JP5607470B2 - 基材表面親水化処理方法及び被処理物の製造装置 - Google Patents
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[態様1]被処理物に成膜されたポリ尿素膜の表面の親水化方法であって、真空処理室において被処理物にポリ尿素膜を成膜させた後、該被処理物を大気中の水分と接触させずに親水化処理室に移動させ、該親水化処理室において酸素ガス雰囲気中でポリ尿素膜が成膜された被処理物に紫外線照射することにより親水化処理を行うことを特徴とする前記親水化方法。
[態様2]ポリ尿素膜が成膜された被処理物を真空処理室と親水化処理室を結合するゲートバルブを通過させることによって、該被処理物を大気中の水分と接触させずに親水化工程に移動させることを特徴とする、態様1記載の方法。
[態様3]ゲートバルブをポリ尿素原料モノマーの蒸発温度以上に加熱することを特徴とする、態様1又は2記載の方法。
[態様4]親水化処理を紫外線波長:150〜200 nm、照度:10〜50 mW/cm2、照射時間:5〜60 分、酸素ガス圧:1〜8 x 104 Pa、室温で行なうことを特徴とする、態様1〜3のいずれか一項に記載の方法。
[態様5]態様1〜4のいずれか一項に記載の方法で親水化されたポリ尿素膜を有する被処理物。
[態様6]マイクロ流体チップ基板又はマイクロ流体チップである、態様5記載の被処理物。
[態様7]真空室内に複数のポリ尿素膜原料モノマーを蒸発させる蒸発源と、該蒸発源からのポリ尿素膜原料モノマーの蒸着で膜が形成される被処理物とが互いに対向して配置されて成るポリ尿素膜を製造するための真空処理室;被処理物に成膜されたポリ尿素膜の表面を親水化処理するための親水化処理室:該真空処理室と該親水化処理室とを連結するバルブ;並びに、該真空処理室から該親水化処理室へ被処理物を移動させるための手段、から構成される、親水化されたポリ尿素膜を有する被処理物の製造装置。
[態様8]バルブが加熱手段によりポリ尿素原料モノマーの蒸発温度以上に加熱可能であることを特徴とする、態様7記載の製造装置。
[態様9]被処理物を移動させるための手段が、トランスファーロッド又はエアーシリンダーの直線導入機構から構成されてなることを特徴とする態様7又は8記載の製造装置。
[態様10]マイクロ流体チップ基板又はマイクロ流体チップの製造装置である、請求項7〜9のいずれか一項に記載の製造装置。
(A)大気圧の親水化処理室7の移動手段(トランスファーロッド)12のアーム(基板保持治具)に基板5を載せ排気する。
(B)親水化処理室7が所定の真空に達した後ゲートバルブ6を開け、アームを真空処理室1に移動する。
(C)基板上下機構10を上げ、基板を10に移載する。
(D)アームを親水化処理室7に移動しゲートバルブを閉じる。
(E)蒸発源シャッター4を開け蒸着を開始する。
(F)所定の膜厚を成膜した後蒸発源シャッターを閉じ、ゲートバルブを開け、アームを真空処理室1に移動する。
(G)基板上下機構10を下げ基板をアームに載せる。
(H)アームを親水化処理室7に移動し、ゲートバルブを閉じる。
(I)基板上下機構10を上げ、基板を10に移載する。
(J)アームを親水化処理室7端部に移動し、上下機構10により所定の位置に基板を設置する。この後、バルブ9を開き酸素を導入する。
2 4,4 '-ジアミノジフェニルメタン( MDA)の供給源
3 4 , 4 ' -ジフェニルメタンジイソシアナート( MDI)の供給源
4 シャッター
5 基板
6 ゲートバルブ
7 親水化処理室
8 エキシマ紫外線レーザー照射装置
9 酸素ガス導入機構
10 基板上下機構
11 ヒーター
12 移動手段
Claims (8)
- 被処理物に成膜されたポリ尿素膜の表面の親水化方法であって、真空処理室において被処理物にポリ尿素膜を成膜させた後、該被処理物を大気中の水分と接触させずに親水化処理室に移動させ、該親水化処理室において酸素ガス雰囲気中でポリ尿素膜が成膜された被処理物に紫外線照射することにより親水化処理を行うことを特徴とする前記親水化方法。
- ポリ尿素膜が成膜された被処理物を真空処理室と親水化処理室を結合するゲートバルブを通過させることによって、該被処理物を大気中の水分と接触させずに親水化工程に移動させることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- ゲートバルブをポリ尿素原料モノマーの蒸発温度以上に加熱することを特徴とする、請求項2記載の方法。
- 親水化処理を紫外線波長:150〜200 nm、照度:10〜50 mW/cm2、照射時間:5〜60 分、酸素ガス圧:1〜8 x 104 Pa、室温で行なうことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 真空室内に複数のポリ尿素膜原料モノマーを蒸発させる蒸発源と、該蒸発源からのポリ尿素膜原料モノマーの蒸着で膜が形成される被処理物とが互いに対向して配置されて成るポリ尿素膜を製造するための真空処理室;酸素ガス雰囲気中で該ポリ尿素膜が成膜された被処理物に紫外線照射することにより該ポリ尿素膜の表面を親水化処理するための親水化処理室:該真空処理室と該親水化処理室とを連結するバルブ;並びに、該真空処理室から該親水化処理室へ被処理物を移動させるための手段、から構成される、親水化されたポリ尿素膜を有する被処理物の製造装置。
