KR101189290B1 - Bonding method and apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 수지기판이나 유리기판등의 기판위에 반도체소자나 표면 설치부품 등의 설치부재를 설치하기 위한 본딩방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 기판에 설치부재를 효율적으로 설치하는 본딩방법 및 그 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a bonding method and apparatus for installing an installation member such as a semiconductor element or a surface mounting component on a substrate such as a resin substrate or a glass substrate, and a bonding method and apparatus for efficiently installing an installation member on a substrate. The purpose is to provide.

이를 위하여 본 발명은, 정렬된 복수개의 칩을 덮도록, 이들 칩과 헤드 사이에 탄성재를 개재하고, 탄성재의 윗쪽으로부터 헤드로 가압한다. 이 때, 탄성재가 칩마다 두께의 산포를 흡수하여 균등하게 가압하는 동시에, 기판 아래쪽의 적외선 조사부에서 집광(集光)되어서 출력된 적외선이 칩이 설치된 기판의 뒷면부분만 조사(照射)하여 수지를 가열경화한다. 따라서, 복수개의 칩을 동시에 기판에 설치할 수가 있는 동시에, 기판전체에 주는 열 스트레스를 회피할 수가 있다.To this end, the present invention is interposed between these chips and the head so as to cover the plurality of aligned chips, and presses the head from the upper side of the elastic material. At this time, the elastic material absorbs and spreads the thickness of each chip evenly, and at the same time, the infrared light emitted from the infrared irradiation unit below the substrate is irradiated only on the back portion of the substrate on which the chip is installed. Heat curing. Therefore, a plurality of chips can be provided on the substrate at the same time, and heat stress applied to the entire substrate can be avoided.

본딩방법, 본딩장치, 가열수단, 가압수단, 가열압착Bonding method, bonding apparatus, heating means, pressurizing means, hot pressing

Description

본딩방법 및 그 장치{BONDING METHOD AND APPARATUS}Bonding Method and Apparatus {BONDING METHOD AND APPARATUS}

도 1은, 종래의 본(本) 압착장치의 개략구성을 나타낸 사시도,1 is a perspective view showing a schematic configuration of a conventional main crimping apparatus;

도 2는, 제1 및 제2 실시예에 관한 본 압착장치의 개략구성을 나타낸 사시도,2 is a perspective view showing a schematic configuration of the present crimping apparatus according to the first and second embodiments;

도 3은, 제1 실시예 장치에 관한 헤드주변의 요부(要部) 구성을 나타낸 단면도,3 is a cross-sectional view showing a main part structure of a head periphery according to a first embodiment device;

도 4는, 실시예 장치의 요부 구성을 나타낸 단면도,4 is a sectional view showing a main part structure of an example device;

도 5는, 칩을 기판에 가열 압착하는 상태를 나타낸 단면도,5 is a cross-sectional view showing a state in which a chip is heat-compressed on a substrate;

도 6은, 제 2 실시예 장치에 관한 헤드주변의 요부 구성을 나타낸 개략구성도, Fig. 6 is a schematic structural diagram showing a main part structure of a head periphery according to a device of a second embodiment;

도 7은, 제2 실시예 장치에 의한 본 압착방법을 나타낸 플로우 챠트이다.Fig. 7 is a flowchart showing the present crimping method by the second embodiment apparatus.

본 발명은, 수지기판이나 유리기판등의 기판위에 반도체소자나 표면 설치부품 등의 설치부재를 설치하기 위한 본딩방법 및 그 장치에 관하고, 특히 기판위에 설치부재를 효율적으로 설치하는 기술에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a bonding method and apparatus for installing a mounting member such as a semiconductor element or a surface mounting component on a substrate such as a resin substrate or a glass substrate, and more particularly, to a technique for efficiently installing the mounting member on a substrate. .

예컨대, 종래, 기판(예컨대, 액정, EL(Electro Luminescence), 플라즈마 디스플레이 등의 플랫표시 패널)의 제조공정에 있어서, 설치부재(예컨대, 반도체 칩 등)을 기판에 설치하고 있다. 설치부재(이하, 단지 「칩」이라고 한다)를 기판에 설치하는 본딩방법으로서는, 기판과 칩의 사이에 수지, 예컨대 이방(異方) 도전성막(ACF: Anisotropic Conductive Film)이나 비도전성수지(NCP: Non-Conductive Paste) 등을 개재시켜, 가열 압착수단을 칩 윗쪽으로부터 가압시키면서, 수지를 가열 경화하여 칩을 기판에 가열압착하고 있다.For example, conventionally, in the manufacturing process of a board | substrate (for example, flat display panels, such as a liquid crystal, electroluminescence (EL), a plasma display), the installation member (for example, a semiconductor chip etc.) is provided in the board | substrate. As a bonding method for attaching the mounting member (hereinafter simply referred to as "chip") to the substrate, a resin such as an anisotropic conductive film (ACF) or a non-conductive resin (NCP) is provided between the substrate and the chip. : The resin is heated and cured by pressurizing the heat-compression means from above the chip through a non-conductive paste) or the like, and the chip is heated and pressed to the substrate.

구체적으로는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 멀티헤드로 칩(4) 마다에 개개의 헤드(31)와 백업(7)으로 끼워넣어 가열압착하고 있다.Specifically, as shown in Fig. 1, the multiheads are sandwiched by the individual heads 31 and the backups 7 for each of the chips 4, and are subjected to heat compression.

그러나, 이러한 본딩장치의 경우에는, 다음과 같은 문제가 있다.However, such a bonding apparatus has the following problems.

즉, 칩에는 개별적으로 두께의 편차가 있고, 칩마다에 헤드를 가압하지 않으면 정밀도 좋게 기판에 고착시킬 수 없다고 하는 문제가 있다.In other words, there is a problem that the chips individually have variations in thickness, and that the chips cannot be adhered to the substrate with high accuracy unless the head is pressed for each chip.

또한, 일괄 히트툴로 탄성재를 개재하여 가압했을 경우에는, 칩의 두께편차는 흡수할 수 있어도 탄성재가 두꺼워지므로 열이 전달되기 어려워진다. 기판쪽에서 히트 스테이지로 가열했다고 하더라도 유리기판등 열전도율이 낮은 기판의 경우In addition, when pressurizing through an elastic material with a batch heat tool, even if the thickness deviation of a chip | tip can be absorbed, since an elastic material becomes thick, it becomes difficult to transmit heat. Substrate with low thermal conductivity such as glass substrate even if heated by heat stage from substrate side

에는, 설치효율이 악화한다.In this case, the installation efficiency deteriorates.

또한, 인접하는 칩끼리의 피치가 좁기 때문에, 칩 형상보다도 대형인 헤드에서 인접하는 칩을 동시에 가열압착할 수 없다. 그 때문에, 도 1에 나타내는 바와 같이, 예컨대 칩(4)을 1개 날려서 가열압착하도록 헤드(31)를 배치하지 않으면 안된다. 즉, 복수개의 칩(4)을 한번에 가열압착 할 수가 없으므로, 작업효율이 나쁘 다고 하는 문제가 있다.Moreover, since the pitch of adjacent chips is narrow, it is not possible to heat-compress simultaneously the adjacent chips by the head larger than a chip shape. Therefore, as shown in FIG. 1, for example, the head 31 must be arrange | positioned so that one chip 4 may be blown and heated and crimped. That is, since the plurality of chips 4 cannot be heat-compressed at once, there is a problem that the work efficiency is poor.

또한, 이 때, 아래쪽으로부터 가열경화를 위한 적외선을 조사하면 헤드가 가압하지 않고 있는 칩 부분에 대해서는, 그 개소의 수지가 가압되는 일없이 경화하고 말며, 예컨대 ACF를 사용했을 경우, 수지 내의 도전입자가 칩쪽의 범프와 기판전극에 접촉하지 않는다, 결과, 도통불량이 발생한다고 하는 문제가 있다.In this case, when the infrared rays for heat curing are irradiated from the lower side, the portion of the chip which is not pressurized by the head is cured without being pressurized. For example, when ACF is used, the conductive particles in the resin Does not contact the bumps on the chip side and the substrate electrode, resulting in a problem of poor conduction.

또한, 상술한 도통불량을 회피하려고 하면, 헤드의 가압이 걸려있지 않는 칩 부분에의 적외선의 조사를 차폐하는 부재 등을 설치하지 않으면 안되고, 장치구성이 복잡해지는 동시에, 작업효율의 저하를 초래한다고 하는 문제도 생기고 있다.In addition, if the above-mentioned conduction defect is to be avoided, a member or the like which shields the irradiation of infrared rays to the portion of the chip which is not pressurized by the head must be provided, which complicates the device configuration and reduces work efficiency. There is also a problem.

또한, 칩을 고온에서 가열한 상태인채로 가압해제하면, 수지가 유리 전이점(Tg)이상이기 때문에 완전히 경화하지 않고 있다. 그 때문에, 고온에 의한 칩과 기판의 열팽창 차이에 의한 변형?휨을 가진 채 가압해제되는 것이 되고, 그 변형?휨에 의해 밀어붙여져 있었던 전극과 범프간에 간극이 생기고, 저항값의 증대, 접합불량을 일으키는 문제도 있다.In addition, when the chip is released while heated at a high temperature, the resin is not completely cured because the resin is above the glass transition point (Tg). Therefore, the pressure is released with deformation and warpage due to the difference in thermal expansion between the chip and the substrate due to the high temperature, and a gap is formed between the electrode and the bump pushed by the deformation and warpage, and the resistance value increases and the connection failure occurs. There is also a problem.

