JP3792986B2 - 膜形成方法及び膜形成装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,基板の膜形成方法及び膜形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では,ウェハ表面にレジスト液を塗布し,レジスト膜を形成するレジスト塗布処理,ウェハにパターンを露光する露光処理,露光後のウェハに対して現像を行う現像処理等が行われ,ウェハに所定の回路パターンを形成する。
【0003】
このとき,レジスト塗布処理や現像処理においては,ウェハ上に処理液を供給して,ウェハ上に前記処理液の膜を形成する膜形成工程が行われる。例えば,レジスト塗布処理においては,ウェハをスピンチャックに吸着保持させた状態でウェハを所定速度で回転させ,この回転されたウェハの中心にレジスト液を供給し,レジスト液が拡散されることにより,ウェハ上にレジスト膜を形成している。
【0004】
ところで,ウェハの歩留まりを向上させるためには,前記レジスト膜を所定の膜厚に均一に形成させなくてはならないが,このときの重要な要素として,レジスト膜の温度やその周辺雰囲気の湿度が挙げられる。すなわちレジスト膜の膜厚は,レジスト液の温度や周辺雰囲気の湿度に影響され,例えばレジスト液の温度が高いとレジスト液が気化し,その分膜厚が薄くなる。従って,ウェハ上のレジスト液の温度分布を所定の範囲に収めることでレジスト膜の膜厚の均一化が図られることになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,上述したレジスト塗布処理が実行されるレジスト塗布装置には,ウェハの温度を測定する測定装置が設けられておらず,温度の測定は行われていなかった。そして,レジスト膜の膜厚が均一になるように補正する場合には,ウェハ上に最終的に形成される回路のパターンの線幅等のばらつきから適切な塗布時の温度分布等を推測し,レジスト塗布装置内の温度や雰囲気を調節するようにしていた。その結果,膜厚が均一となる温度分布の条件出しに多大な時間と労力を費やし,その精度も必ずしも高いとはいえなかった。
【0006】
本発明は,かかる観点からなされたものであり,ウェハ等の基板の温度を直接測定し,その結果に基づいて基板の温度やその周辺雰囲気の湿度を調節し,ひいては処理液の膜厚を均一にする膜形成方法とこの方法を実施する膜形成装置とを提供することをその目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば,処理室内に気体を供給すると共に,前記処理室内の雰囲気を排気する状態で,前記処理室内の保持部材に載置された基板に処理液を供給し,基板表面に前記処理液の膜を形成する膜形成方法であって,前記処理液の供給前に,前記基板表面の温度を測定する工程と,前記基板表面の温度の測定結果に基づいて,前記基板に前記処理液の溶剤の蒸気を吹き付ける工程と,を有することを特徴とする膜形成方法が提供される。
【0008】
このように,前記処理液の供給前に,前記基板表面の温度を測定すると,基板表面の温度や温度分布が確認できる。そして,例えば予め求めておいた均一な膜厚が形成される場合の理想的な温度分布とその測定結果を比較することにより,その後の処理により形成される膜の膜厚を予測することができる。また,温度測定した後,処理膜を形成し,その処理膜の膜厚を評価することにより,そのデータを蓄積して,いわゆる条件出しを行うことができる。したがって,これらの測定結果に基づいて,処理液等の温度等を調節し,膜厚が均一になるように補正することができる。また,前記基板に処理液の溶剤の蒸気を吹き付けるため,前記基板上の温度若しくは湿度等を部分的に若しくは全体的に変更させることができる。これによって,例えば基板上の処理液の温度を膜厚が均一になるため理想的な温度分布に補正することができるため,基板上に均一な処理液の膜が形成される。
【0009】
本発明によれば,処理室内に気体を供給すると共に,前記処理室内の雰囲気を排気する状態で,前記処理室内の保持部材に載置された基板に処理液を供給し,前記基板表面に前記処理液の膜を形成する膜形成方法であって,前記処理液の供給前に,前記保持部材上の温度を測定する工程と,前記温度の測定結果に基づいて,前記基板に前記処理液の溶剤の蒸気を吹き付ける工程と,を有することを特徴とする膜形成方法が提供される。
【0010】
基板上に供給される処理液の温度は,基板の温度だけではなく,基板を保持している保持部材の温度によっても左右されることが確認されている。特に保持部材は,例えば回転等の駆動機構が取り付けられている場合が多く,そのモータからの熱により蓄熱しやすくなっている。したがって,本発明のように処理液前に保持部材の温度を測定し,保持部材の温度を確認することは,均一な膜が形成されるか否かを判断するにあたり有用である。また,前記基板に処理液の溶剤の蒸気を吹き付けるため,前記基板上の温度若しくは湿度等を部分的に若しくは全体的に変更させることができる。これによって,例えば基板上の処理液の温度を膜厚が均一になるため理想的な温度分布に補正することができるため,基板上に均一な処理液の膜が形成される。
【0011】
さらに上記発明における温度の測定結果に基づき,前記保持部材の温度を変更することにより,前記保持部材に蓄えられた熱の影響を抑制し,より均一な膜を形成することができる。
【0012】
なお,参考例として,上述の基板の温度の測定結果に基づいて,前記処理室内への気体の供給状態を変更してもよいし,前記排気の排気量を変更してもよい。
【0013】
特に,気体の供給状態,すなわち気体の供給方向,温度又は湿度を変更する場合には,その気体によって基板上の温度等を部分的或いは全体的に変更することができる。これによって,例えば前記基板上の処理液の温度分布を均一な膜が形成される場合の理想的な温度分布に補正することができ,その結果基板上に均一な処理膜が形成される。
【0014】
