KR20010021244A - 탄성표면파 장치 - Google Patents

탄성표면파 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20010021244A
KR20010021244A KR1020000045886A KR20000045886A KR20010021244A KR 20010021244 A KR20010021244 A KR 20010021244A KR 1020000045886 A KR1020000045886 A KR 1020000045886A KR 20000045886 A KR20000045886 A KR 20000045886A KR 20010021244 A KR20010021244 A KR 20010021244A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ground
pattern
electrode
acoustic wave
wave device
Prior art date
Application number
KR1020000045886A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100679958B1 (ko
Inventor
미사와기요히데
가와찌오사무
후루사또히로유끼
우에다마사노리
Original Assignee
사라가와 다쓰오
후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사라가와 다쓰오, 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 filed Critical 사라가와 다쓰오
Publication of KR20010021244A publication Critical patent/KR20010021244A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100679958B1 publication Critical patent/KR100679958B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 래더형 필터 구성을 갖는 탄성표면파 장치를 주파수 특성을 실질적으로 손상시키지 않고 소형화하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 탄성표면파 장치는 래더형 필터가 형성된 압전기판을 패키지 본체 상에 플립 칩법에 의해 페이스 다운 상태로 실장시키고, 그 때 패키지 본체 상에 접지 전극을 공통 접속시키는 배선 패턴을 형성한다.

Description

탄성표면파 장치{A surface-acoustic-wave device}
본 발명은 일반적으로 탄성표면파 장치에 관한 것으로, 특히 플립 칩(flip-chip)에 의해 실장되는 탄성표면파 장치에 관한 것이다.
탄성표면파 장치는 휴대전화나 무선전화, 또는 무선기 등의 고주파 회로를 포함한 전자장치에 널리 사용되고 있다. 탄성표면파 장치는 이들 전자장치의 크기 및 중량의 감소에 크게 공헌하고 있다.
한편, 이들 전자장치에는 크기 및 중량의 감소가 한층 더 요구되기 때문에, 탄성표면파 장치에도 엄격한 소형화의 요구가 부과되고 있다. 다만, 이러한 소형화에 있어서, 탄성표면파 장치의 대역외 감쇠 특성이 열화(劣化)되어서는 않된다.
도 1은 종래의 래더 구성의 탄성표면파 필터의 등가회로도를 나타내며, 도 2는 도 1의 탄성표면파 필터의 구성을 나타낸다.
도 1을 참조하면, 래더형 탄성표면파 필터는 입력단자(11)와 출력단자(12) 사이에 직렬로 삽입된 직렬 공진기(13, 14)와, 상기 입력단자(11)와 공진기(13) 사이의 신호로(信號路)를 분기(分岐) 및 접지하는 입력측 병렬 공진기(15), 상기 직렬 공진기(13)와 상기 직렬 공진기(14) 사이의 신호로를 분기 및 접지하는 중간 병렬 공진기(16), 상기 직렬 공진기(14)와 출력단자(12) 사이의 신호로를 분기 및 접지하는 출력측 병렬 공진기(17)로 이루어지고, 이들 공진기(13∼17)는 LiTaO3단결정 또는 LiNbO3단결정 등의 압전결정으로 이루어진 공통의 압전기판(10) 상에 형성된다.
도 2는 이러한 압전기판(10)을 필터 패키지(20) 상에 실장시킨 상태를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 상기 필터 패키지(20)는 도체막(21a)에 의해 덮인 저부(21A)와 측벽부(21B)를 갖고, 상기 저부(21A)와 상기 측벽부(21B)에 의해 오목부(21C)를 형성한 패키지 본체(21)로 이루어지며, 상기 저부(21A) 상에는 상기 도체막(21a)을 사이에 두고 상기 압전기판(10)이 접착제층(21b)에 의해 이른바 페이스 업(face-up) 상태로 실장된다. 즉, 도 1의 등가회로에 대응하는 탄성표면파 장치의 전극 패턴이 상기 압전기판(10)의 상부 주면(主面)에 형성된다. 또한, 상기 측벽부(21B)의 상면(上面)에는 배선 패턴(21c, 21d)이 형성되고, 상기 배선 패턴(21c)에 상기 기판(10) 상의 전극이 본딩 와이어(22A, 22B)에 의해 접속된다.
또한, 상기 측벽부(21B)의 상면에는 상기 배선 패턴(21c, 21d)이 노출되도록 프레임 형상부(21D)가 형성되고, 상기 프레임 형상부(21D) 상에는 메탈 캡(23)이 형성된다. 상기 메탈 캡(23)은 상기 프레임 형상부(21D) 상의 접지 패턴(22e, 22f)을 통하여, 상기 저부(21A)의 하면(下面)에 형성된 접지 패드(21e, 21f)에 전기적으로 접속된다. 또한, 마찬가지로 상기 측벽부(21B) 상의 배선 패턴(21c, 21d)도 상기 저부(21A)의 하면에 형성된 대응하는 전극 패드에 전기적으로 접속된다.
도 2의 필터 패키지(20)에서는, 상기 압전기판(10) 상의 탄성표면파 장치와 상기 배선 패턴(21c, 21d)을 전기적으로 접속시키기 위해 상술한 바와 같이 본딩 와이어(22A, 22B)가 사용되기 때문에, 이러한 본딩 와이어를 수용하는 공간을 형성하기 위해 상기 프레임 형상부(21D)를 형성하는 것이 요구된다. 그러나, 이러한 프레임 형상부(21D)는 상기 패키지(20)의 높이를 크게 하는 것이기 때문에, 탄성표면파 장치의 소형화에 대하여 장해가 된다.
그래서, 본 발명은 상기 과제를 해결한 신규하고 유용한 탄성표면파 장치를 제공하는 것을 개괄적인 과제로 한다.
본 발명의 보다 구체적인 과제는 크기가 감소된 동시에, 우수한 대역외 감쇠 특성을 갖는 탄성표면파 장치를 제공함에 있다.