더욱이, 칩과 기판의 선팽창계수가 다른 것으로부터, 수지를 가열경화한 후의 냉각과정에서, 칩과 기판의 수축량의 차이에 의해 휨이 발생하고, 이 휨의 영향으로 칩과 기판을 접합하는 수지에 균열이 발생하거나, 저항값이 증대하거나, 접합 불량을 일으키는 문제도 있다.Furthermore, since the coefficient of linear expansion of the chip and the substrate is different, warpage occurs due to the difference in shrinkage between the chip and the substrate in the cooling process after heat curing the resin. There is also a problem that a crack occurs, the resistance value increases, or a bonding failure occurs.

본 발명은, 기판에 설치부재를 효율적으로 설치하는 본딩방법 및 그 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a bonding method and an apparatus for efficiently installing an installation member on a substrate.

본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성을 채용한다.In order to achieve this object, the present invention adopts the following configuration.

설치부재와 기판 사이에 수지를 개재시켜서 설치부재를 기판에 설치하는 본딩방법에 있어서, 상기 방법은, 기판상의 복수개의 설치부재와 가압수단 사이에 탄성재를 개재시킨 상태에서, 가압수단과 기판을 지지하는 지지부재에 의하여 끼워서 복수개의 설치부재를 동시에 가압하는 가압과정과,A bonding method for mounting an installation member on a substrate by interposing a resin between the mounting member and the substrate, wherein the method includes applying the pressing means and the substrate while the elastic member is interposed between the plurality of mounting members on the substrate and the pressing means. A pressurizing process of pressing a plurality of installation members at the same time by being inserted by a supporting member to support the same;

상기 가압상태에 있는 상기 수지에 적외선을 조사하여 가열경화하는 가열과정을 포함한다.And a heating process of heating and curing the resin in the pressurized state by irradiating infrared rays.

본 발명의 본딩방법에 의하면, 기판위의 복수개의 설치부재를 덮도록 탄성재를 개재시켜, 상기 탄성재의 윗쪽으로부터 가압수단에 의해 동시에 가압하는 것에 의하여, 칩의 두께의 편차가 탄성재에 의해 흡수되어서 칩이 균등하게 가압된다. 이 때, 기판쪽에서 조사한 적외선이 기판을 투과하여 수지를 가열 경화시킨다. 따라서, 기판위에 복수개의 설치부재를 한번에 효율적으로 설치 할 수가 있다.According to the bonding method of the present invention, an elastic material is interposed to cover a plurality of mounting members on a substrate, and simultaneously pressurizing from the upper portion of the elastic material by pressing means, whereby variations in the thickness of the chip are absorbed by the elastic material. The chip is pressed evenly. At this time, the infrared rays irradiated from the substrate side pass through the substrate to heat-harden the resin. Therefore, a plurality of mounting members can be efficiently provided on the substrate at one time.

또한, 수지로서는, 도전입자를 혼입한 것이 바람직하다. 즉, 도전입자를 포함한 수지를 개재시켜서 설치부재가 기판에 가열압착된다. 따라서, 복수개의 설치부재가 균일하게 가압되므로 수지에 포함되는 도전입자도 균등하게 탄성변형한다, 결과, 설치부재 및 기판에 대한 도전입자의 접촉면적을 충분히 확보할 수 있으므로, 저항값 불량을 회피할 수 있다.Moreover, as resin, what mixed the conductive particle is preferable. That is, the installation member is heat-compressed to the substrate via the resin containing the conductive particles. Therefore, the plurality of mounting members are uniformly pressurized, so that the conductive particles contained in the resin are evenly elastically deformed. As a result, a sufficient contact area of the conductive particles to the mounting member and the substrate can be ensured, so that a poor resistance value can be avoided. Can be.

또한, 기판은, 플랫표시 패널인 것이 바람직하다. 이 방법 발명에 의하면, 기판위의 설치부재가 한번에 가열압착되므로, 멀티헤드와 같이 복수회에 걸치는 가 열처리를 할 필요가 없다. 따라서, 열에 대한 스트레스를 받기 쉬운 플랫표시 패널에 알맞다. 또한, 플랫표시 패널은, 적외선을 투과하기 쉬운 유리기판이므로 본방식에 알맞다.In addition, it is preferable that a board | substrate is a flat display panel. According to the invention of the method, since the mounting member on the substrate is heat-compressed at a time, it is not necessary to perform a temporary heat treatment over a plurality of times like a multihead. Therefore, it is suitable for flat display panels which are susceptible to heat stress. In addition, the flat display panel is suitable for the present method because it is a glass substrate that is easy to transmit infrared rays.

또한, 본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성도 채용한다.In addition, the present invention also adopts the following configuration in order to achieve this object.

본 발명의 본딩방법에 있어서, 상기 방법은, In the bonding method of the present invention, the method,

상기 수지를 가열경화한 후에 유리 전이점 부근이하까지 냉각하고나서 설치부재의 가압을 해제하는 냉각과정을 더 포함한다. After the resin is heat-cured, and further cooled to near the glass transition point, and further comprising a cooling process for releasing the pressure of the installation member.

본 발명의 본딩방법에 의하면, 설치부재를 기판에 가열압착한 후에, 상기 수지에 따른 유리 전이점 부근 이하까지 냉각된다. 따라서 수지가 거의 완전하게According to the bonding method of this invention, after heat-pressing an installation member to a board | substrate, it cools to below the glass transition point according to the said resin. So the resin is almost completely

경화상태가 되고, 또한 저온이 되고나서 가압을 해제하기 위하여, 기판과 칩의 열팽창 차이 등으로 이루어지는 변형?휨을 방지할 수 있고, 모든 전극에서 양호한 접속을 얻을 수 있다.In order to release pressure after becoming hardened | cured and to become low temperature, the deformation | transformation and curvature which consist of a difference in thermal expansion of a board | substrate and a chip | tip, etc. can be prevented, and favorable connection can be obtained with all the electrodes.

또한, 가열과정에서는, 지지부재를 동시에 가열하는 것이 바람직하다. 상기 방법에 의하면, 지지부재를 가열하는 것에 의해, 지지부재로부터의 열이 기판에 전달된다. 따라서, 칩과 기판의 양쪽이 가열되어서 양쪽 부재가 거의 같은 온도가 되는 것으로부터, 양쪽 부재의 열팽창계수의 차이에 의하여 발생하는 휨을 완화할 수 있다. 특히, 기판이 플랫표시 패널일 경우, 적외선은 기판을 투과해버리므로, 지지부재의 온도를 올려서 지지부재로부터 플랫표시 패널에 직접적으로 열을 전달하는 것이 바람직하다.In the heating process, it is preferable to simultaneously heat the supporting member. According to the method, heat from the support member is transferred to the substrate by heating the support member. Therefore, since both the chip and the substrate are heated so that both members are at approximately the same temperature, warpage caused by the difference in the coefficient of thermal expansion of both members can be alleviated. In particular, when the substrate is a flat display panel, infrared rays pass through the substrate. Therefore, it is preferable to raise the temperature of the support member to transfer heat directly from the support member to the flat display panel.

또한, 탄성재는, 단열성을 가지는 부재인 것이 바람직하다. 상기 방법에 의하면, 단열성을 가지는 탄성재에서 설치부재가 덮여져 있으므로, 피접합면에서 탄성재를 통하여 열이 달아나는 것을 방지 할 수가 있다. 따라서, 수지의 가열경화를 보다 효율적으로 할 수 있다.Moreover, it is preferable that an elastic material is a member which has heat insulation. According to the said method, since the installation member is covered by the elastic material having heat insulation, it is possible to prevent heat from running through the elastic material on the surface to be joined. Therefore, heat curing of resin can be made more efficient.

또한, 본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성도 채용한다.In addition, the present invention also adopts the following configuration in order to achieve this object.

설치부재와 기판 사이에 수지를 개재시켜서 설치부재를 기판에 설치하는 본딩장치에 있어서, 상기 장치는,In the bonding apparatus for attaching the mounting member to the substrate via a resin between the mounting member and the substrate, the apparatus,

상기 기판을 적치유지하는 유지테이블과,A holding table for holding and holding the substrate;

상기 적치된 기판 위 복수개의 설치부재를 동시에 가압하는 단일한 가압수단과, A single pressing means for simultaneously pressing a plurality of mounting members on the stacked substrate;

상기 복수개의 설치부재를 가압할 때에 설치부재와 가압수단의 사이에 개재시키는 탄성재와,An elastic material interposed between the mounting member and the pressing means when pressing the plurality of mounting members;

상기 기판의 상기 설치부재를 설치하는 부분을 아래쪽으로부터 지지하는 지지부재와,A support member for supporting a portion for installing the mounting member of the substrate from below;

상기 기판의 아래쪽으로부터 적외선을 조사하여 수지를 가열경화시키는 가열수단의 요소를 포함한다.And a heating element for heating and curing the resin by irradiating infrared rays from the lower side of the substrate.

본 발명의 본딩장치에 의하면, 유지 테이블에 재치유지된 기판 위의 복수개의 설치부재가, 탄성재를 개재하여 단일한 가압수단에 의하여 윗쪽으로부터 동시에 가압되는 동시에, 지지부재에 의하여 아래쪽으로부터 기판을 개재하여 지지된다. 이 때, 기판 아래쪽으로부터 적외선이 조사되어서 수지가 가열경화된다. 따라서, 기판위에 복수개의 설치부재를 한번에 효율적으로 설치 할 수가 있다.According to the bonding apparatus of the present invention, a plurality of mounting members on a substrate placed on a holding table are simultaneously pressed from above by a single pressing means via an elastic material, and are interposed from below by a support member. Is supported. At this time, infrared rays are irradiated from below the substrate, and the resin is cured by heating. Therefore, a plurality of mounting members can be efficiently provided on the substrate at one time.