また,排気の排気量を変更する場合には,基板上の雰囲気の状態,例えば湿度又は温度を全面的若しくは部分的に変更することができる。それによって,基板上に供給された処理液の気化量が変更され,その気化量分の処理液の量が変更され,その結果処理液の膜厚が均一になるように補正される。
【0016】
さらに,参考例として,上述の基板への処理液の供給は,基板を回転させた状態で行われるものであり,前記温度の測定結果に基づいて,前記前記基板の回転速度を変更させてもよい。このように,回転速度を変更させると,例えば回転速度を上げることにより,基板周辺部上の処理液の気化を促進することができる。したがって,基板上の膜厚を補正することができるため,膜厚の均一な処理膜を形成することが可能となる。
【0017】
以上の各膜形成方法における前記温度測定は,非接触温度測定装置により行うようにしてもよい。このように,非接触温度測定装置を用いて行うことにより,従来のように温度計測装置を保持部材や基板に直接取り付けることが困難であったために測定できなかった基板等の温度を好適に測定することができる。なお,非接触温度測定装置とは,例えばサーモビュワーや熱赤外線測定装置等である。また,基板上の全面の温度を測定できるものであっても,基板上の一部の温度を測定できるものであってもよい。
【0018】
本発明によれば,処理室内において保持部材上に載置された基板に処理液を供給し,前記基板表面に前記処理液の膜を形成する膜形成装置であって,測定対象物である少なくとも前記基板表面又は前記保持部材上の温度を測定する非接触温度測定装置と,前記基板上の任意の位置に前記処理液の溶剤蒸気を供給可能な溶剤蒸気供給手段と,前記非接触温度測定装置による測定結果に基づいて,前記溶剤蒸気供給手段の前記溶剤蒸気の供給位置を制御する制御装置と,を有することを特徴とする膜形成装置が提供される。
【0019】
このように,膜形成装置に非接触温度測定装置を設けることにより,上述した膜形成方法が好適に実施される。したがって,基板上に供給された処理液の温度等を補正し,膜厚の均一な処理膜を形成することができる。
別の観点による参考例として,処理室内において保持部材上に載置された基板に処理液を供給し,前記基板表面に前記処理液の膜を形成する膜形成装置であって,測定対象物である少なくとも前記基板表面又は前記保持部材上の温度を測定する非接触温度測定装置と,前記処理室内の基板に気体を供給する気体供給手段と,前記非接触温度測定装置による測定結果に基づいて,前記気体供給手段からの気体の温度を制御する制御装置と,を有し,前記気体供給手段は,前記基板の上方に設けられ,かつ前記基板方向に向けられた複数の供給口を有し,前記複数の供給口は,各々が基板表面の異なる位置に気体を供給できるように形成され,前記制御装置は,前記供給口毎に,供給する気体の温度を制御できる膜形成装置が提供される。この膜形成装置によれば,各供給口毎に温度の異なった気体を基板上に供給することができるため,前記基板上の温度等の調節を基板上の部分毎に行うことが可能となる。したがって,より細かく厳密な温度等の調節ができるため,より均一な膜厚が形成できる。
【0020】
上記膜形成装置において,前記非接触温度計測装置は熱赤外線測定装置であり,前記測定対象物からの赤外線を前記熱赤外線測定装置に反射させる反射板を有するようにしてもよい。このように,反射板を用いることにより,前記測定対象物からの赤外線を自由な方向に反射させることができるため,熱赤外線測定装置の設置位置の自由度が広がる。したがって,膜形成装置の構成により,前記測定対象物からの赤外線を直接受けることができない場合においても,反射板で角度を変えることにより,前記測定対象物の温度を測定できるようになる。
【0024】
参考例として,膜形成装置は,前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と,前記非接触温度測定装置による測定結果に基づいて,前記排気手段による前記雰囲気の排気量を制御する制御装置とを有していてもよい。
【0027】
さらに,参考例として,膜形成装置は,前記保持部材を回転させ,かつその回転速度を変更可能な回転駆動機構と,前記非接触温度測定装置による測定結果に基づいて,前記回転駆動機構を制御する制御装置を有していてもよい。この参考例によれば,基板上に膜厚の均一な膜が形成される。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本実施の形態にかかるレジスト塗布装置を有する塗布現像処理システム1の平面図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システム1の背面図である。
【0029】
塗布現像処理システム1は,図1に示すように,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション3と,この処理ステーション3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
【0030】
カセットステーション2では,載置部となるカセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。そして,このカセット配列方向(X方向)とカセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【0031】
ウェハ搬送体7は,ウェハWの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属するエクステンション装置32に対してもアクセスできるように構成されている。
【0032】
処理ステーション3では,その中心部に主搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム1においては,4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第1及び第2の処理装置群G1,G2は現像処理システム1の正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセットステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置群G4は,インターフェイス部4に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第5の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置13は,これらの処理装置群G1〜G5に配置されている後述する各種処理装置に対して,ウェハWを搬入出可能である。
