TW499697B - Film forming unit - Google Patents

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發明說明（1 ) 本發明係有關於一種基板用之膜形成裝置。 ▲例如在半導體元件之製程中之微影程序中，係進行各 種诸如-用以於晶圓表面塗佈光阻液以形成光阻膜之光阻 塗佈處理、用以於晶圓上曝照圖案之曝光處理、用以對曝 先後之晶圓進行顯影之顯影處理等，以於晶圓上形 之電路圖案。 、设今，於前述光阻塗佈處理中，做為塗佈光阻液之方 法中以旋塗法為其主流。依此旋塗法係用以朝晶圓中心吐 出光阻液並旋轉晶圓者。如此，塗佈至晶圓上之光阻液會 藉著離心力擴散橫越晶圓全面而形成均一之光阻膜。 但是，旋塗法係因須用以高埠旋轉晶Ε，從晶圓周緣 部飛散出大量光阻液，因而浪費極多之光阻液。並且因光 阻液之飛散而污染裝置，而產生必須頻頻清洗裝置之困擾。 在此，取代用以將晶圓旋轉之旋塗法，而考慮採用— 邊將晶圓與吐出光阻液之喷嘴作相對的移動，由前述噴嘴 塗佈光阻液，將遍佈於晶圓上之低黏度光阻液塗佈成諸如 袼子狀之方法。 但是，在如此以所謂的一筆畫之要領塗佈光阻液之方 法中，也使塗佈於晶圓周緣部之光阻液因表面張力而鼓 起，因這鼓起而有無法形成均一光阻液膜之虞。在周緣部 鼓起之狀態下進行曝光，也使周緣部之鼓起部份成為無法 做為成品利用之瑕疵部，使良率也隨之降低。 本發明係有鑑於相關問題而所構建成者，其目的係提 供一種基板用之膜形成裝置，係用以於基板之外緣部也可 499697 A7

五、發明說明（2 ) 經濟部智慧对產局員工消費合作社印製 將以光阻膜為首之各種塗佈膜形成一定膜厚者。 為達成前述目的，依本發明之第1觀點係-種膜形成 裝置’係用以將塗佈液塗佈於基板，以於該基板上形成塗 佈膜者a具有一加熱及/或冷卻構件，該加熱/或冷卻構 件係用以與前述基板作直接或間接的接觸，至少可變更前 述基板周邊部溫度者。 又依本發明之第2觀點係一種膜形成裝置，係用以於 基板塗佈塗佈液，以於該基板上形成塗佈膜者，且具有一 溶劑供給裝置，該溶劑供給裝置係用以至少相對於前述基 板外緣部供給前述塗佈液之溶劑的霧氣或蒸氣者。 將蝻述加熱或冷卻構件接觸基板，可至少變更此基板 外緣部之溫度，造成至少變更塗佈於前述基板外緣部之塗 佈液溫度，而使此塗佈液之表面張力產生變化。其結果， 在基板外緣部可防止因表面張力所產生之鼓起或膜厚減 低，也可於基板外緣部形成一定厚度之塗佈膜。又，在此 所謂接觸係並非局限於將加熱及/或冷卻構件與基板密著 之情形，也可使用於含有接近到加熱及/或冷卻構件之熱對 基板有影響為止之意。 又因供給溶劑之煙霧或蒸氣至基板外緣部之故，可減 低塗佈至基板外緣部之塗佈液之表面張力。因此，在基板 外緣部可抑制因表面張力所導致塗佈液之鼓起^ 又可構成為具有一塗佈液吐出部，係用以對前述基板 作相對移動，朝前述基板吐出塗佈液者，又宜令該塗佈液 吐出部设為可以一邊朝前述基板表面吐出塗佈液，一邊對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） -------------^ —-------^ (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) ^yy〇y / 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 前述基板作相對的移動者。 刖述加熱及/或冷卻構件宜具有一溫度變更體，可將永 <，、'及卩構件調節至—定溫度者。在此所言及之溫度變 更體思扣’在加熱及/或冷卻構件只具有加熱機能時，則至 少能擁有溫度上昇功能，而前述加熱及/或冷卻構件只且有 冷卻^能時，則至少能擁有溫度下降功能者。 ” 么則述加熱及/或冷卻冑件係可設於用卩載置基板之栽 置口上。則述加熱及/或冷卻構件也可對應前述基板外緣部 之形狀而形成環狀，構造成可接觸於前述基板下方。在此 所提及之環狀係因對應於基板外緣部之形狀，基板為方形 時，前述加熱及/或冷卻構件之外形可為四角形，而基板為 圓形時，其構件外形則為圓形。前述加熱及/或冷卻構件係 可設定為上下自由移動者。以上下作自由移動，即可就改 變基板外緣部溫度之時機或基板溫度進行控制者。 前述加熱及/或冷卻構件係使於每一劃分之領域具有 前述溫度變更體，構造成於每一區域内溫度可作調節時， 則可於每一區域設定不同溫度，以調節其溫度者。因此， 也可對應於基板外緣部發生塗佈之變化程度依區域不同而 相異之狀態。 並可於前述加熱及/或冷卻構件内側裝設用以降低前 述基板溫度之冷卻構件，進而也可於前述冷卻構件内側裝 設用以加熱前述基板之加熱構件。 圖式之簡單說明 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再 — 本頁) 訂-* --線· -6- ^9697 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（4 ) 第1圖係用以顯示具有太杂始於t ' ，奉貝施形態之光阻塗佈裝置之 塗佈顯影處理系統外觀之平面圖。 第2圖係第1圖之塗佈顯影處理系統之正面圖。 第3圖係第1圖之塗佈顯影處理系統之背面圖。 第4圖係用以說明顯示第1圖之塗佈顯影處理系統之 縱截面之說明圖。 弟5圖係用以说明顯示第1 冷欲 π I帀i圃之塗佈顯影處理系統之 橫戴面之說明圖。 第6圖係用以說明顯示帛〗目之塗佈顯影處理系統中 用以將晶圓加熱之加熱及/或冷卻構件之說明圖。 第7圖係用以說明顯示將光阻液塗佈至晶圓上時，於 晶圓周緣部所產生之鼓起之說明圖。 第8圖係用以說明顯示藉由加熱及/或冷卻構件將晶圓 加熱時之狀態之說明圖。 第9圖係用以δ尤明顯示第1實施形態吐出光阻液噴嘴 之塗佈路線之說明圖。 第10圖係用以說明顯示將晶圓周緣部加熱時，光阻液 之狀態之說明圖。 第11圖係用以說明顯示將冷卻構件裝設在加熱及/或 冷卻構件内側時之說明圖。 第12圖係用以說明顯示於冷卻構件内側裝設加熱構件 時之說明圖。 第13圖係用以說明顯示第2實施形態光阻塗佈裝置之 縱戴面之說明圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） I----— — — — — II» · I — I l· I I I ^ ·1111111« (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 499697

五、發明說明（5 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第14圖係用以說明顯示用以批^ ^ 只不用以供給，谷劑之噴嘴相對於光 阻塗佈裝置之罩蓋構件之位置之說明圖。 第15圖係用以說明顯示供給溶劑至晶圓外緣部之供應 範圍之說明圖。 " 第16圖係用以說明顯示於載置台具備有加熱及/或冷 卻構件之光阻塗佈裝置之縱截面之說明圖。 本發明之實施形態 以下，說明關於本發明之最佳實施形態。第丨圖係具 有本實施形態之光阻塗佈裝置之塗佈顯影處理系統丨之平 面圖，第2圖係塗佈顯影處理系統丨之正面圖，第3圖係 塗佈顯影處理系統1之背面圖。 k佈顯衫處理糸統1之構成係，如第1圖所示，具有 將卡匣站2、處理站3、及界面部4 一體接續之構造，其中 該卡匣站2係用以將諸如2 5枚晶圓W為——^匣單位而由 外。P相對於塗佈顯影處理系統1進行搬入及搬出，且相對 於卡S C將B曰圓w搬出及搬入；前述處理站3係多段配置 有於塗佈顯影處理步驟中以一張一張的方式實施預定處理 之各種處理裝置；而前述界面部4係用以於與該處理站3 鄰接設置之未圖示之曝光裝置間進行晶圓w之收授者。 在卡S站2上，於成為載置部之卡匣載置台5上之所 定位置上沿X方向（第1圖中之上下方向）自由載置多數卡 E C成一列狀態。然後設置有一可沿搬運路8自由移動之 晶圓搬送體7，該晶圓搬送體7係相對於該卡匣之配列方 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) ιέ » . -線- 本紙張尺度翻 t S^ii^cNS)A4 (210 x 297 ) 499697 , A7 五、發明說明（6 向（X方向）及已收容於卡匣C内之晶圓w之晶圓配列方向 (Z方向；垂直方向）呈可移動及搬送之狀態，並構成相對 於各卡E C進行選擇性地取用。 曰曰圓搬送體7係具備有用以進行對準晶圓w位置之校 對功能。該晶圓搬送體7也可構造成相 如 於處理站3侧之第3處理裝置群G3之延伸裝置32進= 取者。 在處理站3上’於其中心部設有一主搬運裝置…而 在主搬運裝置13之周邊則多段配置各種處理裝置而構成 处里裝置群。在該塗佈顯景多處理系統i中配置有4個處 理襄置群61、62、63、〇4，其巾第1及第2處理裝置群 G1、G2係配置在顯影處理系統i之正面側，第3處理裝 置群G3係鄰接於卡匡站2配置，而第4處理裝置群以則 係鄰接於界面部4配置者。又，在附加設備上也可於背面 侧另外配置―將以虛線表示之第5處縣置群G5。 如第2圖所示般，在第丨處理裝置群⑴上，由下方依 順序地將關於本實施形態之光阻液塗佈裝置17，及用以供 應顯影液至晶圓W之顯影處理裝置18配置成2段。第2 =裝置群G2也同樣，由下方依順序2段重疊光阻塗佈 裝置19顯影處理裝置2〇。 ? 3處理裝置群G3，如第3圖所示，從下方依序重 二^有7段之形態，例如有：用以對晶圓w施以冷卻處 ^冷卻裝置30、用以提升光阻液與㈣w之固著性之 *著裝置31、用以使晶圓w待機之延伸裝置μ、用以將 ------^----------^--------1^. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 私紙張^適用規格⑵ό· χ 297公釐）

光阻液中溶劑進行加熱乾燥之預烘烤裝置33、，及用以 將光阻液中溶劑施行減壓乾燥之減塵乾燥裝135、36。 在第4處理裝置群G4上從下純序重疊諸如有8段之 形態，即例如有：冷卻裝置4〇、.用以使所載置之晶圓w 自然冷卻之延伸冷卻裝置4卜延伸裝置42、冷卻裝置43、 用以進行曝光處理後之加熱處理之後顯影烘烤裝置44、 45、後烘烤裝置46、47。 &界面部4裝設有晶圓搬送體5〇。該晶圓搬送體5〇 | 之構成係由可沿X方向（第！圖中之上下方向）、z方向（垂 直方向）自由移動及作0方向（以z軸為中心之旋轉方向） 旋轉、隸屬於第4處理裝置群G4之延伸冷卻裝置41、延 伸裝置42、及周邊曝光裝置51，並可相對於未圖示之曝光 裝置進行選擇性地取用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

· -線· (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 詳細說明有關於上述光阻塗佈裝置丨7之構造。首先， 如第4圖、第5圖所示，於殼體6〇内設置有一用以吸附且 保持處理中之晶圓之載置台61。在此載置台6ι下方設置 有載置台61之驅動機構62。於該驅動機構62内藏有可使 載置台61朝上下方向及旋轉方向自由移動之馬達。因此， 藉該驅動機構62,可於將載置台61上之晶圓w搬入搬出 時作昇降，並在進行校準時使其旋轉。 如第5圖所示般，驅動機構62本身也設於配置於X方 向（圖中之上下方向）之軌道63上，藉由主控制裝置65控 制之未圖示之驅動裝置而沿X方向自由移動。因此，隨著 | 此驅動機構62之動作，載置台61上之晶圓w可沿X方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱)-------- A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 向移動。因此，藉由* -,^ . 控制裝置65控制驅動機構62沿X σ之動作，可精密控制晶圓w移往X方向之動作。 :圓W周緣部下方安装諸如可圍繞載置台Μ之用 或冷卻之加熱及/或冷卻構…該加熱及/ 7部構件64之形狀係對應於晶圓W周緣部之形狀而形 成之’錢置成位於晶圓w周緣部之下方處。 2银：弟6圖所不’該加熱及’或冷卻構件64之各形狀係 呈見諸如圓孤狀般劃分4個領域⑷、祕、咏、64(1。該 ’、、、及/或冷部構件64係於各領域内儲放有做為該加敎及/ ^卻構件64之熱冷源之溫度變更體之帕爾帖㈣㈣元 66b 66C、66d。其等帕爾帖元件 66a、66b、66c、 66d係藉溫度控制裝置7〇在各領域控制著其溫度。因此， ”、、及/或冷部構件64之溫度係可控制在溫度控制裝置 所叹疋之溫度’諸’如領域64a係可維持261、領域⑷可 維持24°C、領域64d則可維持在22〇c。 在加熱及/或冷卻構件64之下方處，於驅動機構Μ上 裝設有用以將加熱及/或冷卻構件64作上下驅動之加埶及/ 或冷卻構件驅動裝置71。藉此，加熱及/或冷卻構件64為 移動自在，在一定之時機上昇，使接觸於晶0 W周緣部， 可將晶圓W加熱或冷卻者。 更進一步，在加熱及/或冷卻構件64上面裝設有做為 黏著構件之鄰近銷73,諸如高度〇.lmm。然後藉鄰近銷乃 可防止晶圓w與加熱及/或冷卻構件64直接黏著，可藉由 加熱及/或冷卻構件64之幅射熱將晶圓w加熱。 IIIIIIIII — · I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 線.

本紙張尺朗财國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐 -11 499697 A7 B7 五、發明說明（9 在載置台61處裝設有回收杯75，係用 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 61⑼方及下方’回收由晶㈣滴下之光阻液者° 如第4圖所示，在載置台61 朝晶® 上方裝置有-作為用以 〜 供、、.。先阻液之塗佈吐出部之喷嘴76。該噴嘴7fi 係猎保持構件7 7伴括ΙΪ1金 、 配… 此保持構件77係可移動在 q在Y方向之導軌78上。並且導軌78係設置在可自由 移動於配置在沿著殼體60的兩側壁之x方向2條導軌π 上。然後’此導軌78及保持構件”係藉未圖示之驅動裝 置驅動動作，此動作並藉主控制裝置65所控制。其结果 噴嘴％可藉主控制裝置65控制其速度、動作之時機 ，且可沿X、γ方向移動。因此噴嘴76與載置台61上 之晶圓W係可作相對移動，也就是說如此即可以一筆畫之 要領將光阻液塗佈至晶圓W上。 --線· 上述導軌78懸吊有挾著前述噴嘴76且可自由移動之2 個罩蓋構件8〇、81，而前述罩蓋構件80、81係為防止光 阻液掉落晶目W外而職設者。此2個^構件8〇、81 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 係具有水平部80a、81a，其係由導執78延伸至下方處， 以比載置在載置台61之晶圓货更上方之位置相對折疊 曾曲在内側處。此水平部80a，81a係為接受落下之光阻液 不使其光阻液四處飛散，而使其斷面形成凹 2個罩蓋構件8〇,81係受控制，隨著載置有之 載置台61朝X方向之移動，而移動在導軌78上使始終 位於晶圓w之兩端部。因此，罩蓋構件8〇，81係與喷嘴 %以同一 X座標定位在晶圓W之兩端部上，而將由邊移

本紙張尺度適用中國國家標準（C]Sis)A4規格（21〇 χ 297公釐 -12- 499697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A： 五、發明說明（1〇 ) 動邊^續吐出動作之噴嘴76所吐出至晶圓以外部之光阻 液在則述水平部8〇a，81a隔離且盛受，以便防止殼體60 内之污染。 、關於如以上所構成之光阻液塗佈裝置17之作用，和在 塗佈顯衫處理系統1所進行之光刻程序之製程-起說明。 、 曰曰圓搬送體7從卡匣C取出一枚未處理之晶圓 W搬入身屬第3處理裝置群G3之黏著裝置3 1。然後， 在此已塗佈好提升光阻液密著性之HMDS等密著強化劑之 晶圓w係藉㈣送裝置13，搬送至冷卻裝置％，將晶圓 w冷部至一疋溫度。之後，將晶圓w搬送至本實施形態之 光阻液塗佈襞置17或19。 由上述中所說明之光阻液塗佈裝置17之構造可了解， 可構Xe成邊將喷嘴76及晶圓W作相對的持續移動，— 邊由喷嘴76將光阻液塗佈於晶目w±，也就是說以一筆 畫之要領將光阻液塗佈至晶圓W上者。 依發明者之知見，以所謂一筆畫之要領塗佈光阻液 時士’假使不做任何的措施的話，晶圓周緣部將產生光阻液 的政起。且，如第7圖所示，先一步塗佈之部份之前述鼓 起較大，後塗佈部份之鼓起較慢慢變小。然後最後所塗佈 的部份會因不同情況導致完全無鼓起、膜厚變薄。因此， 考慮原本應該均-膜厚之狀況，卻會順著晶圓界周緣部之 部份Wa、Wb或Wc、Wd的順序其光阻液膜厚會變厚。 在此，在開始光阻液塗佈處理前，於溫度控制裝置7〇 中，設定將對應至晶圓W之各部份13、Wb、wc、wd2 I--I I * I I--ί---I I I I I I I-- f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -13- 499697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 —— --— B7 ___ 五、發明說明（U ) 加熱及/或冷卻構件64之各領域64a、64b、64c、64d之設 定/JEL度’依塗佈順序而逐步降低。在本實施形態，領域64a 〇又疋26 C ’領域64b和領域64c設定24°C，領域64d設定 22 C。然後’藉由帕爾帖元件66a、66b、66c、66d事先將 加熱及/或冷卻構件64之各領域64a、64b、64c、64d以各 個设定溫度事先加熱及冷卻。又，在塗佈顯影處理系統1 本體’將殼體60内控制光阻液之塗佈處理溫度為23〇c。 然後’結束前處理之晶圓w係藉主搬送裝置1 3搬入 光阻液塗佈裝置17内。之後，晶圓w係藉驅動機構62而 疋先上昇而被已待機之載置台61吸附保持，再藉驅動機槔 62降下而彳τ止於杯75内預定位置。然後，藉驅動機構 而將晶圓w旋轉，再藉未圖示之光學感應器檢測晶圓w 之切口部或定向平面，將晶圓W校正至一定位置。 接著如第8圖所示，藉加熱及/或冷卻構件驅動機構 71使加熱及/或冷卻構件64上昇，且使鄰近銷接觸至 晶圓W周緣部下方。然後，藉由加熱及/或冷卻構件料之 幅射熱將晶圓W周緣部改變溫度加以加熱或冷卻，對應至 加熱及/或冷卻構件64各領域64a、64b、64c、64d之晶圓 W各部份Wa、Wb、Wc、|0加熱及冷卻至各個溫度（依順 序係 26°C、24t、24°C、22。〇。 、 然後結束校正之晶圓W，藉主控制裝置65移動至轨道 63上之一定位置並待機。此外用以吐出光阻液之喷嘴， 通常沿軌道78而朝γ方向移動，如第9圖所示在灯八汉丁 地點待機。 本紙張適用中國國家標準（cSs)A4規格⑵G χ 297公爱）-------- (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂· · •線· A7 A7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（12 ) 然後開始對晶圓W吐ψ韵；祕卜μ 4，喰峰76 一 Α 土出黏性較低之低黏度光阻液。首 、 一邊將一定量之光阻液（諸如，吐出液俜以直 徑1〇〜2_m之量）塗佈至晶圓w上，_邊以 = 沿Y方向延伸之軌道68上移動。然後，喷 = w周緣部，到達罩蓋播彼〇1 ^ 相趣日日0 構件81上方後，噴嘴76將暫時停止。 態^藉主控制裝置65使晶圓w與藉驅動機構62本 身亡移動送往X方向，使晶圓w離開一定距離。此時， 罩盍構件81係朝Y方向移動，使其水平部81a前端始狄 =晶圓W之端部稍微内側之晶㈣上 '然後再二 噴嘴76 -邊在反方向移動，一邊塗佈光阻液。 然後再使喷嘴橫越過晶圓w之周緣部，到達罩蓋構件 以上時’喷嘴76暫時停止。在此狀態下藉主控制裝置μ 使晶圓W與藉驅動機構62本身之移動再送往χ方向，使 晶圓w離開一定距離。此時，罩蓋構件81係朝向移 動，使其水平部81a前端始終位於比晶圓w之端部稍微内 侧之晶圓W上。然後再次时嘴76—邊往反方向移動， 一邊塗佈光阻液。 如以上一邊往返地移動喷嘴76,在折返點端部，暫時 將其停止，於這段時間藉間歇地沿X方向移動晶圓W，如 第9圖所示，可將光阻液塗佈於晶圓w全面。 此時，塗佈於晶圓w周緣部之光阻液即以晶圓w周緣 部之各部份Wa、Wb、Wc、Wd之各溫度進行加熱及冷卻。 然後如第10圖所示，對應晶圓W各部份之加熱溫/，光 阻液之表面張力將減低，得使橫越晶_全面=^厚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） I Μ-----------------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 499697

五、發明說明（13 ) 度成為均一的厚度。 然後，結束光阻液塗佈之晶圓|係與搬入時相同，醉 由驅動機構62交付至主搬送裝置13。接著，藉主搬送； 置13將晶圓W搬送至減壓乾燥裝置35或刊，又或是搬 送至預烘烤裝置33或34進行乾燥。然後，在各個處理裝 置進行曝光處理、顯影處料之—連串預定之處理程序， 結束塗佈顯影處理。 依以上的實施形態，藉由設置加熱及/或冷卻構件 於光阻液塗佈前事先將晶H w肖緣部之溫度變化至預定 溫度，即可變化塗佈後之光阻液之溫度。其結果係因可減 少或增加塗佈至晶圓w周緣部之光阻液之表面張力，則可 防止如上述般以-筆畫《要領塗佈光阻液所發生纟晶圓w 周緣部所產生之光阻液鼓起現象，或膜厚低下之虞。 又在本貝^形悲中，係於晶圓w周緣部將較早塗佈 之部份Wa之溫度設定成較高的溫度（例如26<t)，較遲塗 佈之部份Wd之溫度設定成較低的溫度（例如22π )。這是 因為發明人由上述之觀察得知，在較早塗佈之部份發生之 光阻液鼓起係比較遲塗佈之部份發生之光阻液鼓起大。因 此藉將事先塗佈之塗佈溫度升高，減少其表面張力，另一 方面藉將較遲塗佈之塗佈溫度降低，增加其表面張力，試 圖和其他部份均衡，則橫越晶圓全面可形成一定厚度之光 阻膜。 因此，在無此必要時，上述加熱及/或冷卻構件64也 可使用無劃分之加熱及/或冷卻構件，在此時同樣可以防止 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再一^本頁) -ΙΊ· -•線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 499697 A7 B7 五、發明說明（14 前述之晶®w_部之級液鼓起現象。 且，也可如繁〗t 一 圖所示，於前述加熱及/或冷卻構件 64内側裝設環狀之 7 P構件90。於此冷卻構件90例如内 藏有作為冷卻體之細游〜/tL ^ 粒之帕爾帖疋件，藉溫度控制裝置7〇控制其 溫度。此時設定之、田疮 。 ,▲ 皿又，啫如在上述實施形態設定為22 c，係叹疋成比裝設在外周之加熱及/或冷卻構件μ之溫 度低如此，可防止以加熱及/或冷卻構件Μ加熱後之晶 圓之熱傳導至内側，連晶圓w周緣部以外之部份也有溫度 變化。 更進v如第12圖所示在此冷卻構件90内側也可 裝設環狀之加熱構件95。此加熱構件95係對晶圓w進行 之塗佈處理溫度，諸如預先設定於饥，使晶圓w不受 上述之加熱及/或冷卻構件64及冷卻構件9〇之熱影響，積 極地維持晶圓之一定溫度。#由以上的方式即可進行恰當 的ΒΘ圓塗佈處理並形成一定之光阻膜。 且，上述之加熱及/或冷卻構件料係以容易控制溫度 之散熱吸熱構件做為熱源，但是也可用以於諸如加熱及/ 或冷卻構件中裝設管道，使調節過溫度之溫水或蒸氣流通 之。 接著，作為第2貫施形態，說明關於光阻塗佈裝置1 7， 其係用以朝晶圓W周緣部供給溶劑之煙霧或蒸氣，且具有 防止上述之晶圓W周緣部光阻液所發生之***之機能。 阻 線 如第13圖所示，各將用以朝晶圓w周緣部供給光 液之溶劑煙霧之溶劑供給機構之喷嘴10〇、1〇1固設於罩蓋 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） -17- A7 B7 五、發明說明（15) 員 工 消 費 :件之水平部8〇a、81a之下面。該噴嘴1〇〇、1〇1係通過 θ之煙務供給槽’構造成以—定之時序供給溶劑煙霧 ^曰圓w上者。又，噴嘴10〇、1〇1係設成如第"圖所示， =盍構件之水平"Ga、8ia下面的中央處與塗佈光阻液 時罩蓋構件80、81移動之方向（χ方向）些微錯開。如此， 即可在塗佈光阻液前先供給溶劑至晶圓w周緣部。又如 上述般罩蓋構件8G、81之先端部係因被控制始料位於比 :回W端部之内側處，若將噴嘴⑽、1G1裝設在罩蓋構 80、81之先端部下面，即可始終供給溶劑至 緣部。 4 使與第1實施形態同樣動作時’如第15圖所示使喷嘴 76 一面吐出光阻液，-面沿Y方向在晶圓W上方移動時， 而喷嘴％移至晶圓W中央附近時，由噴嘴1〇〇、1〇1相對 於晶圓w周緣部供給溶劑煙霧（第15圖之斜線部份）。其 結果’噴嘴76到達折返點端料，肖χ方向錯開，接著 將溶劑供給於在塗佈線路上兩端之晶圓w周緣部。因此即 可始終在塗佈光阻液於晶圓w上前，而朝晶圓w周緣部 供給溶劑煙霧者。 依第2貝;形恶，藉於塗佈光阻液前而朝晶圓… 緣部供給耗煙霧時，可防止隨後塗佈於晶圓w周緣部 先阻液表面張力減少，及使用低黏度之光阻液時在晶圓〃 料部光阻液所發生***之虞。又構成於塗佈光阻液前供= >谷劑煙霧至晶圓w周緣部，則可於溶劑煙霧尚未氣化 前供給光阻液者。

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周 之 W 之 本紙張尺iig財關家標準（CLS)A4規袼⑵G χ 297公髮-

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訂 線 499697 A7 B7 五、發明說明（17 件製程中钱刻步驟中之晶圓光阻膜形成裝置，但也可以應 ;半導體曰曰圓以外之基板諸# LCD基板之膜形成裝置。 依本叙月，糟變更基板外緣部之溫度，可以變更塗佈 ;基板上之塗佈液之溫度。因此可使塗佈液表面張力之減 乂或纟加彳于以防止發生於基板外緣部之塗佈液鼓起或膜 厚低下1於基板外緣部形成—定膜厚之塗佈膜，而謀求良 項 品率之提升。又藉使加熱及/或冷卻構件之形狀對應基板外 緣部之形狀而形成之’只變更恐因表面張力而使膜厚有變 化之基板外緣部之溫度，使其他部份之塗佈液不受熱的影 響’且以一定的溫度形成塗佈膜。依本發明，因可調整改 變基板外緣部溫度之時機，所以可調節加熱時間。依本發 訂 明，使發生於基板外緣部之塗佈液鼓起之程度依基板外緣 部領域而有不同時’也可以於個別領域作溫度調節，以變 更表面張力。藉用以將基板外緣部加熱之加熱及/或冷卻構 件劃分成圓弧狀者，可循所塗佈之領域之順序逐漸提高溫 線 度，橫越基板外緣部之全部份形成一定之塗佈膜，而謀求 良品率之提昇。也可防止加熱及/或冷卻構件之熱量傳導至 基板中心方向者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又將溶劑之煙霧或蒸氣供給至基板外緣部，減少塗佈 至基板外緣部之塗佈液之表面張力時，在基板外緣部，可 防止因其塗佈液所發生之表面張力使其***之虞。° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20-

Claims (1)

1. 499697 A8 B8 C8 D8

   申請專利範圍 第89126758破專利申嗜宏 扪曱》月案申請專利範圍修正本 91· 3· 27 修正曰期：91年3 1. 一種膜形成裝置，係一用以^ u ^ A ^ u 用以於基板上塗佈塗佈液，以 於该基板上形成塗佈膜者， ^ 五具有一加熱及/或冷卻構 件，该加熱及/或冷卻構件 # 垃自、 係用以與前述基板直接或間 接接觸，以改變至少前 扳周邊部之溫度，且該加 熱及/或冷部構件具有一 ^ 用以將刖述加熱及/冷卻構件 調整至預定溫度之溫度變更體。 苒仵 如申請專利範圍篦彳 盘▲…項之腰形成裝置，更具有-用以 > , 勒业朝刖述基板吐出塗佈液之塗 佈液吐出部，該塗佈液 、 邱促土出邛係可一邊麵前述基板表 面吐出塗佈液，一面相對於前述基板作相對移動者。 如申請專利範圍第1項之膜形成裝置，其中該加熱及/ 或冷郃構件係設於一用以載置基板之載置台上。 如申請專利範圍第2項之膜形成裝置，其中該加敎及/ 或冷部構件係對應於前述基板外緣部之形狀而形成環 狀者，且可與前述基板下面相接觸。 5·如申請專利範圍第4項之膜形成梦w # ^ ^ ^ 、 取屐置，其中該加熱及/ 或冷卻構件係可自由上下移動者。 如申請專利範圍第4項之膜形成梦 ^ χ ^ Χ展置，其中該加熱及/ 或冷卻構件上係具有一接觸構件，該接觸構件係於前 述加熱及/或冷卻構件與前述基板相接觸時可存在於 兩者間者。 如申請專利範圍第4項之膜形成裝置，其中該加熱及/ 2· 3. 4. 6· 7. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂丨 ~ 21 - A8 B8 C8 D8

   申請專利範圍 或冷卻構件係於每一業已劃分之 ^ . -r^^. >s 或上 /、有一别述溫 構建成可於母一領域調節溫度者。 如申請專利範圍第3項之膜 ,.^ 战展置，其中該加熱及/ 或冷部構件之内側係設有一 之冷卻構件。 乂降低“基板之溫度 如申請專職圍第7項之膜形成裝置，其中該加熱及/ 或冷部構件係具有一由平面觀察時呈圓形且呈圓弧狀 劃分之領域β10·如申請專利範圍第8項之膜形成裝置，W 件之内側更具有一用以加熱前述基板之加熱構件。 11 · 一種膜形成裝置，係一用以於基板塗佈塗佈液，以於 忒基板上形成塗佈膜者，且具有一溶劑-供給裝置，該 溶劑供給裝置係，用以至少相對於前述基板外緣部供給 前述塗佈液之溶劑的霧氣或蒸氣者。 12·如申請專利範圍第η項之膜形成裝置，其係於前述基 板外緣部之上方設有一遮蔽構件，以防塗佈於前述基 板之塗佈液塗佈至基板外者； 而’前述溶劑供給裝置係設於該遮蔽構件上。 13·如申請專利範圍第u項之膜形成裝置，更具有一用以 與前述基板作相對移動且朝前述基板吐出塗佈液之塗 佈液吐出部，該塗佈液吐出部係可一邊朝前述基板表 面吐出塗佈液，一面相對於前述基板作相對移動者。 8· 9. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂丨 :線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -22-