KR101343155B1

KR101343155B1 - 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법 및 기판의 처리 방법

Info

Publication number: KR101343155B1
Application number: KR1020117000719A
Authority: KR
Inventors: 마사따까 가또; 게이스께 기시모또
Original assignee: 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 2008-06-19
Filing date: 2009-06-17
Publication date: 2013-12-19
Also published as: EP2303580A1; CN102066114B; RU2011101719A; CN102066114A; US8549750B2; EP2303580B1; JP5448581B2; RU2466027C2; JP2010023493A; US20110041337A1; WO2009153987A1; EP2303580A4; KR20110018430A

Abstract

액체 토출 헤드 기판의 제조 방법은, 기판을 제공하는 단계, 및 기판의 후면에 대하여 액체를 선 형상으로 토출하고, 액체를 따라, 액체 내를 통과한 레이저 광으로 기판의 후면을 처리함으로써, 기판의 후면에 오목부를 제공하는 단계를 포함한다.

Description

액체 토출 헤드 기판의 제조 방법 및 기판의 처리 방법{METHOD OF MANUFACTURING LIQUID DISCHARGE HEAD SUBSTRATE AND METHOD OF PROCESSING THE SUBSTRATE}

본 발명은, 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 잉크젯 기록 헤드에 사용되는 기록 헤드 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 기판의 처리 방법에 관한 것이다.

사이드-슈터형(side-shooter type) 헤드라고 칭하는 유형의 기록 헤드가 기록 매체에 대하여 잉크를 토출하는 잉크젯 기록 헤드(이하, "기록 헤드"라고도 칭할 수 있음)로서 이용가능하다. 사이드-슈터형 헤드는, 잉크를 토출하는 데 이용되는 에너지를 생성하는 에너지 생성 유닛으로서의 역할을 하는 히터의 상측을 향해서 잉크를 토출한다. 사이드-슈터형 헤드의 기록 헤드 기판의 기본 구성이 도2a 및 2b에 나타내어진다. 도 2a 및 2b에 나타내어진 기록 헤드 기판에서, 잉크 공급 포트(13)는 그 표면에 형성된 히터(11)를 갖는 실리콘 기판(12)에 제공된다. 잉크 공급 포트(13)는 실리콘 기판(12)을 관통하는 관통 홀이다. 잉크는 잉크 공급 포트(13)를 통해 실리콘 기판(12)의 후면측으로부터 실리콘 기판(12)의 전면측으로 공급된다.

상술한 구성을 갖는 기록 헤드 기판을 제조하는 방법이 PTL1에 개시되어 있다. PTL1은 관통 홀로서의 역할을 하는 잉크 공급 포트의 개구 직경의 편차를 방지하기 위해, 이하의 단계들을 포함하는 제조 방법을 개시한다.

이러한 단계들은 이하와 같다:

(a) 실리콘 기판의 표면의 잉크 공급 포트 형성 부분에, 기판 재료에 대하여 선택적으로 에칭될 수 있는 희생층을 형성하는 단계,

(b) 희생층을 피복하기 위해, 실리콘 기판에 내에칭성의(etching-resistant) 패시베이션층을 형성하는 단계,

(c) 희생층에 대응하여 제공되는 개구를 갖는 에칭 마스크층을 실리콘 기판의 후면에 형성하는 단계,

(d) 에칭 마스크층의 개구부로부터 희생층이 노출될 때까지 결정축 이방성 에칭(crystal-axis anisotropic etching)함으로써 실리콘 기판을 에칭하는 공정,

(e) 희생층을 제거하기 위해, 실리콘 기판의 에칭 단계에 의해 노출되는 부분으로부터 희생층을 에칭하는 단계, 및

(f) 패시베이션층의 일부를 제거해서 잉크 공급 포트를 형성하는 단계.

상술한 단계 (d)에서 사용되는 실리콘 결정축 이방성 에칭은 잉크 공급 포트를 정밀하게 형성할 수 있게 하는 기술로서 알려져 있다.