본 발명은 상기 과제를, 청구항 1에 기재된 바와 같이,
압전기판과,
상기 압전기판의 주면 상에 형성된 래더형 필터 구성을 갖는 전극 패턴과,
상기 압전기판을 수납하는 패키지 본체로 이루어진 탄성표면파 장치에 있어서,
상기 패키지 본체는 상기 압전기판을 페이스 다운(face-down) 상태로 유지시키는 저부와, 상기 저부 상에 유지된 상기 압전기판을 측방향으로부터 둘러싼 측벽부로 이루어지고,
상기 저부와 상기 측벽부는 상기 압전기판을 수납하는 오목부를 형성하며,
상기 저부는 상기 전극 패턴과 전기적으로 접속되는 배선 패턴을 유지시키고,
상기 배선 패턴은 상기 저부 상에 있어서 위치적으로 떨어진 제 1 접지 패턴과 제 2 접지 패턴을 포함하며, 상기 제 1 접지 패턴과 상기 제 2 접지 패턴은 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치에 의해,
또는, 청구항 2에 기재된 바와 같이,
상기 압전기판은 상기 주면 상에 입력 전극과, 출력 전극과, 상기 입력 전극과 출력 전극 사이의 신호로에 직렬로 삽입된 적어도 한 쌍의 직렬 공진기와, 상기 입력 전극을 접지하는 입력측 병렬 공진기와, 상기 출력 전극을 접지하는 출력측 병렬 공진기와, 상기 한 쌍의 직렬 공진기를 공통으로 접지하는 중간 공진기와, 상기 입력측 병렬 공진기를 접지하는 입력측 접지 전극과, 상기 출력측 공진기를 접지하는 출력측 접지 전극과, 상기 중간 공진기를 접지하는 중간 접지 전극을 포함한 복수의 전극을 구비하고, 상기 입력측 접지 전극 및 출력측 접지 전극이 상기 제 1 접지 패턴에, 상기 중간 접지 전극이 상기 제 2 접지 패턴에 결합되도록, 상기 저부 상에 플립 칩에 의해 실장되는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 탄성표면파 장치에 의해,
또는, 청구항 3에 기재된 바와 같이,
상기 측벽부에는 상기 오목부를 덮는 도전성 캡 부재에 결합되도록 적합한 결합면이 형성되고, 상기 결합면 상에는 도전성 캡 부재가 상기 오목부를 덮도록 상기 결합면 상에 장착된 경우, 상기 도전성 캡 부재에 결합되도록 적합한 도전성 실 링(seal ring)이 형성되어 있고, 상기 도전성 실 링은 상기 제 1 및 제 2 접지 패턴에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1 또는 2에 기재된 탄성표면파 장치에 의해,
또는, 청구항 4에 기재된 바와 같이,
상기 제 1 접지 패턴과 상기 제 2 접지 패턴은 인덕턴스를 통하여 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1 또는 2에 기재된 탄성표면파 장치에 의해,
또는, 청구항 5에 기재된 바와 같이,
상기 측벽부에는 상기 오목부를 덮는 도전성 캡 부재에 결합되도록 적합한 결합면이 형성되고, 상기 결합면 상에는 도전성 캡 부재가 상기 오목부를 덮도록 상기 결합면 상에 장착된 경우, 상기 도전성 캡 부재에 결합되도록 적합한 도전성 실 링이 형성되어 있고, 상기 도전성 실 링은 상기 제 1 및 제 2 접지 패턴의 한쪽에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 4에 기재된 탄성표면파 장치에 의해,
또는, 청구항 6에 기재된 바와 같이,
상기 인덕턴스는 상기 탄성표면파 장치의 대역외 감쇠가 최적으로 되도록 최적화되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 5에 기재된 탄성표면파 장치에 의해,
또는, 청구항 7에 기재된 바와 같이,
상기 배선 패턴은 복수의 도전층의 적층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 6 중의 어느 한 항에 기재된 탄성표면파 장치에 의해,
또는, 청구항 8에 기재된 바와 같이,
상기 복수의 전극의 각각은 복수의 범프 전극을 적층시킨 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 7 중의 어느 한 항에 기재된 탄성표면파 장치에 의해,
또는, 청구항 9에 기재된 바와 같이,
상기 저부 상, 상기 제 1 접지 패턴과 상기 제 2 접지 패턴 사이의 부분에는, 상기 배선 패턴을 구성하는 입력 전극 패턴과 출력 전극 패턴의 적어도 한쪽이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 탄성표면파 장치에 의해,
또는, 청구항 10에 기재된 바와 같이,
실장면을 갖는 패키지 본체와,
상기 실장면 상에 페이스 다운 상태로 실장되는 압전기판과,
상기 페이스 다운 상태에 있어서 상기 실장면에 대향하는 상기 압전기판의 주면 상에 형성된 각각 래더형 필터 구성을 갖는 적어도 하나의 전극 패턴으로 이루어진 탄성표면파 장치에 있어서,
상기 각각의 전극 패턴은 상기 주면 상에 형성된 복수의 접지 전극을 포함하고,
상기 실장면 상에는 상기 복수의 접지 전극에 공통으로 접촉하는 접지 패턴이 각각의 전극 패턴에 대응하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치에 의해,
또는, 청구항 11에 기재된 바와 같이,
상기 실장면 상에 있어서, 상기 각각의 전극 패턴에 대응한 접지 패턴은 서로 전기적으로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 10에 기재된 탄성표면파 장치에 의해,
또는, 청구항 12에 기재된 바와 같이,
실장면을 갖는 패키지 본체와,
상기 실장면 상에 페이스 다운 상태로 실장되는 압전기판과,
상기 페이스 다운 상태에 있어서 상기 실장면에 대향하는 상기 압전기판의 주면 상에 형성된 래더형 필터 구성을 갖는 제 1 전극 패턴과,
상기 압전기판의 상기 주면 상에 형성된 더블 모드형 필터 구성을 갖는 제 2 전극 패턴으로 이루어진 탄성표면파 장치에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 전극 패턴의 각각은 상기 주면 상에 복수의 접지 전극을 유지시키고, 상기 실장면 상에는 상기 복수의 접지 전극에 대하여 공통으로 접촉하는 제 1 접지 패턴이 상기 제 1 전극 패턴에 대응하고, 또 상기 복수의 접지 전극에 대하여 전기적으로 서로 분리되어 접촉하는 제 2 접지 패턴이 상기 제 2 전극 패턴에 대응하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치에 의해 해결한다.
본 발명에 따르면, 패키지 본체 상에 래더형 필터 구성의 전극 패턴을 갖는 압전기판을 페이스 다운 상태로 실장시킴으로써, 종래로부터 본딩 와이어를 수납하기 위해 요구되었던 패키지 본체 상부의 공간이 불필요해지고, 패키지 크기를 감소시키는 것이 가능해진다. 그 때, 상기 패키지 본체 상에 상기 래더형 필터의 전극 패턴에 포함되고, 입/출력단자를 분로(分路)시키는 입출력측 병렬 공진기의 접지 전극과 접촉하도록 제 1 접지 패턴을 형성하며, 신호로 중간부를 분로시키는 중간 병렬 공진기의 접지 전극과 접촉하도록 제 2 접지 패턴을 형성하고, 상기 제 1 접지 패턴과 제 2 접지 패턴을 전기적으로 접속시킴으로써, 대역외 감쇠 특성을 향상시킬 수 있다. 그 때, 상기 제 1 및 제 2 접지 패턴을 인덕턴스를 통하여 전기적으로 접속시키고, 상기 인덕턴스를 최적화함으로써, 탄성표면파 장치의 대역외 감쇠 특성을 최적화할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 접지 전극을 복수 범프의 적층에 의해 형성하거나, 상기 실장면 상의 배선 패턴을 복수 도체 패턴의 적층에 의해 형성함으로써, 상기 압전기판 상의 전극 패턴이 상기 실장면 상의 접지 패턴과 단락되는 문제를 회피할 수 있다.
