．７ｒ≦Ｒ≦１．
３ｒ、かつ、Ｒ≧１０Å／秒を満たすように行うことが
好ましい。
【００１７】ここで、第ｎ＋１層を成膜する際の基板上
への所定成膜速度ｒは、素子の製造量や製造工程等から
逆算される第ｎ＋１層の成膜工程のタクトタイムや、第
ｎ＋１層の蒸着材料の種類等から導き出すことができ
る。このように、第ｎ＋１層の蒸着源の基板上への成膜
速度Ｒを、その前の第ｎ層の成膜完了までに前述した範
囲内に調整しておくことで、第ｎ＋１層の成膜を行うと
きに、基板上への成膜速度Ｒを所定成膜速度ｒに極短時
間で安定させることができる。従って、第ｎ層の成膜完
了から早期に第ｎ＋１層の成膜を開始できるから、第ｎ
層／第ｎ＋１層の界面の汚染を大幅に低減できるうえ
に、連続生産におけるタクトタイムを短縮できる。
への所定成膜速度ｒは、素子の製造量や製造工程等から
逆算される第ｎ＋１層の成膜工程のタクトタイムや、第
ｎ＋１層の蒸着材料の種類等から導き出すことができ
る。このように、第ｎ＋１層の蒸着源の基板上への成膜
速度Ｒを、その前の第ｎ層の成膜完了までに前述した範
囲内に調整しておくことで、第ｎ＋１層の成膜を行うと
きに、基板上への成膜速度Ｒを所定成膜速度ｒに極短時
間で安定させることができる。従って、第ｎ層の成膜完
了から早期に第ｎ＋１層の成膜を開始できるから、第ｎ
層／第ｎ＋１層の界面の汚染を大幅に低減できるうえ
に、連続生産におけるタクトタイムを短縮できる。
【００１８】以上に述べた複数層の膜は同一の真空槽内
で成膜してもよいが、複数層の膜をそれぞれ異なる真空
槽で成膜するとともに、第ｎ層の成膜完了前に、予め第
ｎ＋１層の成膜を行う真空槽を排気しておくことが望ま
しい。
で成膜してもよいが、複数層の膜をそれぞれ異なる真空
槽で成膜するとともに、第ｎ層の成膜完了前に、予め第
ｎ＋１層の成膜を行う真空槽を排気しておくことが望ま
しい。
【００１９】このように第ｎ＋１層の真空槽を予備排気
しておくと、第ｎ＋１層の真空槽内の圧力を第ｎ層の成
膜完了時から短時間で所定の圧力まで減圧することがで
きるので、第ｎ層の成膜完了から第ｎ＋１層の成膜開始
までの時間を確実に短縮できる。つまり、第ｎ層の表面
の水の接触角が成膜完了時の値から真空中で３０°増加
する前に第ｎ＋１層の成膜を確実に開始できる。従っ
て、第ｎ層の表面の汚染、すなわち、第ｎ層／第ｎ＋１
層の界面の汚染を確実に低減できるから、安定した素子
性能を確保できる。
しておくと、第ｎ＋１層の真空槽内の圧力を第ｎ層の成
膜完了時から短時間で所定の圧力まで減圧することがで
きるので、第ｎ層の成膜完了から第ｎ＋１層の成膜開始
までの時間を確実に短縮できる。つまり、第ｎ層の表面
の水の接触角が成膜完了時の値から真空中で３０°増加
する前に第ｎ＋１層の成膜を確実に開始できる。従っ
て、第ｎ層の表面の汚染、すなわち、第ｎ層／第ｎ＋１
層の界面の汚染を確実に低減できるから、安定した素子
性能を確保できる。
【００２０】さらに、第ｎ＋１層の真空槽の排気は、こ
の第ｎ＋１層を成膜する際の真空槽内の所定圧力ｐを基
準にして、第ｎ＋１層の真空槽内の圧力Ｐが第ｎ層の成
膜完了までに０．１ｐ≦Ｐ≦１０ｐを満たすように行う
ことが好ましい。
の第ｎ＋１層を成膜する際の真空槽内の所定圧力ｐを基
準にして、第ｎ＋１層の真空槽内の圧力Ｐが第ｎ層の成
膜完了までに０．１ｐ≦Ｐ≦１０ｐを満たすように行う
ことが好ましい。
【００２１】このように、第ｎ層の成膜完了までに第ｎ
＋１層の真空槽内の圧力Ｐが前述した範囲内になるよう
に予備排気しておくことで、第ｎ＋１層の成膜を行うと
きに、真空槽内の圧力Ｐを極短時間で所定圧力ｐに安定
させることができる。従って、第ｎ層の成膜完了から早
期に第ｎ＋１層の成膜を開始できるので、第ｎ層／第ｎ
＋１層の界面の汚染を大幅に低減できるうえに、連続生
産におけるタクトタイムを確実に短縮できる。
＋１層の真空槽内の圧力Ｐが前述した範囲内になるよう
に予備排気しておくことで、第ｎ＋１層の成膜を行うと
きに、真空槽内の圧力Ｐを極短時間で所定圧力ｐに安定
させることができる。従って、第ｎ層の成膜完了から早
期に第ｎ＋１層の成膜を開始できるので、第ｎ層／第ｎ
＋１層の界面の汚染を大幅に低減できるうえに、連続生
産におけるタクトタイムを確実に短縮できる。
【００２２】さらに、このような第ｎ＋１層の真空槽の
予備排気を第ｎ＋１層の蒸着源の予備加熱と並行して行
う場合、予備排気は、蒸着源の加熱開始から一定時間経
過した状態において前述の条件を満たすように行うこと
が好ましい。これは、蒸着源の加熱初期には不純物が脱
離して第ｎ＋１層の真空槽内の圧力が高くなるとともに
不安定になるからであり、ある程度加熱が進むと不純物
の脱離が終了して真空槽内の圧力は下がって安定化す
る。つまり、不純物の脱離が終了して圧力が安定化する
までには一定時間かかるためである。
予備排気を第ｎ＋１層の蒸着源の予備加熱と並行して行
う場合、予備排気は、蒸着源の加熱開始から一定時間経
過した状態において前述の条件を満たすように行うこと
が好ましい。これは、蒸着源の加熱初期には不純物が脱
離して第ｎ＋１層の真空槽内の圧力が高くなるとともに
不安定になるからであり、ある程度加熱が進むと不純物
の脱離が終了して真空槽内の圧力は下がって安定化す
る。つまり、不純物の脱離が終了して圧力が安定化する
までには一定時間かかるためである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。図１には、本実施形態の有機ＥＬ
素子１が示されている。この素子１は、基板１１と、こ
の基板１１上に成膜されたＩＴＯ膜からなる透明電極
（陽極）１２と、この透明電極１２上に成膜された第一
層の有機物膜である正孔注入層１３と、この正孔注入層
１３上に成膜された第二層の有機物膜である発光層１４
と、この発光層１４上に成膜された第三層の有機物膜で
ある電子注入層１５と、この電子注入層１５上に成膜さ
れた第四層の対向電極（陰極）１６とを備えている。
に基づいて説明する。図１には、本実施形態の有機ＥＬ
素子１が示されている。この素子１は、基板１１と、こ
の基板１１上に成膜されたＩＴＯ膜からなる透明電極
（陽極）１２と、この透明電極１２上に成膜された第一
層の有機物膜である正孔注入層１３と、この正孔注入層
１３上に成膜された第二層の有機物膜である発光層１４
と、この発光層１４上に成膜された第三層の有機物膜で
ある電子注入層１５と、この電子注入層１５上に成膜さ
れた第四層の対向電極（陰極）１６とを備えている。