PTL2는, 실리콘 기판의 후면에 제공된 에칭 마스크층을 이용해서 건식 에칭을 행한 후에, 동일한 에칭 마스크를 이용해서 결정축 이방성 에칭이 수행되는 제조 방법을 개시한다. 이 제조 방법에 따르면, L자형인 처리 단면이 형성된다. 이 제조 방법에서는, 에칭 마스크층이 건식 에칭과 습식 에칭 모두에 공통적으로 사용된다. 따라서, 실리콘 기판의 후면에 형성된 에칭 마스크층의 개구 폭(마스크 폭)과, 건식 에칭의 함몰량(excavation amount)이 실리콘 기판의 후면에 형성된 잉크 공급 포트의 개구 폭을 결정한다. 여기에서, 잉크 공급 포트의 "개구 폭"이라는 용어는 잉크 공급 포트의 짧은 변 방향의 폭을 지칭한다. 잉크 공급 포트의 "개구 길이"이라는 용어는 잉크 공급 포트의 긴 변 방향의 폭을 지칭한다.

고선명 화상의 고속 기록을 달성하기 위해서, 토출구들은 서로 매우 근접하게 배치되며, 토출구 열을 더 길게 함으로써 많은 개수의 토출구가 배치된다. 그러나, 토출구 열이 길게 되면, 잉크 공급 포트의 개구 길이를 확대할 필요가 있다. 이는 기판의 기계적 강도를 감소시킬 수 있다. 기계적 강도의 감소는 기록 헤드의 제조 프로세스에 있어서의 기판의 변형 또는 파손을 유발한다. 특히, 기판의 변형에 의해 오리피스 플레이트(orifice plate)가 박리되게 하고, 칩이 실장될 때 파손을 유발한다.

PTL 1: USP6143190

PTL 2: USP6805432

본 발명의 목적은, 기판의 기계적 강도의 감소를 방지하면서, 충분한 공급 특성을 갖는 액체의 공급 포트를 형성할 수 있게 하는 잉크젯 기록 헤드에 사용되는 기록 헤드 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 실시예는 액체를 토출하는 데 이용되는 에너지를 생성하는 에너지 생성 소자를 그 한쪽 면에 갖는 기판과, 기판의 한쪽 면과 하나의 기판의 뒤측의 후면을 관통하는 액체 공급 포트를 포함하는 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법을 제공한다. 이 방법은, 한쪽 면에 형성된 에너지 생성 소자를 갖는 기판을 제공하는 단계; 후면에 대하여 액체를 선 형상으로 토출하고, 액체를 따라 액체 내를 통과한 레이저 광으로 후면을 처리함으로써 후면에 오목부를 형성하는 단계; 및 오목부가 형성된 후면으로부터 기판을 에칭함으로써 공급 포트를 형성하는 단계를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 기판의 기계적 강도의 감소를 방지하면서, 충분한 공급 특성을 갖는 액체의 공급 포트를 형성할 수 있다.

도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 기록 헤드 기판의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 기록 헤드 기판의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 기록 헤드 기판의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 1d는 본 발명의 실시예에 따른 기록 헤드 기판의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 2a는 기록 헤드 기판의 예시적인 구성의 개략 사시도이다.
도 2b는 기록 헤드 기판의 예시적인 구성의 개략 사시도이다.
도 3은 본 발명에 관한 예시적인 기록 헤드의 개략 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 실시예에 따른 기록 헤드 기판의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 기록 헤드 기판의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 4c는 본 발명의 실시예에 따른 기록 헤드 기판의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

이하, 예시적인 액체 토출 헤드 기판으로서의 역할을 하는 기록 헤드 기판에 대해 설명한다.