게다가, 본 발명은 상기 압전기판 주면 상에 래더형 필터 구성의 전극 패턴을 포함한 복수의 전극 패턴이 형성되어 있는 탄성표면파 장치에 대해서도 적용시킬 수 있다. 이러한 본 발명이 적용가능한 탄성표면파 장치에는, 상기 압전기판 주면 상에 래더형 필터 구성의 전극 패턴과 더블 모드형 구성의 전극 패턴의 양쪽을 포함한 장치가 포함된다.
도 1은 전형적인 래더형(ladder型) 필터의 등가회로도를 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 래더형 필터 구성을 갖는 탄성표면파 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 탄성표면파 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 탄성표면파 장치에 있어서, 압전기판 상에 형성된 래더형 필터 구성의 전극 패턴의 예를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 3의 탄성표면파 장치에 있어서, 패키지 본체 상에 도 4의 전극 패턴에 대응하여 형성된 배선 패턴을 나타낸 도면이다.
도 6은 도 3의 탄성표면파 장치의 주파수 특성을 도 2의 탄성표면파 장치의 주파수 특성과 비교하여 나타낸 도면이다.
도 7은 도 3의 탄성표면파 장치의 주파수 특성을 상이한 구성의 탄성표면파 장치의 주파수 특성과 비교하여 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 탄성표면파 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 9는 도 8의 탄성표면파 장치에 있어서, 패키지 본체 상에 형성된 배선 패턴을 나타낸 도면이다.
도 10은 도 8의 탄성표면파 장치의 주파수 특성을 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 탄성표면파 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 탄성표면파 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 탄성표면파 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 14는 도 13의 탄성표면파 장치에 있어서, 압전기판 상에 형성된 더블 모드형 필터 구성의 전극 패턴의 예를 나타낸 도면이다.
도 15는 도 13의 탄성표면파 장치에 있어서, 패키지 본체 상에 도 14의 전극 패턴에 대응하여 형성된 배선 패턴을 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 30 : 압전기판 11 : 입력단자
12 : 출력단자 13, 14 : 직렬 공진기
15, 16, 17 : 병렬 공진기
20, 40, 50, 60, 70, 80 : 탄성표면파 장치
21, 41 : 패키지 본체 21A, 41A : 저부(底部)
21a : 도체막
41d : 접지 패턴 21b : 접착제층
21c, 21d, 41a : 배선 패턴 21e, 21f, 41e : 접지 패드
21B, 41B : 측벽부(側壁部) 21C, 41C : 오목부
21D : 프레임 형상부
22A, 22B : 본딩 와이어(bonding wire)
22e, 22f : 접지 패턴
41b, 42F : 도전성 실 링(seal ring)
23, 43 : 도전성 캡 30A : 압전기판 주면(主面)
31, 31A, 31B, 31H∼31K : 범프 전극
31a : 입력 전극 패드 31b : 출력 전극 패드
31c∼31g : 전극 패턴 31h∼31j : 접지 패드
31k : 더미(dummy) 패드
(41a)1, (41a)2, (41a)3, (41a)4: 배선 패턴
42A : 입력 패드 42B : 출력 패드
42C, 42D : 접지 패드 42E : 도전성 패턴
44 : 도전성 패드 42G : 인덕턴스 선로(線路)
[제 1 실시예]
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 탄성표면파 장치(40)의 구성을 나타낸다.
도 3을 참조하면, 상기 탄성표면파 장치(40)는 필터 패키지 본체(41)와, 상기 필터 패키지 본체(41) 상에 실장된 압전기판(30)을 포함한다. 상기 압전기판(30)은 그의 하부 주면(30A) 상에 도 1에 나타낸 등가회로에 대응하는 래더형 필터 구성의 전극 패턴을 유지시키고, 상기 필터 패키지 본체(41) 상에 플립 칩법에 의해 페이스 다운 상태로 실장된다.
한편, 상기 필터 패키지 본체(41)는 접지 패턴을 포함한 배선 패턴(41a)이 형성된 저부(41A)와, 상기 저부(41A) 상에 형성된 측벽부(41B)를 구비하고, 상기 저부(41A)와 상기 측벽부(41B)는 상기 패키지 본체(41) 중에 있어서 상기 압전기판(30)을 수납하는 오목부(41C)를 형성한다. 그래서, 상기 압전기판(30)은 상기 하부 주면(30A) 상에 형성된 범프 전극(31)에 의해, 상기 저부(41A) 상의 배선 패턴(41a)에 플립 칩 실장된다.
도 4는 상기 압전기판(30)의 하부 주면(30A) 상에 형성되는 도 1의 등가회로에 대응한 래더형 필터 구성의 전극 패턴의 예를 나타낸다. 다만, 도 4 중, 상술한 부분에는 동일한 참조부호를 첨부하여 설명을 생략한다.
도 4를 참조하면, 상기 전극 패턴은 상기 입력단자(11) 및 출력단자(12)에 각각 대응한 입력 전극 패드(31a) 및 출력 전극 패드(31b)와, 상기 입력 전극 패드(31a)와 출력 전극 패드(31b) 사이에 직렬로 접속된 상기 SAW 공진기(13, 14)에 각각 대응하는 빗살형 전극 패턴(31c, 31d)과, 상기 입력 전극 패드(31a)와 상기 빗살형 전극 패턴(31c) 사이의 신호로를 분로시키는 상기 SAW 공진기(15)에 대응하는 빗살형 전극 패턴(31e)과, 상기 빗살형 전극 패턴(31c)과 빗살형 전극 패턴(31d) 사이의 신호로를 분로시키는 상기 SAW 공진기(16)에 대응하는 빗살형 전극 패턴(31f)과, 상기 빗살형 전극 패턴(31d)과 출력 전극 패드(31b) 사이의 신호로를 분로시키는 상기 SAW 공진기(17)에 대응하는 빗살형 전극 패턴(31g)으로 이루어지며, 상기 주면(30A) 상에는 상기 빗살형 전극 패턴(31e)에 접속되는 접지 패드(31h)와, 상기 빗살형 전극 패턴(31f)에 접속되는 접지 패드(31i)와, 상기 빗살형 전극 패턴(31g)에 접속되는 접지 패드(31j)와, 별도의 더미(dummy) 전극 패드(31k)가 형성되어 있다. 또한, 상기 접지 패드(31h∼31j) 상에는 각각 접지 범프 전극(31H∼31J)이 형성되어 있다. 마찬가지로, 상기 더미 패드(31k) 상에는 별도의 더미 범프 전극(31K)이 형성된다.
