KR20010062438A - 막형성장치 - Google Patents

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KR20010062438A
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coating liquid
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KR1020000076707A
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키타노타카히로
코바야시신지
에사키유키히코
모리카와마사테루
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히가시 데쓰로
동경 엘렉트론 주식회사
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Abstract

본 발명은 막형성장치에 관한 것으로서, 기판 위에 도포액을 도포하고, 해당 기판위에 도포막을 형성하는 막형성장치이며, 상기 기판에 직접 또는 간접적으로 접촉시켜서 적어도 상기 기판의 주변부의 온도를 변경시키는 가열 및/또는 냉각부재를 포함한다. 이것에 의해서 기판의 외연부의 온도를 변경시켜 줌으로써, 기판 위에 도포되는 도포액의 온도를 변경시킬 수가 있다. 따라서, 기판 위의 도포액의 표면장력이 감소 또는 증가하여, 기판 외연부에 발생하는 도포액의 부풀음이나, 막두께의 저하가 방지된다. 그 결과 기판의 외연부에 있어서도 소정 막두께의 도포막이 형성되어 수율향상을 꾀할 수가 있다.

Description

막형성장치{FILM FORMING UNIT}
본 발명은 기판의 막 형성장치에 관한 것이다.
예를 들면, 반도체 디바이스의 제조프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 웨이퍼 표면에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트도포처리, 웨이퍼에 패턴을 노광하는 노광처리, 노광후의 웨이퍼에 대해서 현상을 하는 현상처리 등이 이루어 지고, 웨이퍼에 소정 회로패턴을 형성한다.
현재, 상기 레지스트 도포처리에 있어서, 레지스트액을 도포하는 방법으로서는, 스핀코팅법이 주류이다. 이 스핀코팅법에 의하면, 웨이퍼의 중심에 레지스트액을 토출하고, 이 웨이퍼를 회전시킨다. 이것에 의해서 웨이퍼상에 도포된 레지트액이 원심력으로 확산하여 웨이퍼 전면에 걸쳐서 균일한 레지스트막이 형성된다.
그러나, 스핀코팅법은 웨이퍼를 고속으로 회전시키기 때문에, 웨이퍼 주연부에서 대량의 레지스트액이 비산하여 레지스트액의 낭비가 많다. 또, 레지스트액의 비산으로 장치가 오염되기 때문에, 빈번하게 세정해야만 하는 등의 폐해가 발생하고 있었다.
여기서, 웨이퍼를 회전시키는 스핀코팅법을 대신해서, 레지스트액을 토출하는 노즐과 웨이퍼를 상대적으로 이동시키면서, 상기 노즐에서 레지스트액을 도포하고, 웨이퍼상에 골고루 점도가 낮은 레지스트액을, 예를 들면 격자상으로 도포하는 방법을 생각할 수 있다.
그렇지만, 이와 같은 이른바 글을 쓰는 듯한 요령으로 레지스트액을 도포하는 방법에 있어서도, 웨이퍼의 주연부에 도포된 레지스트액이 표면장력에 의해 부풀어 오르고, 이 부풀음으로 레지스트막이 균일하게 형성되지 않을 염려가 있다. 이와같이 주연부가 부풀어 오른 상태에서 노광을 하더라고, 이 부풀어 오른 주연부는 제품으로서 이용할 수 없는 결함부가 되고, 그 만큼 수율이 저하한다.
본 발명은 이러한 점에 감안하여 이루어진 것으로서, 기판의 외연부에 있어서도 레지스트막을 비롯한 각종 도막이 소정 두께로 형성되는 기판의 막형성 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 하고 있다.
도 1 은 본 발명의 실시예에 의한 레지스트 도포장치를 가지는 도포현상처리시스템의 외관을 나타내는 평면도이다.
도 2 는 도 1의 도포현상처리시스템의 정면도이다.
도 3 은 도 1의 도포현상처리시스템의 후면도이다.
도 4 는 제 1 실시예에 의한 레지스트 도포장치의 종단면 설명도이다.
도 5 는 제 1 실시예에 의한 레지스트 도포장치의 횡단면 설명도이다.
도 6 은 제 1 실시예에 의한 레지지스 도포장치의 웨이퍼를 가열하는 가열 및/또는 냉각부재의 설명도이다.
도 7 은 웨이퍼 위에 레지스트액을 도포했을 때에 발생하는 웨이퍼 주연부의 부풀음을 나타내는 설명도이다.
도 8 은 가열 및/또는 냉각부재에 의해서 웨이퍼를 가열할 때의 상태를 나타내는 설명도이다.
도 9 는 제 1 실시예에서 레지스트액을 토출하는 노즐의 도포루트를 나타낸 설명도이다.
도 10 은 웨이퍼 주연부를 가열한 경우의 레지스트액 상태를 나타내는 설명도이다.
도 11 은 가열 및/또는 냉각부재의 안쪽에 냉각부재를 설치한 경우의 설명도이다.
도 12 는 냉각부재의 안쪽에 가열부재를 설치한 경우의 설명도이다.
도 13 은 제 2 실시예에 있어서의 레지스트 도포장치의 종단면 설명도이다.
도 14 는 레지스트 도포장치의 마스크부재에 대한 용제를 공급하는 노즐의 위치를 나타낸 설명도이다.
도 15 는 웨이퍼 주연부에 공급되는 용제의 공급범위를 나타낸 설명도이다.
도 16 은 재치대에 가열 및/또는 냉각부재를 구비한 레지스트 도포장치의 종단면 설명도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 도포현상처리 시스템 17 : 레지스트 도포장치
64 : 가열냉각부재 76 : 노즐
80, 81 : 마스크부재 100, 101 : 노즐
W : 웨이퍼
상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 제 1 관점에 의하면, 본 발명은 기판에 도포액을 도포하고, 해당 기판 위에 도포막을 형성하는 막 형성장치로서, 상기 기판에 직접 또는 간접적으로 접촉시켜서, 적어도 상기 기판의 주연부의 온도를 변경시키는 가열 및/또는 냉각부재를 가진다.