도 3은 본 실시예에 따른 기록 헤드 기판을 사용하는 기록 헤드를 나타낸다. 기록 헤드 기판(100)은, 기록 동작에 사용되는 잉크와 같은 액체를 토출하기 위해 이용되는 히터와 같은 에너지 생성 유닛으로서의 역할을 하는 소자(101)가 제공된 기판(1)을 포함한다. 또한, 액체를 에너지 생성 소자(101)에 공급하기 위한 관통 홀로서의 역할을 하는 공급 포트(6)가 기판(1)에 형성된다. 또한, 외부와의 전기 접속을 위한 단자(104)가 기판(1)에 제공된다. 또한, 액체를 토출하기 위한 토출구(102)가 제공된 토출구 부재(103)가 기록 헤드 기판(100) 상에 제공된다.

본 실시예에 따른 기록 헤드 기판의 제조 방법은 잉크젯 기록 헤드에 사용되는 기록 헤드 기판의 제조 방법이다. 이 방법의 특징은 잉크 공급 포트로서의 역할을 하는 관통 홀을 실리콘 기판에 형성하는 단계에 있다. 보다 구체적으로, 이 방법의 특징은, 실리콘 기판의 후면측에, 후면과 반대되는 표면에 도달하지 않는 비관통 홀을 형성할 때, 고압의 액체가 기둥 형상으로 실리콘 기판을 향해 분사되고, 기둥 형상 또는 선 형상의 액체 내를, 이를 따라 통과한 레이저 빔으로 실리콘 기판이 조사되는 것이다. 보다 구체적으로, 이 방법은, 실리콘 기판의 후면에 마스크층을 형성하는 단계, 마스크층에 개구를 형성하는 단계, 실리콘 기판에 복수의 비관통 홀을 형성하는 단계, 비관통 홀이 실리콘 기판의 전면(front surface)까지 연장되고, 서로 인접하는 비관통 홀이 서로 연통하도록, 비관통 홀을 형성하는 단계를 포함한다. 이하, 도 1a 내지 1d를 참조하면서 이러한 단계에 대해 상세하게 설명할 것이다. 도 1a 내지 1d는 도 3의 I-I 선에 따른 단면도이다.

도시하지는 않았지만, 그 전후(front-and-back) 결정면 방위가 (100)인 실리콘 기판(1)의 전면에는, 잉크를 토출하는 데 사용되는 에너지를 생성하기 위한 에너지 생성 유닛으로서의 역할을 하는 히터의 전열 변환기(TaN)가 배치된다. 또한, 도 1a에 나타낸 바와 같이, 실리콘 기판(1)의 전면 상에는, 전열 변환기에 대한 보호층으로서의 역할을 하는 내에칭성의 패시베이션층(2)이 형성된다.

전열 변환기에는, 전열 변환기를 구동시키기 위한 제어 신호 입력 전극(도시 생략)이 전기적으로 접속된다. 실리콘 기판(1)의 두께는 대략 625㎛이다. 본 실시예에서는, 단일 실리콘 기판(1)이 처리되지만, 웨이퍼가 마찬가지로 처리될 수도 있다.

도 1a에 나타낸 바와 같이, 실리콘 기판(1)의 후면에 금속층(마스크층)(3)을 형성한 후에, 복수의 개구(4)가 마스크층(3)에 형성된다. 마스크층(3)은, 후속 처리 동작에서 사용되는 레이저 광을 흡수하지 않거나, An, Au, Ag 또는 Cu와 같은 매우 낮은 흡수율을 갖는 금속으로 형성된다. 본 실시예에서는, 후속 처리 동작에서 YAG 레이저가 사용되므로, 마스크층(3)이 Au로 형성된다.

도 1b에 나타낸 바와 같이, 워터-젯(water-jet) 유도형 레이저(레이저 마이크로젯) 기술을 사용하여, (100) 면의 실리콘 기판(1)의 후면측으로부터 전면측으로 연장되도록, 복수의 비관통 홀(5)이 형성된다. 여기에서, 레이저 마이크로젯 기술은, 통상의 레이저 처리와 같이 처리 대상에 레이저 광을 직접 포커싱하는 대신에, 100㎛ 이하의 직경을 갖는 기둥형 워터 젯에 의해 유도된 레이저 광으로 처리 대상을 조사하는 것을 특징으로 한다.