도 5는 상기 패키지 본체(41)의 저부(41A) 상에 도 4의 전극 패턴에 대응하여 형성된 배선 패턴(41a)의 예를 나타낸다.
도 5를 참조하면, 상기 배선 패턴(41a)은, 상기 압전기판(30)이 플립 칩에 의해 실장된 경우에 상기 입력 범프 전극(31A)이 접촉하는 입력 패드(42A)와, 상기 출력 범프 전극(31B)이 접촉하는 출력 패드(42B)와, 접지 범프 전극(31H, 31J)이 접촉하는 접지 패드(42C)와, 접지 범프 전극(31I) 및 더미 범프 전극(31K)이 접촉하는 접지 패드(42D)를 포함하고, 상기 접지 패드(42C)와 상기 접지 패드(42D)는 도전성 패턴(42E)에 의해 접속되어 있다. 또한, 상기 저부(41A) 상에는 상기 패드(42A∼42E)를 둘러싸도록 도전성 패턴으로 이루어진 실 링(42F)이 연속적으로 형성되어 있다. 또한, 상기 입력 패드(42A) 및 출력 패드(42B)는 상기 저부(41A) 중의 상기 접지 패드(42C) 및 상기 접지 패드(42D) 사이의 부분 상에 형성된다.
다시 도 3을 참조하면, 상기 저부(41A) 상에는 플립 칩에 의해 실장된 상기 압전기판(30)을 둘러싸도록 측벽부(41B)가 형성되고, 그 결과, 상기 저부(41A) 및 상기 측벽부(41B)는 상기 패키지 본체(41) 중에 상기 압전기판을 수납하는 오목부(41C)를 형성한다. 또한, 상기 측벽부의 상면에는 도전성 실 링(41b)이 형성되고, 상기 실 링(41b)은 상기 측벽부(41B) 중에 연이어 존재하는 접지 패턴(41d)을 통하여 상기 저부(41A) 하면에 형성된 접지 패드(41e)에 전기적으로 접속된다.
또한, 상기 측벽부(41B) 상면에는 전형적으로 금속으로 이루어진 도전성 캡(43)이 형성된다. 상기 캡(43)은 상기 측벽부(41B) 상면에 형성된 도전성 실 링(41b)을 통하여, 상기 저부(41A) 하면의 접지 패드(41e)에 전기적으로 접속된다.
도 3으로부터 알 수 있듯이, 본 실시예에 따른 탄성표면파 장치(40)는 압전기판(30)을 상기 패키지 본체(41)의 저부(41A) 상에 플립 칩 실장시킴으로써, 도 2의 종래의 탄성표면파 장치(20)에서 요구되었던 본딩 와이어를 수납하기 위한 공간이 불필요해지고, 높이를 실질적으로 감소시키는 것이 가능해진다.
도 6은 도 3의 탄성표면파 장치(40)의 주파수 특성을 도 2의 탄성표면파 장치(20)의 주파수 특성과 비교하여 나타낸다. 다만, 어느 쪽의 주파수 특성도 압전기판을 패키지 본체 중에 실장시키고, 캡으로 밀봉시킨 상태에 대한 것이다. 도면 중에 있어서, 도 3의 탄성표면파 장치(40)의 주파수 특성은 실선으로, 도 2의 탄성표면파 장치(20)의 주파수 특성은 점선으로 도시되어 있다.
도 6을 참조하면, 통과대역 근방의 주파수 대역에서는 와이어 본딩을 사용한 탄성표면파 장치(20)쪽이 약간 우수한 대역외 감쇠 특성을 나타내고 있으나, 대략 3.6㎓를 초과한 근방에서부터는 도 3의 탄성표면파 장치(40)쪽이 훨씬 우수한 대역외 감쇠 특성을 나타낸다. 복수의 탄성표면파 장치를 사용한 휴대전화나 무선장치 등에서는 이러한 초고주파 대역에서 탄성표면파 장치 사이의 간섭에 의한 노이즈가 발생되기 쉽지만, 본 실시예의 탄성표면파 장치(40)는 이러한 노이즈를 효과적으로 억제할 수 있다.
또는, 도 7은 도 3의 탄성표면파 장치(40)의 주파수 특성을 상기 접지 패턴(42C, 42D)을 접속하는 도전성 패턴(42E)을 제거한 경우의 주파수 특성과 비교하여 나타낸다. 다만, 도 7 중, 상기 접지 패턴(42C, 42D)을 전기적으로 공통 접속시킨 경우를 실선으로, 분리시킨 경우를 점선으로 나타낸다.
도 7을 참조하면, 통과대역 근방의 주파수 대역에서는 접지 패턴(42C, 42D)을 분리시킨 경우가 약간 우수한 대역외 감쇠 특성을 나타내고 있으나, 대략 3.6㎓를 초과한 근방에서부터는 도 3의 탄성표면파 장치(40)쪽이 훨씬 우수한 대역외 감쇠 특성을 나타낸다. 복수의 탄성표면파 장치를 사용한 휴대전화나 무선장치 등에서는 이러한 초고주파 대역에서 탄성표면파 장치 사이의 간섭에 의한 노이즈가 발생되기 쉽지만, 본 실시예의 탄성표면파 장치(40)는 이러한 노이즈를 효과적으로 억제할 수 있다.
[제 2 실시예]
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 탄성표면파 장치(50)의 구성을 나타낸다. 다만, 도 8 중, 상술한 부분에는 동일한 참조부호를 첨부하여 설명을 생략한다.
도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 탄성표면파 장치(50)는, 상기 도 3의 탄성표면파 장치(40)에서 사용되었던 상기 패키지 본체(41)의 저부(41A) 상의 접지 패턴(42C, 42D)을 접속시키는 도체 패턴(42E)을 인덕턴스 선로(42G)에 의해 치환한 구성을 갖는다.
도 9는 도 8의 탄성표면파 장치(50)의 평면도를 나타낸다.
도 9를 참조하면, 상기 인덕턴스 선로(42G)는 상기 저부(41A) 상에 있어서 굴곡형상으로 연이어 존재하는 도체 패턴으로 이루어지고, 상기 접지 패턴(42C)과 접지 패턴(42D)을 인덕턴스를 통하여 접속시킨다.
