KR101283405B1 - 석영 지그 및 반도체 제조장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 석영 지그는, 반도체 웨이퍼의 주표면상에 에피택셜층을 성장시키는 반도체 제조장치의 내부에 구비되고, 에피택셜 성장 시에, 반도체 웨이퍼를 재치하는 서셉터의 온도를 균일하게 유지하고, 이 서셉터의 상면과 대략 동일 평면 상에 상면이 위치하는 균열 지그를 지지하기 위한 석영 지그로서, 적어도 당해 균열 지그와 접촉하는 부분이 투명 석영으로 구성되어서 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이것에 의해, 반도체 제조장치 내에서, 파티클의 발생을 억제하는 것이 가능한, 균열 지그를 지지하기 위한 석영 지그, 및 그것을 구비하는 반도체 제조장치를 제공한다.
반도체 웨이퍼, 에피택셜층, 반도체 제조장치, 서셉터, 균열 지그, 석영 지그, 불투명 석영, 핵부, 투명 석영, 표층부, 반송경로, 가스 공급구

Description

석영 지그 및 반도체 제조장치{QUARTZ JIG AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT}
본 발명은, 반도체 웨이퍼의 주표면상에 에피택셜층을 성장시키는 반도체 제조장치의 내부에 구비되고, 에피택셜 성장 시에, 반도체 웨이퍼를 재치하는 서셉터의 온도를 균일하게 유지하고, 이 서셉터의 상면과 대략 동일평면 상에 상면이 위치하는 균열(均熱) 지그를 지지하기 위한 석영 지그, 및 그것을 구비하는 반도체장치에 관한 것이다.
실리콘 에피택셜 웨이퍼나 반도체 디바이스를 제조하는 반도체 제조장치로서는, 예를 들면, 석영 챔버 내에 넣어진 실리콘 단결정 웨이퍼를 챔버 외부의 램프나 히터로부터 방사된 복사열에 의해 가열함과 동시에, 챔버 내에 트리클로로실란 등의 실리콘소스 가스나 도판트 가스를 포함한 수소 가스를 주성분으로 하는 원료 가스를 흘려보냄으로써 웨이퍼 표면에 원하는 에피택셜층을 성장시키는 CVD장치가 종래부터 사용되고 있다.
반도체 제조장치(CVD장치(11))를 사용하여 실리콘 단결정 웨이퍼의 주표면에 박막을 성장시키는 수순을 도 1을 참조하여 설명한다. 우선, 탄화규소 등으로 이루어지는 서셉터(1)가 재치된 서셉터 지지 지그(10)를 하강시킨다. 이 때, CVD장 치(11)는 웨이퍼의 투입 온도, 즉 650℃로 설정되어 있다. 실리콘 단결정 웨이퍼(2)는, 도시하지 않은 반송장치에 의해 지면에 수직한 방향에서 CVD장치(11) 내로 반입되고, 서셉터(1)의 상면에 형성된 스폿페이싱부 내에 재치된다. 도시하지 않은 반입출구가 밀폐된 후, 서셉터(1)의 상면이 이 서셉터(1)의 주위를 둘러싸는 균열(均熱) 지그(3)의 상면과 대략 동일평면 상에 위치할 때까지 서셉터 지지 지그(10)는 상승한다.
서셉터(1)가 당해 위치까지 상승하면, 석영 챔버(6)의 외부에 배치되어 있는 가열장치(9)에 의해, 석영 챔버(6)의 내부는 수백℃∼1200℃ 정도, 예를 들면 1100℃∼1180℃까지 가열된다. 가열장치(9)로부터 방출되는 복사광에는 파장이 약 2∼3㎛의 적외광이 포함되어 있는데, 이 파장의 광은 석영 챔버(6)의 상하면을 구성하는 투명 석영제의 챔버 천판(6a), 챔버 바닥판(6b)에는 흡수되지 않고 투과하므로, 이 챔버(6)를 가열하지 않고 실리콘 단결정 웨이퍼(2)나 서셉터(1)에 도달하고, 그것들에 흡수됨으로써 웨이퍼나 서셉터는 가열된다. 또한, 가열장치(9)로서는, 예를 들면, 할로겐램프나 히터, 적외선 램프 등이 사용된다. 또, CVD장치(11) 내는, 이 때 수소 가스 분위기이며, 이 수소 가스에 의해 실리콘 단결정 웨이퍼의 주표면에 존재하는 자연산화막이 에칭되어 제거된다.
이 CVD장치(11)에서는, 서셉터(1)를 둘러싸는 균열 지그(3)가 배치되어 있다. 균열 지그(3)의 재질은, 탄화규소, 또는 탄소, 또는 탄소기재에 탄화규소를 코팅한 재료중 어느 하나로 이루어지고, 서셉터(1)와 대략 동일한 재질이다. 그 때문에, 가열장치(9)로부터의 복사 광에 의해 서셉터(1)와 동일한 정도의 온도까지 가열된다. 이러한 균열 지그(3)가 없는 경우, 가열된 서셉터(1)의 외주부로부터 방열이 일어나, 서셉터(1)의 외주부에 온도저하가 발생하여 서셉터(1) 내부의 온도차가 커지는데, 서셉터(1)와 대략 동일한 온도까지 가열되는 균열 지그(3)가 서셉터(1)를 둘러쌈으로써, 서셉터(1)의 외주부로부터의 방열이 억제되어, 서셉터(1) 내부의 온도차가 작아져, 웨이퍼(2) 전체를 균일한 온도로 유지하는 것이 용이하게 된다.