레이저 마이크로젯 기술에서, 워터 젯 흐름과 공기 사이의 계면에서 레이저 광에 대한 전반사 조건이 성립되도록, 광학계가 구축된다. 이는 중단없이 흐르는 워터 젯에 의해 처리 대상을 효율적으로 냉각시킬 수 있게 하며, 열이 처리 대상에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있게 한다.

여기에서, 실리콘 기판은 통상의 레이저 처리에 의해서도 비교적 신속하게 처리될 수 있다. 실리콘 기판의 표면에 잉크 유로 형성 부재가 제공되는 경우, 처리 동안 생성되는 열은, 피복 감광성 수지로 형성되는 잉크 유로 형성 부재를 예를 들어 변형되게 할 수 있다. 따라서, 비교적 깊은 홀을 형성하는 것이 곤란할 수 있다. 통상의 레이저 처리에 의해, 실리콘 기판의 후면으로부터 실리콘 기판의 전면까지 관통하지 않는 비관통 홀이 형성되는 경우, 처리 동안 비관통 홀의 내부에서 발생된 파편은, 비교적 깊은 비관통 홀을 안정적으로 형성하는 것을 곤란하게 한다. 즉, 실리콘 기판에 형성된 비관통 홀의 깊이에 편차가 발생하기 쉽다. 이러한 문제는 레이저 마이크로젯 기술을 사용하여 실리콘 기판을 처리하는 경우 해결될 수 있다.

이제, 본 실시예의 설명을 재개할 것이다. 도 1b 및 1c에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서는, YAG 레이저로부터 방출된 제2 고조파 광의 파장(532nm)을 갖는 레이저 광을 사용하여, 실리콘 기판(1)의 전면을 관통하지 않는 오목부로서의 역할을 하는 비관통 홀(5)이 후면측에 형성된다. 사용되는 YAG 레이저의 파장은 제2 고조파(532nm의 파장을 가짐)에 한정되지 않으므로, 기본파(1064nm의 파장을 가짐) 또는 제3 고조파(355nm의 파장을 가짐)가 사용될 수도 있다. 어떠한 경우에도, 레이저 광의 출력 및 주파수가 적절한 값으로 설정되는 것은 물론이다. 도 1b는 형성 중의 프로세스에서의 비관통 홀(5)을 나타내고, 도 1c는 형성된 비관통 홀(5)을 나타낸다.

본 실시예에서, 형성된 비관통 홀(5)의 직경은 대략 100㎛이고, 그 깊이는 대략 500㎛ 내지 600㎛이다. 각각의 비관통 홀(5)의 깊이는, 실리콘 기판(1)의 후면으로부터 비관통 홀(5)의 단부까지의 거리를 지칭한다.

여기에서, 워터 젯 직경의 관점에서, 각각의 비관통 홀(5)의 직경은 대략 30㎛ 내지 100㎛인 것이 바람직하다. 각각의 비관통 홀(5)의 직경이 지나치게 작을 경우에는, 후속 처리 동작에서 수행되는 이방성 에칭 동안, 에칭액이 각각의 비관통 홀(5) 내로 용이하게 유입되지 않는다. 이는 바람직하지 않다. 반대로, 각각의 비관통 홀(5)의 직경이 지나치게 클 경우에는, 소정의 깊이를 갖는 비관통 홀(5)을 형성하는 데 비교적 긴 시간이 걸린다. 이도 역시 바람직하지 않다.