도 10은 도 8의 탄성표면파 장치(50)에 있어서, 상기 선로(42G)의 인덕턴스를 변화시킨 경우의 주파수 특성을 나타낸다.
도 10을 참조하면, 상기 탄성표면파 장치(50)의 대역외 감쇠 특성은 상기 선로(42G)의 인덕턴스 값에 따라 다양하게 변화되지만, 인덕턴스 값이 증대됨에 따라, 탄성표면파 장치(50)의 대역 근방에 있어서의 대역외 감쇠 특성이 향상되는 경향이 있음을 알 수 있다. 한편, 상기 선로(42G)의 인덕턴스가 제로(0)일 경우에는, 대략 4㎓ 이상의 초고주파 대역에 있어서의 대역외 감쇠 특성이 향상된다.
이와 같이, 본 실시예에 따른 탄성표면파 장치(50)에 있어서는, 상기 선로(42G)의 인덕턴스를 최적화함으로써, 용도에 따라 대역외 감쇠 특성을 최적화하는 것이 가능해진다.
[제 3 실시예]
도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 탄성표면파 장치(60)의 구성을 나타낸다. 다만, 도 11 중, 상술한 부분에는 동일한 참조부호를 첨부하여 설명을 생략한다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 탄성표면파 장치(60)는 도 3의 탄성표면파 장치(40)와 동일한 구성을 갖지만, 상기 패키지 본체(41)의 저면 상에 형성된 접속 패드(42) 상에 별도의 도전성 패드(44)가 형성되는 점에서 상이하다. 다만, 상기 접속 패드(42)는 도 5에서 상술한 접속 패드(42A∼42D)를 포함하고, 상기 도전성 패드(44)는 상기 압전기판(30) 상의 범프 전극(31A, 31B, 31H∼31K)(도 4 참조, 도 11 중에 있어서는 부호 31에 의해 일괄적으로 나타낸다)이 접촉하는 영역에 형성된다. 도시된 예에서는, 상기 범프 전극(31)은 2개의 범프 전극을 적층시킨 구조를 갖는다.
예를 들어, 상기 접속 패드(42) 및 도전성 패드(44)는 Ni층을 Au층의 쌍으로 샌드위치시킨 구조의 도전체층에 의해, 또는 Cu층에 의해 형성할 수 있다. 또한, 상기 범프 전극(31)의 각각은 Au층에 의해 형성할 수 있다.
도 11의 탄성표면파 장치(60)에서는, 상기 접속 패드(42) 상에 별도의 도전성 패드(44)를 형성하거나, 상기 범프 전극(31)을 다층 구조로 함으로써, 상기 기판(30)의 주면(30A)과 상기 패키지 본체(41)의 저면(41A) 사이의 간격이 다소 증대되고, 상기 기판(30) 상에 형성된 전극 패턴이 상기 저면(41A) 상의 배선 패턴과 단락을 발생시킬 위험이 실질적으로 감소된다.
[제 4 실시예]
도 12는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 탄성표면파 장치(70)의 구성을 나타낸다. 다만, 도 12 중, 상술한 부분에는 동일한 참조부호를 첨부하여 설명을 생략한다.
도 12를 참조하면, 본 실시예에서는 상기 압전기판(30)의 하부 주면(30A)을 2개의 영역, 즉, 영역(301, 302)으로 분할시키고, 각각의 영역에 도 4에서 상술한 래더형 필터 구성의 전극 패턴을 형성한다. 또한, 상기 압전기판이 플립 칩에 의해 실장된 패키지 본체(41)의 저부(41A)에는, 상기 영역(301)에 대응하는 배선 패턴((41a)1)과 상기 영역(302)에 대응하는 배선 패턴((41a)2)이 서로 분리되어 형성된다. 상기 영역(301)과 영역(302)에 형성되는 래더형 필터는 서로 상이한 통과대역 특성을 갖고 있을 수도 있다.
각각의 배선 패턴((41a)1, (41a)2)은 도 5에서 상술한 접속 패드(42A∼42D)를 포함하고, 그 중 접지 패드(42C, 42D)는 전기적으로 접속되어 있다.
즉, 도 12의 탄성표면파 장치(70)에서는 서로 동일하거나 상이한 통과대역 특성을 갖는 복수의 필터 요소를 동일한 패키지 본체 중에 형성할 수 있다. 그 때, 각각의 영역(301, 302)에 있어서 접지 전극을 공통으로 전기적으로 접속시킴으로써, 특히, 통과대역보다도 훨씬 높은 초고주파 대역에 있어서의 대역외 감쇠 특성을 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 각각의 영역(301, 302)에 있어서 접지 전극을 분리시킴으로써, 필터 요소 사이의 분리(isolation)가 향상된다.
[제 5 실시예]
도 13은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 탄성표면파 장치(80)의 구성을 나타낸다. 다만, 도 13 중, 상술한 부분에는 동일한 참조부호를 첨부하여 설명을 생략한다.
도 13을 참조하면, 상기 압전기판(30)의 하부 주면(30A)은 도 12의 탄성표면파 장치(70)와 동일하게 영역(301, 302)으로 분할되고, 상기 영역(301)에는 앞선 실시예와 동일하게 도 4에서 설명한 래더형 필터 구성의 전극 패턴이 형성되지만, 본 실시예에서는 상기 영역(302)에 도 14에 나타낸 더블 모드형 필터 구성의 전극 패턴이 형성된다.
도 14를 참조하면, 상기 영역(302) 상에는 입력 전극 패드(31l)와 출력 전극 패드(31m)가 형성되어 있으며, 상기 입력 전극 패드(31l)에 접속되어 입력측 빗살형 전극쌍(Tin)이 형성된다. 또한, 상기 빗살형 전극쌍(Tin)이 여기(勵起)하는 탄성표면파의 전파(傳播)경로 상 양측에 한 쌍의 다른 입력측 빗살형 전극쌍(Sin)이 형성되며, 그 외측에 입력측 반사기(Rin)가 형성된다.
상기 영역(302) 상에는 상기 출력 전극 패드(31m)에 접속되어 출력측 빗살형 전극쌍(Tout)이 형성되며, 또한 탄성표면파의 전파경로 상 양측에 한 쌍의 다른 출력측 빗살형 전극쌍(Sout)이 형성된다. 상기 한 쌍의 빗살형 전극쌍(Sout)은 상기 한 쌍의 빗살형 전극쌍(Sin)으로부터의 출력 전기 신호에 의해 구동되고, 그 결과, 여기된 탄성표면파가 사이의 빗살형 전극쌍(Tout)을 구동시키며, 출력신호가 상기 출력 전극 패드(31m)에 얻어진다.