- バルブが加熱手段によりポリ尿素原料モノマーの蒸発温度以上に加熱可能であることを特徴とする、請求項5記載の製造装置。
- 被処理物を移動させるための移動手段が、トランスファーロッド又はエアーシリンダーの直線導入機構から構成されてなることを特徴とする請求項5又は6記載の製造装置。
- マイクロ流体チップ基板又はマイクロ流体チップの製造装置である、請求項5〜7のいずれか一項に記載の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010205959A JP5607470B2 (ja) | 2010-09-14 | 2010-09-14 | 基材表面親水化処理方法及び被処理物の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010205959A JP5607470B2 (ja) | 2010-09-14 | 2010-09-14 | 基材表面親水化処理方法及び被処理物の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012062504A JP2012062504A (ja) | 2012-03-29 |
JP5607470B2 true JP5607470B2 (ja) | 2014-10-15 |
Family
ID=46058525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010205959A Active JP5607470B2 (ja) | 2010-09-14 | 2010-09-14 | 基材表面親水化処理方法及び被処理物の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5607470B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5936879B2 (ja) * | 2012-02-29 | 2016-06-22 | 公益財団法人かずさDna研究所 | 培養プレートの抗菌処理方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2976694B2 (ja) * | 1992-04-16 | 1999-11-10 | 日本電気株式会社 | 人工格子膜の製造方法およびその製造装置 |
JP3798071B2 (ja) * | 1996-05-24 | 2006-07-19 | クロリンエンジニアズ株式会社 | 透水濾過膜の親水化方法 |
JPH11172418A (ja) * | 1997-12-12 | 1999-06-29 | Ulvac Corp | 成膜装置 |
JP2000225337A (ja) * | 1999-02-04 | 2000-08-15 | Japan Storage Battery Co Ltd | 紫外線処理方法 |
JP2001004505A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ゲートバルブ,それを備える試料処理装置及び試料処理方法 |
TW490714B (en) * | 1999-12-27 | 2002-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and method for forming a film |
JP2004103442A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Ulvac Japan Ltd | 有機el素子及びその製造方法 |
JP4437045B2 (ja) * | 2004-01-28 | 2010-03-24 | 株式会社アルバック | ポリ尿素膜の表面親水化方法 |
JP5010843B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-08-29 | 株式会社アルバック | 蒸着重合高分子膜被覆体の表面親水化方法 |
JP5135758B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2013-02-06 | 凸版印刷株式会社 | フィルムの表面処理装置 |
EP2177238B1 (en) * | 2008-10-14 | 2016-11-09 | Dentsply IH AB | Medical device with controllably releasable antibacterial agent |
JP2011251228A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Kazusa Dna Kenkyusho | 表面改質処理装置 |
-
2010
- 2010-09-14 JP JP2010205959A patent/JP5607470B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012062504A (ja) | 2012-03-29 |
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