【0033】
第1の処理装置群G1では,例えば図2に示すように,本実施の形態にかかる膜形成装置としてのレジスト塗布装置17と,ウェハWに現像液を供給して処理する現像処理装置18とが下から順に2段に配置されている。第2の処理装置群G2の場合も同様に,レジスト塗布装置19と,現像処理装置20とが下から順に2段に積み重ねられている
【0034】
第3の処理装置群G3では,例えば図3に示すように,ウェハWを冷却処理するクーリング装置30,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置31,ウェハWを待機させるエクステンション装置32,レジスト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置33,34及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置35,36等が下から順に例えば7段に重ねられている。
【0035】
第4の処理装置群G4では,例えばクーリング装置40,載置したウェハWを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,クーリング装置43,露光処理後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置44,45,ポストベーキング装置46,47等が下から順に例えば8段に積み重ねられている。
【0036】
インターフェイス部4の中央部にはウェハ搬送体50が設けられている。このウェハ搬送体50はX方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在にできるように構成されており,第4の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,周辺露光装置51及び図示しない露光装置に対してアクセスできるように構成されている。
【0037】
上述したレジスト塗布装置17の構成について説明する。図4に示すように,このレジスト塗布装置17のケーシング17a内には,上面60aが円形で平坦に形成され,その中央部に図示しない吸引口を有するスピンチャック60が設けられており,レジスト塗布装置17内に搬入されたウェハWがスピンチャック60の上面60aに水平に吸着保持されるように構成されている。このスピンチャック60下方には,このスピンチャック60を回転させ,その回転速度を変更可能とする回転駆動機構62が設けられており,スピンチャック60に保持されたウェハWを任意の速度で回転させることができる。
【0038】
また,スピンチャック60の回転駆動機構62には,スピンチャック60を上下に移動自在とする機能が備えられており,ウェハWの搬入出時にスピンチャック60を上下に移動させて,主搬送装置13との間でウェハWの受け渡しが行われるようになっている。
【0039】
また,スピンチャック60の外周外方には,この外周を取り囲むようにして,上面が開口した環状のカップ65が設けられており,前記スピンチャック60上に吸着保持され,回転されたウェハWから遠心力によりこぼれ落ちたレジスト液等を受け止め,周辺の装置が汚染されないようになっている。カップ65の底部には,前記ウェハW等からこぼれ落ちたレジスト液等を排液するドレイン管66が設けられている。
【0040】
スピンチャック60の上方には,ウェハWにレジスト液を吐出する吐出ノズル68と,ウェハWにレジスト液の溶剤を吐出する溶剤吐出ノズル69が備えられている。この吐出ノズル68は,ウェハW中心の上方に移動自在である。したがって,上述した回転駆動機構62によって回転されているウェハWの中心に,吐出ノズル68からレジスト液が吐出され,いわゆるスピンコーティング方式によりウェハW上に所定のレジスト膜が形成されように構成されている。
【0041】
また,ケーシング17a上面には,処理室Sに所定の気体,例えば清浄空気を供給し,処理室S内の雰囲気を制御する気体供給手段70が設けられている。この気体供給手段70は,全体として略筒状に形成されており,その上面には,ケーシング17a外からの清浄空気を流入させる主吸引口72が設けられている。
【0042】
気体供給手段70内には,図4又は図5に示すように,主供給口72からの清浄空気を拡散させる拡散板74が水平に設けられている。また,拡散板74のウェハW側には,拡散板74を通過した清浄空気が分配され,個別に温度調節される複数の温度調節室75a,75b,75cが設けられている。この温度調節室75a,75b,75cは,図6に示すように,同心円状に区切られており,下方に位置するウェハWの位置に対向している。また,それぞれの温度調節室75a,75b,75cには,図4に示すように例えばペルチェ素子のような加熱・冷却手段76a,76b,76cが個々に設けられており,各温度調節室75a,75b,75c内の温度を変更し,ひいてはその中の清浄空気の温度を変更できるようになっている。なお,各加熱・冷却手段76a,76b,76cは,温度制御装置77によりその温度を制御されている。さらに,温度調節室75a,75b,75cの下面,すなわち気体供給手段の下面には,複数の供給口78が設けられており,各温度調節室75a,75b,75cで温度調節された清浄空気をウェハWの上面に向けて噴出できるように形成されている。なお,処理室S内の雰囲気を制御する気体として,窒素ガス等の不活性気体を用いてもよい。
【0043】