이러한 구성의 더블 모드형 필터에서는, 상기 영역(302) 상에 상기 빗살형 전극쌍(Tin)에 대응하여 접지 전극(31t)이, 상기 빗살형 전극쌍(Sin)에 대응하여 접지 전극(31n, 31o)이, 상기 빗살형 전극쌍(Tout)에 대응하여 접지 전극(31s)이, 상기 빗살형 전극쌍(Sout)에 대응하여 접지 전극(31p, 또는 31q)이 형성되고, 상기 전극(31l∼31q, 31s, 31t) 상에는 각각 대응하는 범프 전극(31L∼31Q, 31S, 31T)이 형성된다.
도 15는 도 14의 압전기판 상에 있어서의 더블 모드형 필터 전극 패턴에 대응하여, 상기 패키지 본체(41)의 저부(41A) 상에 형성된 배선 패턴을 나타낸다.
도 15를 참조하면, 상기 저부(41A) 중의 상기 압전기판(30)의 영역(302)에 대응하는 부분에는, 상기 입력 범프 전극(31L)이 접촉하는 입력 패드(42H)와, 상기 출력 범프 전극(31M)이 접촉하는 출력 패드(42I)와, 상기 접지 범프 전극(31N, 31P, 31S)이 접촉하는 제 1 접지 패드(42J)와, 상기 접지 범프 전극(31O, 31Q, 31T)이 접촉하는 제 2 접지 패드(42K)가 형성되며, 상기 패드(42H∼42K)는 앞선 실 링(42F)과 동일한 실 링(42L)에 의해 둘러싸여 있다. 또한, 이러한 더블 모드형 필터 구성을 위한 배선 패턴에서는, 상기 제 1 접지 패드(42J)와 제 2 접지 패드(42K)는 서로 분리된 상태에서 형성되고, 상기 저부(41A) 상에 양자를 전기적으로 접속시키는 패턴이 형성되지는 않는다. 이에 대응하여, 도 13에 있어서 상기 저부(41A) 중 상기 영역(302)에 대응하는 부분에서는, 도 12의 배선 패턴((41a)2) 대신에 서로 분리된 배선 패턴((41a)3, (41a)4)이 형성된다.
본 실시예의 탄성표면파 장치(80)의 그 밖의 구성은 상술한 바와 같기 때문에, 설명을 생략한다. 상기 탄성표면파 장치(80)에 있어서도, 상기 패키지 본체(41)의 저부(41A) 상에 형성된 배선 패턴은 상기 래더형 필터에 대응하는 부분과 더블 모드형 필터에 대응하는 부분에서 전기적으로 분리되어 있으며, 또한 각각이 도전성 실 링(42F, 42L)에 의해 차폐되어 있기 때문에, 서로 간섭이 발생되지 않는다.
본 실시예의 탄성표면파 장치(80)에서는, 단일 패키지 본체 중에 래더형 구성의 필터와 더블 모드형 구성의 필터를 일체적으로 형성할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이러한 특정 실시예에 한정되는 것이 아니라, 특허청구범위에 기재된 요지 내에 있어서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.
청구항 1 내지 8에 기재된 본 발명의 특징에 따르면, 패키지 본체 상에 래더형 필터 구성의 전극 패턴을 갖는 압전기판을 페이스 다운 상태로 실장시킴으로써, 종래로부터 본딩 와이어를 수납하기 위해 요구되었던 패키지 본체 상부의 공간이 불필요해지고, 패키지 크기를 감소시키는 것이 가능해진다.
청구항 2에 기재된 본 발명의 특징에 따르면, 상기 패키지 본체 상에 상기 래더형 필터의 전극 패턴에 포함되고, 입/출력단자를 분로시키는 입출력측 병렬 공진기의 접지 전극과 접촉하도록 제 1 접지 패턴을 형성하고, 또한 신호로 중간부를 분로시키는 중간 병렬 공진기의 접지 전극과 접촉하도록 제 2 접지 패턴을 형성하며, 상기 제 1 접지 패턴과 제 2 접지 패턴을 전기적으로 접속시킴으로써, 대역외 감쇠 특성을 향상시킬 수 있다.
청구항 4에 기재된 본 발명의 특징에 따르면, 상기 제 1 및 제 2 접지 패턴을 인덕턴스를 통하여 전기적으로 접속시키고, 상기 인덕턴스를 최적화함으로써 탄성표면파 장치의 대역외 감쇠 특성을 최적화할 수 있다.
청구항 7 또는 8에 기재된 본 발명의 특징에 따르면, 상기 접지 전극을 복수의 범프의 적층에 의해 형성하거나, 상기 실장면 상의 배선 패턴을 복수의 도체 패턴의 적층에 의해 형성함으로써, 상기 압전기판 상의 전극 패턴이 상기 실장면 상의 접지 패턴과 단락되는 문제를 회피할 수 있다.
청구항 9, 10에 기재된 본 발명의 특징에 따르면, 상기 압전기판 주면 상에 래더형 필터 구성의 전극 패턴을 포함한 복수의 전극 패턴이 형성되어 있는 탄성표면파 장치에 대해서도 적용시킬 수 있다.
청구항 11에 기재된 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명은 상기 압전기판 주면 상에 래더형 필터 구성의 전극 패턴과 더블 모드형 구성의 전극 패턴의 양쪽을 포함한 탄성표면파 장치에도 적용시킬 수 있다.