또한, 지지부재는, 유리백업이며, 가열수단으로부터 출력되는 적외선이 상기 유리백업을 통과하여 기판 위에 설치되는 칩 부분만을 조사하는 출력부를 형성하도록, 상기 유리백업의 기판쪽 표면의 일부를 남겨서 다른 부분을 금속막으로 피복하는 것이 바람직하다.In addition, the supporting member is a glass back-up, and the other part of the glass back-up, leaving a part of the substrate-side surface of the glass back-up so as to form an output part for irradiating only the portion of the chip which infrared rays outputted from the heating means pass through the glass back-up and are installed on the substrate. Is preferably coated with a metal film.

본 구성에 의하면, 가열수단으로부터 출력되는 적외선이, 유리백업을 통과하여 기판 위의 설치부재가 설치되는 개소만을 조사한다. 따라서, 기판을 국부적으로 가열할 뿐이므로 기판전체의 온도상승을 회피할 수 있다, 결과, 플랫표시 패널과 같은 열 스트레스에 약한 기판에 이용하는데 알맞다.According to this structure, the infrared rays output from a heating means irradiate only the location where the installation member on a board | substrate is installed through glass backup. Therefore, since the substrate is only locally heated, the temperature rise of the entire substrate can be avoided. As a result, the substrate is suitable for use in substrates susceptible to thermal stress such as flat display panels.

또한, 유리백업을 금속막으로 피복하고, 또한, 적외선조사와 동시에 유리백업을 가열하는 것이 바람직하다.It is also preferable to coat the glass backup with a metal film and to heat the glass backup simultaneously with infrared irradiation.

상기 구성에 의하면, 유리백업을 금속막을 하고 열선흡수판유리를 병용함으로서, 유리백업 자체의 온도를 올릴 수 있는 히터로서 작용한다. 따라서, 기판을 지지하고 있는 유리백업의 끝단부에서 칩이 설치되어 있는 기판부분에 직접적으로 열이 전달되는 동시에, 적외선의 조사에 의한 가열에 의해, 수지의 가열경화를 한층더 효율적으로 할 수 있다. 또한, 유리백업을 히터로서 이용할 수 있으므로, 별도 히터를 설치할 필요가 없다.According to the above configuration, the glass backup serves as a heater capable of raising the temperature of the glass backup itself by using a metal film and using a heat absorbing plate glass together. Therefore, heat is transferred directly to the portion of the substrate where the chip is installed at the end of the glass backup that supports the substrate, and heat curing of the resin can be made more efficient by heating by infrared irradiation. . Moreover, since glass backup can be used as a heater, it is not necessary to provide a heater separately.

또한, 유리백업을 피복하는 금속막은, 알루미늄, 금, 동, 크롬 중의 어느 것인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the metal film which coats glass backup is any of aluminum, gold, copper, and chromium.

또한, 본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성도 채용한다.In addition, the present invention also adopts the following configuration in order to achieve this object.

본 발명의 본딩장치에 있어서, 상기 장치는, 상기 유리백업을 가열하는 히터의 요소를 더 포함한다. In the bonding apparatus of the present invention, the apparatus further comprises an element of a heater for heating the glass backup.

상기 구성에 의하면, 히터에 의해 유리백업을 가열하는 것에 의하여, 유리백업으로부터의 열이 기판에 직접 전달된다. 따라서, 적외선의 투과에 의하여 온도가 상승하기 어려운 유리기판을 사용한 경우에, 기판과 설치부재의 온도차이를 저감 할 수 있다.According to the above configuration, heat from the glass backup is transferred directly to the substrate by heating the glass backup by the heater. Therefore, in the case of using a glass substrate which is unlikely to rise in temperature due to infrared transmission, the temperature difference between the substrate and the mounting member can be reduced.

또한, 가열수단은, 내부에 금속막으로 피복한 타원체 모양의 공간을 가지고, 방사한 적외선이 금속막에 반사하고, 집광되어서 출력하도록 구성하는 것이 바람직하다.The heating means preferably has an ellipsoidal space covered with a metal film therein, and is configured so that the emitted infrared rays reflect on the metal film, are collected and output.

이 구성에 의하면, 타원체 모양을 한 내부공간을 가지는 가열수단의 내벽을 금속막으로 피복하는 것에 의해, 방사하는 적외선이 내부의 금속막으로 반사하고, 집광되어 출력된다. 따라서, 기판 위의 설치부재의 개소 만에 적외선을 조사할 수 있다. 또한, 적외선을 집광하여 소정개소로 조사할 수가 있고, 수지를 효율적으로 가열 할 수가 있다. 또, 여기에서, 타원체 모양이란, 그 종단면이 타원 형상이며, 안길이를 가지는 것이다.According to this configuration, by coating the inner wall of the heating means having the ellipsoid-shaped inner space with the metal film, the emitted infrared rays are reflected by the inner metal film, and are focused and output. Therefore, infrared rays can be irradiated only at the location of the mounting member on the substrate. Moreover, infrared rays can be condensed and irradiated to a predetermined location, and the resin can be efficiently heated. In addition, an ellipsoid shape here is that the longitudinal cross section has an elliptical shape and has depth.

또한, 본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성도 채용한다.In addition, the present invention also adopts the following configuration in order to achieve this object.

본 발명의 본딩장치에 있어서, 상기 장치는, 가열 경화한 수지를 유리 전이 점 부근 이하까지 냉각하는 냉각수단의 요소를 더 포함한다.In the bonding apparatus of the present invention, the apparatus further includes an element of cooling means for cooling the heat-cured resin to near the glass transition point.

상기 구성에 의하면 설치부재를 기판에 가열 경화한 후에 에어블로워 등의 냉각수단에서 냉각하는 것에 의해, 그 수지에 따른 유리 전이점 부근이하까지 냉각 할 수가 있다. 따라서, 수지가 대략 완전하게 경화 상태가 되고, 또한 저온이 되고나서 가압을 해제하기 때문에, 기판과 칩의 열팽창차이 등으로부터 이루어지는 변형?휨을 방지할 수 있고, 모든 전극에서 양호한 접속을 얻을 수 있다. According to the said structure, after heat-hardening a mounting member to a board | substrate, it cools by cooling means, such as an air blower, and can cool to below the glass transition point according to the resin. Therefore, since the resin is completely cured and at a low temperature, the pressure is released, so that deformation and warpage due to thermal expansion difference between the substrate and the chip can be prevented, and good connection can be obtained from all the electrodes.

또한, 본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성도 채용한다.In addition, the present invention also adopts the following configuration in order to achieve this object.

본 발명의 본딩장치에 있어서, 상기 장치는, In the bonding apparatus of the present invention, the apparatus,

기판의 뒷면쪽을 향하여 공기를 보내는 에어노즐의 요소를 더 포함한다. It further includes an element of the air nozzle for sending air toward the back side of the substrate.

상기 구성에 의하면, 기판의 뒷면쪽에 에어노즐을 구비하는 것에 의하여, 수지를 가열경화시켜서 설치부재를 기판에 가열압착할 때, 설치부분에만 적외선이 조사되어서 가열되고, 다른 기판 뒷면의 영역은 공기에 의해 냉각된다. 따라서, 예컨대, 기판이 유리기판이며 뒷면에 편광막을 가지는 것 같은 경우, 내열성이 낮은 편광막을 냉각보호 할 수 있다.According to the above configuration, by providing the air nozzle on the back side of the substrate, when the resin is heated and cured to heat-press the mounting member to the substrate, infrared rays are irradiated to only the mounting portion and heated, and the area on the other substrate back surface is exposed to air. By cooling. Therefore, for example, when the substrate is a glass substrate and has a polarizing film on the back side, the polarizing film having low heat resistance can be cooled and protected.

발명을 설명하기 위하여 현재 알맞다고 생각되는 몇개의 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책에 한정되는 것은 아닌 것을 알 수 있다.Although some forms which are currently considered suitable for illustrating the invention are shown, it will be appreciated that the invention is not limited to the construction and measures as shown.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 1을 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, Embodiment 1 of this invention is described with reference to drawings.

[실시예 1]Example 1

본 실시예에서는 ACP(Anisotropic Conductive Paste), ACF, NCP, NCF(Non- Conductive Film) 등의 수지를 사용하고, 설치부재인 칩을 기판에 설치할 경우를 예를 들어 설명한다.In this embodiment, a case is described in which a chip, which is an installation member, is mounted on a substrate using resins such as anisotropic conductive paste (ACP), ACF, NCP, and non-conductive film (NCF).

또한, 본 발명에 있어서의 「설치부재」로서는, 예컨대, IC칩, 반도체칩, 광소자, 표면설치 부품, 칩, 웨이퍼, TCP(Tape Carrier Package), FPC(Flexible Printed Circuit) 등의 종류나 크기에 관계없이, 기판과 접합시키는 쪽의 모든 형태를 나타내고, 플랫 표시 패널에의 칩 본딩인 COG(Chip On Glass)나 TCP, 및 FPC의 본딩인 OLB(Outer Lead Bonding)가 생각된다.As the "installation member" in the present invention, for example, IC chips, semiconductor chips, optical elements, surface mounting components, chips, wafers, TCP (Tape Carrier Package), FPC (Flexible Printed Circuit), etc. Irrespective of the above, all forms of bonding to the substrate are shown, and COLB (Chip On Glass), which is chip bonding to a flat display panel, and OLB (Outer Lead Bonding), which is bonding of FPC, are considered.

