KR19980034258A - 웨이퍼 번-인 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 테스트시 회로의 추가 없이 기존의 워드라인 드라이버를 통해 번-인 스트레스를 가하도록 구현한 웨이퍼 번-인 회로에 관한 것으로, 이를 구현하기 위해 로오 어드레스 신호의 조합에 의해 1개의 워드라인을 선택 구동하기 위한 디코딩된 신호를 출력하는 로오 어드레스 프리디코딩 수단과, 정상 동작에서는 상기 디코딩된 어드레스 신호의 조합에 의해 제 1 신호를 출력하고, 웨이퍼 번-인 동작에서는 상기 입력 어드레스 신호에 상관 없이 제 2 신호를 출력하는 워드라인 구동 제어 수단과, 상기 로오 어드레스 프리디코딩 수단과 워드라인 구동 제어 수단의 출력신호에 의해 정상 동작에서는 입력되는 어드레스에 위해 선택적으로 워드라인을 구동시키고, 웨이퍼 번-인 동작에서는 다수의 워드라인을 동시에 구동시키는 로오 디코더 수단을 구비하였다.

Description

웨이퍼 번-인 회로
통상적으로, 메모리 테스트(memory test)에서 번-인 테스트(burn-in test)를 하는 이유는 '하이 볼테지(high voltage)'(이하 '번-인 전압'이라 함)를 가함으로써 조기에 결합 셀을 검출할 수 있고, 동작 전압 레인지(operation voltage range)에서의 테스트 시간을 감소시킬 수 있기 때문에 번-인 테스트를 실시하고 있다. 현재 16M DRAM의 경우 번-인 테스트의 동작은 리프레시 옵션(1K, 4K)에 따라 다르게 동작된다(1K 옵션 : 16ea 워드라인 엑티브, 4K 옵션 : 4ea 워드라인 엑티브). 16K 로오(row) × 1K 컬럼(column)으로 구성되어 있는 16M DRAM의 경우 워드라인 전체로 스트레스를 가하기 위해서는 1K 옵션에서는 16K/16ea(한번의 로오 엑티브에서 16ea 로오 엑티브)=1K 번의 로오 엑티브가 필요하고, 동일한 방법으로 4K 리프레시의 경우에는 4K 번의 로오 엑티브가 수행되어야 한다. 또한, 컬럼의 스트레스 수는 1K번으로 4K와 1K 리프레시 모두 동일하다. 그리고, 16M 디램의 전체 셀을 번-인 테스트하기에 필요한 시간은 1K 리프레시의 경우 24시간(사이클 시간×2(wr/rd)×1m(16m×(1/16)(1번 로오 16ea)×1K 컬럼)×스트레스 넘버; 500ns×2×1m×68,400(s)=24hr), 4K 리프레시의 경우에는 96 시간(사이클 시간×2(wr/rd)×4m(16m×(1/4)(1번 로오 4ea)×1K 컬럼)×스트레스 넘버; 500ns×2×4m×68,400(s)=9hr)이 필요하게 된다. 따라서 하나의 칩을 번-인 테스트하는데 필요한 시간이 하루 또는 4일이 걸리게 됨으로서 이에 따른 테스트의 비용도 그 만큼 증가하게 되었다. 이러한 테스트 비용과 시간을 줄이기 위하여 종래에서는 웨이퍼 번-인을 사용하게 되었다. 그 원리는 한번의 로우 엑티브에서 멀티 워드라인(multi-wordline; 16K 워드라인 전체 또는 4K 워드라인)을 턴-온시켜 모든 워드라인의 게이트 옥사이드(gate oxide)로 스트레스(stress)를 주는 방식이다. 이러한 방식에 따른 웨이퍼 번-인의 테스트는 68.4초(sec)(사이클 시간×2(wr/rd)×1m(16K 로오)×1K 컬럼)×스트레스 넘버; 500ns×2×1×1K×68,400(s)=68.4(sec)로 줄어들게 된다.
이와 같이, 종래의 번-인을 동작시키기 위해서는 칩 내부에 한번의 로오 엑티브시에 전체의 워드라인을 엑티브시키기 위한 도 1 내지 도 4와 같은 부가적인 회로가 필요하였다.
그러면, 도 1 내지 도 5를 보면서 종래의 웨이퍼 번-인 동작에 대해 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 웨이퍼 번-인 로오 디코더 회로도를 도시한 것으로, 정상 동작에서는 웨이퍼 번-인 신호(wbi)가 '로우'가 되어 로오 어드레스에 의해 선택된 워드라인이 구동되어지며, 웨이퍼 번-인 동작에서는 상기 웨이퍼 번-인 신호(wbi)가 '하이'가 되어 4개의 워드라인(WL10~WL13)으로 스트레스 전압을 가하게 된다.
도 2는 종래의 웨이퍼 번-인 테스트 패드(WBI PAD)를 도시한 회로도로서, 웨이퍼 번-인시 wbi 패드(pad)로 전원이 인가되면 출력 'WBI'는 '하이'가 되어 도 1 및 도 3으로 입력되게 된다. 이 웨이퍼 번-인 신호(wbi)에 따라 한번의 엑티브 사이클동안 많은 워드라인으로 동시에 스트레스를 인가해 줄 수 있다.
도 3은 종래의 웨이퍼 번-인 로오 어드레스 프리디코더 회로도로서, 웨이퍼 번-인 동작에서 웨이퍼 번-인 신호(wbi)'하이'가 되면 디코딩된 로오어드레스 ax23, ax23b, ax2b3, ax2b3b 모두 '로우'가 되어, 도 4로 입력된다.
도 4는 종래의 웨이퍼 번-인 로오어드레스 프리디코더 구동신호 발생 회로도로서, 도 3에서 출력된 로오어드레스 ax230:3에 의해 그 출력 xdpb을 '로우'로 유지시키게 된다. 이는 웨이퍼 번-인시 로오 디코더 입력인 ax23, ax45, ax67은 '로우'를 유지한 상태에서 xdpb는 '로우' 상태를 유지함으로 도 1의 A 노드와 B 노드의 전위를 모두 '로우'로 유지시키게 된다. 따라서 부트스트랩핑 동작에 의해 워드라인 WL10~WL13으로 워드라인 부스팅 신호(px)가 공급되어 웨이퍼 번-인 동작에서 스트레스 전압을 가하게 된다.(종래의 웨이퍼 번-인 동작 타이밍도를 도 5에 도시하였다)
이상과 같은 종래의 웨이퍼 번-인 테스트는 한번의 엑티브 사이클에서 다수의 워드라인을 동시에 구동시키기 위해 도 1 내지 도 4와 같은 회로의 투랜지스터가 부가적으로 사용됨으로써 칩 사이즈(chip size)가 증가하는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명에서는 웨이퍼 테스트시 회로의 추가없이 기존의 워드라인 드라이버를 통해 번-인 스트레스를 가하도록 구현한 웨이퍼 번-인 회로를 제공하는데에 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 상태에서 리페어 실시전에 한번의 사이클 동안 멀티 워드라인으로 스트레스를 가하여 취약한 셀을 리페어시킴으로서 조기에 불량을 검출해내고 수율을 향상시킨 웨이퍼 번-인 회로를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 웨이퍼 번-인 회로에서는 로오 어드레스 신호의 조합에 의해 1개의 워드라인을 선택 구동하기 위한 디코딩 된 신호를 출력하는 로오 어드레스 프리디코딩 수단과;
정상 동작에서는 상기 디코딩된 어드레스 신호의 조합에 의해 제 1 신호를 출력하고, 웨이퍼 번-인 동작에서는 상기 입력 어드레스 신호에 상관없이 제 2 신호를 출력하는 워드라인 구동 제어 수단과;
상기 로오 어드레스 프리디코딩 수단과 워드라인 구동 제어 수단의 출력 신호에 의해 정상 동작에서는 입력되는 어드레스에 의해 선택적으로 워드라인을 구동시키고, 웨이퍼 번-인 동작에서는 다수의 워드라인을 동시에 구동시키는 로오 디코더 수단을 구비하였다.
도 1 은 종래의 웨이퍼 번-인 동작을 위한 로오 디코더 회로도.
도 2 는 종래의 웨이퍼 번-인 테스트 패드를 도시한 회로도.
도 3 은 종래의 웨이퍼 번-인 로오어드레스 프리디코더 회로도.
도 4 는 종래의 웨이퍼 번-인 로오어드레스 프리디코더 구동신호 발생 회로도.
도 5 는 종래의 웨이퍼 번-인 동작 타이밍도.
도 6 은 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 번-인 로오 디코더 회로도.
도 7 은 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 번-인 로오어드레스 프리디코더 회로도.
도 8 은 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 번-인 로오어드레스 프리디코더 구동신호 발생 회로도.
도 9 는 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 번-인 동작 타이빙도.
상술한 목적과 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 번-인 로오 디코더 회로도를 도시한 것으로, 정상 동작에서는 입력되는 어드레스에 의해 선택적으로 워드라인을 구동시키고 웨이퍼 번-인 동작에서는 다수의 워드라인을 동시에 구동시키기 위한 로오 디코더이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 번-인 로오어드레스 프리디코더 회로도를 도시한 것으로, 상기 로오 디코더의 입력 어드레스 신호를 만들어 내는 로오 어드레스 프리디코더이다.