【００２４】このような有機ＥＬ素子１は、図２に示す
ような製造装置２を用いて製造される。本実施形態の有
機ＥＬ素子の製造装置２は、基板１１の表面に透明電極
１２を形成した電極付基板１７（図１参照）に対して洗
浄および成膜を行う装置であり、陽極形成装置は含まな
い。この装置２は、直列に連設された洗浄室２１および
四つの第一、第二、第三、第四成膜室２２，２３，２
４，２５を有して構成されている。これらの室２１〜２
５は、それぞれ真空排気系（図示省略）を備えた真空槽
であり、バルブ２６，２７，２８，２９を介して互いに
連通されている。
ような製造装置２を用いて製造される。本実施形態の有
機ＥＬ素子の製造装置２は、基板１１の表面に透明電極
１２を形成した電極付基板１７（図１参照）に対して洗
浄および成膜を行う装置であり、陽極形成装置は含まな
い。この装置２は、直列に連設された洗浄室２１および
四つの第一、第二、第三、第四成膜室２２，２３，２
４，２５を有して構成されている。これらの室２１〜２
５は、それぞれ真空排気系（図示省略）を備えた真空槽
であり、バルブ２６，２７，２８，２９を介して互いに
連通されている。
【００２５】洗浄室２１は、電極付基板１７の洗浄を行
うための室であり、プラズマ洗浄装置３１を備えてい
る。このプラズマ洗浄装置３１は、陰極３２にイオンが
流入するときに電子が引き出され、この電子が陽極３３
に向かって直進する間に気体分子と衝突してプラズマを
生成する二極放電形のものであり、アルゴン等の希ガス
および酸素を洗浄室２１内に導入してプラズマを発生さ
せることにより電極付基板１７を洗浄できるようになっ
ている。
うための室であり、プラズマ洗浄装置３１を備えてい
る。このプラズマ洗浄装置３１は、陰極３２にイオンが
流入するときに電子が引き出され、この電子が陽極３３
に向かって直進する間に気体分子と衝突してプラズマを
生成する二極放電形のものであり、アルゴン等の希ガス
および酸素を洗浄室２１内に導入してプラズマを発生さ
せることにより電極付基板１７を洗浄できるようになっ
ている。
【００２６】なお、このプラズマ洗浄装置３１のプラズ
マ発生形式は二極放電形に限定されず、例えば、熱陰極
を用いる熱電子放電形、マグネトロン放電形等の磁場収
束形等の他の形式のプラズマ洗浄装置を用いてもよい。
また、洗浄室２１近傍には真空排気系（図示省略）を備
えたロードロック室３４が設けられ、これらの洗浄室２
１およびロードロック室３４はバルブ３５を介して互い
に連通されている。このロードロック室３４を介して基
板１７を洗浄室２１内に搬入することにより、洗浄室２
１を大気中に開放することなく電極付基板１７を洗浄室
２１に搬入できるようになっている。
マ発生形式は二極放電形に限定されず、例えば、熱陰極
を用いる熱電子放電形、マグネトロン放電形等の磁場収
束形等の他の形式のプラズマ洗浄装置を用いてもよい。
また、洗浄室２１近傍には真空排気系（図示省略）を備
えたロードロック室３４が設けられ、これらの洗浄室２
１およびロードロック室３４はバルブ３５を介して互い
に連通されている。このロードロック室３４を介して基
板１７を洗浄室２１内に搬入することにより、洗浄室２
１を大気中に開放することなく電極付基板１７を洗浄室
２１に搬入できるようになっている。
【００２７】この洗浄室２１にバルブ２６を介して隣接
する第一成膜室２２は、透明電極１２上に正孔注入層１
３を蒸着するための室であり、正孔注入層１３を構成す
る蒸着材料を加熱して蒸発させる蒸着源４１を備えてい
る。この蒸着源４１は、例えば、蒸着材料をるつぼに入
れて蒸発させる抵抗加熱式の蒸着源であり、開閉自在な
シャッタ４５を備え、このシャッタ４５を閉塞すること
により蒸発物が基板１７に付着しないように遮断できる
ようになっている。
する第一成膜室２２は、透明電極１２上に正孔注入層１
３を蒸着するための室であり、正孔注入層１３を構成す
る蒸着材料を加熱して蒸発させる蒸着源４１を備えてい
る。この蒸着源４１は、例えば、蒸着材料をるつぼに入
れて蒸発させる抵抗加熱式の蒸着源であり、開閉自在な
シャッタ４５を備え、このシャッタ４５を閉塞すること
により蒸発物が基板１７に付着しないように遮断できる
ようになっている。
【００２８】この第一成膜室２２にバルブ２７を介して
隣接する第二成膜室２３は、正孔注入層１３上に発光層
１４を成膜するための室であり、発光層１４を構成する
蒸着材料を蒸発させる蒸着源４２を有している。この第
二成膜室２３にバルブ２８を介して隣接する第三成膜室
２４は、発光層１４上に電子注入層１５を成膜するため
の室であり、電子注入層１５を構成する蒸着材料を蒸発
させる蒸着源４３を備えている。
隣接する第二成膜室２３は、正孔注入層１３上に発光層
１４を成膜するための室であり、発光層１４を構成する
蒸着材料を蒸発させる蒸着源４２を有している。この第
二成膜室２３にバルブ２８を介して隣接する第三成膜室
２４は、発光層１４上に電子注入層１５を成膜するため
の室であり、電子注入層１５を構成する蒸着材料を蒸発
させる蒸着源４３を備えている。
【００２９】この第三成膜室２４にバルブ２９を介して
隣接する第四成膜室２５は、電子注入層１５上に対向電
極１６を成膜するための室であり、対向電極１６を構成
する金属を蒸発させる蒸着源４４を有している。第四成
膜室２５近傍には前述したロードロック室３４と同様な
ロードロック室３６が設けられ、このロードロック室３
６および第四成膜室２５はバルブ３７を介して互いに連
通されている。このロードロック室３６により、第四成
膜室２５を大気中に開放することなく電極付基板１７を
第四成膜室２５から搬出できるようになっている。な
お、第二〜第四成膜室２３〜２５の各蒸着源４２〜４４
は、前述した第一成膜室２２の蒸着源４１と同形式のも
のであり、それぞれシャッタ４５を備えている。
隣接する第四成膜室２５は、電子注入層１５上に対向電
極１６を成膜するための室であり、対向電極１６を構成
する金属を蒸発させる蒸着源４４を有している。第四成
膜室２５近傍には前述したロードロック室３４と同様な
ロードロック室３６が設けられ、このロードロック室３
６および第四成膜室２５はバルブ３７を介して互いに連
通されている。このロードロック室３６により、第四成
膜室２５を大気中に開放することなく電極付基板１７を
第四成膜室２５から搬出できるようになっている。な
お、第二〜第四成膜室２３〜２５の各蒸着源４２〜４４
は、前述した第一成膜室２２の蒸着源４１と同形式のも
のであり、それぞれシャッタ４５を備えている。