비관통 홀(5)이 형성될 때, 실리콘 기판(1)의 동일한 위치가 레이저 광으로 복수회 조사되므로, 역류하는 물의 영향으로 인해, 실리콘 기판(1)의 내부에서 레이저 광이 불규칙적으로 반사된다. 그 결과, 비관통 홀(5)은 가로 방향으로 넓어진다. 보다 구체적으로, 도 1c에 나타낸 바와 같이, 각각의 비관통 홀(5)의 내면에는, 각각의 비관통 홀(5)의 개구 치수가 실리콘 기판(1)의 후면측에서 전면측으로 점차 증가하도록 경사진 영역(제1 경사 영역)과, 제1 경사 영역의 방향과는 반대 방향으로 경사진 제2 경사 영역이 형성된다. 본 실시예에서는, 실리콘 기판(1)의 저면에 대한 각각의 제1 경사 영역의 경사 각도는 54.7°이상이다. 즉, 각각의 비관통 홀(5)의 개구 치수(기판의 전면 또는 후면에 평행한 단면의 면적)는, 실리콘 기판(1)의 후면측에서 전면측으로 점차 증가하고, 그 후, 동일 방향으로 점차 감소한다. 즉, 비관통 홀(5)의 개구 치수는, 실리콘 기판(1)의 전후면 사이, 그리고 이러한 전후면에 평행한 면에 있어서 최대이다. 요컨대, 실리콘 기판(1)의 전후면에 수직한 각각의 비관통 홀(5)의 단면은 마름모꼴 형상을 갖는다. 후면측과 전면측이 서로 상이한 화살촉 형상이 허용된다. 각각의 비관통 홀(5)의 가로 방향(즉,실리콘 기판(1)의 전후면에 평행한 방향)으로의 확대는, 수압, 레이저 출력 및 레이저 주파수에 의해 결정된다. 예를 들어, 수압이 6MPa, 레이저 출력이 24.7W, 발진 주파수가 90kHz인 경우, 가로 방향으로의 확대는 깊이에 대하여 대략 20%이라는 것이 알려져 있다. 즉, 실리콘 기판(1)의 처리로부터 도출되는 폭은 처리로부터 도출되는 깊이의 대략 20%이다.

복수의 비관통 홀(5)은, 실리콘 기판(1)의 길이 방향을 따라서 240㎛의 피치 거리의 열로 형성된다. 형성시에 서로 인접하는 비관통 홀(5)이 서로 연통하는 경우, 워터 젯의 흐름이 부정형이 되어, 그 결과 소정의 형상을 얻을 수 없다. 따라서, 서로 인접하는 비관통 홀(5)이 서로 연통하지 않도록, 피치 거리를 설정하는 것이 바람직하다.

사용되는 YAG 레이저로부터의 레이저 광을 흡수하지 않거나 매우 낮은 흡수율을 갖는 금속을 사용하여 마스크층(3)을 형성하여, 역류하는 물로부터 반사되는 레이저 광에 의한 각 개구(4)의 확대를 억제할 수 있다.

이에 대해, 도 4a 내지 4c를 참조하여 더욱 상세히 설명할 것이다. 도 4a 내지 4c는 도 1a 내지 1d와 같은 단면도이다.

도 4a에 나타낸 바와 같이, Au로 형성된 마스크층(3)이 제공된 기판(1)의 후면은, 기둥형 또는 선형 액체(50) 내를, 그 기둥형 또는 선형 액체를 따라 통과하는 YAG 레이저로부터 방출되는 레이저 광(51)으로 조사된다. 이는, 도 4b에 나타낸 소형 홀(5a)이 형성되게 한다. 이때, 소형 홀(5a) 내에는 물이 존재하여, 레이저 광이 불규칙하게 반사되고 있다. 마스크층(3)이 불규칙하게 반사된 레이저 광으로 조사되는 경우, 개구(4)가 커져 물이 외부로 흐를 가능성을 증가시킨다. 본 실시예에서, Au 마스크층(3)이 YAG 레이저로부터의 레이저 광을 용이하게 흡수하지 않으므로, 개구(4)의 직경은 유지된다. 그 결과, 물은 소형 홀(5a) 내에 머물러 불규칙한 반사를 증가시킨다. 그리고, 소형 홀(5a) 내부를 레이저 워터 젯으로 조사함으로써, 처리가 촉진되어, 효율적으로 소형 홀(5a)을 확대하고, 도 4c에 나타낸 바와 같이 오목부(5)를 형성한다. 상술한 동작을 반복하고 처리를 촉진함으로써, 오목부(5)가 전면에 도달하게 하여 공급 포트로서 형성되게 할 수 있다.