이 균열 지그(3)는 석영 지그(4)에 의해 지지된다. 이 때 균열 지그(3)의 열이 석영 지그(4)에 전도되어 방산하는 것을 막기 위해서, 재질로서는 불투명 석영이 사용된다. 석영 지그(4)의 재질이 불투명 석영이면, 열전도도가 낮아, 방열 시에, 균열 지그(3)로부터 방출되는 적외선을 반사하기 때문에, 균열 지그(3)로부터의 방열을 적합하게 막을 수 있다.
상기한 바와 같은 서셉터(1), 균열 지그(3)를 사용하여 서셉터(1) 상의 실리콘 단결정 웨이퍼(2)를 가열하고, CVD장치 내의 온도가 성장온도(예를 들면 1060℃∼1150℃ 정도)가 되면, 성장 가스 공급구(7)로부터 전술한 바와 같은 원료가스를 석영 챔버(6) 내에 공급한다. 그리고, 원료가스 중의 실리콘소스 가스나 도판트 가스는 열에 의해 분해되어, 가스 중의 실리콘 원자나, 보론이나 인 등의 불순물 원자가 실리콘 단결정 웨이퍼(2)의 주표면의 실리콘과 결합하여 실리콘 에피택셜층이 성장한다.
실리콘 에피택셜층의 성장이 종료되면, 가열장치(9)에 의한 가열을 정지하고, CVD장치 내를, 취출 온도(예를 들면 투입 온도와 동일한 650℃ 정도)까지 강온 한다. 그리고, 서셉터(1)는 실리콘 에피택셜 웨이퍼(2)와 함께 서셉터 지지 지그(10)에 의해 하강된다. 그 후, 실리콘 에피택셜 웨이퍼(2)는 도시하지 않은 반송장치에 의해 서셉터(2) 상에서 CVD장치(11) 밖으로 반출된다. 이상과 같은 각 공정을 반복함으로써, 복수의 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있다.
그런데, 상기와 같은 에피택셜 성장 시에는, CVD장치(11)의 내부에 설치되어 있는 지그 등의 표면에 실리콘 부생성물이 성장한다. 성장한 실리콘 부생성물은, 가열·냉각 등에 의한 지그의 팽창·수축에 의해 지그 표면으로부터 박리되어 파티클이 된다. 이 파티클이 웨이퍼의 주표면에 부착되면, 에피택셜층의 결정 결함을 유기(誘起)한다. 이 결정 결함은 반도체 소자의 양품 수율저하 및 전기 특성에 영향을 미치는 것이 판명되어 있기 때문에, 가능한 한 결정 결함을 적게 하는 것이 요구되고 있다.
또, 석영 챔버(6)의 내벽에 실리콘 부생성물이 성장한 경우에는, 석영 챔버(6)의 열전도도를 변화시켜버려, 원하는 처리조건이 얻어지지 않게 될 가능성이 나오기 때문에, 실리콘 부생성물은 정기적으로 제거할 필요가 있다. 이 때문에, 상기와 같은 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조공정을 1회 이상(예를 들면 5회) 행하면, 석영 챔버(6)의 내부에, 가스 공급구(7)로부터 정기적으로 염산가스 등의 에칭가스를 도입하여, 실리콘 부생성물을 제거하는 방법이 행해지고 있다. 이때, 에칭가스는 실리콘 부생성물 뿐만 아니라, 석영 챔버(6) 내의 각 부재, 예를 들면 균열 지그(3)나 석영 지그(4), 챔버 천판(6a), 챔버 측벽(6c) 등도 에칭해버리기 때문에, 장기간의 사용에 의해 이들 각 부재는 열화되어 간다. 특히, 석영 지그(4)나 챔버 측벽(6c) 등의 불투명 석영제의 부재는, 내부에 갖는 미세한 기포 때문에, 밀도가 작아, 에칭에 의한 열화가 진행되기 쉽다. 그리고, 열화에 의해 기포가 노출되면, 기포 간의 석영이 에칭에 의해 대량으로 탈리하여 파티클 오염의 원인이 되어버린다. 또한, 소정의 기간 또는 소정 매수의 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 제조한 후에 석영 챔버(6), 및 그 내부의 지그를 해체하고, 산성용액(예를 들면 불산과 질산의 혼합수용액 등)으로 세정을 행하여, 실리콘 부생성물의 제거를 행하는 일도 있지만, 이 경우도 같은 문제가 발생한다.
일본 특개평7-86178호 공보에 의하면, CVD장치 내의 지그의 하나인 원료공급 노즐에 부착되는 실리콘 부생성물의 성장을 방지하기 위해서, 원료가스 공급 노즐의 노즐 기부를 불투명 석영으로, 노즐 선단부를 투명 석영으로 구성하는 것을 제안하고 있다. 그러나, 이 구성에서는, 불투명 석영으로 이루어지는 노즐 기부가 에칭가스에 폭로되기 때문에, 실리콘 부생성물의 에칭은 할 수 있어도 노즐 기부의 열화를 방지하는 것은 할 수는 없다는 문제가 있다.
일본 특개평8-102447호 공보에 의하면, CVD장치 등에서 사용되는 석영 지그로서, 웨이퍼와의 접촉부에 샌드 블라스트 처리를 시행한 투명 석영을 사용함으로써, 부생성물의 박리에 의한 파티클의 발생을 방지한다고 하는 방법이 제안되어 있다. 그러나, 샌드 블라스트 처리에서는 석영분말을 석영 지그에 세게 불어대기 때문에, 석영분말이 석영 지그에 부착될 가능성이 있다. 이렇게 부착된 석영분말은 CVD장치 내부에서의 가열·냉각에 의한 석영 지그의 팽창·수축 때문에, 석영 지그로부터 박리되어, 새로운 파티클 오염의 원인이 될 우려가 있다.
일본 특개평10-256161호 공보에 의하면, CVD장치의 석영제 지그의 표면을 열처리함으로써 이 표면의 개질을 행하여, 표면열화를 방지하는 방법이 제안되어 있다. 그러나, 이러한 표면개질법에서는, 지그의 극표층이 투명화되는 것에 지나지 않기 때문에, 수소 가스나 에칭가스에 의해 표면이 침식된 경우, 개질되지 않은 불투명 석영부분이 노출되게 되어, 열화가 촉진된다고 하는 문제가 있다. 또, 표면에 성장한 부생성물이 박리할 때에 지그의 극표층의 석영을 함께 박리시켜버려, 열화를 빠르게 한다고 하는 문제도 있다.
일본 특개2001-102319호 공보에서는, 뱃치식 열처리장치에서의 보온체에, 표면에 기포가 없는 평활한 석영판을 사용함으로써, 보온체 표면에의 불순물의 부착을 방지하고 있다. 그러나, 이 석영판은 2장의 얇은 석영판의 일방의 면에 금속막을 형성하고, 이 2장의 석영판의 금속막이 형성된 면끼리를 접촉시켜, 버너 등으로 용착함으로써 제조할 필요가 있어, 대단히 번잡한 공정을 거치지 않으면 안되며, 금속막을 형성하는 증착기와 같은 장치를 준비할 필요가 있다.
본 발명은, 상기의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 반도체 제조장치 내에서, 파티클의 발생을 억제하는 것이 가능한, 균열 지그를 지지하기 위한 석영 지그, 및 그것을 구비하는 반도체 제조장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들이 예의 조사를 거듭한 결과, 반도체 제조장치 내에서 발생하는 파티클은, 석영 지그의 표면에 성장한 실리콘 부생성물이 박리한 것과, 석영 지그의 열화에 의해 석영자체가 탈리한 것을 발견했다. 즉, 반도체 제조장치에 의한 에피택셜 성장과정에서, 장치 내의 지그 표면에 실리콘 부생성물이 성장하고, 이러 한 실리콘 부생성물이 가열·강온에 의한 지그의 팽창·수축에 의해 박리하여 파티클로 되는 경우와, 이러한 실리콘 부생성물과 함께, 내부에 미소하고 또한 고밀도의 기포를 갖는 불투명 석영제의 지그로부터 미세한 석영이 탈리하여 파티클이 되는 경우가 있다. 또, 실리콘 부생성물을 제거하기 위해서 에칭가스를 반도체 제조장치 내에 도입하는 조작을 반복하면, 내부에 미소하고 또한 고밀도의 기포를 갖는 불투명 석영제의 지그는 급속한 열화를 일으키기 쉬워, 석영의 탈리가 더욱 증가되게 된다.
그래서, 반도체 제조장치 내의 석영 지그 중, 균열 지그와 접하기 때문에 고온으로 되기 쉽고, 실리콘 부생성물이 가장 성장하기 쉬운 석영 지그에 착목하여, 다음 발명을 하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 석영 지그는, 반도체 웨이퍼의 주표면 상에 에피택셜층을 성장시키는 반도체 제조장치의 내부에 구비되고, 에피택셜 성장 시에, 반도체 웨이퍼를 재치하는 서셉터의 온도를 균일하게 유지하고, 이 서셉터의 상면과 대략 동일평면 상에 상면이 위치하는 균열 지그를 지지하기 위한 석영 지그로서, 적어도 당해 균열 지그와 접촉하는 부분이 투명 석영으로 구성되어서 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이러한 석영 지그에서는, 실리콘 부생성물이 가장 성장하기 쉬운 부분인 균열 지그와의 접촉부분이 투명 석영으로 되어 있다. 투명 석영은 불투명 석영과 비교하여 치밀하고, 내부에 기포가 거의 존재하지 않으므로, 실리콘 부생성물과 함께 지그 표면의 석영이 박리될 가능성이나, 실리콘 부생성물을 제거하기 위한 에칭가스에 폭로되어 기포 간의 미소한 석영이 파티클이 되어 발진할 가능성을 대폭 억제할 수 있다.
다음에 본 발명의 석영 지그는 불투명 석영으로 구성되는 핵부와, 투명 석영으로 구성되고, 또한 당해 핵부를 그 표면이 노출되지 않도록 피복하는 표층부를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 구성으로 함으로써, 투명 석영(표층부)에 의해 석영 지그의 모든 표면에 걸쳐 상기의 효과가 얻어지는 것과 더불어, 균열 지그로부터 적외선 등에 의한 방열이 있어도, 투명 석영(표층부)의 하층에 있는 불투명 석영(핵부)이 적외선 등을 반사하므로, 균열 지그의 온도를 원하는 온도로 유지하기 쉬워진다.
다음에 본 발명의 석영 지그는 상기 반도체 제조장치의 내부에 반출입되는 반도체 웨이퍼의 반송경로 상에 해당되는 부분이 잘려진 형상으로 할 수 있다. 이렇게 구성함으로써 웨이퍼의 반입·반출 시에 있어서, 웨이퍼가 통과하는 반송경로의 상부에 석영 지그가 존재하지 않기 때문에, 가령 석영 지그 표면에 성장한 실리콘 부생성물이 박리해도, 파티클로 되어서 웨이퍼의 주표면에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또, 상기 반도체 제조장치의 내부에 성장 가스를 도입하기 위한 가스 공급구의 근방에 해당되는 부분이 잘려진 형상으로 할 수도 있다. 이와 같이, 에피택셜 성장 시에 실리콘 부생성물이 성장하기 쉬운 부분인 가스 공급구의 근방에 석영 지그가 존재하지 않도록 하면, 실리콘 부생성물이 석영 지그의 표면에 성장하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
이상의 석영 지그를 구비하는 반도체 제조장치에 의하면, 상기한 바와 같이, 균열 지그를 지지하는 석영 지그의 표면에 투명 석영을 사용하고 있기 때문에, 실리콘 부생성물이 박리할 때, 지그 표면의 석영이 함께 탈리하는 것을 억제할 수 있다. 또, 에칭가스에 석영 지그가 폭로되어서 에칭되어도 미소한 석영이 탈리하여, 파티클로 되어서 웨이퍼를 오염시키는 것을 억제할 수 있다. 또한, 석영 지그를 상기한 바와 같은 잘라낸 형상으로 함으로써 가령 실리콘 부생성물이 석영 지그로부터 박리되어도, 웨이퍼 표면에 부착되어 웨이퍼를 오염시키는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 성장 장치의 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 석영 지그의 구조를 도시하는 개략 단면도이다.
도 3은 본 발명의 석영 지그의 다른 1예의 구조를 도시하는 개략 단면도이다.
도 4는 본 발명의 석영 지그의 다른 1예의 개략 정면도이다.
도 5는 본 발명의 석영 지그의 다른 1예의 개략 정면도이다.
도 6은 종래의 석영 지그의 구조를 도시하는 개략 단면도이다.
도 7은 서셉터, 웨이퍼, 균열 지그, 석영 지그의 배치를 도시하는 개략 정면도이다.
도 8은 실시예 1∼4와 비교예의 파티클수를 비교한 그래프이다.
(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1에 도시하는 바와 같이 반도체 제조장치(11)의 내부에는, 서셉터(1), 균열(均熱) 지그(3), 석영 지그(4), 석영 챔버(6), 가스 공급구(7), 가스 배출구(8), 서셉터 지지 지그(10) 등의 부품이나 지그가 편입되어 있다. 이러한 반도체 제조장치(11)의 내부에 실리콘 단결정 웨이퍼(2)를 반입하고, 이 웨이퍼(2)의 주표면에 실리콘 에피택셜층을 성장시키는 경우, 반도체 제조장치(11)의 내부를 원하는 온도로 승온하고, 가스 공급구(7)로부터 성장 가스를 도입한다. 이것에 의해, 실리콘 단결정 웨이퍼(2)의 주표면상에 실리콘 에피택셜층이 성장되지만, 그때, 서셉터(1), 균열 지그(3), 석영 지그(4), 석영 챔버(6), 가스 공급구(7), 가스 배출구(8), 서셉터 지지 지그(10)의 표면에도 얇은 다결정 실리콘층이 성장하여, 실리콘 부생성물이 된다.
이 때, 서셉터(1)와 균열 지그(3)는 그 표면이 탄화규소이기 때문에, 실리콘 부생성물과 열팽창계수가 비슷하여, 실리콘 부생성물이 서셉터(1)나 균열 지그(3)의 표면으로부터 박리될 가능성은 석영제의 지그와 비교하여 상당히 낮다. 그 때문에, 정기적으로 가스 공급구(7)로부터 도입되는 염산가스에 의한 에칭으로 이 표면으로부터 실리콘 부생성물을 제거함으로써, 실리콘 부생성물의 박리를 충분히 억제할 수 있다.
또, 균열 지그(3)의 상면과 서셉터(1)의 상면은 도 6에 도시하는 바와 같이, 대략 동일 평면 상에 존재하고, 그 사이의 간극도 작기 때문에, 성장 가스는 균열 지그(3)나 서셉터(1)의 극히 근방을 제외하고, 균열 지그(3)나 서셉터(1)로부터 하방으로는 거의 흐르지 않는다. 따라서, 서셉터 지지 지그(10)의 표면에도 극히 얇은 실리콘 부생성물이 성장할 뿐이므로, 염산가스에 의해 정기적으로 실리콘 부생성물을 제거함으로써, 이 부생성물의 박리를 충분히 억제할 수 있다.
석영 챔버(6), 가스 공급구(7), 가스 배출구(8)는 석영제로, 열전도도가 낮다. 그리고, 웨이퍼와 동일한 정도의 고온에까지 가열되는 서셉터(1)나 균열 지그(3)로부터 떨어져 있으므로, 이들 지그는 온도가 그다지 높아지지 않아, 대단히 얇은 실리콘 부생성물이 성장할 뿐이므로, 염산가스에 의해 정기적으로 실리콘 부생성물을 제거함으로써, 이 부생성물의 박리를 충분히 억제할 수 있다. 따라서, 석영 챔버 측벽(6c)이나 가스 공급구(7), 가스 배출구(8)가 불투명 석영이어도 성장하는 실리콘 부생성물이 얇기 때문에, 이 부생성물과 함께 박리되는 미소 석영이 적다. 또한, 염산가스의 에칭 시에는, 에칭을 효율적으로 진행시키기 위해서, 역시 원하는 온도로 반도체 제조장치(11) 내부를 승온하지만, 전술한 바와 같이 이들 지그는 온도가 그다지 높아지지 않기 때문에, 염산가스에 의한 석영의 에칭도 극히 조금밖에 진행하지 않아, 미소 석영이 탈리하여 파티클이 될 가능성은 낮게 된다.
한편, 석영 지그(4)는 고온으로 가열되는 균열 지그(3)를 지지하고 있기 때문에, 균열 지그(3)와 동일한 정도의 온도까지 가열된다. 또, 전술한 바와 같이, 성장 가스가 서셉터(1)나 균열 지그(3)의 이면측에 대량으로 돌아 들어가는 일은 적지만, 이들 서셉터(1)나 균열 지그(3)의 이면의 극히 근방에는 성장 가스가 돌아 들어가고 있다. 그 때문에 석영 지그(4)의 측면이나 하면에는 실리콘 부생성물의 성장이 촉진된다. 특히, 균열 지그(3)와 석영 지그(4) 사이의 간극은 가스의 흐름이 극히 느리기 때문에, 성장 가스가 체류하기 쉬워 실리콘 부생성물의 성장이 더욱 촉진된다.
석영 지그(4)에 성장하는 실리콘 부생성물도 염산가스 등에 의해 제거되지만, 상기한 이유에 의해 다른 부품이나 지그에 비해 실리콘 부생성물의 성장이 빠르고, 또한, 균열 지그(3)의 이면측에 위치해 있기 때문에, 에칭가스가 흐르기 어렵다. 특히, 균열 지그(3)와 석영 지그(4) 사이의 간극은 흐르기 어렵다. 그 때문에, 실리콘 부생성물이 석영 지그(4)의 표면에 잔류하기 쉬워, 에피택셜 성장 과정에서의 온도상승·강온에 의한 석영 지그(4)의 팽창·수축에 의해 실리콘 부생성물이 박리되어, 석영 챔버(6) 내에서의 유력한 파티클 발생원이 될 우려가 있다. 또, 실리콘 부생성물이 박리될 때는, 석영 지그(4)의 표면의 석영이 이 부생성물과 결합하여 함께 박리되는 경우가 있어, 그것에 의해 석영 지그(4)의 열화가 진행될 가능성이 있다.
상기 문제를 억제하기 위해서, 염산가스 등의 에칭가스를 대량으로 흘려, 석영 지그(4)의 표면에 성장한 실리콘 부생성물을 충분히 제거할 수는 있다. 그러나, 대량의 에칭가스는, 석영 지그(4) 이외의 석영 지그, 예를들면, 석영 챔버(6)나 가스 공급구(7), 가스 배출구(8)의 열화를 촉진해버리기 때문에, 반도체 제조장치(11)의 부품이나 지그의 교환 빈도가 높아지고, 결과적으로 장치의 가동효율을 나쁘게 할 가능성이 있다.
또한, 석영 지그(4)의 표면이 불투명 석영일 경우, 에칭가스를 충분하게 흘려서 실리콘 부생성물을 제거할 때, 석영 지그(4)의 표면의 에칭도 진행되어 이 지그(4)가 열화되고, 불투명 석영의 기포 사이에 존재하는 미소 석영이 노출되어서 탈리하여, 파티클이 될 가능성이 있다.
그래서, 본 발명에서는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 균열 지그(3)와 접하는 석영 지그(4)의 상면의 재질을 투명 석영으로 한다. 석영 지그(4)의 상면은 균열 지그(3)와 접하기 때문에, 가장 고온으로 되기 쉽다. 또, 서셉터(1)와 균열 지그(3) 사이의 간극에 가깝기 때문에, 성장 가스의 농도가 보다 높고, 게다가 석영 지그(4)의 상면과 균열 지그(4)의 하면의 간극은 성장 가스가 대단히 체류하기 쉽다. 그 때문에, 석영 지그(4)의 상면에는 실리콘 부생성물이 가장 성장하기 쉽다. 그래서, 석영 지그(4)의 상면을 투명 석영으로 하면, 투명 석영에는 기포가 존재하지 않아, 석영 분자가 치밀하게 배열되어 있으므로, 실리콘 부생성물의 박리가 발생해도 석영 지그(4)의 상면의 일부가 함께 탈리해버리는 것을 적합하게 막을 수 있다. 또, 염산 등에 의한 에칭이 행해져도 투명 석영에는 기포가 거의 존재하지 않기 때문에, 불투명 석영의 기포 간에 존재하는 미소 석영의 탈리를 적합하게 막을 수 있다.
또, 도 3에 도시하는 바와 같이, 석영 지그(4)는 상면뿐만 아니라 측면 및 하면(즉, 모든 표면)도 투명 석영으로 하는 것이 보다 바람직하다. 즉, 석영 지그(4)를 불투명 석영으로 구성하는 핵부와, 투명 석영으로 구성하는 표층부를 갖도록 구성할 수 있다. 석영 지그(4)의 표면 중, 가장 실리콘 부생성물이 성장하기 쉬운 것은, 전술한 바와 같이 석영 지그(4)의 상면이지만, 이 지그(4)의 측면도 하면도 다른 지그나 부품과 비교하여 고온이 되기 쉬우므로, 실리콘 부생성물의 성장도 촉진된다. 따라서, 이들 표면도 투명 석영으로 하면, 실리콘 부생성물의 박리가 발생해도 석영 지그(4)의 일부가 함께 박리해버리는 것을 적합하게 막을 수 있다. 또, 염산 등에 의한 에칭이 행해져도 투명 석영에는 기포가 거의 존재하지 않기 때문에, 불투명 석영의 기포 간에 존재하는 것과 같은 미소 석영의 탈리를 적합하게 막을 수 있다. 또한, 불투명 석영과 투명 석영의 적층은 양자를 포개어 버너로 용착하는 등의 공지의 기술을 사용하면 된다.
또한, 석영 지그(4)는, 종래와 같은 링 형상(도 7 참조)으로 할 수도 있지만, 도 4에 도시하는 바와 같이, 석영 지그(4)의 일부를 잘라낸 형상으로 하여, 웨이퍼의 반송경로 상에 석영 지그(4)가 존재하지 않도록 하는 것이 바람직하다. 석영 지그(4)를 이러한 형상으로 함으로써, 가령 석영 지그(4)로부터 실리콘 부생성물의 박리가 발생해도, 반송중의 웨이퍼의 주표면에 실리콘 부생성물이 파티클로서 낙하, 부착되는 것을 억제할 수 있다.
이 때, 반송경로 상 뿐만 아니라, 실리콘 부생성물이 성장하기 쉬운 부분도 잘라낸 석영 지그(4)를 사용해도 된다. 예를 들면, 가스 공급구(7)의 근방은 성장 가스의 농도가 높아, 이 성장 가스가 균열 지그(3)의 이면으로 돌아 들어가 석영 지그(4)의 표면에 실리콘 부생성물이 성장하기 쉽다. 따라서, 가스 공급구(7)의 주위에 위치하는 석영 지그(4)의 일부를 잘라내도 된다. 또는, 도 5와 같은 석영 지그(4)로 해도 된다. 또한, 상술한 석영 지그(4)는 석영 챔버 측벽(6c)에 고정되 어 있다.
상기와 같은 석영 지그(4)를 사용한 CVD장치(11)에서 서셉터(1) 상에 재치된 실리콘 단결정 웨이퍼(2)의 주표면에 실리콘 에피택셜 성장을 행하면, 실리콘 에피택셜층의 표면상에 파티클의 부착이 적은 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있다. 이 때의 실리콘 에피택셜 성장의 조건은, 전술한 바와 같은 공지의 제조조건에 의하면 된다.
이상, 본 발명을 낱장식 CVD장치에 적용한 경우에 대해 설명했지만, 본 발명은 낱장식의 CVD장치에 한하지 않고, 뱃치식의 CVD장치 등에 대해서도 적용 가능하다. 또, CVD장치 내의 가스에 의한 에칭으로서 염산가스를 예로 들었지만, 그밖의 환원성 가스에서도 동일한 효과를 얻을 수 있는 것은 말할 필요도 없다.
실시예
(실시예 1)
도전형 p형, 직경 200mm, 결정방위 <100>의 실리콘 단결정 웨이퍼를 준비하고, 도 1에 도시하는 바와 같은 낱장형 CVD장치에 이 웨이퍼를 투입했다. 이 CVD장치의 석영 지그로서, 균열 지그와 접하는 불투명 석영의 표면에 두께 1mm의 투명 석영을 용착한 링 형상의 지그(도 2 참조)를 사용했다. CVD장치에 투입된 실리콘 단결정 웨이퍼는 1050℃로 승온되고, 원료 가스인 수소 희석된 트리클로로실란을 석영 챔버 내에 도입하고, 6㎛ 의 실리콘 에피택셜층을 웨이퍼의 주표면에 성장시켰다. 이 처리를 10회 반복한 후, CVD장치 내의 드라이에칭으로 하여, 염산가스에 의한 클리닝을 행했다. 이상의, 실리콘 웨이퍼 10장의 처리와 드라이에칭 1회를 연속하여 행했다.
(실시예 2)
실시예 1에서 사용한 것과 동일한 실리콘 단결정 웨이퍼를 준비하고, 동일 조건에서 이 웨이퍼의 주표면에 대해 실리콘 에피택셜층을 6㎛ 성장시켰다. 이 때, CVD장치의 석영 지그로서, 불투명 석영의 모든 표면에 두께 1mm의 투명 석영을 용착 한 링 형상의 지그(도 3 참조)를 사용했다.
(실시예 3)
실시예 1에서 사용한 것과 동일한 실리콘 단결정 웨이퍼를 준비하고, 동일 조건에서 이 웨이퍼의 주표면에 대해 실리콘 에피택셜층을 6㎛ 성장시켰다. 이 때, CVD장치의 석영 지그로서, 균열 지그와 접하는 불투명 석영의 표면에 두께 1mm의 투명 석영을 용착하고, 웨이퍼의 반송경로 상의 석영 지그 부분을 잘라낸 지그(도 4 참조)를 사용했다.
(실시예 4)
실시예 1에서 사용한 것과 동일한 실리콘 단결정 웨이퍼를 준비하고, 동일한 조건에서 이 웨이퍼의 주표면에 대해 실리콘 에피택셜층을 6㎛ 성장시켰다. 이 때, CVD장치의 석영 지그로서, 균열 지그와 접하는 불투명 석영의 표면에 두께 1mm의 투명 석영을 용착하고, 도 5에 도시하는 바와 같은 형상의 지그를 사용했다.
(비교예)
실시예 1에서 사용한 것과 동일한 실리콘 단결정 웨이퍼를 준비하고, 동일한 조건에서 이 웨이퍼의 주표면에 대해 실리콘 에피택셜층을 6㎛ 성장시켰다. 이 때, CVD 장치의 석영 지그로서, 불투명 석영이 전체면에서 노출된 종래의 지그(도 6 참조)를 사용했다.
이상의 실시예에 기초하여, 각 실시예 및 비교예에서, 합계 3000장의 처리를 행했다. 이 후, 동일한 실리콘 웨이퍼를 사용하여, 동일한 연속처리를 100장 행했을 때의, 이 100장의 웨이퍼에 대해, 파티클 카운터(케이엘에이 텐코르사제 SP-1)로 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 주표면상의 파티클을 카운트하고, 파티클의 카운트수에 대해, 0.12㎛ 이상의 사이즈에서의 100장의 평균값을 산출했다. 결과적으로, 종래의 석영 지그를 사용한 비교예에서의 파티클 카운트수의 평균값을 1로 하여 비교한 그래프를 도 8에 도시한다. 본 발명의 석영 지그를 사용하면, 파티클수는 약 1/5로 감소한 것을 알 수 있다.

Claims (5)

  1. 반도체 웨이퍼의 주표면상에 에피택셜층을 성장시키는 반도체 제조장치의 내부에 구비되고, 에피택셜 성장 시에, 반도체 웨이퍼를 재치하는 서셉터의 온도를 균일하게 유지하고, 이 서셉터의 상면과 동일 평면 상에 상면이 위치하는 균열 지그를 지지하기 위한 석영 지그로서,
    적어도 당해 균열 지그와 접촉하는 부분이 투명 석영으로 구성되어서 이루어지고,
    상기 반도체 제조장치의 내부에 반출입되는 반도체 웨이퍼의 반송경로 상에 해당되는 부분이 잘려진 형상인 것을 특징으로 하는 석영 지그.
  2. 제 1 항에 있어서, 불투명 석영으로 구성되는 핵부와, 투명 석영으로 구성되고, 또한 당해 핵부를 그 표면이 노출되지 않도록 피복하는 표층부를 갖는 것을 특징으로 하는 석영 지그.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 제조장치의 내부에 성장 가스를 도입하기 위한 가스 공급구의 근방에 해당되는 부분이 잘려진 형상인 것을 특징으로 하는 석영 지그.
  4. 제 1 항에 기재된 석영 지그를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  5. 삭제
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102079740B1 (ko) * 2019-07-02 2020-02-20 이병호 반도체용 쿼츠제품 제작을 위한 진공흡착지그
US10998303B2 (en) 2018-03-05 2021-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing package-on-package device and bonding apparatus used therein
KR20240050707A (ko) 2022-10-12 2024-04-19 주식회사 원익큐엔씨 요철의 균일성이 우수한 석영유리 기판 및 이의 제조방법

Families Citing this family (207)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011007632B3 (de) * 2011-04-18 2012-02-16 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer von Prozessgas stammenden Materialschicht auf einer Substratscheibe
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9768052B2 (en) * 2013-03-14 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Minimal contact edge ring for rapid thermal processing
US9385004B2 (en) * 2013-08-15 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Support cylinder for thermal processing chamber
KR101539298B1 (ko) * 2013-11-25 2015-07-29 주식회사 엘지실트론 에피택셜 웨이퍼 성장 장치
JP2015176932A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 株式会社東芝 基板保管ケース、基板洗浄装置、および基板保管ケース洗浄装置
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9879358B2 (en) * 2015-05-27 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Heat shield ring for high growth rate EPI chamber
US10266414B2 (en) * 2015-06-16 2019-04-23 Hemlock Semiconductor Operations Llc Susceptor arrangement for a reactor and method of heating a process gas for a reactor
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9721826B1 (en) * 2016-01-26 2017-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer supporting structure, and device and method for manufacturing semiconductor
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
JP7066829B2 (ja) * 2018-03-28 2022-05-13 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、ガスノズルおよび半導体装置の製造方法
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
KR102534165B1 (ko) * 2018-05-30 2023-05-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 열 처리하기 위한 장치, 기판 프로세싱 시스템, 및 기판을 프로세싱하기 위한 방법
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) * 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
US11342216B2 (en) 2019-02-20 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
JP7188256B2 (ja) * 2019-04-18 2022-12-13 株式会社Sumco 気相成長方法及び気相成長装置
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
JP7159986B2 (ja) * 2019-06-27 2022-10-25 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021068871A (ja) * 2019-10-28 2021-04-30 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
CN113136565A (zh) 2020-01-20 2021-07-20 Asm Ip私人控股有限公司 形成薄膜的方法和改性薄膜的表面的方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR102478833B1 (ko) * 2021-09-29 2022-12-16 에스케이씨솔믹스 주식회사 서셉터 샤프트 가공 지그

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5820686A (en) * 1993-01-21 1998-10-13 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US6383330B1 (en) * 1999-09-10 2002-05-07 Asm America, Inc. Quartz wafer processing chamber
JP2004142996A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 Tosoh Corp 石英ガラス溶射部品及びその製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4560420A (en) * 1984-06-13 1985-12-24 At&T Technologies, Inc. Method for reducing temperature variations across a semiconductor wafer during heating
US5304248A (en) * 1990-12-05 1994-04-19 Applied Materials, Inc. Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions
US5540782A (en) * 1992-10-15 1996-07-30 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treating apparatus having heat transmission-preventing plates
US5580388A (en) * 1993-01-21 1996-12-03 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
DE69404397T2 (de) * 1993-07-13 1997-11-13 Applied Materials Inc Verbesserte Suszeptor Ausführung
EP0967632A1 (en) * 1993-07-30 1999-12-29 Applied Materials, Inc. Gas inlets for wafer processing chamber
US6500734B2 (en) * 1993-07-30 2002-12-31 Applied Materials, Inc. Gas inlets for wafer processing chamber
EP0725978B1 (en) * 1994-08-31 2003-01-08 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Method of producing a quartz glass jig for the heat treatment of silicon wafers
JP3473715B2 (ja) * 1994-09-30 2003-12-08 信越半導体株式会社 石英ガラス製ウェーハボート
JP3430277B2 (ja) * 1995-08-04 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の熱処理装置
US6086680A (en) * 1995-08-22 2000-07-11 Asm America, Inc. Low-mass susceptor
JPH10256161A (ja) * 1997-03-07 1998-09-25 Mitsubishi Electric Corp Ｃｖｄ用治具、それを用いた半導体装置の製造方法、およびｃｖｄ用治具の製造方法
JP3076791B2 (ja) * 1998-10-19 2000-08-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置
JP2000349031A (ja) * 1999-05-27 2000-12-15 Applied Materials Inc 半導体製造装置
US6486444B1 (en) * 1999-06-03 2002-11-26 Applied Materials, Inc. Load-lock with external staging area
US6245149B1 (en) * 1999-07-01 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Inert barrier for high purity epitaxial deposition systems
US7204887B2 (en) * 2000-10-16 2007-04-17 Nippon Steel Corporation Wafer holding, wafer support member, wafer boat and heat treatment furnace
JP3516654B2 (ja) * 2000-12-27 2004-04-05 信越半導体株式会社 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2003100650A (ja) * 2001-09-21 2003-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 均熱化部材とその製造方法並びに基板熱処理装置
JP3758579B2 (ja) * 2002-01-23 2006-03-22 信越半導体株式会社 熱処理装置および熱処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5820686A (en) * 1993-01-21 1998-10-13 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US6383330B1 (en) * 1999-09-10 2002-05-07 Asm America, Inc. Quartz wafer processing chamber
JP2004142996A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 Tosoh Corp 石英ガラス溶射部品及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10998303B2 (en) 2018-03-05 2021-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing package-on-package device and bonding apparatus used therein
US11776946B2 (en) 2018-03-05 2023-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing package-on-package device and bonding apparatus used therein
KR102079740B1 (ko) * 2019-07-02 2020-02-20 이병호 반도체용 쿼츠제품 제작을 위한 진공흡착지그
KR20240050707A (ko) 2022-10-12 2024-04-19 주식회사 원익큐엔씨 요철의 균일성이 우수한 석영유리 기판 및 이의 제조방법

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WO2006022128A1 (ja) 2006-03-02
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