KR101088541B1 - 가열장치 및 도포, 현상장치 - Google Patents

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타카히로 키타노
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Abstract

본 발명은 가열장치 및 도포, 현상장치에 관한 것으로서 가열 장치 (2)는 프레임체 (20)과 프레임체 (20)내에 설치되어 기판인 웨이퍼 (W)를 가열 처리함과 동시에 한쪽측이 웨이퍼 (W)를 반입출 하기 위해서 개구하는 편평한 가열실 (4)와 상기 웨이퍼 (W)를 윗쪽측 및 아래쪽측으로부터 가열하도록 상기 가열실 (4)에 설치된 열판 (44,45)를 구비하고 있다. 상기 프레임체 (20)내에 상기 가열실 (4)의 개구 측에 인접하도록 열판 (44,45)로 가열된 웨이퍼 (W)를 냉각하기 위한 냉각 플레이트 (3)이 설치되고 있다. 상기 프레임체 (20)내에 상기 웨이퍼 (W)를 냉각 플레이트 (3)의 윗쪽측의 위치와 가열실 (4)의 내부의 사이에 반송하고 상기 가열실 (4)내에서 웨이퍼 (W)를 보지한 상태로 기판의 가열 처리를 행하기 위한 반송 수단이 설치되고 있는 기술을 제공한다.

Description

가열장치 및 도포, 현상장치{HEATING APPARATUS AND COATING,DEVELOPING APPARATUS}
도 1은 본 발명의 가열 장치의 하나의 실시의 형태를 나타내는 사시도이다.
도 2는 가열 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 가열 장치를 나타내는 평면도이다.
도 4는 가열 장치에 이용되는 비즈 부재를 나타내는 사시도이다.
도 5는 가열 장치에 이용되는 가열실을 나타내는 단면도이다.
도 6a는 가열 장치에 웨이퍼를 반송하기 위한 외부의 반송 기구와 가열 장치에 설치되는 냉각 플레이트를 나타내는 평면도이고, 도 6b는 도 6a의 사시도이다.
도 7a·7b는 가열 장치에 이용되는 차폐 부재를 나타내는 측면도이다.
도 8a·8b·8c·8d는 가열 장치의 작용을 설명하기 위한 공정도이다.
도 9a·9b·9c는 가열 장치의 작용을 설명하기 위한 공정도이다.
도 1Oa·10b는 본 발명의 가열 장치의 다른 예를 나타내는 평면도이다.
도 11a·11b는 가열 장치에 설치되는 아암 플레이트를 나타내는 측면도이다.
도 12a·12b·12c는 본 발명의 가열 장치의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 13a·13b는 본 발명의 가열 장치의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 14는 가열 장치가 조립되어지는 레지스트 패턴 형성 장치의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 15는 레지스트 패턴 형성 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 16은 종래의 가열 장치를 나타내는 단면도이다.
도 17a·17b·17c는 종래의 가열 장치의 작용을 설명하기 위한 공정도이다.
본 발명은 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 장치로서 이 가열 장치를 포함한 도포 현상 장치에 관한다.
반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼」라고 한다)나 LCD(액정 디스플레이) 용의 유리 기판에 대해서 레지스트 패턴을 형성하는 장치로서 웨이퍼에 대해서 레지스트를 도포하고 또 노광 후의 웨이퍼를 현상하는 도포 현상 장치가 이용되고 있다. 이 장치내에는 베이크 장치 등으로 불리고 있는 가열 장치가 조립되어져 있고 예를 들면 레지스트액을 도포한 웨이퍼를 가열하는 장치에 있어서는 레지스트액중의 용제를 건조시키는 역할을 완수하고 있다.
이 가열 장치로서 본 발명자들은 웨이퍼를 가열하는 열판의 윗쪽 영역을 커버로 가려 기류의 개구를 형성해 이 개구의 한쪽의 개구로부터 다른쪽측에 흐르는 이른바 한방향 흐름의 기류를 형성하면서 가열 처리를 실시하는 것을 검토하고 있다. 이러한 기류를 형성해 가열 처리를 실시하는 것으로 레지스트액으로부터 승화 한 승화물이 파티클로서 웨이퍼 (W)에 부착하는 것이 저감되기 때문이다.