Claims (12)

  1. 압전기판과,
    상기 압전기판의 주면(主面) 상에 형성된 래더형(ladder型) 필터 구성을 갖는 전극 패턴과,
    상기 압전기판을 수납하는 패키지 본체로 이루어진 탄성표면파 장치에 있어서,
    상기 패키지 본체는 상기 압전기판을 페이스 다운(face-down) 상태로 유지시키는 저부(低部)와, 상기 저부 상에 유지된 상기 압전기판을 측방향으로부터 둘러싼 측벽부로 이루어지고,
    상기 저부와 상기 측벽부는 상기 압전기판을 수납하는 오목부를 형성하며,
    상기 저부는 상기 전극 패턴과 전기적으로 접속되는 배선 패턴을 유지시키고,
    상기 배선 패턴은 상기 저부 상에 있어서 위치적으로 떨어진 제 1 접지 패턴과 제 2 접지 패턴을 포함하며, 상기 제 1 접지 패턴과 상기 제 2 접지 패턴은 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 압전기판은 상기 주면 상에 입력 전극과, 출력 전극과, 상기 입력 전극과 출력 전극 사이의 신호로(信號路)에 직렬로 삽입된 적어도 한 쌍의 직렬 공진기와, 상기 입력 전극을 접지하는 입력측 병렬 공진기와, 상기 출력 전극을 접지하는 출력측 병렬 공진기와, 상기 한 쌍의 직렬 공진기를 공통으로 접지하는 중간 공진기와, 상기 입력측 병렬 공진기를 접지하는 입력측 접지 전극과, 상기 출력측 공진기를 접지하는 출력측 접지 전극과, 상기 중간 공진기를 접지하는 중간 접지 전극을 포함한 복수의 전극을 구비하고, 상기 입력측 접지 전극 및 출력측 접지 전극이 상기 제 1 접지 패턴에, 상기 중간 접지 전극이 상기 제 2 접지 패턴에 결합되도록, 상기 저부 상에 플립 칩(flip-chip) 실장되는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 측벽부에는 상기 오목부를 덮는 도전성 캡 부재에 결합되도록 적합한 결합면이 형성되고, 상기 결합면 상에는 도전성 캡 부재가 상기 오목부를 덮도록 상기 결합면 상에 장착된 경우, 상기 도전성 캡 부재에 결합되도록 적합한 도전성 실 링(seal ring)이 형성되어 있고, 상기 도전성 실 링은 상기 제 1 및 제 2 접지 패턴에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 접지 패턴과 상기 제 2 접지 패턴은 인덕턴스를 통하여 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 측벽부에는 상기 오목부를 덮는 도전성 캡 부재에 결합되도록 적합한 결합면이 형성되고, 상기 결합면 상에는 도전성 캡 부재가 상기 오목부를 덮도록 상기 결합면 상에 장착된 경우, 상기 도전성 캡 부재에 결합되도록 적합한 도전성 실 링이 형성되어 있고, 상기 도전성 실 링은 상기 제 1 및 제 2 접지 패턴의 한쪽에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 인덕턴스는 상기 탄성표면파 장치의 대역외 감쇠가 최적으로 되도록 최적화되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선 패턴은 복수의 도전층의 적층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 전극의 각각은 복수의 범프 전극을 적층시킨 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 저부 상, 상기 제 1 접지 패턴과 상기 제 2 접지 패턴 사이의 부분에는, 상기 배선 패턴을 구성하는 입력 전극 패턴과 출력 전극 패턴중 적어도 한쪽이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  10. 실장면을 갖는 패키지 본체와,
    상기 실장면 상에 페이스 다운 상태로 실장되는 압전기판과,
    상기 페이스 다운 상태에 있어서 상기 실장면에 대향하는 상기 압전기판의 주면 상에 형성된 각각 래더형 필터 구성을 갖는 적어도 하나의 전극 패턴으로 이루어진 탄성표면파 장치에 있어서,
    상기 각각의 전극 패턴은 상기 주면 상에 형성된 복수의 접지 전극을 포함하고,
    상기 장착면 상에는 상기 복수의 접지 전극에 공통으로 접촉하는 접지 패턴이 각각의 전극 패턴에 대응하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 실장면 상에 있어서, 상기 각각의 전극 패턴에 대응한 접지 패턴은 서로 전기적으로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  12. 실장면을 갖는 패키지 본체와,
    상기 실장면 상에 페이스 다운 상태로 실장되는 압전기판과,
    상기 페이스 다운 상태에 있어서 상기 실장면에 대향하는 상기 압전기판의 주면 상에 형성된 래더형 필터 구성을 갖는 제 1 전극 패턴과,
    상기 압전기판의 상기 주면 상에 형성된 더블 모드형 필터 구성을 갖는 제 2 전극 패턴으로 이루어진 탄성표면파 장치에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 전극 패턴의 각각은 상기 주면 상에 복수의 접지 전극을 유지시키고, 상기 실장면 상에는 상기 복수의 접지 전극에 대하여 공통으로 접촉하는 제 1 접지 패턴이 상기 제 1 전극 패턴에 대응하고, 또 상기 복수의 접지 전극에 대하여 전기적으로 서로 분리되어 접촉하는 제 2 접지 패턴이 상기 제 2 전극 패턴에 대응하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
KR1020000045886A 1999-08-11 2000-08-08 탄성표면파 장치 KR100679958B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP99-227429 1999-08-11
JP22742999A JP3860364B2 (ja) 1999-08-11 1999-08-11 弾性表面波装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010021244A true KR20010021244A (ko) 2001-03-15
KR100679958B1 KR100679958B1 (ko) 2007-02-08

Family

ID=16860724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000045886A KR100679958B1 (ko) 1999-08-11 2000-08-08 탄성표면파 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6417574B1 (ko)
EP (2) EP1076414A3 (ko)
JP (1) JP3860364B2 (ko)
KR (1) KR100679958B1 (ko)
CN (1) CN1134105C (ko)
TW (1) TW461178B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100455699B1 (ko) * 2002-10-09 2004-11-06 주식회사 케이이씨 표면 탄성파 필터 장치

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1320192A4 (en) * 2000-07-21 2009-11-04 Toshiba Kk DEVICE FOR FILTERING ACOUSTIC SURFACE WAVES
JP2002141771A (ja) * 2000-08-21 2002-05-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ装置
EP1333588B1 (en) * 2000-11-01 2012-02-01 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency switch module
JP2003087080A (ja) 2001-07-06 2003-03-20 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子及びその製造方法
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
US7151310B2 (en) 2001-09-25 2006-12-19 Tdk Corporation Package substrate, integrated circuit apparatus, substrate unit, surface acoustic wave apparatus, and circuit device
US7148610B2 (en) * 2002-02-01 2006-12-12 Oc Oerlikon Balzers Ag Surface acoustic wave device having improved performance and method of making the device
US6946929B2 (en) * 2002-02-12 2005-09-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device having connection between elements made via a conductor not on the piezoelectric substrate
US6877209B1 (en) 2002-08-28 2005-04-12 Silicon Light Machines, Inc. Method for sealing an active area of a surface acoustic wave device on a wafer
US6846423B1 (en) 2002-08-28 2005-01-25 Silicon Light Machines Corporation Wafer-level seal for non-silicon-based devices
JP2004120016A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Fujitsu Media Device Kk フィルタ装置
DE10301934A1 (de) 2003-01-20 2004-07-29 Epcos Ag Elektrisches Bauelement mit verringerter Substratfläche
JP4177233B2 (ja) * 2003-01-28 2008-11-05 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP4173024B2 (ja) 2003-02-14 2008-10-29 富士通メディアデバイス株式会社 電子部品の製造方法及びそのベース基板
JP4046641B2 (ja) 2003-03-10 2008-02-13 富士通メディアデバイス株式会社 電子デバイスのパッケージ、ベース基板、電子部品及びそれの製造方法
JP2004304622A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びその製造方法
DE10325798B4 (de) * 2003-06-06 2015-06-18 Epcos Ag SAW-Filter mit verbesserter Selektion oder Isolation