一方,ケーシング17aの側面には,処理室S内の雰囲気を排気する排気口80が設けられている。そして処理室S内の雰囲気は,吸引装置81からの吸引により排気口80から排気されるようになっている。
【0044】
ケーシング17a外の側方には,赤外線により測定対象物であるウェハWの温度を測定するサーモビュワー85が設置されており,ケーシング17aの好適な位置に設けられた反射鏡87を介して間接的にウェハWの温度を測定できるように構成されている。また,このサーモビュワー85の測定結果は,上述した温度制御装置77に送信され,さらに温度制御装置77はその受信したデータに基づいて各温度調節室75a,75b,75cの温度を個別に制御できるように構成されている。
【0045】
次に,以上のように構成されているレジスト塗布装置17の作用について,塗布現像処理システム1で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【0046】
先ず,未処理のウェハWがウェハ搬送体7によってカセットCから1枚取りだされ,そこで第3の処理装置群G3に属するアドヒージョン装置31に搬入され,レジスト液の密着性を向上させる例えばHMDSが表面に塗布される。次いで,ウェハWは,主搬送装置13によって,クーリング装置30に搬送され,所定の温度に冷却される。その後ウェハWは,膜形成装置としてのレジスト塗布装置17又は19に搬送される。
【0047】
このレジスト塗布装置17又は19においてレジスト膜が形成されたウェハWは,その後主搬送装置13により,プリベーキング装置33若しくは34,クーリング装置40に順次搬送される。その後ウェハWは,各処理装置において露光処理,現像処理等の所定の処理が行われ,一連の塗布現像処理が終了する。
【0048】
上述したレジスト塗布装置17の作用について詳しく説明する。先ず処理室S内は,気体供給手段70から供給される所定温度,例えば23℃に維持された気体,例えば清浄空気によって,所定雰囲気に調節され,維持される。このとき,処理室S内の雰囲気は排気口80から随時排気され,処理室S内には,気体供給手段70から排気口80に向かう清浄空気の流れが形成される。
【0049】
そして,レジスト液の塗布処理が開始されると主搬送装置13によって,前処理の終了したウェハWが前記処理室S内に搬入され,スピンチャック60上方の所定位置で停止される。そして,主搬送装置13がウェハWを保持した状態で下降し,回転駆動機構62により予め上昇して待機していたスピンチャック60にウェハWが載置されると,そのスピンチャック60に吸着保持される。そして,スピンチャック60が下降し,カップ65内の所定位置で停止する。
【0050】
次いで,サーモビュワー85により,ウェハW表面全面の温度が測定される。そしてその測定されたデータと,予め求めておいたウェハW上に均一なレジスト膜が形成されるためのデータ,例えば図7に示すようなウェハW上の温度分布とを比較する。そして,測定温度が前記理想温度分布に対して許容範囲(図7中の斜線で示す範囲)から逸脱している部分がある場合には,そのデータを温度制御装置77に送信する。
【0051】
その後,上述したいわゆるスピンコーティング法によるウェハWへのレジスト液の塗布処理が開始されるが,それと同時に,先に温度制御装置77に送信されたデータに基づいてウェハWの前記逸脱部分に対向する温度調節室75の温度が調節され,それによってその温度調節室75を通過する清浄空気の温度が調節され,さらにその清浄空気がウェハWの前記逸脱部分に供給されると,ウェハW上の前記逸脱部分の温度が補正される。
【0052】
例えば図7に示したようにウェハWの外周部の温度が低い場合には,温度制御装置77によって,ウェハWの外周部に向けて清浄空気を供給する温度調節室75cの温度を所定温度,例えば2℃上昇させる。これによって,温度調節室75cを通る清浄空気の温度が上昇され,図8に示すようにその清浄空気が供給口78からウェハW周辺部に供給されると,ウェハWの周辺部の温度が上昇され,ウェハW上の温度分布が補正される。
【0053】
このようにして,ウェハW上の温度を補正するための窒素が供給されている状態のまま,回転駆動機構62によりスピンチャック60上のウェハWが所定の回転数,例えば2000rpmで高速回転される。そして,先ずウェハW中心上方に位置する溶剤供給ノズル69から所定の溶剤が吐出され,ウェハW表面に溶剤が塗布される。次いで,吐出ノズル68からレジスト液が吐出され,このレジスト液はウェハWの回転によりウェハW表面全面に拡散される。その後,さらに高速回転,例えば3500rpmにし,余計なレジスト液を振り切ってウェハW上に所定の厚さでかつ厚みの均一なレジスト膜が形成される。そして,ウェハWの回転が停止され,ウェハW上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理が終了する。なお,ウェハWの回転が停止されると同時に温度調節室75cの温度が他の温度と同じ例えば23℃に戻される。
【0054】
その後,ウェハWは回転駆動機構62により再び上昇され,主搬送装置13に受け渡され,その後レジスト塗布装置17から搬出される。
【0055】
以上の実施の形態によれば,ウェハW上の温度の測定値に基づいて,レジスト膜の厚みに影響を与えるウェハW上の温度を,予め求められていたレジスト膜が均一に形成されるための所定範囲の温度分布に調節することができるので,スピンコーティング法により均一なレジスト膜が形成できる。
【0056】
また,ウェハW上の温度を反射鏡87を用いて間接的に測定したため,サーモビュワー85の設置位置をケーシング17aの側方にすることができ,レジスト塗布装置17自体の高さを低く保つことができる。なお,高さを考慮する必要がない場合もあるため,反射鏡87を用いずに直接ウェハW上の温度を測定するようにしてもよい。
【0057】
以上の実施の形態では,気体供給手段70の供給口78からの清浄空気の温度を変更させて,レジスト膜の膜厚を変更するようにしていたが,温度に変えて湿度又は清浄空気の供給方向を変更させてもよい。
【0058】