【００３０】このような製造装置２の各室２１〜２５，
３４，３６内にはそれぞれ図示しない搬送系が配設さ
れ、これらの搬送系により、各室２１〜２５，３４，３
６を大気中に開放することなく電極付基板１７を各室２
１〜２５，３６に移送できるようになっている。なお、
この搬送系は、例えば、ベルト式のもの或いはトレイ式
のものであってもよく、また、電極付基板１７を保持し
て移動させるアームを備えたロボットであってもよい。
３４，３６内にはそれぞれ図示しない搬送系が配設さ
れ、これらの搬送系により、各室２１〜２５，３４，３
６を大気中に開放することなく電極付基板１７を各室２
１〜２５，３６に移送できるようになっている。なお、
この搬送系は、例えば、ベルト式のもの或いはトレイ式
のものであってもよく、また、電極付基板１７を保持し
て移動させるアームを備えたロボットであってもよい。
【００３１】このような有機ＥＬ素子の製造装置２にお
いては、有機溶媒中で超音波洗浄した電極付基板１７を
ロードロック室３４を介して洗浄室２１に搬入し、この
洗浄室２１においてプラズマ洗浄した後、第一〜第四成
膜室２２〜２５に順次搬送して、各室２２〜２５におい
てそれぞれ正孔注入層１３、発光層１４、電子注入層１
５および対向電極１６を成膜し、ロードロック室３６を
介して搬出する。このように本実施形態の製造装置２
は、有機ＥＬ素子１を真空一貫で連続的に製造できるよ
うに構成されている。なお、電極付基板１７は、各室２
１〜２５，３４，３６において透明電極１２側の面が図
２中下向きになるように配置する。
いては、有機溶媒中で超音波洗浄した電極付基板１７を
ロードロック室３４を介して洗浄室２１に搬入し、この
洗浄室２１においてプラズマ洗浄した後、第一〜第四成
膜室２２〜２５に順次搬送して、各室２２〜２５におい
てそれぞれ正孔注入層１３、発光層１４、電子注入層１
５および対向電極１６を成膜し、ロードロック室３６を
介して搬出する。このように本実施形態の製造装置２
は、有機ＥＬ素子１を真空一貫で連続的に製造できるよ
うに構成されている。なお、電極付基板１７は、各室２
１〜２５，３４，３６において透明電極１２側の面が図
２中下向きになるように配置する。
【００３２】次に、この製造装置２を用いて有機ＥＬ素
子１を製造する方法について説明する。先ず、予め、透
明電極１２、正孔注入層１３、発光層１４および電子注
入層１５について、各膜１２〜１５の表面を真空中に晒
した時間と各膜１２〜１５の表面の水の接触角の増加と
の関係を調べておく。すなわち、透明電極１２について
は、有機溶媒中で超音波洗浄した電極付基板１７を洗浄
室２１でプラズマ洗浄してから真空中に放置する。プラ
ズマ洗浄完了から所定時間が経過したら透明電極１２の
表面の水の接触角を測定する。このような測定を放置時
間を変えて複数回行い、真空中での放置時間と透明電極
１２表面の水の接触角との関係を調べて、水の接触角が
洗浄直後から１０°増加するまでの時間Ｔ1 を求める。
なお、基板１７の放置は、正孔注入層１３の成膜時の圧
力と同圧力下において行う。
子１を製造する方法について説明する。先ず、予め、透
明電極１２、正孔注入層１３、発光層１４および電子注
入層１５について、各膜１２〜１５の表面を真空中に晒
した時間と各膜１２〜１５の表面の水の接触角の増加と
の関係を調べておく。すなわち、透明電極１２について
は、有機溶媒中で超音波洗浄した電極付基板１７を洗浄
室２１でプラズマ洗浄してから真空中に放置する。プラ
ズマ洗浄完了から所定時間が経過したら透明電極１２の
表面の水の接触角を測定する。このような測定を放置時
間を変えて複数回行い、真空中での放置時間と透明電極
１２表面の水の接触角との関係を調べて、水の接触角が
洗浄直後から１０°増加するまでの時間Ｔ1 を求める。
なお、基板１７の放置は、正孔注入層１３の成膜時の圧
力と同圧力下において行う。
【００３３】また、正孔注入層１３については、第一成
膜室２２で電極付基板１７の透明電極１２上に正孔注入
層１３を蒸着してから真空中に放置する。蒸着完了から
所定時間放置したら正孔注入層１３の表面の水の接触角
を測定する。このような測定を放置時間を変えて複数回
行い、真空中での放置時間と正孔注入層１３の表面の水
の接触角との関係を調べて、水の接触角が成膜直後から
１０°増加するまでの時間Ｔ2 を求める。なお、基板１
７の放置は、正孔注入層１３の次に蒸着する膜である発
光層１４の成膜時の圧力と略同圧力下において行う。発
光層１４および電子注入層１５についても、それぞれ正
孔注入層１３の場合と同様にして水の接触角が成膜直後
から１０°増加するまでの時間Ｔ3 ，Ｔ4 を求めてお
く。
膜室２２で電極付基板１７の透明電極１２上に正孔注入
層１３を蒸着してから真空中に放置する。蒸着完了から
所定時間放置したら正孔注入層１３の表面の水の接触角
を測定する。このような測定を放置時間を変えて複数回
行い、真空中での放置時間と正孔注入層１３の表面の水
の接触角との関係を調べて、水の接触角が成膜直後から
１０°増加するまでの時間Ｔ2 を求める。なお、基板１
７の放置は、正孔注入層１３の次に蒸着する膜である発
光層１４の成膜時の圧力と略同圧力下において行う。発
光層１４および電子注入層１５についても、それぞれ正
孔注入層１３の場合と同様にして水の接触角が成膜直後
から１０°増加するまでの時間Ｔ3 ，Ｔ4 を求めてお
く。
【００３４】次に、これらの時間Ｔ1 〜Ｔ4 に基づい
て、電極付基板１７の洗浄および各層１３〜１６の成膜
を行う。すなわち、洗浄室２１内を予め所定圧力になる
まで排気しておき、有機溶媒中で超音波洗浄した電極付
基板１７をロードロック室３４内に搬入する。この後、
ロードロック室３４を洗浄室２１よりも若干低い圧力に
なるまで減圧してからバルブ３５を開けて電極付基板１
７を洗浄室２１内に移送する。これにより、基板１７の
移送時にロードロック室３４内の不純物が洗浄室２１内
に流入するのを防止できる。この洗浄室２１において、
電極付基板１７をプラズマ洗浄装置３１によりプラズマ
洗浄する。このように電極付基板１７に対して超音波洗
浄およびプラズマ洗浄を施すことにより、透明電極１２
表面の水の接触角は洗浄前の値から３０°以上減少す
る。
て、電極付基板１７の洗浄および各層１３〜１６の成膜
を行う。すなわち、洗浄室２１内を予め所定圧力になる
まで排気しておき、有機溶媒中で超音波洗浄した電極付
基板１７をロードロック室３４内に搬入する。この後、