상기 한방향 흐름의 기류를 형성하는 가열 장치의 일례를 도 16에 나타낸다. 도중 10은 프레임체이고; 10a는 웨이퍼의 반송로; 10b는 상기 웨이퍼의 반송구를 개폐하기 위한 셔터이다. 또 도중 11은 베이스 플레이트; 12는 열판이고; 13은 베이스 플레이트 (11)위를 열판 (12)측에 향하여 이동 가능한 웨이퍼 (W)를 냉각하기 위한 냉각 플레이트이다. 베이스 플레이트 (11)에는 열판 (12)의 앞측에 가스 공급부 (14)가 설치됨과 동시에 열판 (12)의 안측에 배기부 (15)가 설치되고 있다.
또 베이스 플레이트 (11)의 내부 공간에는 핀 (16a·17a)를 승강시키기 위한 승강기구 (16·17)이 설치되고 있다. 승강기구 (16)에 의해 핀 (16a)가 승강함으로써 반송구 (10a)를 개재하여 프레임체 (10)내에 진입한 외부의 반송 기구(도시하지 않음)와 냉각 플레이트 (13)의 사이에 웨이퍼 (W)가 수수된다. 승강기구 (17)에 의해 핀 (17a)가 승강함으로써 열판 (12)와 냉각 플레이트 (13)의 사이에 웨이퍼 (W)가 수수된다. 도중 18은 승강기구 (18a)를 개재시켜 승강 가능한 덮개 형상의 천정판이다.
이러한 가열 장치에서는 도 17a에 나타나는 바와 같이 먼저 열판 (12)를 천정판 (18)로 덮어 열판 (12)를 소정의 온도로 가열한 상태로 냉각 플레이트 (13)에 웨이퍼 (W)를 수수하고 그 다음에 도 17b에 나타나는 바와 같이 천정판 (18)을 상승시켜 냉각 플레이트 (13)을 천정판 (18)과 열판 (12)의 사이에 진입시켜 냉각 플레이트 (13)으로부터 열판 (12)에 웨이퍼 (W)를 수수한다. 그리고 도 17c에 나타나는 바와 같이 냉각 플레이트 (13)을 열판 (12)에 인접하는 위치에 퇴행시켜 천정판 (18)을 열판 (12)로부터 약간 윗쪽의 위치까지 하강시킨다. 이 상태로 배기부 (15)에서 배기를 실시하면서 가스 공급부 (14)로부터 가스를 공급하는 것에 의해 열판 (12)와 천정판 (18)의 사이의 공간에 가스 공급부 (14)측으로부터 배기부 (15)측에 통류하는 한방향 흐름의 가스의 흐름을 형성하고 소정의 열처리를 실시한다. 열처리 후의 웨이퍼 (W)는 천정판 (18)을 상승시키고 나서 열판 (12)로부터 냉각 플레이트 (13)에 수수되고 그 다음에 냉각 플레이트 (13)으로부터 도시하지 않는 반송 수단으로 수수되고 다음 공정에 반송된다.
그런데 이 가열 장치에서는 냉각 플레이트 (13)에는 예를 들면 그 내부 또는 하면에 냉각 배관을 설치해 이 냉각 배관에 냉각액을 통류시키는 냉각 기구가 설치되고 있어 이 때문에 냉각 플레이트 (13)은 10 mm정도의 두께가 되고 있다. 이것에 의해 열판 (12)와 천정판 (18)의 사이에는 냉각 플레이트 (13)과의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위해서 냉각 플레이트 (13)의 두께와 웨이퍼 (W)의 수수를 위한 클리어 런스분을 고려해 10 mm 이상의 간격이 필요하다. 그렇지만 이와 같이 열판 (12)와 천정판 (18)의 사이의 간격이 크면 이들의 사이에 외기류가 비집고 들어가 기류가 흐트러져 버려 상기 한방향 흐름이 흐트러져 버린다. 이 때문에 이 한방향 흐름을 따른 상기 승화물의 배출이 충분히 행해지지 않게 되어 버리므로 결과적으로 레지스트액으로부터의 승화물의 웨이퍼 (W)로의 부착량이 많아져 버린다.