また,上述した実施の形態では,サーモビュワー85の測定結果に基づいて,清浄空気の温度とその供給位置を変更していたが,ウェハW上の雰囲気例えば温度や湿度を変えることのできる溶剤蒸気をウェハW上に供給するようにしてもよい。以下,かかる場合を第2の実施の形態として説明する。
【0059】
第2の実施の形態にかかるレジスト塗布装置17の構成は,図9に示すように,ウェハW上方に水平方向に移動可能な溶剤蒸気吐出ノズル90を設ける。そして,このよう溶剤蒸気吐出ノズル90の吐出タイミングと水平移動を制御するノズル制御装置92が設けられ,このノズル制御装置92には,サーモビュワー85からのデータが送信されるように構成されている。
【0060】
そして,ウェハWがスピンチャック60に載置され,第1の実施の形態と同様に,サーモビュワー85によりウェハW上の温度が測定され,上述した理想温度分布と比較され,許容範囲から逸脱している部分がある場合には,その逸脱部分の位置と温度のデータをノズル制御装置92に送信する。そして,そのデータに基づいて,溶剤蒸気吐出ノズル90の位置が移動され,所定のタイミング,例えばウェハW上にレジスト液が供給されると同時に所定の溶剤蒸気,例えばシンナーがウェハW上の前記逸脱部分に吹き付けられる。
【0061】
こうすることにより,ウェハW上の前記逸脱部分における雰囲気の温度及び湿度が変更され,レジスト液の気化量が変更されるため,レジスト膜の膜厚を補正し,ウェハW上に均一なレジスト膜を形成することができる。
【0062】
また,第3の実施の形態として,サーモビュワー85の測定結果に基づいて,排気口80からの排気量を変更することが提案できる。この場合には,図10に示すようにサーモビュワー85のデータを吸引装置81に送信可能に構成しておき,上述した第1の実施の形態と同様に予め求めておいた理想温度分布と測定結果を比較し,補正が必要な場合にのみそのデータを送信し,そのデータに基づいて排気口80からの排気量を変更させる。それによって,ウェハWの周辺部付近の雰囲気がより多く排気されるため,ウェハW周辺部の湿度が変更され,ウェハW周辺部からのレジスト液の気化量が変更される。その結果レジスト膜の厚みが調節され,所定の均一なレジスト膜が形成できる。
【0063】
さらに,第4の実施の形態として,サーモビュワー85の測定結果に基づいて,スピンチャック60の回転速度を変更することが提案できる。この場合には,図11に示すようにサーモビュワー85のデータを回転駆動機構62に送信可能に構成しておき,上述した第1の実施の形態同様に,予め求めておいた理想温度分布と測定結果を比較し,補正が必要な場合にのみ,そのデータを回転駆動機構62に送信し,そのデータに基づいて回転速度を変更させる。それによって,ウェハW上の気化量が増減し,ウェハW上のレジスト膜の厚みを補正することにより,所定の均一なレジスト膜が形成される。
【0064】
この第4の実施の形態は,レジスト塗布処理においてウェハW上にレジスト膜を形成する場合だけでなく,現像処理においてウェハW上に現像液の液膜を形成する際にも応用できる。特に,現像処理では,通常,初めにウェハW上に現像液や純水等の薄膜を形成し,その後本格的に現像液を供給して,ウェハW上に液盛りして現像処理が行われるが,前記温度の測定値に基づいて前記薄膜を形成する際のウェハWの回転速度を調節するようにしてもよい。すなわち,現像液を供給する前に,ウェハW上の温度を測定し,その測定値と予め求めておいた理想温度分布とを比較して,例えばあるしきい値を越えた場合のみ回転速度を調節する。こうすることにより,上述したように,ウェハW上の現像液の気化量が変動され,ウェハW上に形成される薄膜がより均一になるように調節される。したがって,ウェハWの現像処理がウェハW面内において均一に行われる。
【0065】
また,以上の実施の形態では,スピンチャック60上に載置されたウェハW表面の温度を測定していたが,それに加えウェハWを載置する前に,例えばサーモビュワー85によってスピンチャック60の上面60aの温度も測定するようにしてもよい。これは,多数枚のウェハWを処理する内に徐々にスピンチャック60に摩擦熱等の熱が蓄熱され,スピンチャック60の温度が上昇する場合があり,スピンチャック60の温度上昇は,その上に載置されるウェハWの温度上昇に繋がるからである。そして,前記測定結果に基づいて,スピンチャック60の温度を調節するが,その手段については,前記第1〜第4の実施の形態で記載した何れかの手段を用いるようにしてもよい。例えば,図12に示すように気体供給手段70を用いてスピンチャック60の温度を調節するようにしてもよい。
【0066】
また,以上の実施の形態では,ウェハWにレジスト液を供給する際にウェハWを回転させるスピンコーティング法を用いた場合について記載したが,ウェハWを回転させないその他の方法,例えば,レジスト液若しくはその他の処理液の供給手段をウェハW上で移動させながら,レジスト液等を供給し,ウェハW上にレジスト膜或いはその他の処理膜を形成する方法を用いた場合にも適用できる。
【0067】
以上の実施の形態では,ウェハWにレジスト液を塗布し,レジスト膜を形成する膜形成装置であったが,本発明は,絶縁膜等の他の膜形成装置,例えばSOD,SOG膜形成装置,さらにはウェハW上に現像液の液膜を形成する現像処理装置においても適用できる。また,ウェハW以外の基板例えばLCD基板の膜形成装置にも適用される。
【0068】
【発明の効果】
請求項1〜15によれば,基板或いは保持部材の温度を測定し,その測定値に基づいて,基板上の温度や湿度等を補正することにより,基板上により均一な膜が形成され,その結果歩留まりの向上が図られる。
【0069】
特に請求項1,2又は9によれば,処理液の供給前に基板温度を測定できるので,その測定結果に基づいて,各基板毎に個別に処理環境を補正し,その基板の膜形成処理を好適に行うことができる。
【0070】
また,請求項8〜15のように,温度測定装置として非接触温度測定装置若しくは熱赤外線測定装置を用いることにより,基板に直接温度測定装置を設ける必要が無く,非接触で測定できる。特に基板が回転されて処理される場合には,基板の偏心や電線の切断等の観点から非接触であることに大きな利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態にかかるレジスト塗布装置が組み込まれた塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図2】図1の塗布現像処理システムの正面図である。
【図3】図1の塗布現像処理システムの背面図である。
【図4】本実施の形態にかかるレジスト塗布装置の縦断面の説明図である。
【図5】図4で示すレジスト塗布装置内の気体供給手段の縦断面の説明図である。
【図6】図5で示す気体供給手段の横断面の説明図である。
【図7】測定されたウェハ上の温度分布と理想温度分布との一例を示す説明図である。
【図8】図4の気体供給手段からウェハ上に気体が供給される状態を示す説明図である。
【図9】第2の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の縦断面の説明図である。
【図10】第3の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の縦断面の説明図である。
【図11】第4の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の縦断面の説明図である。
【図12】スピンチャックの上面の温度を測定する場合の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の一例を示す縦断面の説明図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理システム
17 レジスト塗布装置
60 スピンチャック
70 気体供給手段
75a,75b,75c 温度調節室
77 温度制御装置
85 サーモビュワー
S 処理室
W ウェハ
Claims (6)
- 処理室内に気体を供給すると共に,前記処理室内の雰囲気を排気する状態で,前記処理室内の保持部材に載置された基板に処理液を供給し,基板表面に前記処理液の膜を形成する膜形成方法であって,
前記処理液の供給前に,前記基板表面の温度を測定する工程と,
前記基板表面の温度の測定結果に基づいて,前記基板に前記処理液の溶剤の蒸気を吹き付ける工程と,を有することを特徴とする,膜形成方法。 - 処理室内に気体を供給すると共に,前記処理室内の雰囲気を排気する状態で,前記処理室内の保持部材に載置された基板に処理液を供給し,前記基板表面に前記処理液の膜を形成する膜形成方法であって,
前記処理液の供給前に,前記保持部材上の温度を測定する工程と,
前記温度の測定結果に基づいて,前記基板に前記処理液の溶剤の蒸気を吹き付ける工程と,を有することを特徴とする,膜形成方法。 - 前記保持部材上の温度の測定結果に基づいて,前記保持部材の温度を変更する工程を有することを特徴とする,請求項2に記載の膜形成方法。
- 前記温度測定は,非接触温度測定装置により行われることを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載の膜形成方法。
- 処理室内において保持部材上に載置された基板に処理液を供給し,前記基板表面に前記処理液の膜を形成する膜形成装置であって,
測定対象物である少なくとも前記基板表面又は前記保持部材上の温度を測定する非接触温度測定装置と,
前記基板上の任意の位置に前記処理液の溶剤蒸気を供給可能な溶剤蒸気供給手段と,
前記非接触温度測定装置による測定結果に基づいて,前記溶剤蒸気供給手段の前記溶剤蒸気の供給位置を制御する制御装置と,を有することを特徴とする,膜形成装置。 - 前記非接触温度測定装置は,熱赤外線測定装置であり,
前記測定対象物からの赤外線を前記熱赤外線測定装置に反射させる反射板を有することを特徴とする,請求項5に記載の膜形成装置。
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JP4075527B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2008-04-16 | 日本電気株式会社 | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
KR100487665B1 (ko) * | 2002-10-28 | 2005-05-03 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Lcd셀 접합공정용 압착장치 |
EP1459887A3 (en) * | 2003-03-20 | 2005-03-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image forming method and image exposure apparatus |
JP2004335750A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 処理スケジュール作成方法 |
JP4324527B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2009-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び現像装置 |
US7396412B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-07-08 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with shared dispense |
US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