또, 본 발명의 제 2 관점에 의하면, 본 발명은 기판에 도포액을 도포하고, 해당 기판 위에 도포막을 형성하는 막 형성장치로서, 적어도 상기 기판의 외연부에 대해서 상기 도포액의 용제 미스트 또는 증기를 공급한는 용제공급장치를 가진다.
상기 가열 및/또는 냉각부재를 기판에 접촉시켜서, 적어도 이 기판의 외연부의 온도를 변경시켜 줌으로써 적어도 상기 기판의 외연부 위에 도포된 도포액의 온도를 변경하기 때문에, 이 도포액의 표면장력이 변화한다. 그 결과, 기판의 외연부에 있어서, 표면장력에 의한 부풀음이나 막두께 저하가 방지되며, 기판의 외연부에서도 소정 막두께의 도포막이 형성된다. 그리고 여기에서 말하는 접촉이란, 기판과 가열 및/또는 냉각부재를 밀착시킨 경우에 한정하지 않고, 가열 및/또는 냉각부재의 열이 기판에 대해서 영향을 미치는 정도까지 근접하고 있는 경우도 포함하는 의미로서 사용하고 있다.
또, 기판의 외연부에 용제 미스트 또는 증기를 공급함으로써, 기판의 외연부에 도포된 도포액의 표면장력을 감소시킬 수가 있다. 따라서, 기판의 외연부에 있어서, 표면장력에 의한 도포액의 부풀음을 억제할 수가 있다.
상기 기판과 상대적으로 이동하고, 상기 기판에 도포액을 토출하는 도포액 토출부를 더 구비하고, 이 도포액 토출부를 상기 기판의 표면에 도포액을 토출하면서 상기 기판에 대해서 상대적으로 이동이 가능하게 하면 더욱 바람직하다.
상기 가열 및/또는 냉각부재는 상기 가열 및/또는 냉각부재를 소정 온도로 조절하는 온도 변경체를 구비하는 것이 좋다. 여기에서 말하는 온도 변경체는, 상기 가열 및/또는 냉각부재가 가열기능만을 가지고 있는 경우에는, 적어도 온도상승기능을 가지고 있으면 좋고, 상기 가열/또는 냉각부재가 냉각 기능만을 가지고 있는 경우에는, 적어도 온도하강 기능을 가지고 있으면 좋다.
상기 가열 및/또는 냉각부재는 기판을 재치하는 재치대에 설치되어 있어도 좋다. 상기 가열 및/또는 냉각부재는 상기 기판의 외연부의 형상에 대해서 환상으로 형성되어 상기 기판의 아래 면에 접촉이 가능하도록 해도 좋다. 여기에서 말하는 환상은, 기판의 외연부에 대응하는 것이므로, 기판이 방형인 경우는 상기 가열 및/또는 냉각부재의 외형은 사각형이고, 기판이 원형인 경우는 그 외형은 원형이다. 상기 가열 및/또는 냉각부재는 상하로 자유롭게 이동이 가능하게 해도 좋다. 상하 이동이 자유롭도록 하는 것에 의해서, 기판의 외연부 온도를 변경시키는 타이밍이나 기판의 온도제어를 할 수가 있다.
상기 가열 및/또는 냉각부재는 구획된 영역별로 상기 온도변경체를 구비하고, 이 영역별로 온도를 조절 가능하게 구성되어 있으면, 영역별로 서로 다른 온도를 설정하고, 그 온도를 조절할 수 있도록 된다. 따라서, 기판의 외연부에 발생하는 도포액의 변화 정도가 영역에 따라서 서로 다른 경우에도 대응할 수 있다.
또, 상기 가열 및/또는 냉각부재의 안쪽에, 상기 기판의 온도를 낮추는 냉각부재를 설치하는 것이 가능하고, 또 상기 냉각부재의 안쪽에 상기 기판을 가열하는 가열부재를 더 설치하는 것도 가능하다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시예에 의한 레지스트 도포장치를 가지는 도포현상처리 시스템 1의 평면도이고, 도 2는 도포현상처리 시스템 1의 정면도이고, 도 3은 도포현상처리 시스템 1의 후면도이다.
도포현상처리 시스템 1은, 도 1과 같이, 예를들면, 25매의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 외부에서 도포현상처리 시스템 1에 대해서 반입출하거나, 카세트(C)에 대해서 웨이퍼(W)를 반입출 하거나 하는 카세트 스테이젼(2)와, 도포현상처리공정 가운데 매엽식으로 소정 처리를 가하는 각종 처리장치를 다단 배치하여 이루어지는 처리 스테이션(3)과, 이 처리스테이션(3)에 인접하여 설치되어 있는 도시하지 않은 노광장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고 받는 인터페이스부(4)를 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.
카세트 스테이션(2)에서는 재치부가 되는 카세트 재치부(5) 위의 소정위치에 복수의 카세트 C를 X방향(도 1에서 상항방향)으로 일렬로 재치가 자유롭게 되어있다. 그리고, 이 카세트 배열방향(X방향)과 카세트 C에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열방향(Z방향: 연직방향)에 대해서 이송가능한 웨이퍼 반송체(7)이 반송로(8)를따라서 이동이 자유롭게 설치되어 있고, 각 카세트 C에 대해서 선택적으로 억세스할 수 있도록 되어 있다.
웨이퍼 반송체(7)은 웨이퍼(W)의 위치맞춤을 하는 얼라인먼트 기능을 구비하고 있다. 이 웨이퍼 반송체(7)은 후술하는 바와 같이 처리 스테이션(3)측의 제 3 처리장치군(G3)에 속하는 익스텐션장치(32)에 대해서도 억세스할 수 있도록 구성되어 있다.
처리스테이션(3)에서는 그 중심부에 주반송장치(13)가 설치되어 있고, 이 주반송장치(13)의 주변에는 각종 처리장치가 다단으로 배치되어 처리장치군을 구성하고 있다. 이 도포현상처리 시스템 1에는 4개의 처리장치군 (G1),(G2),(G3),(G4)이 배치되어 있고, 제 1 및 제 2 처리장치군 (G1), (G2)는 현상처리 시스템 1의 정면측에 배치되며, 제 3 처리장치군(G3)는 카세트스테이션(2)에 인접하여 배치되고, 제 4 처리장치군(G4)는 인터페이스부(4)에 인접하여 배치되어 있다. 또한 옵션으로서 파선으로 나타낸 제 5 처리장치군(G5)를 뒤쪽에 별도 배치가 가능하게 되어 있다.
제1 처리장치군(G1)에서는 도 2와 같이, 본 실시예에 의한 레지스트 도포장치(17)와, 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 처리하는 현상처리장치(18)가 아래에서 차례로 2단으로 배치되어 있다. 제 2 처리장치군(G2)의 경우도 마찬가지로, 레지스트 도포장치(19)와, 현상처리장치(20)가 아래에서 차례로 2단으로 겹쳐 쌓여져 있다.
제 3 처리장치군(G3)에서는, 예를 들면 도 3과 같이, 웨이퍼(W)를 냉각처리하는 냉각장치(30), 레지스트액과 웨이퍼(W)와의 정착성을 높이기 위한 액처리를 수행하는 애드히젼장치(31), 웨이퍼(W)를 대기시키는 익스텐션장치(32), 레지스트액 가운데 용제를 가열하여 건조시키는 프리베이이킹 장치(33),(34) 및 레지스트액 가운데 용제를 감압하여 건조시키는 감압건조장치(35),(36) 등이 아래에서 차례로, 예를 들면 7단으로 중첩하여 쌓여져 있다.
제 4 처리장치군(G4)에서는 예를 들면 냉각장치(40), 재치한 웨이퍼(W)를 자연 냉각시키는 익스텐션 냉각장치(41), 익스텐션장치(42), 냉각장치(43), 노광처리후 가열 처리를 하는 포스트익스포우져베이킹 장치(44),(45), 포스트베이킹장치 (46),(47)등이 아래에서 차례로, 예를들면 8단으로 중첩하여 쌓여져 있다.
인터페이스부(4)의 중앙부에는 웨이퍼 반송체(5)가 설치되어 있다. 이 웨이퍼 반송체(5)는 X방향(도 1에서 상하방향), Z방향(수직방향)의 이동과 θ방향(Z축을 중심으로 하는 회전방향)의 회전을 자유롭게 할 수 있도록 구성되어 있고, 제 4 처리장치군(G4)에 속하는 익스텐션 냉각장치(41), 익스텐션 장치(42), 주변노광장치(51) 및 도시하지 않은 노광장치에 대해서 억세스할 수 있도록 구성되어 있다.
상술한 레지스트 도포장치(17)의 구조에 대해서 상세하게 설명한다. 우선, 도 4, 도 5에 나타낸 바와 같이, 케이싱(60) 내에는, 처리중의 웨이퍼(W)를 흡착하여 지지하는 재치대(61)가 설치되어 있다. 이 재치대(61)의 아래 쪽에는 재치대 (61)의 구동기구(62)가 설치되어 있다. 이 구동기구(62)에는 재치대(61)를 상하 방향과 회전방향으로 이동이 자유롭게 하는 모터 등이 내장되어 있다. 따라서, 이 구동기구(62)에 의해서 재치대(61) 위의 웨이퍼(W)를 반입출시에 승강시키거나 얼라인먼트를 할 때에 회전시키거나 하는 것이 가능하다.
도 5와 같이, 구동기구(62) 자체도, X방향(도 5에서 상하방향)으로 배치된 레일(63) 위에 설치되어 있고, 주제어장치(65)에 의해 제어되는 도시하지 않은 구동장치에 의해 X방향으로 이동이 자유롭게 되어 있다. 그러므로 이 구동기구(62)의 움직임에 따라서, 재치대(61) 더 나아가서는 재치대(61) 위의 웨이퍼(W)가 X방향으로 이동한다. 따라서, 주제어장치(65)에 의해 구동기구(62) 자체가 X방향으로 이동하는 동작을 제어하는 것에 의해서, 웨이퍼(W)가 X방향으로 이동하는 움직임이 정밀하게 제어된다.
재치대(61)을 에워 싸도록 하고, 웨이퍼(W)의 주연부를 아래 쪽에서 가열 및/또는 냉각하는 가열 및/또는 냉각부재(64)가 장착되어 있다. 이 가열 및/또는 냉각부재(64)의 형상은, 웨이퍼(W)의 주연부 형상에 대응하여 링형상으로 형성되어 있고, 웨이퍼(W)의 주연부의 아래 쪽에 위치하도록 설치되어 있다.
이 가열 및/또는 냉각부재(64)는 도 6과 같이, 각 형상이 예를 들면, 원호상이 되도록 4개의 영역(64a),(64b),(64c),(64d)로 구획되어 있다. 이 가열 및/또는 냉각부재(64)에는 가열 및/또는 냉각부재(64)의 열,냉원이 되는 온도 변경체로서의 펠티에소자(66a),(66b),(66c),(66d)가 각 영역별로 개별적으로 내장되어 있다. 이들 펠티에소자(66a),(66b),(66c),(66d)는, 온도제어장치(70)에 의해 그 온도를 각 영역별로 제어되고 있다. 따라서, 가열 및/또는 냉각부재(64)의 온도는, 온도제어장치(70)에서 설정된 온도, 예를 들면 영역(64a)는 26℃, 영역(64b),(64c)은 24℃, 영역(64d)는 22℃로 유지하는 것이 가능하다.
가열 및/또는 냉각부재(64)의 아래 쪽에서, 구동기구(62) 위에는, 이 가열 및/또는 냉각부재(64)를 상하로 구동하기 위한 가열 및/또는 냉각부재구동장치(71)이 설치되어 있다. 이것에 의해 가열 및/또는 냉각부재(64)는, 이동이 자유롭게 되어 있고, 소정 타이밍으로 상승하여 웨이퍼(W) 주연부에 접촉하고, 웨이퍼(W)를 가열 혹은 냉각할 수 있도록 되어 있다.
또한, 가열 및/또는 냉각부재(64)의 상면에는 인접부재(abutting memeber)로서의 프락시머티핀(73)이, 예를 들면 0.1 mm의 높이로 장착되어 있다. 그리고, 이 프락시머티핀(73)에 의해, 웨이퍼(W)와 가열 및/또는 냉각부재(64)가 직접 밀착하는 것이 방지되고, 가열 및/또는 냉각부재(64)의 복사열에 의해 웨이퍼(W)는 가열된다.
재치대(61)에는 재치대(61)의 옆쪽과 아래 쪽을 포위하여, 웨이퍼(W)에서 낙하한 레지스트액을 회수하는 컵(75)가 장착되어 있다.
도 4와 같이, 재치대(61)의 위쪽에는, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 공급하는 도포액 토출부로서의 노즐(76)이 설치되어 있다. 이 노즐(76)은, 지지부재(77)에 의해서 지지되고 있고, 이 지지부재(77)은 Y방향(도 4에서 좌우방향)으로 배치된 레일(78) 위를 이동이 가능하다. 또, 레일(78)은 케이싱(60)의 양쪽 벽을 따라서 X방향으로 배치된 2개의 레일(79) 위를 이동이 자유롭게 설치되어 있다. 그리고, 이 레일(78)과 지지부재(77)는 도시하지 않은 구동장치에 의해 구동되며, 그 동작은 주제어장치(65)에 의해, 그 속도, 동작타이밍 등이 제어되고, X, Y방향으로 이동이 가능하다. 따라서, 노즐(76)과 재치대(61) 위의 웨이퍼(W)는 상대적으로 이동할 수가 있어서, 이른바 글을 쓰는 듯한 요령으로 레지스트액을 웨이퍼(W) 위에 도포하는 것이 가능해진다.
상기 레일(78)에는, 레지스트액의 웨이퍼(W) 바깥으로의 낙하를 방지하는 2개의 마스크부재(80),(81)이 상기 노즐(76)을 사이에 두고 각각 이동이 자유롭게 매달려 있다. 이 2개의 마스크부재(80),(81)은, 레일(78)에서 아래 쪽으로 뻗어 있고, 재치대(61)에 재치되는 웨이퍼(W) 보다도 위쪽의 위치에서 상호 마주 향하도록 하여 안쪽으로 휘어지고, 수평부(80a),(81a)를 가지고 있다. 이 수평부(80a),(81a)는 낙하한 레지스트액을 받아내고, 그 레지스트액이 주위로 비산하지 않도록 단면이 오목한 형상의 받침접시로 형성되어 있다.
2개의 마스크부재(80),(81)은, 웨이퍼(W)를 재치한 재치대(61)의 X방향으로의 이동에 따라서, 각각이 항상 웨이퍼(W)의 양단부 위에 위치하도록 레일(78) 위를 이동제어되고 있다. 따라서, 마스크부재 (80)과 (81)은 노즐(76)과 동일 X좌표에서 웨이퍼(W)의 양단부 위에 위치하고, 이동하면서 토출동작을 계속하는 노즐(76)로부터 웨이퍼(W)의 외부로 토출된 레지스트액을 상기 수평부(80a),(81a)에서 차단하여 받아 내어, 케이싱(60) 내의 오염을 방지하고 있다.
이상과 같이 구성되어 있는 레지스트 도포장치(17)의 작용에 대해서, 도포현상처리 시스템 1에서 행해지는 포토리소그래피 공정의 프로세스와 함께 설명한다.
우선, 웨이퍼 반송체(7)이 카세트 C에서 미처리 웨이퍼(W)를 1매 꺼내고, 제 3 처리장치군(G3)에 속하는 애드히젼장치(31)에 반입한다. 그리고, 여기서 레지스트액의 밀착성을 높이는 HMDS 등의 밀착강화제가 도포된 웨이퍼(W)는, 주반송 장치(13)에 의해서 냉각장치(30)에 반송되고, 소정 온도로 냉각된다. 이후, 웨이퍼(W)는 본 실시예에 의한 레지스트 도포장치(17) 또는 (19)에 반송된다.
이상에서 설명한 레지스트 도포장치(17)의 구조에서, 노즐(76)과 웨이퍼(W)를 상대적으로 이동시키면서, 노즐(76)에서 웨이퍼(W) 위에 레지스트액을 도포하는 이른바 글을 쓰는 요령으로 레지스트액을 도포하는 것이 가능해진다.
발명자의 식견에 의하면, 이른바 글을 쓰는 요령으로 레지스트액을 도포한 경우는, 아무런 조치도 취하지 않으면, 웨이퍼(W) 주연부에 레지스트액의 부풀음 현상이 발생한다. 그리고, 도 7과 같이, 보다 먼저 도포된 부분의 상기 부풀음 현상은 크고, 보다 나중에 도포된 부분의 부풀음 현상은 점차 작아진다고 생각되어 진다. 그리고 마지막으로 도포된 부분은, 경우에 따라서는 부풀음 현상이 완전하게 없어지고 막두께가 저하한다. 따라서, 원래라면, 웨이퍼(W) 주연부 부분 (Wa), (Wb) 또는 (Wc), (Wd)의 순으로 그 레지스트액의 막두께가 두꺼워 진다고 생각할 수 있다.
여기서, 레지스트액 도포처리가 개시되기 전에, 온도제어장치(70)에 웨이퍼(W)의 각 부분 (Wa), (Wb) 또는 (Wc), (Wd)에 대응하는 가열 및/또는 냉각부재(64)의 각 영역(64a),(64b),(64c),(64d)의 설정온도를 도포되는 순서대로 점차 낮아 지도록 설정한다. 본 실시예에서는 영역(64a)를 26℃, 영역(64b)와 영역(64c)를 24℃, 영역(64d)를 22℃로 설정한다. 그리고 미리 가열 및/또는 냉각부재(64)의 각 영역(64a),(64b),(64c),(64d)를 펠티에소자(66a),(66b),(66c),(66d)에 의해서 각 설정온도로 가열과 냉각해 둔다. 또한, 케이싱(60) 내를 레지스트액의 도포처리온도인 23℃가 되도록, 도포현상처리 시스템 1 자체에서 제어되고 있다.
그리고, 전처리가 종료한 웨이퍼(W)가 주반송장치(13)에 의해서 레지스트도포장치(17) 내로 반입된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 구동기구(62)에 의해 미리 상승하여 대기하고 있던 재치대(61)에 흡착지지되고, 구동기구(62)에 의해 하강하여, 컵(75) 내의 소정위치에서 정지한다. 이후, 구동기구(62)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키고, 도시하지 않은 광학센서에 의해 웨이퍼(W)의 노치부나 오리엔테이션 플랜트부를 검출하고, 웨이퍼(W)를 소정위치로 얼라인먼트한다.
다음으로, 도 8과 같이, 가열 및/또는 냉각부재 구동기구(71)에 의해, 가열 및/또는 냉각부재(64)가 상승하고, 프락시머티핀(73)이 웨이퍼(W) 주연부의 아래 면에 접촉한다. 그리고, 가열 및/또는 냉각부재(64)의 복사열에 의해서 웨이퍼(W) 주변부가 온도변경되어 가열 및/또는 냉각되고, 가열 및/또는 냉각부재(64)의 각 영역(64a),(64b),(64c),(64d)에 대응한 웨이퍼(W)의 각 부분 (Wa),(Wb),(Wc),(Wd)가 각각의 온도(차례로, 26℃, 24℃, 24℃, 22℃)로 가열 및 냉각된다.
이후, 얼라인먼트가 종료한 웨이퍼(W)는, 주제어장치(65)에 의해 레일(63) 위를 소정위치까지 이동하여 대기한다. 한편, 레지스트액을 토출하는 노즐(76)은 통상 레일(78)을 따라서 Y방향으로만 이동하며, 도 9에 나타낸 바와 같이 스타트 지점에서 대기하고 있다.
이후, 웨이퍼(W)에 비교적 점성이 낮은 레지스트액의 토출이 개시된다. 우선, 노즐(76)이 웨이퍼(W) 위에 일정량의 레지스트액(예를들면, 토출액이 직경 10 ∼ 20 ㎛ 이 되는 양)을 도포하면서 Y방향으로 뻗어 있는 레일(68)을 따라서 소정속도로 이동한다. 그리고, 노즐(76)이 웨이퍼(W)의 주연부를 횡단하여 마스크부재(8) 위에 도달한 시점에서 노즐(76)은 일단 정지한다. 이 상태에서 주제어장치(65)에 의해 웨이퍼(W)가, 구동기구(62) 자체의 이동에 의해서 X방향으로 보내져 웨이퍼(W)를 소정거리 떨어 뜨린다. 이때, 마스크부재(80)은 이 수평부(80a) 앞 끝이 항상 웨이퍼(W)의 단부보다 조금 안쪽의 웨이퍼 W 위에 위치하도록 Y방향으로 이동된다. 그리고 노즐(76)을 재차 역방향으로 이동시키면서 레지스트액을 토출한다.
그리고, 재차 노즐(76)이 웨이퍼(W)의 주연부를 가로질러, 마스크부재(81) 위에 도달한 시점에서 노즐(76)은 일단 정지한다. 이 상태에서 주제어장치(65)에 의해 웨이퍼(W)가 다시 X방향으로 보내지고, 웨이퍼(W)를 소정거리 떨어 뜨린다. 이때, 마스크부재(81)은 이 수평부(81a) 앞 끝이 항상 웨이퍼(W)의 단부보다 조금 안쪽의 웨이퍼(W) 위에 위치하도록 Y방향으로 이동된다. 그리고 노즐(76)을 재차 역방향으로 이동시키면서 레지스트액을 토출한다.
이상과 같이 노즐(76)을 왕복운동시키면서 반환단부에서 일단 정지시키고, 그 사이에 웨이퍼(W)를 간헐적으로 X방향으로 이동시키는 것에 의해, 도 9에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W) 전면에 레지스트액이 도포된다.
이때, 웨이퍼(W) 주연부에 도포된 레지스트액은, 웨이퍼(W)의 각 부분 (Wa),(Wb),(Wc),(Wd)의 각 온도로 가열 및 냉각된다. 그리고 도 10에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 각 부분의 가열온도에 따라서 레지스트액의 표면장력이 감소하여, 레지스트액이 웨이퍼(W) 전면에 걸쳐서 균일한 두께가 된다.
이후, 레지스트액의 도포가 종료한 웨이퍼(W)는 반입시와 마찬가지로, 구동기구(62)에 의해 상승되어 주반송장치(13)에 넘겨진다. 이어서 주반송장치(13)에 의해, 감압건조장치(35) 또는 (36) 혹은 프리베이킹장치(33) 또는 (34)에 반송되어 건조된다. 이후, 각 처리장치에서 노광처리, 현상처리 등의 일련의 소정처리가 이루어지고 도포현상처리가 종료한다.
이상의 실시예에 의하면, 가열 및/또는 냉각부재(64)를 설치하고 레지스트액 도포 전에 웨이퍼(W)의 주연부 온도를 소정온도로 변화시켜 줌으로써, 이후 도포된 레지스트액의 온도를 변화시킬 수가 있다. 그 결과, 웨이퍼(W) 주연부에 도포된 레지스트액의 표면장력을 감소 또는 증가시킬 수가 있기 때문에, 상술한 바와 같은 이른바 글을 쓰는 듯한 요령으로 레지스트액을 도포한 경우에 염려되는 웨이퍼(W) 주연부의 레지스트액의 부풀음 현상, 또는 막두께 저하가 방지된다.
또, 본 실시예에서는 웨이퍼(W) 주연부에서 보다 빨리 도포되는 부분 (Wa)의 온도를 비교적 높은 온도(예를들면 26℃)로 설정하고, 보다 나중에 도포되는 부분(Wd)의 온도를 비교적 낮은 온도(예를들면 22℃)로 설정했다. 이것은 상술한 바와 같이 발명자의 식견에서, 보다 먼저 도포한 부분에 발생하는 레지스트액의 부풀어 오르는 쪽이, 보다 나중에 도포한 부분에 발생하는 것보다도 크기 때문이다. 따라서 먼저 도포되는 도포액의 온도를 보다 높게 해 줌으로써, 표면장력을 작게하고, 한편, 나중에 도포되는 도포액의온도를 낮게 해줌으로써, 표면장력을 증가시키고, 다른 부분과의 균형을 꾀하여 웨이퍼(W) 전면에 소정레지스트막이 형성된다.
따라서, 필요가 없는 경우에는, 상술한 바와 같이 가열 및/또는냉각부재(64)를 구획하지 않은 가열 및/또는 냉각부재를 이용해도 좋은데, 이경우에도 마찬가지로 전술한 웨이퍼(W) 주연부의 레지스트액의 부풀음 등을 방지할 수 있다.
또, 도 11에 도시한 바와 같이, 상기 가열 및/또는 냉각부재(64)의 안쪽에 링형상의 냉각부재(90)을 설치해도 좋다. 이 냉각부재(90)에는 예를 들면, 냉각체로서 펠티에소자를 내장하고, 온도제어장치(70)에 의해서 그 온도를 제어한다. 이때 설정온도는 예를 들면, 상술한 실시예에서는 22℃로 하여, 그 외주에 장착되어 있는 가열 및/또는 냉각부재(64)보다도 낮은 온도로 한다. 이렇게 함으로써 가열 및/또는 냉각부재(64)로 가열된 웨이퍼(W)의 열이 외측으로 전도되어, 웨이퍼(W) 주연부 이외의 부분까지 온도가 변화해 버리는 것을 방지한다.
또한, 도 12에 도시한 바와 같이, 그 냉각부재(90)의 안쪽에 링형상의 가열부재(95)를 설치해도 좋다. 이 가열부재(95)는 웨이퍼(W)의 도포처리되는 온도, 예를 들면, 23℃로 설정해 두고, 웨이퍼(W)가 상술한 가열 및/또는 냉각부재(64)와 냉각부재(90)의 열 영향을 받지 않도록, 웨이퍼(W)를 적극적으로 일정한 온도로 유지시킨다. 이렇게 함으로써, 웨이퍼(W)의 도포처리가 적당하게 이루어 지고, 소정 레지스트막이 형성된다.
또, 상술한 가열 및/또는 냉각부재(64)는 온도제어가 용이한 발열흡열부재를 열원으로 하고 있지만, 예를 들면, 가열 및/또는 냉각부재 가운데 튜브를 통해서, 거기에 온도조절된 온수나 증기 등을 흘려보내도 좋다.
다음에, 제 2 실시예로서 웨이퍼(W) 주연부에 용제 미스트 또는 증기를 공급하고, 상술한 웨이퍼(W) 주연부에 발생하는 레지스트액의 부풀음 현상을 방지하는 기능을 구비한 레지스트 도포장치(17)에 대해서 설명한다.
도 13에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W) 주연부에 레지스트액의 용제 미스트를 공급하는 용제공급수단으로서의 노즐(100),(101)이 각각 마스크부재의 수평부(80a),(81a)의 아래 면에 고정하여 장착되어진다. 이 노즐(100),(101)은, 도시하지 않은 미스트 공급탱크에 연결되어 있고, 소정의 타이밍으로 웨이퍼(W) 위에 미스트를 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 또, 노즐(100),(101)은, 도 14에 도시한 바와 같이, 마스크부재(80),(81)이 이동하는 방향(X방향)으로 약간 비켜서 설치되어 있다. 이렇게 함으로써, 레지스트액이 도포되기 직전의 웨이퍼(W) 주연부에 용제를 공급할 수가 있다. 또, 상술한 바와 같이 마스크부재(80),(81)의 선단부는, 항상 웨이퍼(W)의 단부보다도 안쪽에 위치하도록 제어되고 있기 때문에, 노즐(100) ,(101)를 마스크부재(80),(81)의 선단부의 아래면에 설치하면, 항상 웨이퍼(W) 주연부에 용제를 공급할 수가 있다.
제 1 실시예와 동일하게 한 다음 동작시키면, 도 15에 도시한 바와 같이 노즐(76)이 레지스트액을 토출하면서 웨이퍼(W) 위를 Y방향으로 이동할 때에, 노즐(76)이 웨이퍼(W) 중앙부근에 위치하고 있을 때에 노즐(100),(101)에서 웨이퍼(W) 주연부에 대해서 미스트가 공급된다(도 15의 사선부). 그 결과, 노즐(76)이 반환단부까지 도달하고, X방향으로 비켜서고, 다음에 도포되는 루트 위의 양단의 웨이퍼 주연부에 미스트가 공급된다. 따라서, 항상 웨이퍼(W) 위에 레지스트액이 도포되기 직전에 웨이퍼(W) 주연부에는 미스트가 공급된다.
이상의 제 2 실시예에 의하면, 레지스트액 도포전에 웨이퍼(W) 주연부에 용제 미스트를 공급하는 것에 의해, 이후, 웨이퍼(W) 주연부에 도포된 레지스트액의 표면장력이 감소하고, 점도가 낮은 레지스트액을 이용한 경우에 염려되는 웨이퍼(W) 주연부의 레지스트액의 부풀음 현상이 방지된다. 또, 레지스트액 도포전에 미스트를 공급하는 것에 의해, 미스트가 기화되기 전에 레지스트액을 공급할 수가 있다.
상기 실시예에서는, 노즐(100),(101)을 마스크부재(80),(81)에 고정하여 설치했지만, 노즐(76)에 고정하여 설치해도 좋은데, 예를 들면, 레일(78)에 독립하여매달아 설치해도 좋다.
상술한 실시예에서는 제 1 실시예에 있어서의 가열 및/또는 냉각부재(64)와 제 2 실시예에 있어서의 노즐(100),(101)을 어느쪽인가 한쪽만을 설치했지만, 둘 다 장착해도 좋다. 가열 및/또는 냉각부재(64)와 노즐(100),(101)을 둘다 장착하는 것에 의해, 웨이퍼(W) 주연부를 가열하여, 레지스트액의 온도를 상승시켜서 표면장력을 감소시키는 기능과 웨이퍼(W) 주연부에 직접용제를 도포하여, 이후 도포될 레지스트액의 표면장력을 감소시키는 기능을 함께 구비할 수가 있어서, 보다 효과적으로 전술한 웨이퍼(W) 주연부에 발생하는 레지스트액의 부풀음 현상을 방지할 수 있다.
또, 지금까지의 실시예에서는 레지스트액을 공급하는 노즐(76)과 웨이퍼(W)를 상대적으로 이동시키면서 도포하는 이른바 글을 쓰는 방식에 대해서 설명하였지만, 기타 도포방법, 예를들면, 웨이퍼(W)를 회전시켜서 레지스트액을 도포하는 이른바 스핀코팅방법 등에도 응용할 수 있다.
또, 도 16에 나타낸 바와 같이, 재치대(61)의 아래면에, 가열 및/또한 냉각부재(61a)를 직접 장착해도 좋다. 이 경우, 가열 및/또는 냉각부재(61a)에 의해서 미리 재치대(61a)의 온도를 10℃에서 15℃ 정도로 냉각해 둔다. 이것에 의해서 재치대(61a) 위의 웨이퍼(W)도 냉각된다. 그리고 노즐(76)에서 웨이퍼(W) 위로 토출된 레지스트액은, 점도가 저하한다. 따라서, 웨이퍼(W) 위에 토출된 레지스트액은 필요이상으로 주위에 곧바로 확산되는 일은 없다. 이것에 의해서 글을 쓰는 요령으로 도포된 레지스트액의 줄기가 옆으로 확대되어 부분적으로 2회 도포되는 사태를 방지할 수 있다.
앞에서 설명한 실시예는, 반도체 웨이퍼 디바이스제조 프로세스의 포토리소그래피 공정에서의 웨이퍼의 레지스트 막 형성장치에 대한 것이었지만, 본 발명은 반도체 웨이퍼 이외의 기판 예를들면, LCD기판의 막형성장치에 있어서도 응용가능하다.
본 발명에 의하면, 기판의 외연부의 온도를 변경시키는 것에 의해, 그 기판위에 도포될 도포액의 온도를 변경시킬 수가 있다. 따라서, 도포액의 표면장력이 감소 또는 증가하고, 기판 외연부에 발생하는 도포액의 부풀음 또는 막두께 저하가 방지되어, 기판의 외연부에 있어서도 소정 막두께의 도포막이 형성되어 수율의 향상을 도모할 수 있다. 가열 및/또는 냉각부재의 형상을 기판의 외연부의 형상으로대응시켜서 형성하는 것에 의해, 표면장력에 의한 막두께 변화가 염려되는 기판의외연부 온도만을 변경시킬 수가 있기 때문에, 다른 부분의 도포액에 열에 의한 영향을 주지 않고, 소정 온도에서 도포막이 형성된다.
본 발명에 의하면, 기판의 외연부 온도를 변경시키는 타이밍을 조절할 수가 있기 때문에 가열시간을 조절할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판의 외연부에 발생하는 도포액의 부풀음 정도가 기판외연부의 영역에 따라서 서로 다른 경우에 있어서도, 각 영역별로 온도를 조절하여 표면장력을 변경시킬 수가 있다. 기판의 외연부를 가열하는 가열 및/또는 냉각부재를 원호상으로 구획하는 것에 의해, 도포되는 영역의 순서에 따라서 점차 온도를 높게 해 나갈 수가 있기 때문에, 기판 외연부의 전부분에 걸쳐서 소정의 도포막이형성되어 수율의 향상을 도모할 수 있다. 가열 및/또는 냉각부재의 열이 기판 중심방향으로 전도되는 것도 방지된다.
기판의 외연부에 용제 미스트 또는 증기를 공급하여, 기판의 외연부에 도포된 도포액의 표면장력을 감소시키면, 기판의 외연부에서, 그 발생이 염려되는 표면장력에 의한 도포액의 부풀음 현상이 방지된다.

Claims (14)

  1. 기판에 도포액을 도포하고, 해당 기판 위에 도포막을 형성하는 막형성장치에서,
    상기 기판에 직접 또는 간접적으로 접촉시켜서, 적어도 상기 기판의 주변부의 온도를 변경시키는 가열 및/또는 냉각부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 막형성장치.
  2. 청구항 1항에 있어서,
    상기 기판과 상대적으로 이동하고, 상기 기판에 도포액을 토출하는 도포액 토출부를 더 포함하고,
    상기 도포액토출부는 상기 기판의 표면에 도포액을 토출하면서 상기 기판에 대해서 상대적으로 이동이 가능한 것을 특징으로 하는 기판의 막형성장치.