다음으로, 알칼리 수용액 내에 실리콘 기판(1)이 침지되어 습식 에칭(결정 이방성 습식 에칭)을 행한다. 보다 구체적으로, 도 1d에 나타낸 바와 같이, 비관통 홀(5)이 실리콘 기판(1)의 전면까지 연장되고, 서로 인접하는 비관통 홀(5)이 서로 연통되어 하나의 관통 홀(6)을 형성한다. 에칭에 사용되는 알칼리 수용액은 예를 들어, TMAH 또는 KOH일 수 있다. 에칭은 비관통 홀(5)의 내벽면의 전체에서 시작된다. 그리고, 몇몇 부분에서, 에칭률이 낮은 (111)면을 형성하면서 에칭이 진행된다. 다른 부분에서는, 에칭률이 높은 (001)면 또는 (011)면을 따라 에칭이 진행한다. (111)면은 비관통 홀(5)의 단부로부터 형성된다.

그 후, 실리콘 기판(1)의 표면의 관통 홀(6)의 개구부에 대응하여 형성된 패시베이션층(2)의 일부가 건식 에칭에 의해 제거된다. 이는, 관통 홀(6)이 실리콘 기판(1)의 전면측에도 개방되게 하고, 잉크 공급 포트가 된게 한다.

이러한 제조 방법에 따르면, 빔(7)이 잉크 공급 포트(6) 내의 기판의 후면측 및 전면측에 형성되므로, 기판의 기계적 강도의 감소를 방지할 수 있어, 기판의 변형에 의해 유발되는 오리피스 플레이트의 박리 및 칩이 실장될 때의 파손을 방지할 수 있다.

실리콘 기판(1)의 후면의 잉크 공급 포트(6)의 개구 치수를 감소시킬 수 있고, 잉크 공급 포트(6)를 효율적으로 형성할 수 있다. 따라서, 잉크 공급 포트(6)의 처리 속도를 증가시킬 수 있고, 기록 헤드 기판, 이를테면 기록 헤드의 제조 비용을 감소시킬 수 있다.

비관통 홀(5)이 실리콘 기판(1)의 전면까지 연장되고, 서로 인접하는 비관통 홀(5)이 서로 연통하여 하나의 관통 홀(6)을 형성하도록 비관통 홀(5)을 형성하는 단계에서, 등방성 에칭을 사용될 수 있다. 예를 들어, 탄소 원자, 염소 원자, 황 원자, 불소 원자, 산소 원자, 수소 원자 및 아르곤 원자 중 임의의 하나를 포함하는 반응성 가스를 사용하고, 이러한 원자들 중 임의의 것을 포함하는 분자를 포함하는 반응성 가스를 사용하는 건식 에칭이 수행될 수도 있다.

상술한 본 발명의 실시예는, 액체 토출 헤드 기판 외에, 예를 들어, 반도체 기판에서의 관통 홀을 형성하는 것에 적용될 수 있다. 예를 들어, 가속도 센서를 미세가공하는 것에 적용될 수 있다.

본 발명에 대해 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 실시예에 한정되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구성과 기능을 포함하도록 최광의 해석에 따라야 한다.

본 출원은, 본 명세서에 그 전체가 참조로써 통합된, 2008년 6월 19일에 출원된 일본 특허 출원 제2008-160306호의 이익을 주장한다.