또한, 본 발명에 있어서「기판」이란, 예컨대, 수지기판, 유리기판, 필름기판 등을 나타내고, 적외광을 투과하기 쉽든지, 흡수해서 뜨거워지기 쉬운 기판이면 좋다.In addition, in this invention, a "substrate" shows a resin substrate, a glass substrate, a film substrate, etc., for example, and what is necessary is just a board | substrate which is easy to transmit infrared light, or is easy to absorb and heat up.

또한, 본 발명에 있어서의 가열수단으로부터 출력하는「적외선」으로서는 예컨대, 원적외 부분이나 근적외 부분의 파장을 포함한 것을 나타낸다. 또한, 근 적외선으로서는, 예컨대, 파장이 800 ～ 1200nm의 범위에 있는 것이 바람직하다.In addition, as an "infrared ray" output from the heating means in this invention, the thing containing the wavelength of a far-infrared part and a near-infrared part is shown, for example. Moreover, as near-infrared, it is preferable that the wavelength exists in the range of 800-1200 nm, for example.

우선, 본 실시예에 사용하는 장치에 대하여 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.First, the apparatus used for a present Example is demonstrated concretely with reference to drawings.

도 2는 본 발명에 관한 본딩장치인 본 압착장치의 개략구성을 나타낸 사시도, 도 3은 실시예 장치의 요부구성을 나타낸 측면도, 도 4는 실시예 장치의 개략구성을 나타낸 측면도다.2 is a perspective view showing a schematic configuration of the present crimping apparatus which is a bonding apparatus according to the present invention, FIG. 3 is a side view showing the main configuration of the embodiment apparatus, and FIG. 4 is a side view showing a schematic configuration of the embodiment apparatus.

도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 있어서 본 압착장치(1)는, 나타내지 않은 가압착 유닛으로부터 반송되어 오는 기판(2)을 수평유지하는 가동 테이블(3)과, 칩(4)을 윗쪽으로부터 가압하는 가압수단(5)과, 칩(4)과 가압수단(5)의 사이에 개재시키는 탄성재(6)와, 기판(2)의 아래쪽으로부터 가압수단(5)으로 칩(4)을 끼워서 지지하는 유리백업(7)과, 수지를 가열경화시키는 적외선 조사부(8)와, 기판(2)을 냉각하는 냉각수단(9)을 구비하고 있다.As shown in FIG. 2, in this invention, this crimping apparatus 1 has the movable table 3 which horizontally holds the board | substrate 2 conveyed from the pressing unit which is not shown, and the chip 4 from the upper side. Pressing means 5 for pressurizing, elastic material 6 interposed between chip 4 and pressurizing means 5, and chip 4 being inserted into pressurizing means 5 from below the substrate 2, The glass back-up 7 to support, the infrared irradiation part 8 which heat-cures resin, and the cooling means 9 which cool the board | substrate 2 are provided.

가동 테이블(3)은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 기판(2)을 흡착유지하는 기판유지 스테이지(10)를 구비하고, 상기 기판유지 스테이지(10)가 수평 2축(X, Y)방향, 상하(Z)방향,및 Z축 주위(θ)방향으로, 각각 이동이 자유롭게 구성되어 있다.As shown in FIG. 2, the movable table 3 includes a substrate holding stage 10 that adsorbs and holds the substrate 2, and the substrate holding stage 10 is disposed in two horizontal (X, Y) directions, Movement is freely comprised in the up-down (Z) direction and the Z-axis circumference (theta) direction, respectively.

가압수단(5)은, 이 수단(5)의 윗쪽에 배치된 실린더(11)와 연결되고, 상하이동이 가능한 헤드(12)를 구비하고 있다. 상기 헤드(12)는, 볼록형상이며 기판(2)의 칩 정렬방향으로 신장하고 있다. 즉 볼록부 끝단에서 탄성재(6)를 개재하여 복수개의 칩(4)을 동시에 가압한다.The pressurizing means 5 is connected with the cylinder 11 arrange | positioned above this means 5, and is provided with the head 12 which can be moved. The head 12 is convex and extends in the chip alignment direction of the substrate 2. That is, at the end of the convex portion, the plurality of chips 4 are simultaneously pressed through the elastic material 6.

탄성재(6)는, 가압수단(5)과 칩(4) 사이에 개재하도록, 대기위치에 있는 헤드(12)를 끼우도록 배치된 권취롤러(13)와 풀려나옴 롤러(14)에 걸쳐 놓아져 있다.또한, 상기 탄성재(6)를 권취하는 것에 의하여, 풀려나옴 롤러(14)로부터 새로운 탄성재(6)가 공급되도록 되고 있다. 또한, 탄성재(6)에는, 예컨대 유리섬유가 든 실리콘 시트 등이 사용된다. 바람직하게는, 단열성을 가지는 탄성재이다.The elastic material 6 is placed over the take-up roller 13 and the unrolled roller 14 arranged to sandwich the head 12 in the standby position so as to intervene between the pressing means 5 and the chip 4. In addition, by winding the elastic material 6, a new elastic material 6 is supplied from the released roller 14. As the elastic material 6, for example, a silicon sheet containing glass fibers or the like is used. Preferably, it is an elastic material which has heat insulation.

단열성을 가지는 탄성재를 사용하는 것에 의하여, 칩(2)의 비접합면 쪽으로부터 탄성재에 전달되는 열이 달아나는 것을 방지 할 수가 있다. 따라서, 수지의 가열경화를 보다 효율적으로 할 수 있다.By using the elastic material which has heat insulation, the heat transmitted to the elastic material from the non-bonding surface side of the chip | tip 2 can be prevented from running away. Therefore, heat curing of resin can be made more efficient.

또한, 탄성재(6)의 두께는, 사용하는 부재 등에 의하여 알맞게 변경된다.In addition, the thickness of the elastic material 6 changes suitably by the member etc. which are used.

유리백업(7)은, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 그 선단이 칩(4)이 설치된 기판(2)의 뒷면부분을 지지할 수 있도록 평탄부를 가지는 테이퍼 모양이며, 가압수단(5)과 같이 기판(2)의 칩 정렬방향으로 신장하고 있다. 또한, 상기 기판쪽 표면(도 3에서는 윗쪽)의 경사부(15)에는, 알루미늄이 증착되고, 평탄부만이 개구하고 있다. 즉, 적외선 조사부(8)로부터 출력되는 적외선이, 유리백업(7)을 통과하고, 개구부(16) 만으로부터 출력되어, 기판위의 수지를 조사하도록 되어 있다.As shown in Figs. 2 and 3, the glass backup 7 has a tapered shape having a flat portion so that the tip thereof can support the rear portion of the substrate 2 on which the chip 4 is installed, and the pressing means 5 As described above, the substrate 2 extends in the chip alignment direction of the substrate 2. Further, aluminum is deposited on the inclined portion 15 on the substrate side surface (the upper side in FIG. 3), and only the flat portion is opened. That is, the infrared rays output from the infrared irradiation section 8 pass through the glass backup 7 and are output from only the openings 16 to irradiate the resin on the substrate.

또한, 유리백업(7)의 경사부(15)에 알루미늄을 증착함으로써, 그 개소로부터 적외선이 새는 일이 없으므로, 칩(4)이 설치되지 않은 기판 위의 개소에 적외선이 조사되지 않는다. 또한, 열선흡수판 유리를 병용하는 것에 의하여, 유리백업(7)을 가열하고, 그 열에 의해 기판(2)을 가열 할 수 있다.In addition, by depositing aluminum on the inclined portion 15 of the glass back-up 7, infrared radiation does not leak from the location, and therefore, no infrared radiation is irradiated to the location on the substrate where the chip 4 is not provided. In addition, by using together the heat ray absorption plate glass, the glass backup 7 can be heated, and the board | substrate 2 can be heated by the heat.

따라서, 기판(2)을 국부적으로 가열 하는 것 만으로 기판전체의 온도상승을 회피할 수가 있다. 또한, 유리백업(7) 자체는, 적외선을 통과시키는 것 만으로, 히터와 같이 과도한 열을 축적하지 않는다, 결과, 유리백업(7) 자체로부터 발생하는 열에 의한 스트레스를 기판(2)이 받지 않는다.Therefore, the temperature rise of the whole board | substrate can be avoided only by heating the board | substrate 2 locally. In addition, the glass backup 7 itself does not accumulate excessive heat like a heater only by passing infrared rays, and as a result, the substrate 2 is not subjected to stress caused by heat generated from the glass backup 7 itself.

적외선 조사부(8)는, 도 2 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 상기 외관이 블록 모양을 하고 있고, 유리백업(7)의 아래쪽으로 배치되어 있다. 그 내부는 타원체 모양의 공간(17)을 가지고 있고, 바닥부에 적외선(예컨대, 근적외선이나 원적외선)을 방사하는 히터(18)가 구비되어 있다. 또한, 상기 내벽에는 금속막(19), 예컨대 금 등에 의하여 피복되어 있다. 또한, 적외선 조사부(8)는, 본 발명의 가열수단에 상당한다.As shown in FIG.2 and FIG.4, the said infrared irradiation part 8 is a block shape and is arrange | positioned under the glass backup 7. As shown in FIG. The inside has an ellipsoid-shaped space 17, and the heater 18 which radiates infrared rays (for example, near-infrared or far-infrared) is provided in the bottom part. The inner wall is covered with a metal film 19, for example, gold. In addition, the infrared irradiation part 8 is corresponded to the heating means of this invention.

즉, 히터(18)로부터 방사되는 적외선이, 내벽의 금속막(19)에 의해 반사하고, 출력측의 개구부, 즉, 도 4의 화살표에 나타낸 바와 같이, 유리백업(7)을 향하여 집광되어서 출력되게 되고 있다.That is, the infrared rays emitted from the heater 18 are reflected by the metal film 19 on the inner wall, and are focused and output toward the glass backup 7 as shown by the opening on the output side, that is, the arrow of FIG. 4. It is becoming.

냉각수단(9)은, 도 3에 나타낸 바와 같이, 유리백업(7)의 좌우에 배치되어, 유리백업(7)의 경사부(15)와 기판(2)의 뒷면쪽의 사이에 공기를 공급하게 되고 있다. 즉, 적외선이 조사되는 기판 뒷면부분 및 기판(2)에 인접하는 유리백업(7)의 경사부(15)의 표면을 냉각한다.The cooling means 9 is arrange | positioned at the left and right of the glass backup 7, as shown in FIG. 3, and supplies air between the inclination part 15 of the glass backup 7 and the back side of the board | substrate 2. As shown in FIG. Is being done. That is, the surface of the inclined part 15 of the glass back 7 adjacent to the board | substrate 2 and the board | substrate 2 to which infrared rays are irradiated is cooled.

도 4에 나타내는 제어부(20)는, 수지의 가열경화 처리가 종료하면, 냉각수단(9)로부터 공기를 공급시켜서 기판(2) 및 유리백업(7)을 냉각시키는 동시에, 기판온도가 수지의 유리 전이점(Tg)에 도달하면 공기의 공급을 정지하도록 하고 있다.The control part 20 shown in FIG. 4 supplies air from the cooling means 9 to cool the board | substrate 2 and the glass backup 7, when the heat-hardening process of resin is complete | finished, and the board | substrate temperature is glass of resin. When the transition point Tg is reached, the supply of air is stopped.

상기 냉각등의 시간이나 조건의 설정방법으로서는, 사전 테스트에 의해 칩(4), 기판(2), 수지의 각 온도를 측정하면서 조건설정을 한다. 그 때문에, 실제 설치시는, 미리 구한 조건과 시간에 기초하여 온도 등을 컨트롤하므로, 온도 등을 실측할 필요가 없다.As a method of setting the time and conditions such as the cooling, conditions are set while measuring the temperatures of the chip 4, the substrate 2, and the resin by a preliminary test. Therefore, at the time of actual installation, since temperature etc. are controlled based on the conditions and time calculated | required previously, it is not necessary to actually measure temperature.

또한, 고속냉각할 경우는, 기판상부보다 칩(4)과 수지, 및 기판상부를 직접 에어블로우 하는 것이 바람직하다.In the case of high-speed cooling, it is preferable to directly blow the chip 4, the resin, and the upper part of the substrate rather than the upper part of the substrate.

다음에 상술한 실시예 장치를 사용해서 ACF로 칩을 기판에 설치하는 일련의 동작에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 실시예에서는, 전(前)공정의 가압착 공정에서 칩이 기판에 미리 가압착된 상태에서 반송된 것에 대하여, 기판에 칩을 완전히 본 압착하는 경우를 예로 취하여 설명한다.Next, a series of operations for installing a chip on a substrate by ACF using the above-described embodiment apparatus will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, a case in which the chips are completely pressed against the substrate will be described as an example for the conveyance in the state where the chips are previously pressed against the substrate in the previous pressing process.

전단(前段)의 가압착 공정에서 수지를 개재하여 칩(4)이 가압착된 기판(2)이, 도시하지 않은 반송기구에 의해, 본 압착장치(1)에 반송된다. 상기 기판(2)은, 가동테이블(3)의 기판유지 스테이지(10)에 이동하여 실려서 흡착유지된다. 기판유지 스테이지(10)는 도시하지 않은 구동기구에 의하여, 전방(도 2 의 Y방향)인, 헤드(12)와 유리백업(7)과의 사이를 향하여 이동하고, 헤드(12)와 유리백업(7)에서 칩(4)을 상하방향으로부터 끼워 넣도록 기판(2)의 위치맞춤을 한다. 기판(2)의 위치맞춤이 종료하면, 도시하지 않은 구동기구에 의하여 헤드(12)가 하강하고, 상기 헤드(12)와 기판(2)의 아래쪽에 있는 유리백업(7)에서 복수개의 칩(4)이 동시에 끼워진다. 이 때, 칩(4)과 헤드(12) 사이에 개재하는 탄성재(6)가 헤드(12)에 의하여 동시하강시켜져, 기판 위에 정렬하여 설치된 복수개의 칩(4)을 동시에 덮는다. 즉, 가압시에 탄성재(6)가, 도 5에 나타내는 바와 같이, 칩(4) 두께의 편차를 흡수하고, 각 칩(4)에는 거의 균일한 압력이 가해진다.The board | substrate 2 with which the chip | tip 4 was press-bonded via resin at the front end press bonding process is conveyed to this crimping apparatus 1 by the conveyance mechanism not shown. The substrate 2 is moved and loaded onto the substrate holding stage 10 of the movable table 3 to be sucked and held. The substrate holding stage 10 moves toward the front 12 (the Y direction in FIG. 2) between the head 12 and the glass backup 7 by a driving mechanism (not shown), and the head 12 and the glass backup. In (7), the board | substrate 2 is aligned so that the chip | tip 4 may be pinched from an up-down direction. When the alignment of the substrate 2 is completed, the head 12 is lowered by a driving mechanism (not shown), and a plurality of chips (in the glass backup 7 below the head 12 and the substrate 2) are removed. 4) are fitted at the same time. At this time, the elastic material 6 interposed between the chip 4 and the head 12 is simultaneously lowered by the head 12 to simultaneously cover the plurality of chips 4 arranged on the substrate. That is, at the time of pressurization, as shown in FIG. 5, the elastic material 6 absorbs the variation in the thickness of the chips 4, and almost uniform pressure is applied to each of the chips 4.

따라서, 칩(4)측의 범프(21)와 기판전극(22)의 사이에 있는 도전입자(23)도 균일하게 탄성변형하고, 양쪽 전극간의 접촉저항을 충분히 확보한다.Therefore, the conductive particles 23 between the bump 21 on the chip 4 side and the substrate electrode 22 are also uniformly elastically deformed to ensure sufficient contact resistance between both electrodes.

헤드(12)와 유리백업(7)에서 칩(4)이 끼워지면, 적외선 조사부(8)로부터 적외선이 출력된다. 적외선은, 도 4에 나타내는 바와 같이, 적외선 조사부(8)의 내벽에서 반사하고, 출력측의 개구부에서 집광되어 유리백업(7)을 향하여 출력된다.When the chip 4 is fitted in the head 12 and the glass backup 7, the infrared rays are output from the infrared irradiation section 8. As shown in FIG. 4, the infrared rays are reflected by the inner wall of the infrared irradiation unit 8, are focused at the opening on the output side, and are output toward the glass backup 7.

출력된 적외선은, 유리백업(7)을 통과하고, 기판측의 개구부(16)로부터 집광된 상태에서 출력된다. 출력된 적외광(적외선)은, 기판(2)(유리기판)에서의 흡수뿐만아니라, 기판(2)을 투과하고, 수지 및 칩(4)에서도 흡수되어, 수지를 효율적으로 가열경화 시킨다. 특히, 적외선을 흡수한 기판(2)과 칩(4)은, 그들 자체가 온도상승하고, 그 열을 수지에 전달시킨다, 따라서, 기판상의 칩(4)이 설치된 개소에만 적외선이 조사되는 동시에, 설치부분 만의 가열을 실현할 수가 있도록 되어 있다.The infrared rays output through the glass backup 7 are output in a state where they are collected from the opening 16 on the substrate side. The output infrared light (infrared ray) not only absorbs in the board | substrate 2 (glass board | substrate), but also permeate | transmits the board | substrate 2, is also absorbed by resin and the chip | tip 4, and heat-cures resin efficiently. In particular, the substrate 2 and the chip 4 which absorbed the infrared rays themselves increase in temperature and transmit the heat to the resin. Therefore, the infrared rays are irradiated only at the place where the chips 4 on the substrate are provided. It is possible to realize heating only in the mounting portion.

소정시간, 적외선이 조사되면 적외선의 조사를 종료하고, 냉각수단(9)으로부터 공기를 공급하여 기판(2)을 뒷면 및/또는 상면으로부터 냉각한다.When the infrared rays are irradiated for a predetermined time, the irradiation of the infrared rays is terminated, and air is supplied from the cooling means 9 to cool the substrate 2 from the back side and / or the top side.

Tg 온도부근 이하로 된 곳에서, 가압을 해제하고 헤드(12)를 윗쪽의 대기위치에 복귀시키고, 기판유지 스테이지(10)를 기판 주고받기 위치까지 이동한다. 주고받기 위치에 이동한 기판(2)은, 도시하지 않는 기판 반송기구에 의하여 기판수납 유닛에 반송되어서 기판회수 매거진에 수납된다.At a temperature below the Tg temperature, the pressure is released, the head 12 is returned to the upper standby position, and the substrate holding stage 10 is moved to the substrate exchange position. The board | substrate 2 which moved to the sending and receiving position is conveyed to the board | substrate storage unit by the board | substrate conveyance mechanism not shown, and is accommodated in the board collection magazine.

이상에서 1장의 기판(2)에 대하여 칩(4)의 본딩이 종료한다.The bonding of the chip | tip 4 with respect to one board | substrate 2 is complete | finished as mentioned above.

상술한 바와 같이, 복수개의 칩(4)과 헤드(12) 사이에 탄성재(6)를 개재시켜서 가열압착하는 것에 의해, 칩(4) 마다의 두께의 편차를 탄성재(6)가 흡수하고, 복수개의 칩(4)을 한번에 기판(2)에 균등하게 가열압착할 수가 있고, 가열압착시간의 단축, 즉, 작업효율의 향상을 도모할 수 있다.As described above, the elastic material 6 absorbs the variation in the thickness of each chip 4 by heat-compression bonding the elastic material 6 between the plurality of chips 4 and the head 12. The plurality of chips 4 can be heat-compressed evenly to the substrate 2 at once, and the heat-compression time can be shortened, that is, the work efficiency can be improved.

또한, 기판측 표면에 적외선을 출력하는 개구부(16)를 설치하고, 다른 부분을 금속막으로 피복하는 유리백업(7)과, 내부공간(17)의 내벽전면을 금속막(19)으로 피복하고, 내부에서 반사한 적외선을 집광하여 출력하는 적외선 조사부(8)를 이용함으로써, 기판(2)의 칩(4)이 설치되는 개소에만 적외선을 조사할 수가 있다. 따라서, 기판(2)의 온도를 국부적으로 상승시키는 것 만으로, 기판전체의 온도상승을 회피할 수 있다.In addition, an opening portion 16 for outputting infrared rays is provided on the substrate side surface, and the glass backing 7 covering the other portion with the metal film and the entire inner wall surface of the inner space 17 are covered with the metal film 19. By using the infrared irradiation part 8 which condenses and outputs the infrared rays reflected in the inside, infrared rays can be irradiated only to the place where the chip 4 of the board | substrate 2 is provided. Therefore, the temperature rise of the entire substrate can be avoided only by locally raising the temperature of the substrate 2.

또한, 적외선이 기판을 투과하고, 보다 강하게 수지를 경화시킬 수 있다.In addition, infrared rays can pass through the substrate and harden the resin more strongly.

상술한 바와 같이, 기판(2)에의 가열시간의 단축 및 기판전체의 온도상승을 회피할 수 있는 점에서, 열 스트레스에 약한 플랫표시 패널과 같은 기판에 대하여, 본 실시예 장치를 유효하게 이용 할 수가 있다.As described above, since the shortening of the heating time to the substrate 2 and the temperature rise of the entire substrate can be avoided, the device of this embodiment can be effectively used for a substrate such as a flat display panel that is susceptible to thermal stress. There is a number.

더욱이, 수지를 가열경화한 후, 유리 전이점까지 냉각하고나서 헤드(12)에 의한 가압을 해제하는 것에 의하여, 수지가 거의 완전히 경화한 상태가 된다. 즉, 저온에서 가압을 해제하기 때문에, 기판(2)과 칩(4)의 열팽창 차이에 의하여 발생하는 변형?휨을 없앨 수 있다, 결과, 칩(4)이 확실하게 설치된 기판을 취급할 수 있다.Furthermore, after heat-curing the resin, the resin is almost completely cured by cooling to the glass transition point and then releasing the pressure by the head 12. That is, since the pressurization is released at low temperature, the deformation and warpage caused by the difference in thermal expansion between the substrate 2 and the chip 4 can be eliminated. As a result, the substrate on which the chip 4 is provided can be handled reliably.

[실시예 2][Example 2]

본 실시예의 장치구성으로서는, 가압수단 주위만이 먼저의 실시예 1장치와 다르므로, 동일개소에 대하여서는 동일부호를 붙이며, 다른 부분에 대해서 설명한다. In the apparatus configuration of this embodiment, only the periphery of the pressing means is different from the apparatus of the first embodiment, and the same parts are denoted by the same reference numerals, and the other parts will be described.

도 6은 본 발명에 관한 본딩장치의 요부 구성을 나타낸 정면도이다.6 is a front view showing the main part configuration of the bonding apparatus according to the present invention.

도 6에 나타낸 바와 같이, 본 압착 장치는, 도시하지 않은 가압착 유닛으로부터 반송되어 오는 기판(2)을 수평유지하는 가동 테이블(3)과, 칩(4)을 윗쪽으로부터 가압하는 가압수단(5)과, 칩(4)과 가압수단(5) 사이에 개재시키는 탄성재(6)와, 기판(2)의 아래쪽으로부터 가압수단(5)에서 칩(4)을 끼워서 지지하는 유리백업(7)과, 유리백업(7)을 가열하는 히터(50)와, 적외선 조사부(8)와, 윗쪽 및 아래쪽의 각각으로부터 기판(2)을 향하여 공기를 공급하는 노즐(51)과, 이들 각 구성을 총괄적으로 제어하는 제어부(53)로부터 구성되어 있다. As shown in FIG. 6, this crimping apparatus comprises the movable table 3 which horizontally holds the board | substrate 2 conveyed from the press bonding unit which is not shown in figure, and the press means 5 which presses the chip | tip 4 from the upper side. ), An elastic material 6 interposed between the chip 4 and the pressing means 5, and a glass backup 7 for sandwiching and supporting the chip 4 in the pressing means 5 from the lower side of the substrate 2. And a heater 50 for heating the glass backup 7, an infrared irradiation part 8, a nozzle 51 for supplying air from the upper side and the lower side toward the substrate 2, and each of these configurations collectively. It is comprised from the control part 53 which controls.

가동 테이블(3)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판(2)을 흡착유지하는 기판유지 스테이지(10)를 구비하고, 이 기판유지 스테이지(10)가 수평2축(X, Y)방향, 상하(Z)방향,및 Z축주위(θ)방향에, 각각 이동이 자유롭게 구성되어 있다. ?As shown in FIG. 2, the movable table 3 is provided with the board | substrate holding stage 10 which adsorbs and hold | maintains the board | substrate 2, and this board | substrate holding stage 10 is a horizontal two-axis (X, Y) direction, Movement is freely comprised in the up-down (Z) direction and the Z-axis periphery (theta) direction, respectively. ?

가압수단(5)의 헤드(12)는, 도시하지 않지만, 히터(예컨대 세라믹 히터) 및 냉각매체를 순환시키는 유로가 설치되어져 있다. 즉, 수지를 가열경화할 때에, 히터에 의해 헤드(12)를 가열하고, 탄성재(6)를 가열하고 있다. 히터에서 탄성재(6)가 가열되는 것에 의해, 칩(4)이 적외선을 흡수하여 가진 열이 비접합측에 접촉하는 탄성재(6)에 열전달하여 손실되는 것을 회피할 수 있다. 즉, 탄성재(6)가 단열성이 없는, 또는 단열성이 낮은 것에 대하여 유효하게 된다. Although not shown, the head 12 of the pressurizing means 5 is provided with a flow path for circulating a heater (for example, a ceramic heater) and a cooling medium. That is, when heat-curing resin, the head 12 is heated by the heater and the elastic material 6 is heated. By heating the elastic material 6 in the heater, it is possible to avoid that the heat absorbed by the chip 4 by infrared rays is lost by heat transfer to the elastic material 6 in contact with the non-bonded side. That is, it becomes effective that the elastic material 6 does not have heat insulation or is low in heat insulation.

또한, 유로는 본 압착에 의한 가열후의 냉각과정에 있어서 헤드(12)를 냉각하기 위한 것이다. 구체적으로는, 히터의 상부에 설치되어 유로에 냉각매체, 예컨대 공기나 냉각수를 순환시킨다.In addition, the flow path is for cooling the head 12 in the cooling process after heating by the present crimping. Specifically, it is provided at the top of the heater to circulate a cooling medium, such as air or cooling water, in the flow path.

히터(50)는 유리백업(7)을 가열하고, 그 열에 의해 기판(2)을 가열하기 위한 것이다. 이 히터(50)는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 기판(2)으로부터 소정거리를 둔 유리백업(7)의 측벽에 설치되어 있고, 제어부(53)에 의하여 온도제어되고 있다.The heater 50 is for heating the glass backup 7 and for heating the substrate 2 by the heat. As shown in FIG. 6, this heater 50 is provided in the side wall of the glass backup 7 which provided the predetermined distance from the board | substrate 2, and is temperature-controlled by the control part 53. As shown in FIG.

기판 아래쪽에 배치한 노즐(51)은, 유리백업(7)을 가열했을 때에 유리백업(7)이 기판(2)에 접촉하는 부분 근처영역의 열전달을 억제하기 위한 것이며, 기판뒷면을 향하여 공기를 공급하도록 되어 있다.The nozzle 51 disposed below the substrate is for suppressing heat transfer in a region near the portion where the glass backup 7 contacts the substrate 2 when the glass backup 7 is heated. It is supposed to supply.

또한, 노즐(51)은, 제어부(53)로부터의 제어 신호에 따라 밸브V의 개폐 조작 에 의해 에어 공급원인 55로부터 에어가 공급되도록 되어 있다.Moreover, the nozzle 51 is supplied with air from 55 which is an air supply source by the opening-closing operation of the valve V according to the control signal from the control part 53. As shown in FIG.

제어부(53)는, 유리백업(7)을 가열하는 히터(50)의 온도조절, 및 기판(2) 및 칩(4)을 냉각하기 위한 노즐(51)로부터의 공기공급의 조절 등을 총괄적으로 하고 있다. 또한, 구체적인 각 부의 제어에 관해서는 후술한다.The controller 53 collectively controls the temperature of the heater 50 for heating the glass backup 7 and the air supply from the nozzle 51 for cooling the substrate 2 and the chip 4. Doing. In addition, specific control of each part is mentioned later.

다음에, 전술한 본 압착장치를 사용하여 기판 위의 수지(ACF)부분에 칩을 본 압착할 경우에 있어서, 수지의 가열경화후의 냉각과정에 있어서 온도를 조절하면서 기판에 칩을 고착하는 방법에 대하여 설명한다. 이하, 구체적인 방법에 대하여, 도 7의 플로우 챠트에 따라 설명한다.Next, in the case where the chip is press-bonded to the resin (ACF) portion on the substrate using the present crimping device described above, the method of fixing the chip to the substrate while controlling the temperature in the cooling process after heat curing of the resin Explain. Hereinafter, the specific method is demonstrated according to the flowchart of FIG.

<스텝 S1> 기판위치 맞춤<Step S1> substrate position alignment

기판(2)이, 도시하지 않은 반송기구에 의하여, 본 압착장치에 반송된다. 상기 기판(4)은, 가동테이블(3)의 기판유지 스테이지(10)에 이동하여 실려서 흡착유지된다. 기판유지 스테이지(lO)는 도시하지 않은 구동기구에 의하여, 전방(도 2 의 Y방향)인, 헤드(12)와 유리백업(7)의 사이를 향하여 이동하고, 탄성재(6)를 개재하여 헤드(5)와 유리백업(7)으로 칩(4)을 상하방향으로부터 끼워 넣도록 기판(2)의 위치 맞춤을 한다. The board | substrate 2 is conveyed to this crimping apparatus by the conveyance mechanism not shown. The substrate 4 is moved and loaded onto the substrate holding stage 10 of the movable table 3 to be sucked and held. The substrate holding stage 10 is moved toward the front 12 (the Y direction in FIG. 2) between the head 12 and the glass backup 7 by a driving mechanism (not shown), and the elastic material 6 is interposed therebetween. The substrate 2 is aligned with the head 5 and the glass backup 7 so as to sandwich the chip 4 from the vertical direction.

<스텝 S2> 가열공정<Step S2> heating process

수지가, 예컨대 190℃이상이 되도록 설치부분에의 적외선IR의 조사레벨(예컨대, 출력레벨 또는 온(on)?오프(off) 전환에 의한) 및 조사시간을 제어부(53)에 의하여 조절하고 있다. ACF 경우의 설정온도로서 바람직하게는, 200 ～ 220℃의 범위이다. 설정온도가 190℃를 하회하면 수지의 경화촉진을 손상하기 때문이다. 220 ℃를 넘고, 더욱이 240℃이상으로 되면, 수지의 내열에 문제가 있다.The control unit 53 controls the irradiation level (for example, by output level or on / off switching) and irradiation time of the infrared IR to the installation portion so that the resin is 190 ° C. or higher. . As setting temperature in the case of ACF, Preferably it is the range of 200-220 degreeC. This is because when the set temperature is lower than 190 ° C, the curing accelerator of the resin is damaged. When it exceeds 220 degreeC and becomes 240 degreeC or more, there exists a problem in the heat resistance of resin.

또한, 이 때, 노즐(51)로부터 기판뒷면을 향하여 공기를 공급하고, 칩 설치 부분이외 영역의 냉각을 하고 있다. 즉, 내열성이 낮은 편광막을 구비한 유리기판에 대하여 유효하게 된다.At this time, air is supplied from the nozzle 51 toward the back of the substrate to cool the regions other than the chip mounting portion. That is, it becomes effective for the glass substrate provided with the polarizing film with low heat resistance.

<스텝 S3> 냉각개시<Step S3> Start cooling

가열공정이 종료하면, 수지온도가 Tg온도가 되도록 냉각이 개시된다. 구체적으로는, 이하의 순서로 냉각이 행하여진다.When the heating step is finished, cooling is started so that the resin temperature becomes the Tg temperature. Specifically, cooling is performed in the following order.

우선, 제어부(53)로부터 가열 OFF 신호에 기초하여 도시하지 않는 밸브가 개방되어 헤드 내에 공기의 공급이 개시된다. 상기 공기의 공급에 따라 헤드 내의 히터를 냉각한다. 이 때, 수지는 대기 개방상태에 의한 냉각과 헤드(12)를 적극적으로 냉각하는 것에 의한 전열로 냉각효과를 받는다.First, a valve (not shown) is opened on the basis of the heating OFF signal from the control unit 53 to start supplying air into the head. The heater in the head is cooled in accordance with the supply of air. At this time, the resin has a cooling effect by heat transfer by cooling by the air open state and actively cooling the head 12.

수지마다에 따른 Tg온도 부근, 예컨대 ACF의 경우, Tg온도 + 20℃에 도달하면 헤드(12)의 냉각을 정지하고, 제어부(53)는 밸브(V)를 개방조작하여 기판 아래쪽의 노즐(51)로부터 칩(4)을 향하여 공기를 공급하는 동시에, 히터(50)의 온도를 조절한다.In the case of a TF temperature near each resin, for example, an ACF, when the Tg temperature + 20 ° C is reached, the cooling of the head 12 is stopped, and the control unit 53 opens the valve V to operate the nozzle 51 below the substrate. At the same time, the air is supplied toward the chip 4 and the temperature of the heater 50 is adjusted.

또한, 이들 온도조절의 시간이나 조건의 설정방법으로서는, 사전 테스트에 의해, 칩(4), 기판(2),및 수지의 각 온도를 측정하면서 조건설정을 한다.In addition, as a setting method of the time and conditions of these temperature control, conditions are set, measuring each temperature of the chip | tip 4, the board | substrate 2, and resin by a prior test.

<스텝 S4> 가압해제<Step S4> release of pressure

냉각온도가 Tg온도에 도달하면, 헤드(12)에 의한 칩(4)에의 가압을 해제하고, 헤드(12)를 윗쪽 대기위치에 복귀시킨다.When the cooling temperature reaches the Tg temperature, the pressure on the chip 4 by the head 12 is released, and the head 12 is returned to the upper standby position.

<스텝 S5> 기판취출<Step S5> Substrate extraction

헤드(12)의 가압이 해제되면, 기판유지 스테이지(10)이 기판 주고받기 위치까지 이동한다. 주고받기 위치에 이동한 기판(2)은, 도시하지 않은 기판 반송기구에 의해 기판수납 유닛에 반송되어서 기판회수 매거진에 수납된다.When the pressure of the head 12 is released, the substrate holding stage 10 moves to the substrate exchange position. The board | substrate 2 which moved to the sending-and-receiving position is conveyed to the board | substrate storage unit by the board | substrate conveyance mechanism not shown, and is accommodated in the board | substrate collection magazine.

이상에서 1장의 기판(2)에 대하여 칩(4)의 본 압착이 종료한다.As described above, the main crimping of the chip 4 is completed with respect to one substrate 2.

본 발명은, 상기의 실시예에 한하지 않고, 다음과 같이 변형 실시할 수도 있다.The present invention is not limited to the above embodiment, but may be modified as follows.

(1) 상기 실시예에서는, 적외선 조사부의 내부공간의 내벽전체면을 금속막으로 피복하고 있으나, 일부분을 금속막으로 피복하여도 좋다. 예컨대, 도 4에 나타내는 아래 반분(半分)만을 금속막으로 피복하여도 좋다.(1) In the above embodiment, the entire inner wall of the inner space of the infrared irradiation part is covered with a metal film, but a part may be covered with a metal film. For example, only the bottom half shown in FIG. 4 may be covered with a metal film.

또한, 적외선 조사부를 상하로 분할가능한 구성으로 하여도 좋다. 그러한 것으로써 설비유지보수의 향상을 도모할 수 있다.Moreover, you may make it the structure which can divide | separate an infrared irradiation part up and down. By doing so, it is possible to improve equipment maintenance.

(2) 상기 실시예에서는, 유리백업(7)의 경사부(15)에 알루미늄을 증착하고 있었지만, 알루미늄에 대신하여, 예컨대 금, 동, 크롬 등을 증착하여도 좋다.(2) In the above embodiment, although aluminum is deposited on the inclined portion 15 of the glass backup 7, for example, gold, copper, chromium or the like may be deposited instead of aluminum.

열흡수판 유리를 병용하는 것에 의해, 적외선의 조사에 따라 금속부분의 온도가 상승하여 유리백업(7) 자체의 온도도 올릴 수 있고, 유리백업(7)을 히터로서 이용 할 수 있다. 즉, 유리백업(7)의 온도가 오르고, 기판(2)과 맞물려 있는 끝단부로부터 기판(2)에 직접적으로 열을 전달한다.By using heat absorption plate glass together, the temperature of a metal part rises by irradiation of infrared rays, the temperature of the glass backup 7 itself can also be raised, and the glass backup 7 can be used as a heater. That is, the temperature of the glass backup 7 rises, and heat is transmitted directly to the board | substrate 2 from the edge part which is engaged with the board | substrate 2. As shown in FIG.

따라서, 수지를 경화시킬 때, 적외선의 조사에 의하여 칩(4)과 수지가 가열되는 동시에, 기판(2)도 동시에 가열되어서 칩(4)과 기판(2)이 거의 같은 온도까지 상승한다. 이 상태에서 수지를 가열하여 칩(4)을 기판(2)에 설치하고, 그 후에 칩(4)과 기판(2)을 수지가 거의 완전하게 경화하는 Tg온도 부근까지 동시 냉각하는 것에 의해, 칩(4)과 기판(2)의 열팽창계수의 차이에 의해 발생하고 있었던 휨이 완화되어서 칩(4)이 기판(2)에 확실하게 고착한다.Therefore, when curing the resin, the chip 4 and the resin are heated by the irradiation of infrared rays, and the substrate 2 is also heated at the same time, so that the chip 4 and the substrate 2 rise to almost the same temperature. In this state, the resin is heated to provide the chip 4 to the substrate 2, and then the chip 4 and the substrate 2 are simultaneously cooled to the vicinity of the Tg temperature at which the resin is almost completely cured. The warpage caused by the difference in thermal expansion coefficient between (4) and the substrate 2 is alleviated, and the chip 4 is firmly fixed to the substrate 2.

특히, 플랫표시 패널과 같은 유리기판을 사용했을 경우, 칩(4)과 유리기판의 열팽창계수가 3ppm과 거의 같은 것으로부터, 칩(4)과 유리기판을 동시가열 및 동시냉각하는 것에 의해, 휨의 발생을 한층더 완화할 수 있다.In particular, when a glass substrate such as a flat display panel is used, the thermal expansion coefficient of the chip 4 and the glass substrate is approximately equal to 3 ppm, and the chip 4 and the glass substrate are simultaneously heated and co-cooled. The occurrence of can be further alleviated.

또한, 유리기판은 적외선을 투과시켜서 열을 축적하기 어려운 것으로부터, 유리백업(7)으로부터 유리기판에 직접적으로 열을 전달시키는 것이 바람직하다.In addition, since the glass substrate is difficult to accumulate heat by transmitting infrared rays, it is preferable to transfer heat directly from the glass backup 7 to the glass substrate.

또한, 플랫표시 패널에 칩(4)을 설치할 경우, 열에 의한 스트레스를 기판전체에 가하는 것이 바람직하지 못하다. 그 때문에, 유리백업(7)을 히터로서 이용할 경우, 유리백업(7)의 경사부(15)에 에어블로우를 보내 금속막으로부터의 방사열을 기판(2)에 주지 않고, 기판에 맞물리는 유리백업(7)의 끝단으로부터 열을 국소적으로 전달시키는 것이 바람직하다.In addition, when the chip 4 is provided in the flat display panel, it is not preferable to apply stress due to heat to the entire substrate. Therefore, when using the glass backup 7 as a heater, the glass backup which engages with the board | substrate without sending an air blow to the inclined part 15 of the glass backup 7 to give the board | substrate 2 the radiant heat from a metal film | membrane. It is preferable to transfer heat locally from the end of (7).

본 발명은 그 사상 또는 본질로부터 벗어나지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있고, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아니라, 부가된 청구항을 참조해야 한다.The present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essence thereof and, therefore, is intended to refer to the appended claims rather than the foregoing description as indicating the scope of the invention.

본 발명에 관한 본딩방법 및 그 장치에 의하면 복수개의 설치부재와 가압수단의 사이에 탄성재를 개재시켜서 복수개의 설치부재를 덮는 탄성재의 부분을 가압 수단으로 가압하는 것에 의하여 설치부재를 기판에 동시에 가열압착할 수 있다. 이때 탄성재가 설치부재 두께의 편차를 흡수한 상태에서 하부로부터 적외선에 의하여 수지의 경화를 하므로, 설치부재를 기판에 균일하게 가열압착할 수 있다. 또한, 유리 전이점 부근 이하까지 냉각한 후에 가압 해제함으로써, 신뢰성이 높은 칩의 접합이 가능하게 된다.


According to the bonding method and the apparatus according to the present invention, the mounting member is simultaneously heated to the substrate by pressurizing the portion of the elastic member covering the plurality of mounting members with the pressing means by interposing an elastic material between the plurality of mounting members and the pressing means. It can be crimped. At this time, since the resin is cured by infrared rays from the bottom in the state in which the elastic member absorbs the deviation of the thickness of the mounting member, the mounting member can be uniformly heated and pressed to the substrate. In addition, by cooling to near the glass transition point or lower and then depressurizing, bonding of the chip with high reliability becomes possible.


Claims (14)

설치부재와 기판(基板) 사이에 수지를 개재시켜서 설치부재를 기판에 설치하는 본딩(Bonding)방법에 있어서, 상기 방법은,In the bonding method for mounting the mounting member on a substrate by interposing a resin between the mounting member and the substrate, the method comprises: 기판위의 복수개의 설치부재와 가압수단과의 사이에 탄성재를 개재시킨 상태에서, 기판을 지지하는 지지부재와 가압수단에 의해 기판위의 설치부재를 끼워서 복수개의 설치부재를 동시에 가압하는 가압과정과;A pressing process of simultaneously pressing a plurality of mounting members by sandwiching the mounting members on the substrate by a supporting member and a pressing means for supporting the substrate while the elastic member is interposed between the plurality of mounting members on the substrate and the pressing means. and; 종단면이 타원 형상이고, 이 타원의 장축단(長軸端)에 설치부재와 히터가 대향 배치됨과 함께, 이 내벽을 금속막으로 피복한 타원 공간이 설치부재의 정렬방향에 걸쳐 형성되고, 각 설치부재에 적외선을 조사하도록 구성된 가열수단으로, 상기 가압상태에 있는 상기 수지에 적외선을 조사하여 가열경화하는 가열과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩방법.The longitudinal section is elliptical in shape, and the mounting member and the heater are disposed opposite to the long shaft end of the ellipse, and an elliptic space in which the inner wall is covered with a metal film is formed over the alignment direction of the mounting member. And heating means configured to irradiate the member with infrared rays, the heating process of irradiating and heat curing the resin in the pressurized state with infrared rays. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수지는, 도전입자(導電粒子)를 혼입한 수지인 것을 특징으로 하는 본딩방법.The said resin is resin which mixed conductive particle | grains, The bonding method characterized by the above-mentioned. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판은, 플랫표시 패널인 것을 특징으로 하는 본딩방법.And the substrate is a flat display panel. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방법은, 상기 수지를 가열 경화한 후에 유리 전이점 부근 이하까지 냉각하고나서 설치부재의 가압을 해제하는 냉각과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하 는 본딩방법.The method further comprises a cooling step of releasing the pressurization of the installation member after cooling the resin to a temperature below the glass transition point after heat curing the resin. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열과정에서는 상기 지지부재를 동시에 가열하는 것을 특징으로 하는 본딩방법.Bonding method, characterized in that for heating the support member at the same time. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 탄성재는, 단열성을 가지는 부재인 것을 특징으로 하는 본딩방법.The said elastic material is a member which has heat insulation, The bonding method characterized by the above-mentioned. 설치부재와 기판사이에 수지를 개재시켜서 설치부재를 기판에 설치하는 본딩장치에 있어서, 상기 장치는, In the bonding apparatus for mounting the mounting member to the substrate via a resin between the mounting member and the substrate, the apparatus, 상기 기판을 재치(載置)유지하는 유지 테이블;A holding table for mounting and holding the substrate; 상기 재치된 기판위의 복수개의 설치부재를 동시에 가압하는 1개의 가압수단; One pressing means for simultaneously pressing a plurality of mounting members on the mounted substrate; 상기 복수개의 설치부재를 가압할 때에 설치부재와 가압수단의 사이에 개재시키는 탄성재;An elastic member interposed between the mounting member and the pressing means when pressing the plurality of mounting members; 상기 기판의 상기 설치부재를 설치하는 부분을 아래쪽으로부터 지지하는 지지부재;A support member for supporting a portion for installing the mounting member of the substrate from below; 상기 기판의 아래쪽으로부터 적외선을 조사하여 수지를 가열경화시키는 가열 수단을 포함하고,Heating means for irradiating infrared rays from the lower side of the substrate to heat-cure the resin, 상기 가열수단은, 종단면이 타원 형상이고, 이 타원의 장축단(長軸端)에 설치부재와 히터가 대향 배치됨과 함께, 이 내벽을 금속막으로 피복한 타원 공간이 설치부재의 정렬방향에 걸쳐 형성되고, 각 설치부재에 적외선을 조사하도록 구성된 것을 특징으로 하는 본딩장치.The heating means has an elliptical shape in longitudinal section, and an installation member and a heater are disposed opposite to the long axis end of the ellipse, and an elliptic space in which the inner wall is covered with a metal film extends in the alignment direction of the installation member. The bonding apparatus is formed, and configured to irradiate infrared rays to each installation member. 제 7항에 있어서,8. The method of claim 7, 상기 지지부재는, 유리백업이며, 가열수단으로부터 출력되는 적외선이 상기 유리백업을 통과하여 기판위에 설치되는 칩 부분만을 조사하는 출력부를 형성하도록, 상기 유리백업의 기판측 표면의 일부를 남겨서 다른 부분을 금속막으로 피복하는 것을 특징으로 하는 본딩장치.The support member is a glass backup, leaving another part of the surface of the substrate side of the glass backup so as to form an output unit for irradiating only the portion of the chip installed on the substrate through the glass backup by the infrared rays output from the heating means. Bonding apparatus characterized by coating with a metal film. 제 8항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 유리백업을 금속막으로 피복하고, 또한, 적외선조사와 동시에 유리백업을 가열하는 것을 특징으로 하는 본딩장치.A bonding apparatus characterized by coating the glass backup with a metal film and heating the glass backup simultaneously with infrared irradiation. 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 유리백업을 피복한 금속막이, 알루미늄, 금, 동, 크롬 중의 어느것 인 것을 특징으로 하는 본딩장치.The metal film which coat | covered the said glass backup is any of aluminum, gold, copper, and chromium. 제 8항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 장치는, 상기 유리백업을 가열하는 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩장치.The apparatus further comprises a heater for heating the glass backup. 삭제delete 제 7항에 있어서, 8. The method of claim 7, 상기 장치는, 상기 가열경화한 수지를 유리 전이점 부근 이하까지 냉각하는 냉각수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩장치. And the apparatus further comprises cooling means for cooling the heat-cured resin to near or below a glass transition point. 제 7항에 있어서, 8. The method of claim 7, 상기 장치는, 기판의 뒷면쪽을 향하여 공기를 보내는 에어노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩장치. The apparatus further comprises an air nozzle for sending air towards the back side of the substrate.
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