이 때문에 상기 천정판 (18)을 승강 자유롭게 구성해 냉각 플레이트 (13)과의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하는 경우에는 천정판 (18)을 상승시켜 열처리를 행하는 경우에는 소정 위치까지 하강시키도록 하고 있지만 이 천정판 (18)의 승강 에 의해도 가열 장치내의 기류가 흐트러져 버린다. 이 때문에 결국 상기 승화물의 배출이 충분히 행해지지 않고 웨이퍼 (W)로의 파티클 부착의 요인이 되고 있다.
그런데 가열 장치가 조립되어지는 도포 현상 장치의 수율을 높이기 위해서 가열 장치에 있어서도 1시간 당의 처리 매수가 200매 정도의 고수율이 요구되고 있지만 이것에 대응하기 위해서는 웨이퍼 (W)의 가열 처리나 조열 취급 이외의 작업시간(오바헤드 타임)을 가능한 한 삭감하는 것이 필요하다. 그런데 상술의 가열 장치에서는 천정판 (18)의 승강이나 냉각 플레이트 (13)과 열판 (12)의 사이의 웨이퍼 (W)의 수수가 필요하여 이들에 필요로 하는 시간이 오버헤드 타임이 되어 결과적으로 수율의 저하를 부르고 있다.
이러한 경우로부터 본 발명자들은 웨이퍼 (W)를 냉각 플레이트 (13)에서 열판 (12)까지 반송하는 것이 아니라 냉각 플레이트 (13)으로부터 열판 (12)까지 박형으로 강성이 있는 아암에서 실시해 열판 (12)의 천정판 (18)의 승강이나 냉각 플레이트 (13)과 열판 (12)의 사이에서의 웨이퍼 (W)의 수수가 필요없는 가열 장치에 대해서 검토하고 있다. 또 웨이퍼 (W)가 12 인치 사이즈로 커지면 웨이퍼 (W)에 휘어진 상태가 발생하기 쉽지만 열판 (12)상에 웨이퍼 (W)를 두고 열처리를 행하는 경우에는 젖혀진 웨이퍼 (W)를 열판 (12)상에 재치 할 때에 재치 위치가 어긋나거나 웨이퍼 (W)가 낙하하거나라고 하는 반송 미스가 발생하기 쉽다고 하는 문제가 있다. 이 때문에 이들의 문제를 해결하기 위해서 박형의 아암으로 웨이퍼 (W)를 열판으로부터 띄운 상태로 보지하면서 열처리하는 것을 검토하고 있다. 이러한 박형으로 강성이 있는 아암에 의해 열판에 대해서 웨이퍼 (W)를 반송하는 구성에 대해 서는 특허 문헌 1에 와이어에 의해 반송하는 예가 기재되어 있다.
그런데 특허 문헌 1에서는 냉각 플레이트와 열판을 구비한 가열 장치에 적용하는 것이나 웨이퍼 (W)로의 파티클 부착량을 저감하기 위해서 가열 장치내의 기류의 혼란을 억제하는 경우, 아암에 의해 웨이퍼 (W)를 열판으로부터 띄운 상태로 보지해 열처리를 실시하는 것에 대하여는 상정되고 있지 않고, 천정판 (18)이나 열판으로의 웨이퍼의 수수에 필요로 하는 오버헤드 타임의 삭감에 대해서도 어떤 언급되어 있지 않기 때문에 이 특허 문헌 1의 기재에 의해도 본 발명의 과제의 해결은 곤란하다.
특허 문헌1: 일본국 실개소 62-17133호 공보
본 발명은 이러한 사정 아래에 이루어진 것이고 그 목적은 냉각 플레이트와 열판을 구비한 가열 장치에 있어서 오버헤드 타임을 삭감해 수율을 높여 또 기판으로의 파티클의 부착량을 저감하는 것에 있다.
본 발명은 처리 용기와 처리 용기내에 설치되어 한쪽측이나 기판을 반입출 하기 위해서 개구하는 편평한 가열실과 상기 가열실의 윗쪽과 하부에 각각 배치된 한 쌍의 열판과 상기 처리 용기내에 상기 가열실의 개구 측에 인접하도록 설치되어 열판으로 가열된 기판을 냉각하기 위한 냉각 플레이트와, 상기 처리 용기내에 설치되어 상기 기판을 냉각 플레이트의 윗쪽측의 위치와 가열실의 내부의 사이의 반송로에서 반송해 상기 가열실내에서 기판을 보지한 상태로 기판의 가열 처리를 행하기 위한 반송 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 가열 장치이다.