ロードロック室３４を洗浄室２１よりも若干低い圧力に
なるまで減圧してからバルブ３５を開けて電極付基板１
７を洗浄室２１内に移送する。これにより、基板１７の
移送時にロードロック室３４内の不純物が洗浄室２１内
に流入するのを防止できる。この洗浄室２１において、
電極付基板１７をプラズマ洗浄装置３１によりプラズマ
洗浄する。このように電極付基板１７に対して超音波洗
浄およびプラズマ洗浄を施すことにより、透明電極１２
表面の水の接触角は洗浄前の値から３０°以上減少す
る。
【００３５】一方、電極付基板１７をプラズマ洗浄する
間、つまり、プラズマ洗浄が完了する前に、第一成膜室
２２の蒸着源４１の加熱および第一成膜室２２の排気を
開始する。この蒸着源４１の予備加熱は、シャッタ４５
を閉塞した状態で行い、また、正孔注入層１３を成膜す
る際の基板１７上への所定成膜速度ｒ1 を基準にして行
う。つまり、洗浄室２１において電極付基板１７の洗浄
が完了するまでに、基板１７上への成膜速度Ｒ1 が、
０．７ｒ1 ≦Ｒ1 ≦１．３ｒ1 、かつ、Ｒ1 ≧１０Å／
秒を満たすように蒸着源４１を予備加熱する。ここで、
基板１７上への所定成膜速度ｒ1 は、有機ＥＬ素子１の
製造量や製造工程等から逆算される正孔注入層１３の成
膜工程のタクトタイムや、正孔注入層１３の蒸着材料の
種類等から導き出すことができる。
間、つまり、プラズマ洗浄が完了する前に、第一成膜室
２２の蒸着源４１の加熱および第一成膜室２２の排気を
開始する。この蒸着源４１の予備加熱は、シャッタ４５
を閉塞した状態で行い、また、正孔注入層１３を成膜す
る際の基板１７上への所定成膜速度ｒ1 を基準にして行
う。つまり、洗浄室２１において電極付基板１７の洗浄
が完了するまでに、基板１７上への成膜速度Ｒ1 が、
０．７ｒ1 ≦Ｒ1 ≦１．３ｒ1 、かつ、Ｒ1 ≧１０Å／
秒を満たすように蒸着源４１を予備加熱する。ここで、
基板１７上への所定成膜速度ｒ1 は、有機ＥＬ素子１の
製造量や製造工程等から逆算される正孔注入層１３の成
膜工程のタクトタイムや、正孔注入層１３の蒸着材料の
種類等から導き出すことができる。
【００３６】また、第一成膜室２２の予備排気は、正孔
注入層１３を成膜する際の第一成膜室２２内の所定圧力
ｐ1 を基準にして行う。つまり、洗浄室２１における基
板１７の洗浄が完了するまでに、第一成膜室２２内の圧
力Ｐ1 が０．１ｐ1 ≦Ｐ1 ≦１０ｐ1 を満たすように排
気を行う。この際、第一成膜室２２の圧力Ｐ1 は、１．
３３×１０-1Pa≦Ｐ1 ≦１．３３×１０-5Paの範囲内に
する。この予備排気は蒸着源４１の予備加熱と並行して
行うので、蒸着源４１の加熱初期には、不純物の脱離に
より第一成膜室２２内の圧力は高くなって不安定にな
る。しかし、蒸着源４１を一定時間以上加熱すると、加
熱が進んで不純物の脱離が終了し、第一成膜室２２内の
圧力は下がって安定化するため、第一成膜室２２の予備
排気は、不純物の脱離が終了して圧力が安定化した状
態、つまり蒸着源４１の加熱開始から一定時間経過した
状態において前述の条件（０．１ｐ1 ≦Ｐ1≦１０ｐ1
）を満たすように行う。
注入層１３を成膜する際の第一成膜室２２内の所定圧力
ｐ1 を基準にして行う。つまり、洗浄室２１における基
板１７の洗浄が完了するまでに、第一成膜室２２内の圧
力Ｐ1 が０．１ｐ1 ≦Ｐ1 ≦１０ｐ1 を満たすように排
気を行う。この際、第一成膜室２２の圧力Ｐ1 は、１．
３３×１０-1Pa≦Ｐ1 ≦１．３３×１０-5Paの範囲内に
する。この予備排気は蒸着源４１の予備加熱と並行して
行うので、蒸着源４１の加熱初期には、不純物の脱離に
より第一成膜室２２内の圧力は高くなって不安定にな
る。しかし、蒸着源４１を一定時間以上加熱すると、加
熱が進んで不純物の脱離が終了し、第一成膜室２２内の
圧力は下がって安定化するため、第一成膜室２２の予備
排気は、不純物の脱離が終了して圧力が安定化した状
態、つまり蒸着源４１の加熱開始から一定時間経過した
状態において前述の条件（０．１ｐ1 ≦Ｐ1≦１０ｐ1
）を満たすように行う。
【００３７】なお、プラズマ洗浄が短時間の場合は、プ
ラズマ洗浄を開始する前に第一成膜室２２の予備排気お
よび蒸着源４１の予備加熱を開始し、プラズマ洗浄が完
了するまでに基板１７上への成膜速度Ｒ1 および第一成
膜室２２の圧力Ｐ1 が前述した範囲内に納まるようにす
る。
ラズマ洗浄を開始する前に第一成膜室２２の予備排気お
よび蒸着源４１の予備加熱を開始し、プラズマ洗浄が完
了するまでに基板１７上への成膜速度Ｒ1 および第一成
膜室２２の圧力Ｐ1 が前述した範囲内に納まるようにす
る。
【００３８】電極付基板１７のプラズマ洗浄が終了した
後、洗浄室２１および第一成膜室２２の間のバルブ２６
を開けて基板１７を第一成膜室２２内に搬入し、バルブ
２６を閉める。そして、基板１７上への成膜速度Ｒ1 お
よび第一成膜室２２内の圧力Ｐ1 がそれぞれ所定成膜速
度ｒ1 、所定圧力ｐ1 で安定したらシャッタ４５を開放
し、正孔注入層１３の蒸着を開始する。
後、洗浄室２１および第一成膜室２２の間のバルブ２６
を開けて基板１７を第一成膜室２２内に搬入し、バルブ
２６を閉める。そして、基板１７上への成膜速度Ｒ1 お
よび第一成膜室２２内の圧力Ｐ1 がそれぞれ所定成膜速
度ｒ1 、所定圧力ｐ1 で安定したらシャッタ４５を開放
し、正孔注入層１３の蒸着を開始する。
【００３９】本実施形態においては、プラズマ洗浄が終
了するまでに、基板１７上への成膜速度Ｒ1 および第一
成膜室２２内の圧力Ｐ1 を前述の範囲内（０．７ｒ1 ≦
Ｒ1≦１．３ｒ1 、かつ、Ｒ1 ≧１０Å／秒，０．１ｐ1
≦Ｐ1 ≦１０ｐ1 ）に調整しておくため、基板１７上
への成膜速度Ｒ1 および第一成膜室２２内の圧力Ｐ1は
プラズマ洗浄完了から極短時間で所定成膜速度ｒ1 、所
定圧力ｐ1 に到達して安定する。つまり、プラズマ洗浄
完了から正孔注入層１３の蒸着開始までの時間は、極短
時間、具体的には、先に求めておいた透明電極１２表面
の水の接触角が洗浄直後から１０°増加するまでの時間
Ｔ1 以下で済む。
了するまでに、基板１７上への成膜速度Ｒ1 および第一
成膜室２２内の圧力Ｐ1 を前述の範囲内（０．７ｒ1 ≦
Ｒ1≦１．３ｒ1 、かつ、Ｒ1 ≧１０Å／秒，０．１ｐ1
≦Ｐ1 ≦１０ｐ1 ）に調整しておくため、基板１７上
への成膜速度Ｒ1 および第一成膜室２２内の圧力Ｐ1は
プラズマ洗浄完了から極短時間で所定成膜速度ｒ1 、所
定圧力ｐ1 に到達して安定する。つまり、プラズマ洗浄