Claims

액체를 토출하는 데 이용되는 에너지를 생성하는 에너지 생성 소자를 한쪽 면에 갖는 기판과, 상기 기판의 상기 한쪽 면과 상기 한쪽 면의 후면에 제공되는 다른 쪽 면을 관통하는 액체 공급 포트를 포함하는 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법으로서,
상기 기판의 상기 다른 쪽 면에 대하여 액체를 선 형상으로 토출하고, 선 형상의 액체를 따라 상기 선 형상의 액체 내를 통과한 레이저 광을 사용하여 상기 다른 쪽 면을 처리함으로써, 상기 기판의 상기 다른 쪽 면에 오목부를 제공하는 단계; 및
상기 오목부가 제공된 상기 다른 쪽 면으로부터 상기 기판을 에칭함으로써 상기 액체 공급 포트를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 후면에 개구를 갖는 금속층이 제공된 기판이 형성되고, 상기 후면은 상기 개구의 내부를 통해 상기 레이저 광을 사용하여 처리되는, 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법.
삭제
제1항에 있어서,
상기 에칭은 습식 에칭인, 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 레이저 광은 펄스 레이저 광이며, 상기 후면은 상기 레이저 광으로 복수회 조사되는, 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 한쪽 면의 결정면 방위는 (100)인, 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 금속층은 금을 포함하고, 상기 레이저 광은 YAG 레이저로부터 방출되는 광인, 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법.
액체를 토출하는 데 이용되는 에너지를 생성하는 에너지 생성 소자를 한쪽 면에 갖는 기판과, 상기 기판의 상기 한쪽 면과 상기 한쪽 면의 후면에 제공되는 다른 쪽 면을 관통하는 액체 공급 포트를 포함하는 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법으로서,
상기 기판을 제공하는 단계; 및
오목부가, 상기 다른 쪽 면으로부터 상기 한쪽 면을 향해서 상기 한쪽 면에 평행한 단면적이 커지고, 단면적이 최대인 위치로부터 상기 한쪽 면을 향해서 단면적이 감소되는 형상을 갖도록, 상기 기판의 상기 다른 쪽 면에 대하여 액체를 선 형상으로 토출하고, 선 형상의 액체를 따라 상기 선 형상의 액체 내를 통과한 펄스 레이저 광을 상기 다른 쪽 면에 복수회 조사한 결과로써 상기 기판을 처리하여 상기 액체 공급 포트가 되는 상기 오목부를 제공하는 단계
를 포함하는, 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법.
제7항에 있어서,
복수의 오목부들이 상기 후면에 제공되고, 상기 오목부들이 제공된 상기 후면으로부터 상기 기판이 에칭되어, 상기 오목부들 사이에 위치되는, 상기 오목부들의 벽을 형성하는 기판의 부분을 제거하는, 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법.
제7항에 있어서,
상기 후면에 개구를 갖는 금속층이 제공된 기판이 형성되고, 상기 후면은 상기 개구의 내부를 통해 상기 레이저 광을 사용하여 처리되는, 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법.
제9항에 있어서,
상기 금속층은 금을 포함하고, 상기 레이저 광은 YAG 레이저로부터 방출되는 광인, 액체 토출 헤드 기판의 제조 방법.
기판 처리 방법으로서,
기판을 제공하는 단계; 및
오목부가, 한쪽 면으로부터 상기 한쪽 면의 후면인 다른 쪽 면을 향해서 상기 한쪽 면에 평행한 단면적이 커지고, 단면적이 최대인 위치로부터 상기 다른 쪽 면을 향해서 단면적이 감소되는 형상을 갖도록, 상기 기판의 상기 한쪽 면에 대하여 액체를 선 형상으로 토출하고, 선 형상의 액체를 따라 상기 선 형상의 액체 내를 통과한 펄스 레이저 광을 상기 한쪽 면에 복수회 조사한 결과로써 상기 기판을 처리하여 상기 오목부를 제공하는 단계
를 포함하는, 기판 처리 방법.