본 발명은 상기 반송 수단은 기판의 반송로와 교차하는 방향으로 연장해 기판을 재치해 반송하는 복수 라인의 와이어를 가지는 것을 특징으로 하는 가열 장치이다.
본 발명은 상기 반송 수단은 상기 와이어의 양단부를 지지하는 와이어 지지부와 기판을 냉각 플레이트의 윗쪽 위치와 가열실내의 사이의 반송로를 반송하도록 와이어 지지부를 이동시키는 이동 기구를 더 가지는 것을 특징으로 하는 가열 장치이다.
본 발명은 상기 냉각 플레이트에 상기 와이어가 잠입하기 위한 홈부를 형성해 냉각 플레이트를 와이어에 대해서 승강 장치에 의해 상대적으로 승강시켜 와이어가 홈부에 잠입하는 것으로 와이어상의 기판을 냉각 플레이트에 수수하고 와이어가 홈부로부터 윗쪽으로 빠져 나가는 것으로 냉각 플레이트상의 기판을 와이어에 수수하는 것을 특징으로 하는 가열 장치이다.
본 발명은 상기 반송 수단은 기판의 주변부를 보지하는 두께 3 mm이하의 얇은 판자 부재를 가지는 것을 특징으로 하는 가열 장치이다.
본 발명은 상기 얇은 판자 부재는 기판의 주변부의 일부를 따른 내주면을 가지는 플레이트 부재와 이 플레이트 부재로부터 안쪽을 향해 돌출하며 기판의 이면측의 주변부의 일부를 보지하는 복수의 보지부를 가지는 것을 특징으로 하는 가열 장치이다.
본 발명은 상기 냉각 플레이트에 상기 보지부가 잠입하기 위한 홈부를 형성해 냉각 플레이트를 보지부에 대해서 승강 장치에 의해 상대적으로 승강시켜 보지 부나 홈부에 잠입하는 것으로 보지부상의 기판을 냉각 플레이트에 수수하고 보지부나 홈부로부터 윗쪽으로 빠져나가는 것으로 냉각 플레이트상의 기판을 보지부에 수수하는 것을 특징으로 하는 가열 장치이다.
본 발명은 상기 냉각 플레이트의 주변에는 외부의 반송 기구의 형상에 대응하는 냉각 플레이트 노치부이 형성되어 기판을 실은 외부의 반송 기구로부터 냉각 플레이트에 기판을 수수할 때는 상기 기판을 실은 외부의 반송 기구나 상기 냉각 플레이트의 윗쪽 측에 진입해 이 냉각 플레이트의 윗쪽측으로부터 냉각 플레이트 노치부을 통하여 아래측으로 빠져 나가 기판을 냉각 플레이트에 수수하고 냉각 플레이트와 반송 수단의 사이로부터 퇴각하는 것을 특징으로 하는 가열 장치이다.
본 발명은 상기 가열실의 한쪽 측에 형성된 상기 기판의 반입출을 위한 개구의 상하 방향의 높이는 6 mm이하인 것을 특징으로 하는 가열 장치이다.
본 발명은 기판을 수납하는 캐리어가 반입출하는 캐리어 블럭과 상기 캐리어로부터 꺼내진 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포부와, 레지스트가 도포된 기판을 가열하는 가열 장치와 가열된 기판을 냉각하는 냉각부와 노광 후의 기판을 현상하는 현상 처리부를 포함한 처리 블럭과, 이 처리 블럭과 노광 장치의 사이에 기판의 수수를 행하는 인타페이스부를 구비한 도포 현상 장치에 있어서 상기 가열 장치는 처리 용기와 처리 용기내에 설치되어 한쪽측이 기판을 반입출 하기 위해서 개구하는 편평한 가열실과 상기 가열실의 윗쪽과 하부에 각각 배치된 한 쌍의 열판과 상기 처리 용기내에 상기 가열실의 개구 측에 인접하도록 설치되어 열판으로 가열된 기판을 냉각하기 위한 냉각 플레이트와, 상기 처리 용기내에 설치되어 상기 기판을 냉각 플레이트의 윗쪽측의 위치와 가열실의 내부의 사이의 반송로에서 반송해 상기 가열실내에서 기판을 보지한 상태로 기판의 가열 처리를 행하기 위한 반송 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치이다.