完了から正孔注入層１３の蒸着開始までの時間は、極短
時間、具体的には、先に求めておいた透明電極１２表面
の水の接触角が洗浄直後から１０°増加するまでの時間
Ｔ1 以下で済む。
【００４０】一方、正孔注入層１３の成膜を行っている
間、つまり、正孔注入層１３の蒸着が完了する前に、第
二成膜室２３の蒸着源４２の加熱および第二成膜室２３
の排気を開始する。この蒸着源４２の予備加熱は、前述
した第一成膜室２２の蒸着源４１の予備加熱と同様に、
シャッタ４５を閉塞した状態で行うとともに、発光層１
４を成膜する際の基板１７上（正孔注入層１３上）への
所定成膜速度ｒ2 を基準にして行う。つまり、正孔注入
層１３の蒸着が完了するまでに、基板１７上への成膜速
度Ｒ2 が、０．７ｒ2 ≦Ｒ2 ≦１．３ｒ2 、かつ、Ｒ2
≧１０Å／秒を満たすように蒸着源４２を予備加熱す
る。
間、つまり、正孔注入層１３の蒸着が完了する前に、第
二成膜室２３の蒸着源４２の加熱および第二成膜室２３
の排気を開始する。この蒸着源４２の予備加熱は、前述
した第一成膜室２２の蒸着源４１の予備加熱と同様に、
シャッタ４５を閉塞した状態で行うとともに、発光層１
４を成膜する際の基板１７上（正孔注入層１３上）への
所定成膜速度ｒ2 を基準にして行う。つまり、正孔注入
層１３の蒸着が完了するまでに、基板１７上への成膜速
度Ｒ2 が、０．７ｒ2 ≦Ｒ2 ≦１．３ｒ2 、かつ、Ｒ2
≧１０Å／秒を満たすように蒸着源４２を予備加熱す
る。
【００４１】また、第二成膜室２３の予備排気は、前述
した第一成膜室２２の予備排気と同様に、発光層１４を
成膜する際の第二成膜室２３内の所定圧力ｐ2 を基準に
して行う。つまり、第一成膜室２２における正孔注入層
１３の蒸着が完了するまでに、第二成膜室２３内の圧力
Ｐ2 が０．１ｐ2 ≦Ｐ2 ≦１０ｐ2 および１．３３×１
０-1Pa≦Ｐ2 ≦１．３３×１０-5Paを満たすように排気
を行う。なお、正孔注入層１３の蒸着が短時間である場
合には、正孔注入層１３の蒸着開始前に第二成膜室２３
の予備排気および蒸着源４２の予備加熱を開始し、正孔
注入層１３の成膜完了までに成膜速度Ｒ2 および第二成
膜室２３内の圧力Ｐ2 が前述した範囲内に納まるように
する。
した第一成膜室２２の予備排気と同様に、発光層１４を
成膜する際の第二成膜室２３内の所定圧力ｐ2 を基準に
して行う。つまり、第一成膜室２２における正孔注入層
１３の蒸着が完了するまでに、第二成膜室２３内の圧力
Ｐ2 が０．１ｐ2 ≦Ｐ2 ≦１０ｐ2 および１．３３×１
０-1Pa≦Ｐ2 ≦１．３３×１０-5Paを満たすように排気
を行う。なお、正孔注入層１３の蒸着が短時間である場
合には、正孔注入層１３の蒸着開始前に第二成膜室２３
の予備排気および蒸着源４２の予備加熱を開始し、正孔
注入層１３の成膜完了までに成膜速度Ｒ2 および第二成
膜室２３内の圧力Ｐ2 が前述した範囲内に納まるように
する。
【００４２】そして、正孔注入層１３の蒸着が終了した
後、第一成膜室２２および第二成膜室２３の間のバルブ
２７を開けて成膜した基板１７を第二成膜室２３内に搬
入し、バルブ２７を閉める。そして、基板１７上への成
膜速度Ｒ2 および第二成膜室２３内の圧力Ｐ2 がそれぞ
れ所定成膜速度ｒ2 、所定圧力ｐ2 で安定したらシャッ
タ４５を開放し、発光層１４の蒸着を開始する。
後、第一成膜室２２および第二成膜室２３の間のバルブ
２７を開けて成膜した基板１７を第二成膜室２３内に搬
入し、バルブ２７を閉める。そして、基板１７上への成
膜速度Ｒ2 および第二成膜室２３内の圧力Ｐ2 がそれぞ
れ所定成膜速度ｒ2 、所定圧力ｐ2 で安定したらシャッ
タ４５を開放し、発光層１４の蒸着を開始する。
【００４３】本実施形態では、正孔注入層１３の蒸着が
終了するまでに、基板１７上への成膜速度Ｒ2 および第
二成膜室２３内の圧力Ｐ2 を前述した範囲内に調整して
おくため、正孔注入層１３の蒸着完了から発光層１４の
蒸着開始までの時間は、先に求めておいた正孔注入層１
３表面の水の接触角が洗浄直後から１０°増加するまで
の時間Ｔ2 以下になる。
終了するまでに、基板１７上への成膜速度Ｒ2 および第
二成膜室２３内の圧力Ｐ2 を前述した範囲内に調整して
おくため、正孔注入層１３の蒸着完了から発光層１４の
蒸着開始までの時間は、先に求めておいた正孔注入層１
３表面の水の接触角が洗浄直後から１０°増加するまで
の時間Ｔ2 以下になる。
【００４４】続いて、これらの正孔注入層１３および発
光層１４と同様にして、蒸着源４３の予備加熱および第
三成膜室２４の予備排気を行って電子注入層１５を蒸着
し、蒸着源４４の予備加熱および第四成膜室２５の予備
排気を行って対向電極１６を蒸着する。これにより、発
光層１４の蒸着完了から電子注入層１５の蒸着開始まで
の時間は、予め求めた発光層１４の水の接触角が発光層
１４の成膜直後から１０°増加するまでの時間Ｔ3 以下
になり、また、電子注入層１５の蒸着完了から対向電極
１６の蒸着開始までの時間は、予め求めた電子注入層１
５の水の接触角がその成膜直後から１０°増加するまで
の時間Ｔ4 以下になる。
光層１４と同様にして、蒸着源４３の予備加熱および第
三成膜室２４の予備排気を行って電子注入層１５を蒸着
し、蒸着源４４の予備加熱および第四成膜室２５の予備
排気を行って対向電極１６を蒸着する。これにより、発
光層１４の蒸着完了から電子注入層１５の蒸着開始まで
の時間は、予め求めた発光層１４の水の接触角が発光層
１４の成膜直後から１０°増加するまでの時間Ｔ3 以下
になり、また、電子注入層１５の蒸着完了から対向電極
１６の蒸着開始までの時間は、予め求めた電子注入層１
５の水の接触角がその成膜直後から１０°増加するまで
の時間Ｔ4 以下になる。
【００４５】第四成膜室２５において対向電極１６の蒸
着が完了したら、バルブ３７を開けて、予め排気してお
いたロードロック室３６内に基板１７を搬送し、バルブ
３７を閉めてからロードロック室３６内を常圧に戻して
基板１７を取り出す。
着が完了したら、バルブ３７を開けて、予め排気してお
いたロードロック室３６内に基板１７を搬送し、バルブ
３７を閉めてからロードロック室３６内を常圧に戻して
基板１７を取り出す。
【００４６】このような本実施形態によれば、以下のよ
うな効果がある。すなわち、洗浄直後の状態、つまり透
明電極１２の表面が清浄な状態から水の接触角が１０°
増加する以前に正孔注入層１３を蒸着するため、不純物
の混入を確実に抑制できる。つまり、透明電極１２表面
の水の接触角は、超音波洗浄およびプラズマ洗浄によっ
て、洗浄前の値から３０°以上減少するため、水の接触
角が洗浄完了から１０°以上増加する以前に正孔注入層
１３を蒸着することで、洗浄前よりも清浄な透明電極１
２の上に正孔注入層１３を成膜できるから、透明電極１
２／正孔注入層１３の界面の汚染を確実に抑制できる。
従って、有機ＥＬ素子１への不純物の混入を確実に低減
できることから、所望の素子性能を安定的に確保でき
る。
うな効果がある。すなわち、洗浄直後の状態、つまり透
明電極１２の表面が清浄な状態から水の接触角が１０°
増加する以前に正孔注入層１３を蒸着するため、不純物
の混入を確実に抑制できる。つまり、透明電極１２表面
の水の接触角は、超音波洗浄およびプラズマ洗浄によっ
て、洗浄前の値から３０°以上減少するため、水の接触
角が洗浄完了から１０°以上増加する以前に正孔注入層
１３を蒸着することで、洗浄前よりも清浄な透明電極１
２の上に正孔注入層１３を成膜できるから、透明電極１
２／正孔注入層１３の界面の汚染を確実に抑制できる。
従って、有機ＥＬ素子１への不純物の混入を確実に低減
できることから、所望の素子性能を安定的に確保でき
る。
【００４７】また、正孔注入層１３の成膜直後からその
正孔注入層１３の表面の水の接触角が１０°増加する以
前に発光層１４の蒸着を行うため、正孔注入層１３／発
光層１４の界面への不純物の混入を抑制できる。同様
に、発光層１４の蒸着直後からその表面の水の接触角が
１０°増加する以前に電子注入層１５の蒸着を開始し、
電子注入層１５の蒸着直後からその表面の水の接触角が
１０°増加する以前に対向電極１６の蒸着を開始するの
で、発光層１４／電子注入層１５／対向電極１６の各界
面への不純物の混入を抑制できる。従って、各膜１３〜
１６の界面の汚染を低減できるので、優れた素子性能を
確実に得ることができる。
正孔注入層１３の表面の水の接触角が１０°増加する以
前に発光層１４の蒸着を行うため、正孔注入層１３／発
光層１４の界面への不純物の混入を抑制できる。同様
に、発光層１４の蒸着直後からその表面の水の接触角が
１０°増加する以前に電子注入層１５の蒸着を開始し、
電子注入層１５の蒸着直後からその表面の水の接触角が
１０°増加する以前に対向電極１６の蒸着を開始するの
で、発光層１４／電子注入層１５／対向電極１６の各界
面への不純物の混入を抑制できる。従って、各膜１３〜
１６の界面の汚染を低減できるので、優れた素子性能を
確実に得ることができる。
【００４８】そして、各層１２〜１５表面の水の接触角
が洗浄直後或いは成膜直後から１０°増加する以前に正
孔注入層１３〜対向電極１６の成膜を行ったので、各膜
１２〜１６の界面へ混入する不純物を大幅に少なくでき
るから、発光面内の均一性を含む発光性能の向上を図る
ことができるうえに、長寿命の素子１が得られる。
が洗浄直後或いは成膜直後から１０°増加する以前に正
孔注入層１３〜対向電極１６の成膜を行ったので、各膜
１２〜１６の界面へ混入する不純物を大幅に少なくでき
るから、発光面内の均一性を含む発光性能の向上を図る
ことができるうえに、長寿命の素子１が得られる。
【００４９】また、正孔注入層１３の蒸着完了前に予め
発光層１４の蒸着源４２を予備加熱し、同様に、発光層
１４の蒸着完了前、電子注入層１５の蒸着完了前にそれ
ぞれ電子注入層１５の蒸着源４３、対向電極１６の蒸着
源４４を予備加熱するので、各蒸着源４２〜４４の加熱
初期に蒸発する不純物を、その前の層１３，１４，１５
の成膜を行っている間に蒸発させて除去できる。同様
に、プラズマ洗浄が完了する前に予め正孔注入層１３の
蒸着源４１の加熱を開始するため、加熱初期に生成する
不純物を電極付基板１７をプラズマ洗浄する間に除去で
きる。従って、蒸着源４１〜４４の加熱初期に生成する
不純物による各膜１３〜１６の汚染を回避できるから、
高性能の素子１が確実に得られる。
発光層１４の蒸着源４２を予備加熱し、同様に、発光層
１４の蒸着完了前、電子注入層１５の蒸着完了前にそれ
ぞれ電子注入層１５の蒸着源４３、対向電極１６の蒸着
源４４を予備加熱するので、各蒸着源４２〜４４の加熱
初期に蒸発する不純物を、その前の層１３，１４，１５
の成膜を行っている間に蒸発させて除去できる。同様
に、プラズマ洗浄が完了する前に予め正孔注入層１３の
蒸着源４１の加熱を開始するため、加熱初期に生成する
不純物を電極付基板１７をプラズマ洗浄する間に除去で
きる。従って、蒸着源４１〜４４の加熱初期に生成する
不純物による各膜１３〜１６の汚染を回避できるから、
高性能の素子１が確実に得られる。
【００５０】また、蒸着源４１を予備加熱するため、正
孔注入層１３の蒸着源４１の蒸発状態を基板１７の洗浄
終了時から短時間で安定化させることができるから、正
孔注入層１３の表面の水の接触角が基板１７の洗浄完了
時の値から真空中で１０°増加する以前に正孔注入層１
３の成膜を確実に開始できる。これと同様に、蒸着源４
２〜４４をそれぞれ予備加熱するため、発光層１４の蒸
着源４２の蒸発状態、電子注入層１５の蒸着源４３の蒸
発状態、対向電極１６の蒸着源４４の蒸発状態をそれぞ
れ正孔注入層１３、発光層１４、電子注入層１５の成膜
完了から短時間で安定化させることができる。これによ
り、正孔注入層１３、発光層１４、電子注入層１５の各
々の水の接触角が成膜完了時の値から１０°増加する以
前に、それぞれ次の層である発光層１４、電子注入層１
５、対向電極１６の蒸着を開始できる。従って、各層１
２〜１５の表面の汚染、つまり、各膜１２〜１６の界面
の汚染を確実に低減できるから、安定した素子性能を確
保できる。
孔注入層１３の蒸着源４１の蒸発状態を基板１７の洗浄
終了時から短時間で安定化させることができるから、正
孔注入層１３の表面の水の接触角が基板１７の洗浄完了
時の値から真空中で１０°増加する以前に正孔注入層１
３の成膜を確実に開始できる。これと同様に、蒸着源４
２〜４４をそれぞれ予備加熱するため、発光層１４の蒸
着源４２の蒸発状態、電子注入層１５の蒸着源４３の蒸
発状態、対向電極１６の蒸着源４４の蒸発状態をそれぞ
れ正孔注入層１３、発光層１４、電子注入層１５の成膜
完了から短時間で安定化させることができる。これによ
り、正孔注入層１３、発光層１４、電子注入層１５の各
々の水の接触角が成膜完了時の値から１０°増加する以
前に、それぞれ次の層である発光層１４、電子注入層１
５、対向電極１６の蒸着を開始できる。従って、各層１
２〜１５の表面の汚染、つまり、各膜１２〜１６の界面
の汚染を確実に低減できるから、安定した素子性能を確
保できる。
【００５１】さらに、正孔注入層１３の蒸着源４１の予
備加熱は、洗浄室２１におけるプラズマ洗浄が完了する
までに、基板１７上への成膜速度Ｒ1 が０．７ｒ1 ≦Ｒ
1 ≦１．３ｒ1 、かつ、Ｒ1 ≧１０Å／秒を満たすよう
に行ったので、正孔注入層１３を蒸着するときに、基板
１７上への成膜速度Ｒ1 を極短時間で所定成膜速度ｒ1
に到達させて安定させることができる。また、これと同
様な条件の下に、発光層１４、電子注入層１５および対
向電極１６の各蒸着源４２〜４４の予備加熱を行ったの
で、各膜１４〜１６を蒸着するときに、各々の成膜速度
（発光層１４についてはＲ2 ）を極短時間で所定成膜速
度（発光層１４についてはｒ2 ）に安定させることがで
きる。従って、各層１３〜１６の成膜を、それぞれプラ
ズマ洗浄完了或いはその前の層１３〜１５の成膜完了か
ら早期に開始できるから、各層１２〜１６の界面の汚染
を大幅に低減できるうえに、連続生産におけるタクトタ
イムを確実に短縮できる。
備加熱は、洗浄室２１におけるプラズマ洗浄が完了する
までに、基板１７上への成膜速度Ｒ1 が０．７ｒ1 ≦Ｒ
1 ≦１．３ｒ1 、かつ、Ｒ1 ≧１０Å／秒を満たすよう
に行ったので、正孔注入層１３を蒸着するときに、基板
１７上への成膜速度Ｒ1 を極短時間で所定成膜速度ｒ1
に到達させて安定させることができる。また、これと同
様な条件の下に、発光層１４、電子注入層１５および対
向電極１６の各蒸着源４２〜４４の予備加熱を行ったの
で、各膜１４〜１６を蒸着するときに、各々の成膜速度
（発光層１４についてはＲ2 ）を極短時間で所定成膜速
度（発光層１４についてはｒ2 ）に安定させることがで
きる。従って、各層１３〜１６の成膜を、それぞれプラ
ズマ洗浄完了或いはその前の層１３〜１５の成膜完了か
ら早期に開始できるから、各層１２〜１６の界面の汚染
を大幅に低減できるうえに、連続生産におけるタクトタ
イムを確実に短縮できる。
【００５２】そして、プラズマ洗浄が完了する前に予め
第一成膜室２２を予備排気するため、第一成膜室２２の
圧力Ｐ1 をプラズマ洗浄完了時から短時間で所定の圧力
ｐ1まで減圧することができるから、正孔注入層１３の
表面の水の接触角が基板１７の洗浄完了時の値から真空
中で１０°増加する以前に正孔注入層１３の成膜を確実
に開始できる。これと同様に、正孔注入層１３の蒸着完
了前、発光層１４の蒸着完了前、電子注入層１５の蒸着
完了前にそれぞれ第二成膜室２３、第三成膜室２４、第
四成膜室２５を予備排気するので、第二成膜室２３内の
圧力Ｐ2 、第三成膜室２４内の圧力、第四成膜室２５内
の圧力をそれぞれ正孔注入層１３、発光層１４および電
子注入層１５の成膜完了から短時間で安定化させること
ができる。これにより、正孔注入層１３、発光層１４、
電子注入層１５の各々の水の接触角が成膜完了時の値か
ら１０°増加する以前に、それぞれ次の層である発光層
１４、電子注入層１５、対向電極１６の蒸着を開始でき
る。従って、各層１２〜１５の表面の汚染、すなわち、
各層１２〜１６の界面の汚染を確実に低減できるから、
安定した素子性能を確保できる。
第一成膜室２２を予備排気するため、第一成膜室２２の
圧力Ｐ1 をプラズマ洗浄完了時から短時間で所定の圧力
ｐ1まで減圧することができるから、正孔注入層１３の
表面の水の接触角が基板１７の洗浄完了時の値から真空
中で１０°増加する以前に正孔注入層１３の成膜を確実
に開始できる。これと同様に、正孔注入層１３の蒸着完
了前、発光層１４の蒸着完了前、電子注入層１５の蒸着
完了前にそれぞれ第二成膜室２３、第三成膜室２４、第
四成膜室２５を予備排気するので、第二成膜室２３内の
圧力Ｐ2 、第三成膜室２４内の圧力、第四成膜室２５内
の圧力をそれぞれ正孔注入層１３、発光層１４および電
子注入層１５の成膜完了から短時間で安定化させること
ができる。これにより、正孔注入層１３、発光層１４、
電子注入層１５の各々の水の接触角が成膜完了時の値か
ら１０°増加する以前に、それぞれ次の層である発光層
１４、電子注入層１５、対向電極１６の蒸着を開始でき
る。従って、各層１２〜１５の表面の汚染、すなわち、
各層１２〜１６の界面の汚染を確実に低減できるから、
安定した素子性能を確保できる。
【００５３】さらに、第一成膜室２２の予備排気は、洗
浄室２１におけるプラズマ洗浄が完了するまでに、第一
成膜室２２内の圧力Ｐ1 が０．１ｐ1 ≦Ｐ1 ≦１０ｐ1
を満たすように行うので、正孔注入層１３を蒸着すると
きに、第一成膜室２２の圧力Ｐ1 を極短時間で所定圧力
ｐ1 に到達させて安定させることができる。また、これ
と同様な条件の下に、第二〜第四成膜室２３〜２５の予
備排気を行ったので、それぞれ発光層１４、電子注入層
１５、対向電極１６を蒸着するときに、各々の成膜速度
（発光層１４についてはＲ2 ）を極短時間で所定成膜速
度（発光層１４についてはｒ2 ）に到達させて安定させ
ることができる。従って、各層１３〜１６の成膜を、そ
れぞれプラズマ洗浄完了或いはその前の層１３〜１５の
成膜完了から早期に開始できるから、各層１２〜１６の
界面の汚染を大幅に低減できるうえに、連続生産におけ
るタクトタイムを確実に短縮できる。
浄室２１におけるプラズマ洗浄が完了するまでに、第一
成膜室２２内の圧力Ｐ1 が０．１ｐ1 ≦Ｐ1 ≦１０ｐ1
を満たすように行うので、正孔注入層１３を蒸着すると
きに、第一成膜室２２の圧力Ｐ1 を極短時間で所定圧力
ｐ1 に到達させて安定させることができる。また、これ
と同様な条件の下に、第二〜第四成膜室２３〜２５の予
備排気を行ったので、それぞれ発光層１４、電子注入層
１５、対向電極１６を蒸着するときに、各々の成膜速度
（発光層１４についてはＲ2 ）を極短時間で所定成膜速
度（発光層１４についてはｒ2 ）に到達させて安定させ
ることができる。従って、各層１３〜１６の成膜を、そ
れぞれプラズマ洗浄完了或いはその前の層１３〜１５の
成膜完了から早期に開始できるから、各層１２〜１６の
界面の汚染を大幅に低減できるうえに、連続生産におけ
るタクトタイムを確実に短縮できる。
【００５４】なお、本発明は前記実施形態に限定される
ものではなく、本発明の目的を達成できる他の構成等を
含み、以下に示すような変形なども本発明に含まれる。
すなわち、前記実施形態では、各層１３〜１６を異なる
成膜室２２〜２５において成膜したが、同一の真空槽に
おいて複数層の膜を成膜してもよい。この場合にも、各
蒸着源の予備加熱を行うことが好ましい。また、同一真
空槽内で同一の化合物を複数の蒸発源より蒸発させて成
膜してもよい。さらには、ドーピングを行うために、同
一真空槽内にて異なる化合物を異なる蒸発源より同時に
蒸発させて成膜してもよい。前記実施形態では、電極付
基板をプラズマ処理することにより洗浄したが、基板の
洗浄方法はとくに限定されない。例えば、紫外線或いは
イオンビーム等により基板を洗浄してもよい。また、有
機ＥＬ素子は、前記実施形態の構造に限定されず、本発
明は、他の構造の有機ＥＬ素子にも適用できる。
ものではなく、本発明の目的を達成できる他の構成等を
含み、以下に示すような変形なども本発明に含まれる。
すなわち、前記実施形態では、各層１３〜１６を異なる
成膜室２２〜２５において成膜したが、同一の真空槽に
おいて複数層の膜を成膜してもよい。この場合にも、各
蒸着源の予備加熱を行うことが好ましい。また、同一真
空槽内で同一の化合物を複数の蒸発源より蒸発させて成
膜してもよい。さらには、ドーピングを行うために、同
一真空槽内にて異なる化合物を異なる蒸発源より同時に
蒸発させて成膜してもよい。前記実施形態では、電極付
基板をプラズマ処理することにより洗浄したが、基板の
洗浄方法はとくに限定されない。例えば、紫外線或いは
イオンビーム等により基板を洗浄してもよい。また、有
機ＥＬ素子は、前記実施形態の構造に限定されず、本発
明は、他の構造の有機ＥＬ素子にも適用できる。
【００５５】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、
基板を洗浄した直後から電極の表面の水の接触角が３０
°増加する前に第一層を成膜するため、電極／第一層へ
の不純物の混入を確実に抑制できるから所望の素子性能
を安定的に確保できる。また、ｎ＝１，２，３，…とし
たときに、第ｎ層の成膜直後から第ｎ層の表面の水の接
触角が３０°増加する前に第ｎ＋１層の成膜を行うた
め、第ｎ層／第ｎ＋１層の界面への不純物の混入を抑制
できるから、所望の素子性能を安定的に確保できる。
基板を洗浄した直後から電極の表面の水の接触角が３０
°増加する前に第一層を成膜するため、電極／第一層へ
の不純物の混入を確実に抑制できるから所望の素子性能
を安定的に確保できる。また、ｎ＝１，２，３，…とし
たときに、第ｎ層の成膜直後から第ｎ層の表面の水の接
触角が３０°増加する前に第ｎ＋１層の成膜を行うた
め、第ｎ層／第ｎ＋１層の界面への不純物の混入を抑制
できるから、所望の素子性能を安定的に確保できる。
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す断面
図。
図。
【図２】前記実施形態の有機ＥＬ素子の製造装置を示す
模式図。
模式図。
１ 有機エレクトロルミネッセンス素子 ２ 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置 １１ 基板 １２ 透明電極（電極） １３ 正孔注入層（第一層、有機物層） １４ 発光層（第二層、有機物層） １５ 電子注入層（第三層、有機物層） １６ 対向電極（第四層） １７ 電極付基板 ２１ 洗浄室（真空槽） ２２ 第一成膜室（真空槽） ２３ 第二成膜室（真空槽） ２４ 第三成膜室（真空槽） ２５ 第四成膜室（真空槽） ４１，４２，４３，４４ 蒸着源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/10 C23C 14/56
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に電極を設けた電極付基板を洗浄
してから、前記電極上に有機物層および対向電極を含む
複数層の膜を真空中で順次成膜する有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法であって、 前記電極付基板の洗浄完了から第一層の成膜開始まで時
間を、前記電極の表面の水の接触角が洗浄完了時の値か
ら真空中で３０°増加するまでの時間よりも短くするこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製
造方法。 - 【請求項２】 基板上に電極を設けた電極付基板の前記
電極上に、有機物層および対向電極を含む複数層の膜を
真空中で成膜する有機エレクトロルミネッセンス素子の
製造方法であって、 ｎ＝１，２，３，…としたときに、第ｎ層の成膜完了か
ら第ｎ＋１層の成膜開始までの時間を、前記第ｎ層の表
面の水の接触角が成膜完了時の値から真空中で３０°増
加するまで時間よりも短くすることを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法において、前記複数層の膜の
成膜を蒸着によって行うとともに、前記第ｎ層の成膜完
了前に、予め前記第ｎ＋１層の蒸着源を加熱しておくこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製
造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法において、前記第ｎ＋１層の
蒸着源の加熱は、この第ｎ＋１層を成膜する際の基板上
への所定成膜速度ｒを基準にして、前記第ｎ＋１層の蒸
着材料の基板上への成膜速度Ｒが、前記第ｎ層の成膜完
了までに０．７ｒ≦Ｒ≦１．３ｒ、かつ、Ｒ≧１０Å／
秒を満たすように行うことを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項５】 請求項２から請求項４までのいずれかに
記載した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
において、前記複数層の膜をそれぞれ異なる真空槽で成
膜するとともに、前記第ｎ層の成膜完了前に、予め前記
ｎ＋１層の成膜を行う真空槽を排気しておくことを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法において、前記第ｎ＋１層の
真空槽の排気は、この第ｎ＋１層を成膜する際の前記真
空槽内の所定圧力ｐを基準にして、前記第ｎ＋１層の真
空槽内の圧力Ｐが前記第ｎ層の成膜完了までに０．１ｐ
≦Ｐ≦１０ｐを満たすように行うことを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
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