도 8은 도 6에 도시된 'xdpb'신호 발생 회로도를 도시한 것으로, 정상 동작에서는 로오 어드레스 프리디코딩 수단으로부터 디코딩된 어드레스 신호의 조합에 대응되는 신호를 출력하고, 웨이퍼 번-인 동작에서는 로오 어드레스에 상관없이 출력 xdpb이 '하이'가 되도록 하여 도 6의 A 노드가 하이가 되도록 만든다.
도 9는 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 번-인시 동작 타이밍도를 도시한 것이다. 여기서 본 발명에 의한 웨이퍼 번-인은 종래의 웨이퍼 번-인과 테스트 시간과 동작은 거의 동일하지만 웨이퍼 테스트시 회로의 추가없이 기존의 워드라인 드라이버를 통해 번-인 스트레스를 가할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 웨이퍼 번-인 회로는 웨이퍼 테스트시 회로의 추가없이 기존의 워드라인 드라이버를 통해 번-인 스트레스를 가하도록 구현함으로써 종래에 칩 사이즈가 증가되는 문제점을 해결하였다. 또한, 웨이퍼 상태에서 리페어 실시전에 한번의 사이클동안 멀티 워드라인으로 스트레스를 가하여 취약한 셀을 리페어시킴으로써 조기에 불량을 검출해내고 수율을 향상시키는 효과가 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허 청구의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
본 발명은 반도체 메모리 장치의 웨이퍼 번-인 회로(wafer burn-in circuit)에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 웨이퍼 테스트시 회로의 추가없이 기존의 워드라인 드라이버를 통해 번-인 스트레스를 가하도록 구현한 웨이퍼 번-인 회로에 관한 것이다.

Claims (6)

  1. 반도체 메모리 장치에 있어서,
    로오 어드레스 신호의 조합에 의해 1개의 워드라인을 선택 구동하기 위한 디코딩된 신호를 출력하는 로오 어드레스 프리디코딩 수단과;
    상기 디코딩된 어드레스 신호중 어느 하나라도 인에이블되면 워드라인을 선택구동시키기 위한 제 1 신호를 출력하고, 웨이퍼 번-인 동작을 알리는 신호의 입력시에는 상기 입력 어드레스 신호에 상관없이 다수의 워드라인을 인에이블시키기 위한 제 2 신호를 출력하는 워드라인 구동 제어 수단과;
    상기 로오 어드레스 프리디코딩 수단과 워드라인 구동 제어 수단의 출력 신호에 의해 정상 동작에서는 입력 어드레스 신호에 의해 선택적으로 워드라인을 구동시키고, 웨이퍼 번-인 동작에서는 다수의 워드라인을 동시에 구동시키는 로오 디코더 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 번-인 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 로오 어드레스 프리디코딩 수단은,
    상기 로오 어드레스 신호를 입력하여 디코딩된 신호를 출력하는 논리연산부와;
    상기 논리연산부의 출력단에 접속된 홀수개의 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 번-인 회로.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 워드라인 구동 제어 수단은,
    상기 디코딩된 어드레스 신호를 입력하여 일정기간동안만 인에이블되는 에지 신호를 발생하는 에지신호 발생수단과;
    상기 에지 신호와 라스바 신호를 입력하여 논리연산하는 제 1 논리 연산부와;
    상기 제 1 논리 연산부의 출력 신호와 웨이퍼 번-인 동작 신호를 입력하여 논리연산하는 제 2 논리 연산부와;
    상기 제 2 논리 연산부의 출력단에 접속된 홀수개의 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 번-인 회로.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 로오 디코더 수단은,
    제 1 노드의 전위가 제 1 논리 상태를 가질 때 입력된 어드레스 신호에 의해 선택된 워드라인으로 워드라인 부스팅 신호를 공급하는 워드라인 구동부와;
    상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 인버터와;
    상기 워드라인 구동 제어 수단의 출력신호에 의해 상기 제 2 노드로 전원전압을 전달하는 제 1 모스 트랜지스터와;
    상기 로오 어드레스 프리디코딩 수단으로부터 출력된 디코딩 신호중 어느 하나라도 인에이블되면 상기 제 2 노드로 접지전압을 전달하는 스위칭 회로부로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 번-인 회로.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 모스 트랜지스터는 P-모스인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 번-인 회로.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 스위칭 회로부는 상기 로오 어드레스 프리디코딩 수단으로부터 출력된 디코딩 신호를 각각 게이트로 입력하는 N-모스 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 번-인 회로.
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