KR100666357B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2007-01-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP4760516B2 (ja) * | 2005-12-15 | 2011-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
KR100724188B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 스피너 설비 |
US7951616B2 (en) * | 2006-03-28 | 2011-05-31 | Lam Research Corporation | Process for wafer temperature verification in etch tools |
US8206996B2 (en) | 2006-03-28 | 2012-06-26 | Lam Research Corporation | Etch tool process indicator method and apparatus |
US7867403B2 (en) * | 2006-06-05 | 2011-01-11 | Jason Plumhoff | Temperature control method for photolithographic substrate |
JP4788610B2 (ja) | 2007-01-17 | 2011-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、塗布、現像装置、加熱方法及び記憶媒体 |
JP4748192B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
KR101242989B1 (ko) * | 2008-11-05 | 2013-03-12 | 가부시끼가이샤 도시바 | 성막 장치, 성막 방법 및 반도체 장치 |
JP5448536B2 (ja) * | 2009-04-08 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト塗布現像装置およびレジスト塗布現像方法、並びにレジスト膜処理装置およびレジスト膜処理方法 |
JP5472169B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2014-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
WO2013072144A1 (en) * | 2011-11-17 | 2013-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2013235957A (ja) * | 2012-05-09 | 2013-11-21 | Lapis Semiconductor Co Ltd | レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 |
JP5807622B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2015-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置、基板処理装置及び記憶媒体 |
JP6255152B2 (ja) * | 2012-07-24 | 2017-12-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置 |
KR101878578B1 (ko) * | 2013-11-27 | 2018-07-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 광학 프로젝션을 이용한 기판 튜닝 시스템 및 방법 |
CN103706518B (zh) * | 2013-12-17 | 2016-08-17 | 深圳众为兴技术股份有限公司 | 一种点胶方法、装置及*** |
EP3138123B1 (en) * | 2014-04-30 | 2021-06-02 | Kateeva, Inc. | Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating |
US10082461B2 (en) * | 2014-07-29 | 2018-09-25 | Nanometrics Incorporated | Optical metrology with purged reference chip |
US9958673B2 (en) * | 2014-07-29 | 2018-05-01 | Nanometrics Incorporated | Protected lens cover plate for an optical metrology device |
JP6072845B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2017-02-01 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理システム、基板処理装置及びプログラム |
JP6481598B2 (ja) * | 2015-12-07 | 2019-03-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 |
TWI666684B (zh) | 2015-11-16 | 2019-07-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 塗佈膜形成方法、塗佈膜形成裝置及記憶媒體 |
JP7166089B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2022-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
KR102211780B1 (ko) * | 2018-11-06 | 2021-02-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7232737B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2023-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2628637B2 (ja) * | 1986-09-11 | 1997-07-09 | パイオニア株式会社 | レジスト塗布装置 |
JPS63294965A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-01 | Toshiba Corp | 回転塗布装置 |
JPH0167734U (ja) * | 1987-10-23 | 1989-05-01 | ||
JPH02234085A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH03207467A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-10 | Nec Corp | 塗布剤の塗布方法及びその装置 |
JPH0734890B2 (ja) * | 1991-10-29 | 1995-04-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | スピン・コーティング方法 |
JPH05166712A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-07-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転塗布方法 |
US5452052A (en) * | 1992-03-25 | 1995-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for exposing chemically amplified resist |
US5366757A (en) * | 1992-10-30 | 1994-11-22 | International Business Machines Corporation | In situ resist control during spray and spin in vapor |
TW268905B (ja) * | 1993-05-20 | 1996-01-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
JPH08150368A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液塗布装置 |
SE505157C2 (sv) * | 1995-10-31 | 1997-07-07 | Seco Tools Ab | Metod och skär för gängning |
US6121579A (en) * | 1996-02-28 | 2000-09-19 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, and processing apparatus |
JP3695606B2 (ja) * | 1996-04-01 | 2005-09-14 | 忠弘 大見 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3516195B2 (ja) * | 1996-05-28 | 2004-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法及びその装置 |
TW464944B (en) * | 1997-01-16 | 2001-11-21 | Tokyo Electron Ltd | Baking apparatus and baking method |
JPH11165114A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 枚葉式基板処理装置 |
US6291800B1 (en) * | 1998-02-20 | 2001-09-18 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus and substrate processing system |
US6368776B1 (en) * | 1998-03-18 | 2002-04-09 | Tokyo Electron Limited | Treatment apparatus and treatment method |
US6040118A (en) * | 1998-10-30 | 2000-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Critical dimension equalization across the field by second blanket exposure at low dose over bleachable resist |
US6169274B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-01-02 | Tokyo Electron Ltd. | Heat treatment apparatus and method, detecting temperatures at plural positions each different in depth in holding plate, and estimating temperature of surface of plate corresponding to detected result |
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