JP4177182B2 (ja) 2003-06-13 2008-11-05 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス、そのパッケージ及びその製造方法
JP4180982B2 (ja) 2003-06-16 2008-11-12 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス、そのパッケージ及びその製造方法
JP2005124139A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Murata Mfg Co Ltd 分波器、通信機
JP2005203889A (ja) 2004-01-13 2005-07-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス
WO2005099088A1 (en) * 2004-03-26 2005-10-20 Cypress Semiconductor Corp. Integrated circuit having one or more conductive devices formed over a saw and/or mems device
JP4456503B2 (ja) 2004-12-24 2010-04-28 富士通メディアデバイス株式会社 電子部品の製造方法
JP2007184690A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd アンテナ共用器
JP4829040B2 (ja) * 2006-08-23 2011-11-30 京セラ株式会社 弾性表面波装置
US8093101B2 (en) 2006-11-14 2012-01-10 Taiyo Yuden Co., Ltd. Electronic device and method of fabricating the same
US8060156B2 (en) * 2006-11-16 2011-11-15 Nortel Networks Limited Filter having impedance matching circuits
DE102007019325B4 (de) * 2007-04-24 2008-12-24 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement
JP5585013B2 (ja) * 2009-07-14 2014-09-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5339092B2 (ja) * 2010-07-22 2013-11-13 Ｔｄｋ株式会社 バンドパスフィルタモジュール及びモジュール基板
JP5310873B2 (ja) 2010-11-09 2013-10-09 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
JP5873311B2 (ja) * 2011-11-29 2016-03-01 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及び多層基板
JP6472945B2 (ja) * 2013-06-13 2019-02-20 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
KR101754200B1 (ko) * 2013-08-20 2017-07-05 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법
US20150077960A1 (en) * 2013-09-19 2015-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Low-temperature packaging methodology for electronic devices and other devices
CN107534022B (zh) 2015-11-25 2019-03-15 京瓷株式会社 电子部件收纳用封装体、电子装置以及电子模块
US10778183B2 (en) * 2016-07-18 2020-09-15 Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. Saw-based electronic elements and filter devices
JP6848953B2 (ja) * 2018-11-26 2021-03-24 株式会社大真空 圧電振動デバイス
CN111122675B (zh) * 2020-01-02 2022-07-12 重庆医科大学 条块条电极、基于条块条电极的vegf165传感器及其制备方法和检测方法
EP4141927A1 (en) * 2021-08-30 2023-03-01 Nexperia B.V. Electronic package and method for manufacturing the same
TWI806615B (zh) * 2022-05-19 2023-06-21 國立清華大學 濾波器及其製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04170811A (ja) * 1990-11-05 1992-06-18 Fujitsu Ltd 弾性表面波デバイス
JPH08213873A (ja) * 1995-02-06 1996-08-20 Fujitsu Ltd 弾性表面波素子デバイス
JP3301262B2 (ja) * 1995-03-28 2002-07-15 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置
JP3328102B2 (ja) * 1995-05-08 2002-09-24 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法
JPH09162688A (ja) * 1995-12-11 1997-06-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
DE19548050A1 (de) * 1995-12-21 1997-06-26 Siemens Matsushita Components Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement -
JPH09232904A (ja) * 1996-02-28 1997-09-05 Oki Electric Ind Co Ltd Ｓａｗフィルタ用セラミックパッケージ
JPH09232910A (ja) * 1996-02-28 1997-09-05 Oki Electric Ind Co Ltd 平板多層分波器パッケージ
US6137380A (en) * 1996-08-14 2000-10-24 Murata Manufacturing, Co., Ltd Surface acoustic wave filter utilizing a particularly placed spurious component of a parallel resonator
JP3227645B2 (ja) * 1996-09-17 2001-11-12 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JPH10135270A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Casio Comput Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3196693B2 (ja) * 1997-08-05 2001-08-06 日本電気株式会社 表面弾性波装置およびその製造方法
JPH1188108A (ja) * 1997-09-03 1999-03-30 Tdk Corp 弾性表面波装置
JPH11122072A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Fujitsu Ltd 弾性表面波装置
US5956606A (en) * 1997-10-31 1999-09-21 Motorola, Inc. Method for bumping and packaging semiconductor die
JPH11163670A (ja) * 1997-12-01 1999-06-18 Seiko Epson Corp 圧電デバイス

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100455699B1 (ko) * 2002-10-09 2004-11-06 주식회사 케이이씨 표면 탄성파 필터 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW461178B (en) 2001-10-21
JP2001053577A (ja) 2001-02-23
EP1076414A3 (en) 2002-11-13
CN1284790A (zh) 2001-02-21
JP3860364B2 (ja) 2006-12-20
CN1134105C (zh) 2004-01-07
EP1076414A2 (en) 2001-02-14
KR100679958B1 (ko) 2007-02-08
US6417574B1 (en) 2002-07-09
EP2043263A1 (en) 2009-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100679958B1 (ko) 탄성표면파 장치
CN111355495B (zh) 高频模块
US6943645B2 (en) Surface acoustic wave duplexer and communication apparatus having the same
KR100717659B1 (ko) 분파기 및 전자 장치
KR100742911B1 (ko) 분파기
US20020039056A1 (en) Surface-acoustic-wave filter having an improved suppression outside a pass-band
US20100066461A1 (en) Duplexer and elastic wave device
EP0829958B1 (en) Surface acoustic wave apparatus
JP6956438B1 (ja) 弾性波デバイスチップ、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスチップまたは弾性波デバイスを備えるモジュール
US8766744B2 (en) Duplexer and electronic device having the same
JP3747853B2 (ja) 弾性表面波装置を備えた分波器
JP2005151287A (ja) 電子部品
CN114696781A (zh) 弹性波装置及模块
JP2004165874A (ja) 表面実装型ｓａｗフィルタ
JPH10327039A (ja) 弾性表面波装置
KR100306630B1 (ko) 복합 표면 탄성파 필터
JP2023078039A (ja) 弾性波デバイス
CN114844484A (zh) 弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块
CN115913170A (zh) 双工器及包含所述双工器的模块
CN115514383A (zh) 高频模块以及通信装置
JPH0884045A (ja) 弾性表面波装置およびそれを用いたアンテナ分波器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100129

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee