JP2001176808A - 気相薄膜成長装置におけるウエハ搬送方法およびそれに用いるウエハ支持部材 - Google Patents

気相薄膜成長装置におけるウエハ搬送方法およびそれに用いるウエハ支持部材

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Katsuyuki Iwata
勝行 岩田
Tadashi Ohashi
忠 大橋
Shuji Torihashi
修治 鳥觜
Shinichi Mitani
慎一 三谷
Hideki Arai
秀樹 荒井
Hideki Ito
英樹 伊藤
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Coorstek KK
Shibaura Machine Co Ltd
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Toshiba Machine Co Ltd
Toshiba Ceramics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハを装置内へ搬入する際、該ウエハに与
えられる熱衝撃を軽減し、スリップ等の結晶転位の発生
を減少させることができ、かつ、装置温度の昇降温に要
するエネルギーの節約および時間の短縮により、生産性
の向上を図ることができるウエハ搬送方法およびそれに
用いるウエハ支持部材を提供する。 【解決手段】 連続枚葉式気相薄膜成長装置におけるウ
エハ搬送方法において、薄膜成長処理が終了したウエハ
と次に薄膜成長処理を行うウエハとの入れ換え搬送工程
で、薄膜成長時に用いるウエハ支持部材２をウエハ１と
一緒に搬送し、該工程を室温よりも高温で行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相薄膜成長装置
におけるウエハ搬送方法およびそれに用いるウエハ支持
部材に関し、より詳細には、シリコン基板等の半導体用
ウエハを一枚ずつ連続的に処理する連続枚葉式気相薄膜
成長装置を用いたウエハの薄膜成長処理において、処理
が終了したウエハと未処理のウエハとの入れ換え搬送工
程におけるウエハ搬送方法およびそれに用いるウエハ支
持部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体産業分野において、枚葉式
ウエハ処理装置は、バッチ式装置に比べ、多くの特性を
有しているため、その使用が広がっている。例えば、大
口径化ウエハのＣＶＤ膜、エピタキシャル膜等の薄膜形
成処理に際しては、面内特性の均一な膜を形成すること
ができることから、枚葉式エピタキシャル膜成長装置が
不可欠となっている。特に、最近では、処理が終了した
ウエハと未処理のウエハとの入れ換え操作の自動化技術
が向上し、処理能力（スループット）が一段と向上して
きたため、ウエハを一枚ずつ連続的に処理することがで
きる連続枚葉式気相薄膜成長装置の使用が一般化してい
る。
【０００３】この従来の枚葉式気相薄膜成長装置につい
て説明すると、該装置には例えば、図４に示すように、
原料ガスおよびキャリアガスを反応炉４０内に供給する
ための通常複数のガス導入管４７と、ガスの流れを整え
る複数の孔４８ａが形成された整流板４８が、反応炉４
０の上部に配設されているる。その下方に、ウエハ４１
を載置するウエハホルダー部Ｂ、該ウエハホルダー部Ｂ
を回転させるための回転軸４９および加熱用ヒータ４３
が配設されている。反応炉下部の通常底部近傍には、前
記回転軸４９を回転駆動させるモータ（図示せず）、反
応炉４０内の未反応ガスを含む排ガスを排出するための
通常複数の排気管５０およびその制御装置（図示せず）
が接続されている。
【０００４】また、前記ウエハ４１を載置するウエハホ
ルダー部Ｂは、例えば、図５に拡大断面図として示した
ように、ウエハを保持するための窪み座４２ａが上面に
形成されたウエハ支持部材４２、ウエハ４１を該窪み座
４２ａへ搬入出する際に用いられる突き上げピン４４と
を備えている。
【０００５】ウエハを一枚ずつ連続的に処理する枚葉式
気相薄膜成長装置において、薄膜成長処理が終了したウ
エハと次に薄膜成長処理を行うウエハとの入れ換えは、
一般に、室温より高温で行われることが多い。これは、
薄膜成長温度に、より近い温度でウエハの入れ換えを行
うことで、ウエハの冷却時間およびウエハの加熱時間を
短縮し、より短時間に薄膜を成長させるためである。こ
の場合、室温で炉内へ導入されたウエハと炉内で加熱状
態にあるウエハ支持部材とでは大きな温度差がある。こ
のため、直接、ウエハを該ウエハ支持部材上に載置する
と、ウエハがウエハ支持部材に接触した際、温度差によ
る熱衝撃により、歪みやスリップ転位等の結晶欠陥、さ
らにはウエハの破損を引き起こすことがある。
【０００６】従来の気相薄膜成長方法においては、この
不都合に対する対策として、炉内へウエハを導入した
後、例えば、突き上げピン上で予熱し、ウエハとウエハ
支持部材との温度差を小さくする操作工程を経ていた。
この操作について、図５を用いて詳しく説明する。ウエ
ハ４１は、搬入出用ロボット４５により、反応炉４０内
へ搬入される。搬入されたウエハ４１は、突き上げピン
４４により突き上げられ、加熱用ヒータ４３上方に保持
される。ここで、ウエハ４１は一定時間予熱され、ウエ
ハ支持部材との温度差が所定温度以内となった後、ウエ
ハ支持部材４２の窪み座４２ａ上に載置される。
【０００７】また、上記のような気相薄膜成長方法にお
いては、薄膜成長時には、ウエハ以外に、反応ガス中に
露出されたウエハ支持部材４２にも堆積物が付着する。
この付着堆積物は、枚葉式気相薄膜成長装置の稼働中に
剥離し、ウエハを汚染することがあるため、従来法で
は、通常、この付着堆積物を定期的に除去していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】反応炉内へウエハを搬
入した後、突き上げピン上で予熱し、ウエハとウエハ支
持部材との温度差を小さくする、上記した従来の気相薄
膜成長方法においては、突き上げピン上にあるウエハは
加熱ヒータからの距離が遠いため、ウエハの加熱に時間
を要し、薄膜を成長させる時間の遅延をもたらしてい
た。
【０００９】また、ウエハ支持部材の上面には、通常、
ウエハを保持するための窪み座が形成されているため、
ウエハ支持部材は、中央部と外周部で厚みが異なり、結
果としてウエハ支持部材の中央部と外周部とでは熱容量
に差が生じる。このため、ウエハ支持部材にウエハを載
置した瞬間または昇温時に、該ウエハ支持部材の外周部
に接しているウエハの外周部と、接していないウエハの
中央部との間に温度差が生じやすく、スリップ等の結晶
転位が発生する原因となっていた。
【００１０】また、ウエハ支持部材上に付着した堆積物
を除去するためには、ウエハへの薄膜成長処理工程を一
時中断し、ウエハ支持部材を清掃後、装置を再び立ち上
げなければならなかった。これは、薄膜成長装置の稼働
率、すなわち、生産性を低下させ、ひいてはコストアッ
プにつながっていた。
【００１１】本発明は、上記技術的課題を解決するため
になされたものであり、ウエハを装置内へ搬入する際、
該ウエハに与えられる熱衝撃を軽減し、スリップ等の結
晶転位の発生を減少させることができ、かつ、装置温度
の昇降温に要するエネルギーの節約および時間の短縮に
より、生産性の向上を図ることができるウエハ搬送方法
およびそれに用いるウエハ支持部材を提供することを目
的とするものである。
【００１２】また、本発明の他の目的は、ウエハ支持部
材に付着した堆積物の除去操作を気相薄膜成長装置の外
で行うことを可能とし、該装置による生産性の向上を図
ることができるウエハ搬送方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ウエハ
を一枚ずつ連続的に処理でき、かつ、ウエハを裏面側か
ら加熱する方式の連続枚葉式気相薄膜成長装置における
ウエハ搬送方法において、薄膜成長処理が終了したウエ
ハと次に薄膜成長処理を行うウエハとの入れ換え搬送工
程で、薄膜成長時に用いるウエハ支持部材をウエハと一
緒に搬送し、該工程を室温よりも高温で行うことを特徴
とするウエハ搬送方法が提供される。
【００１４】また、本発明によれば、上記ウエハ搬送方
法の一好適態様として、前記ウエハ入れ換え搬送工程に
おける装置内温度が、５００℃以上１０００℃以下であ
ることを特徴とするウエハ搬送方法が提供される。
【００１５】さらに、本発明によれば、上記ウエハ搬送
方法の他の好適態様として、前記ウエハ支持部材が、ウ
エハと同一の材質からなることを特徴とするウエハ搬送
方法、および、前記ウエハ支持部材にはウエハを保持す
るための窪み座が形成され、該窪み座の深さが、ウエハ
厚さとほぼ等しく形成されていることを特徴とするウエ
ハ搬送方法がそれぞれ提供される。
【００１６】また、本発明によれば、前記薄膜成長処理
に供するウエハが、シリコンウエハであることを特徴と
するウエハ搬送方法が提供される。
【００１７】さらに、本発明は、薄膜成長処理に供する
ウエハと同一の材質からなり、該ウエハを保持するため
の窪み座が形成され、かつ、該窪み座の深さが、ウエハ
厚さとほぼ等しく形成されていることを特徴とする薄膜
成長処理用ウエハ支持部材を提供する。
【００１８】本発明に係るウエハ搬送方法は、枚葉式気
相薄膜成長装置による薄膜成長処理に用いるウエハ支持
部材をウエハと一緒に搬入出する点が特徴である。ウエ
ハの搬入出をウエハ支持部材と一緒に行うことにより、
加熱された炉内へウエハを直接搬入した際の熱衝撃によ
るダメージを軽減することができる。また、処理が終了
したウエハと未処理のウエハとの入れ換えを、より高温
で行うことができるため、薄膜成長処理に要する時間を
短縮することができる。
【００１９】さらに、ウエハ支持部材にウエハと同じ材
質を用いること、および、ウエハ支持部材に形成された
窪み座の深さをウエハ厚さとほぼ同じにすることによ
り、ウエハを載置した状態でのウエハ支持部材と該ウエ
ハを含めた厚さをウエハ支持部材の全面にわたってほぼ
同じ厚さにすることができる。これにより、ウエハをウ
エハ支持部材上に載置する際、部分的な熱容量の違いに
よって生じる、ウエハ中央部とウエハ外周部との間の温
度差を最小限にとどめることができる。
【００２０】そして、さらに、ウエハ支持部材に付着し
た堆積物の除去処理を気相薄膜成長装置の外で行うこと
ができるため、該除去処理のために、ウエハへの薄膜成
長処理工程を中断する必要がなく、その分生産性の向上
を図ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づ
き、より具体的に説明する。なお、以下の説明において
は、本発明をシリコンウエハにシリコンエピタキシャル
膜を成長させる場合の例について述べるが、本発明の適
用範囲は、この説明例に限定されるものではない。
【００２２】図１に、本発明に係るウエハ搬送方法が適
用される枚葉式気相薄膜成長装置におけるウエハホルダ
ー部（図４に示す枚葉式気相薄膜成長装置におけるＢに
相当する部分）の一例を示す。本発明に係る枚葉式気相
薄膜成長装置は、ガス導入管および整流板が反応炉の上
部に配設され、その下方に、ウエハホルダー部、ホルダ
ー回転軸および加熱用ヒータが配設されている。また、
この反応炉の下部（通常、底部近傍）には、モータ、排
気管およびその制御装置が配設されている。前記ウエハ
ホルダー部は、ウエハ支持部材２（図４および図５にお
いては４２）、突き上げピン４（図４および図５におい
ては４４）および支え部材６を備えている。これらの点
では、従来の枚葉式気相薄膜成長装置（図４、図５参
照）と同様である。
【００２３】しかし、本発明に係る装置は、突き上げピ
ン４がウエハ１を載置したウエハ支持部材２ごと突き上
げることができる構造を有する。また、搬入出用ロボッ
ト５が、該突き上げられたウエハ１が載置されたウエハ
支持部材２をそのまま収容し、かつ、保持することがで
きる構造を有する点で、従来の装置と異なる。
【００２４】本発明に係る装置において、ウエハ１はウ
エハ支持部材２に保持された状態で、搬入出用ロボット
５により、炉内へ搬入される。そして、ウエハ１は突き
上げピン４によってウエハ支持部材２ごと突き上げら
れ、搬入出用ロボット５が待避後、所定の位置に設置さ
れる。この際、ウエハ支持部材２とそれを保持する支え
部材６との間には温度差があるため、ウエハ支持部材２
は熱衝撃を受けるが、ウエハ１自体はこの熱衝撃を受け
ない。この後、ウエハ１およびウエハ支持部材２は、所
定時間をかけて、所定温度まで昇温される。
【００２５】本発明において、ウエハ支持部材２は、例
えば、グラファイト、石英、シリコン等、通常、この種
のウエハ支持部材に使用される材質で構成されていて差
し支えなく、特に限定されるものではないが、ウエハ支
持部材２の構成材を処理すべきウエハ基板の材質（例え
ば、シリコン）と同じ材質で構成されることが好まし
い。さらに、該ウエハ支持部材２の上面に形成されてい
るウエハを保持するための窪み座２ａの深さは、該処理
すべきウエハ基板１の厚さにほぼ等しく形成すること
が、特に好ましい。
【００２６】すなわち、上記の昇温時において、ウエハ
１とウエハ支持部材２が同じ材質からなり、かつ、ウエ
ハ支持部材２とウエハ１とを含めた全体厚さが全面にわ
たってほぼ均一であれば、ウエハ１を載置した状態での
ウエハ支持部材２の外周部、中央部等の各部の熱容量は
いずれもほぼ等しくなる。したがって、昇降温時に発生
するウエハ中央部と外周部との温度差は小さくなる。
【００２７】この効果は、処理ウエハ（例えば、シリコ
ン）とウエハ支持部材（例えば石英ガラス）が異なる材
質からなる従来の装置と、ウエハ支持部材がいずれも同
一材質（例えば、シリコン）からなり、かつ、窪み座の
深さがウエハ厚さに等しい本発明に係る装置とを、両者
ほぼ同一の反応炉内の昇降温状態（反応炉内のウエハホ
ルダー部近傍における昇降温・時間パターンがほぼ同
一）となるように操作した場合に、それぞれのウエハ支
持部材上に載置されたウエハの中央部と外周部の温度差
・時間関係をグラフ化した、図２（従来装置）および図
３（本発明装置）を対比参照することにより明らかであ
る。尚、図中の実線はウエハ中央部、点線はウエハ外周
部の温度を示す。
【００２８】また、本発明に係るウエハ搬送方法におい
て、ウエハの上記搬入出工程は、５００℃以上１０００
℃以下の温度範囲で行うことが好ましい。操作温度が５
００℃未満では、昇降温時にウエハに生じるスリップ転
位等の結晶欠陥の発生頻度は従来法と有意差がほとんど
なく、本発明に係るウエハ搬送方法によるスリップ転位
等の発生を抑制することができる効果が顕著に現れな
い。また、大幅な温度差に基づく昇降温操作時間の遅延
（生産性低下）およびエネルギー消費の増大を招く。一
方、操作温度が１０００℃を越えると、スリップ転位等
の発生頻度が増加する。
【００２９】さらに、本発明に係るウエハ搬送方法で
は、従来、ウエハへの薄膜成長処理工程を中断して行っ
ていた、ウエハ支持部材への付着堆積物除去工程を、装
置の稼働と切り離して、気相薄膜成長装置の外で行うこ
とができる利点を有する。例えば、ウエハ支持部材に付
着堆積したシリコン膜を除去処理する場合、気相薄膜成
長装置の外でフッ酸と硝酸の混酸液に浸すことにより、
除去することができる。このため、気相薄膜成長装置の
稼働率が、従来法に比べて向上し、生産性の一層の向上
を図ることができる。
【００３０】
【実施例】（実施例１）本発明に係る枚葉式気相薄膜成
長装置として、以下の構成を有する装置を用いた。反応
炉上部には、ガス導入管および整流板が配設され、その
下方に、ウエハホルダー部、ウエハホルダー部の回転軸
および加熱用ヒータが配設されている。また、反応炉の
底部には、回転軸駆動用モータおよびガス排気管が配設
されている。前記ウエハホルダー部は、図１に示すよう
に、ウエハを保持するための窪み座が上面に形成された
ウエハ支持部材（シリコン製）、ウエハをウエハ支持部
材ごと搬入出できる構造に形成された突き上げピンおよ
びウエハ支持部材を保持する支えリングから構成されて
いる。上記装置を用いて、φ３００ｍｍのシリコンウエ
ハに一枚ずつ連続してシリコンエピタキシャル膜成長処
理を施した。なお、エピタキシャル膜成長温度は１００
０℃、処理が終了したウエハと次に処理を行うウエハと
の入れ換え搬送工程での炉内温度は７００℃とした。処
理が終了したウエハにおけるスリップ転位の発生頻度を
微分干渉顕微鏡により評価し、その結果を表１に示し
た。
【００３１】（比較例１）図４（装置全体）および図５
（ウエハホルダー部）に示した従来の枚葉式気相薄膜成
長装置を用いて、実施例１と同様に、φ３００ｍｍのシ
リコンウエハに一枚ずつ連続してシリコンエピタキシャ
ル膜成長処理を施した。なお、エピタキシャル膜成長温
度は１０００℃とし、ウエハの入れ換え搬送工程では、
反応炉内へのウエハ搬入後、突き上げピン上で該ウエハ
を７００℃まで予熱した。処理が終了したウエハにおけ
るスリップ転位の発生頻度を微分干渉顕微鏡により評価
し、その結果を表１に示した。
【００３２】
【表１】
【００３３】表１に示したように、従来の予熱操作を伴
う方法では、予熱温度が７００℃の場合、ウエハにスリ
ップ転位が発生するのに対し、本発明に係るウエハ搬送
方法によれば、ウエハ搬入出温度が７００℃の場合、ウ
エハにスリップ転位は生じなかった。
【００３４】（実施例２）処理が終了したウエハと次に
処理を行うウエハとの入れ換え搬送工程での反応炉内の
温度をそれぞれ表２に記載した温度とし、それ以外は実
施例１と同様の処理およびスリップ転位の発生頻度の評
価を行った。その結果を表２に示した。
【００３５】（比較例２）ウエハ入れ換え搬送工程にお
いて、炉内へ搬入したウエハの予熱温度をそれぞれ表２
に記載した温度とし、それ以外は比較例１と同様の処理
およびスリップ転位の発生頻度の評価を行った。その結
果を表２に示した。
【００３６】
【表２】 スリップ転位発生頻度； 〇：１０％未満 △：１０
％以上２０％未満 ×：２０％以上 −：評価せず
【００３７】表２に示したように、ウエハ搬入出温度ま
たは予熱温度が５００℃未満の場合は、本発明に係るウ
エハ搬送方法または従来の予熱操作を伴う方法のいずれ
によっても、ウエハのスリップ転位の発生頻度は１０％
未満であり、大差はなかった。しかし、ウエハ搬入出温
度または予熱温度が６００℃以上の場合は、ウエハのス
リップ転位の発生頻度は、従来法では１０％以上である
のに対し、本発明に係る方法では１０％未満とウエハの
製品の歩留まりが向上した。また、本発明に係る方法に
よっても、ウエハ搬入出温度が９００℃以上の場合は、
ウエハのスリップ発生頻度は１０％以上であった。
【００３８】（実施例３）実施例１で使用した本発明に
係る枚葉式気相薄膜成長装置を用いて、本発明に係るウ
エハ搬送方法により、シリコンウエハのシリコンエピタ
キシャル膜成長処理を逐次連続的に５日間実施し、その
１日当たりの平均ウエハ処理枚数（生産性）を算出し
た。その結果を表３に示した。
【００３９】（比較例３）比較例１で使用した従来の枚
葉式気相薄膜成長装置を用いて、比較例１と同様のウエ
ハ搬送方法でシリコンウエハのシリコンエピタキシャル
膜成長処理を逐次連続的に５日間実施し、その１日当た
りの平均ウエハ処理枚数を算出した。ただし、ウエハ支
持部材への付着堆積物除去のため、気相薄膜成長装置で
の膜成長工程を３時間間隔毎に約６４分間停止し、気相
薄膜成長装置内のウエハ支持部材をＨＣｌでエッチング
除去した。その結果を表３に示した。
【００４０】
【表３】
【００４１】表３に示したように、本発明に係るウエハ
搬送方法によれば、ウエハへのエピタキシャル膜成長処
理工程を中断することなく、ウエハ支持部材の付着堆積
物を除去することができたため、従来法に比べて生産性
が向上した。
【００４２】
【発明の効果】枚葉式気相薄膜成長処理における本発明
に係るウエハ搬送方法により、ウエハの反応炉内への搬
入時にウエハに与えられる熱衝撃を軽減することがで
き、スリップ転位等の結晶欠陥の発生を減少させること
ができる。また、これにより、ウエハ搬入出温度を高く
することができ、昇降温に要する時間を短縮することが
可能となる。さらに、昇降温時のウエハ各部の温度差
（特に、ウエハの中央部と外周部の温度差）を小さく
し、ウエハ面内での均一な昇降温が可能となる。そし
て、ウエハ支持部材の付着堆積物を除去する工程を気相
薄膜成長装置の外で行うことが可能となり、連続枚葉式
気相薄膜成長装置の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る枚葉式気相薄膜成長装置における
ウエハホルダー部の構造を示した概略断面図である。
【図２】従来の枚葉式気相薄膜成長装置を用いて、従来
法による気相薄膜成長処理を行った場合の昇降温時のウ
エハ中央部と外周部の温度差を示した線図である。
【図３】本発明に係る枚葉式気相薄膜成長装置を用い
て、本発明に係るウエハ搬送方法により気相薄膜成長処
理を行った場合の昇降温時のウエハ中央部と外周部の温
度差を示した線図である。
【図４】従来の枚葉式気相薄膜成長装置の反応炉内の構
造を示した概略断面図である。
【図５】従来の枚葉式気相薄膜成長装置におけるウエハ
ホルダー部の構造を示した概略断面図である。
【符号の説明】
１、４１ ウエハ ２、４２ ウエハ支持部材 ２ａ、４２ａ 窪み座 ３、４３ 加熱用ヒータ ４、４４ 突き上げピン ５ 搬入出用ロボット ６ 支え部材 ４０ 反応炉 ４７ ガス導入管 ４８ 整流板 ４８ａ 孔 ４９ 回転軸 ５０ 排気管 Ｂ ウエハホルダー部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大橋 忠 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 (72)発明者 鳥觜 修治 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 (72)発明者 三谷 慎一 静岡県沼津市大岡2068−３ 東芝機械株式 会社沼津事業所内 (72)発明者 荒井 秀樹 静岡県沼津市大岡2068−３ 東芝機械株式 会社沼津事業所内 (72)発明者 伊藤 英樹 静岡県沼津市大岡2068−３ 東芝機械株式 会社沼津事業所内 Ｆターム(参考） 4K030 BA29 CA04 CA12 FA10 GA02 GA12 JA10 KA46 5F031 CA02 DA13 FA01 FA03 FA07 FA12 MA28 5F045 AB02 AD14 AF03 BB08 BB10 BB13 DP21 EM02 EM09 EM10 EN05

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウエハを一枚ずつ連続的に処理すること
    ができ、かつ、ウエハを裏面側から加熱する方式の連続
    枚葉式気相薄膜成長装置におけるウエハ搬送方法におい
    て、薄膜成長処理が終了したウエハと次に薄膜成長処理
    を行うウエハとの入れ換え搬送工程で、薄膜成長時に用
    いるウエハ支持部材をウエハと一緒に搬送し、該工程を
    室温よりも高い温度で行うことを特徴とするウエハ搬送
    方法。
  2. 【請求項２】 前記ウエハ入れ換え搬送工程における装
    置内温度が、５００℃以上１０００℃以下であることを
    特徴とする請求項２記載のウエハ搬送方法。
  3. 【請求項３】 前記ウエハ支持部材が、ウエハと同一の
    材質からなることを特徴とする請求項１または請求項２
    のいずれかに記載のウエハ搬送方法。
  4. 【請求項４】 前記ウエハ支持部材にウエハを保持する
    ための窪み座が形成され、該窪み座の深さが、ウエハ厚
    さとほぼ等しく形成されていることを特徴とする請求項
    １乃至請求項３のいずれかに記載のウエハ搬送方法。
  5. 【請求項５】 薄膜成長処理に供するウエハが、シリコ
    ンウエハであることを特徴とする請求項１乃至請求項４
    のいずれかに記載のウエハ搬送方法。
  6. 【請求項６】 薄膜成長処理に供するウエハと同一の材
    質からなり、該ウエハを保持するための窪み座が形成さ
    れ、かつ、該窪み座の深さが、ウエハ厚さとほぼ等しく
    形成されていることを特徴とする薄膜成長処理用ウエハ
    支持部材。
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