  3. 청구항 1항에 있어서,
    상기 가열 및/또는 냉각부재는, 상기 가열 및/또는 냉각부재를 소정의 온도로 조절하는 온도변경체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 막형성장치.
  4. 청구항 1항에 있어서,
    상기 가열 및/또는 냉각부재는, 기판을 재치하는 재치대에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 막형성장치.
  5. 청구항 2항에 있어서,
    상기 가열 및/또는 냉각부재는, 상기 기판의 외연부의 기판을 외연부의 형상에 대응하여 환상(環狀)으로 형성되고, 상기 기판의 아래 면에 접촉이 가능한 것을 특징으로 하는 기판의 막형성장치.
  6. 청구항 5항에 있어서,
    상기 가열 및/또는 냉각부재는, 상하로 이동이 자유로운 것을 특징으로 하는 기판의 막형성장치.
  7. 청구항 5항에 있어서,
    상기 가열 및/또는 냉각부재 위는, 상기 가열 및/또는 냉각부재가 상기 기판과 접촉할 때에, 양자 사이에 개재되는 접촉부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 막형성장치.
  8. 청구항 5항에 있어서,
    상기 가열 및/또는 냉각부재는, 구획된 영역별로 상기 온도변경체를 가지고, 이 영역별로 온도를 조절 가능하게 구성되어 있는 것을 특징을 하는 기판의 막형성장치.
  9. 청구항 4항에 있어서,
    상기 가열 및/또는 냉각부재의 안쪽에, 상기 기판의 온도를 낮추는 냉각부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 막형성장치.
  10. 청구항 8항에 있어서,
    상기 가열 및/또는 냉각부재는, 평면에서 보아 원형의 형상이고, 원호상으로 구획된 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 기판의 막형성장치.
  11. 청구항 9항에 있어서,
    상기 냉각부재의 안쪽에 상기 기판을 가열하는 가열부재가 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 막형성장치.
  12. 기판에 도포액을 도포하고, 해당 기판위에 도포막을 형성하는 막형성장치에서,
    적어도 상기 기판의 외연부에 대해서 상기 도포액의 용제 미스트 또는 증기를 공급하는 용제공급장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 막형성장치.
  13. 청구항 12항에 있어서,
    상기 기판의 외연부 위쪽에는, 상기 기판에 도포될 도포액이 기판 바깥으로도포되는 것을 방지하는 마스부재가 설치되고,
    상기 용제공급장치는 상기 마스크부재에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 막형성장치.
  14. 청구항 12항에 있어서,
    상기 기판과 상대적으로 이동하고, 상기 기판에 도포액을 토출하는 도포액 토출부를 가지고,
    상기 도포액토출부는, 상기 기판의 표면에 도포액을 토출하면서 상기 기판에 대해서 상대적으로 이동이 가능한 것을 특징으로 하는 기판의 막형성장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3985545B2 (ja) * 2002-02-22 2007-10-03 セイコーエプソン株式会社 薄膜形成装置と薄膜形成方法、液晶装置の製造装置と液晶装置の製造方法と液晶装置、及び薄膜構造体の製造装置と薄膜構造体の製造方法と薄膜構造体、及び電子機器
US6992014B2 (en) * 2002-11-13 2006-01-31 International Business Machines Corporation Method and apparatus for etch rate uniformity control
CN100358032C (zh) * 2003-01-14 2007-12-26 皇家飞利浦电子股份有限公司 制造光学数据存储介质的方法、光学数据存储介质和执行所述方法的设备
US7699021B2 (en) * 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US20060182535A1 (en) * 2004-12-22 2006-08-17 Mike Rice Cartesian robot design
US7651306B2 (en) * 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) * 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7687277B2 (en) * 2004-12-22 2010-03-30 Eastman Kodak Company Thermally controlled fluidic self-assembly
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7255747B2 (en) * 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US20060241813A1 (en) * 2005-04-22 2006-10-26 Applied Materials, Inc. Optimized cluster tool transfer process and collision avoidance design
US7845868B1 (en) * 2009-09-09 2010-12-07 Nanya Technology Corporation Apparatus for semiconductor manufacturing process
US9589818B2 (en) * 2012-12-20 2017-03-07 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and liquid control ring for use in same
JP6792368B2 (ja) * 2016-07-25 2020-11-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置、基板処理装置および熱処理方法
JP2021044335A (ja) * 2019-09-10 2021-03-18 キオクシア株式会社 基板処理装置
JP6907280B2 (ja) * 2019-09-12 2021-07-21 中外炉工業株式会社 減圧乾燥装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5456945A (en) * 1988-12-27 1995-10-10 Symetrix Corporation Method and apparatus for material deposition
US5127362A (en) 1989-05-22 1992-07-07 Tokyo Electron Limited Liquid coating device
US5580607A (en) 1991-07-26 1996-12-03 Tokyo Electron Limited Coating apparatus and method
US6033480A (en) * 1994-02-23 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer edge deposition elimination
JPH0992134A (ja) * 1995-09-22 1997-04-04 Dainippon Printing Co Ltd ノズル塗布方法及び装置
JP2954059B2 (ja) * 1997-01-09 1999-09-27 山形日本電気株式会社 エッジリンス機構
TW464944B (en) * 1997-01-16 2001-11-21 Tokyo Electron Ltd Baking apparatus and baking method
KR100271759B1 (ko) * 1997-07-25 2000-12-01 윤종용 포토레지스트코팅장치및방법
TW459266B (en) * 1997-08-27 2001-10-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method
JP4053690B2 (ja) 1998-06-19 2008-02-27 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP3764278B2 (ja) * 1998-07-13 2006-04-05 株式会社東芝 基板加熱装置、基板加熱方法及び基板処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160016774A (ko) * 2013-05-23 2016-02-15 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판을 코팅하기 위한 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
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