이상에 있어서 본 발명에서는 반송 수단에 기판을 보지시킨 상태로 편평한 공간을 가지는 가열실에 반입해 그대로 기판의 열처리를 행한다. 가열실에는 승강 자유로운 덮개가 설치되고 있지 않고 또 기판을 열판에 수수하는 동작이 불필요해진다. 이 때문에 덮개의 승강 동작이나 열판의 사이의 기판의 수수 동작에 필요로 하는 작업시간이 불필요해져 그 만큼 오버헤드 타임을 삭감할 수가 있어 수율의 향상을 도모 할 수 있다. 또 기판을 열판으로부터 부상시킨 상태로 열처리를 실시하는 것으로부터 기판에 휘어진 상태나 발생하고 있어도 젖혀진 기판을 열판상에 재치 하는 동작이 불필요하고 기판의 휘어진 상태가 원인이 되는 열판으로의 반송 미스가 발생할 우려가 없고 안정된 상태로 열처리를 실시할 수가 있다.
또한 가열실에는 승강 자유로운 덮개가 설치되고 있지 않기 때문에 덮개의 승강이 원인이 되는 가열 장치내의 기류의 혼란의 발생이 일어날 우려가 없다. 이 때문에 가열 장치내의 기류가 흐트러지기 어렵고 기류의 혼란의 발생에 의한 기판으로의 파티클 부착을 억제하는 것인가 할 수 있다.
이하에 본 발명과 관련되는 가열 장치의 실시의 형태의 일례로서 예를 들면 도포액으로서 레지스트액이나 표면에 도포된 기판인 웨이퍼 (W)를 가열 처리해 상기 웨이퍼 (W)표면에 레지스트막을 형성하는 가열 장치 (2)에 대해서 도 1~도 7을 참조해 설명한다. 또한 이 웨이퍼 (W)의 크기로서는 예를 들면 12 인치 사이즈의 것이 이용된다. 상기 가열 장치 (2)는 도 2에 나타나는 바와 같이 처리 용기를 이루는 프레임체 (20)을 구비하고 있고 프레임체 (20)의 측벽에는 웨이퍼 (W)의 반송구 (21)이 개구되고 상기 반송구 (21)은 셔터 (21a)에 의해 개폐 자유롭게 되어 있다. 이 셔터 (21a)는 웨이퍼 (W)를 가열할 때에 반송구 (21)을 개재시켜 프레임체 (20)내에 외기가 유입함으로써 후술의 웨이퍼 (W)의 주위에 형성되는 기류가 흐트러지는 것을 막기 위해서 설치되고 있지만 셔터 (21a) 대신에 예를 들면 에어 커튼을 반송구 (21) 부근에 설치해 외기의 유입을 막아도 괜찮다.
또 프레임체 (20)내의 하부에는 기초대 (22)가 설치되고 있어 반송구 (21)으로 향하는 측을 앞측으로 하면 이 기초대 (22)의 앞측에는 웨이퍼 (W)를 냉각하기 위한 냉각 플레이트 (3)가 설치되고, 안측에는 웨이퍼 (W)를 가열 처리하기 위한 편평한 가열실 (4)가 설치되고 있다. 이 가열실 (4)의 냉각 플레이트 (3)에 대향하는 측면은 웨이퍼 (W)를 반입출하기 위한 개구부 (41)로 하여 개구하고 있고 상기 웨이퍼 (W)는 냉각 플레이트 (3)의 윗쪽측의 위치와 가열실 (4)의 내부의 사이의 반송로 (L)을 따라 반송 수단 (5)에 의해 반송되고, 상기 가열실 (4)내에서는 이 반송 수단 (5)에 보지된 상태로 상기 가열 처리를 하게 되어 있다.
상기 냉각 플레이트 (3)은 예를 들면 알루미늄에 의해 구성되어 웨이퍼 (W)와 대략 같은 직경을 가지는 대략 원형 판 형상으로 형성되고 있어 예를 들면 후술 하는 홈부 이외의 영역에서는 4 mm정도의 두께로 형성되고 있다. 또 그 이면 측에 예를 들면 온도 조절수를 보내기 위한 도시하지 않는 냉각 기구를 구비하고 있고 상기 냉각 플레이트 (3)에 재치된 웨이퍼 (W)를 조냉각하도록 구성되고 있다.
또 상기 반송 수단 (5)는 프레임체 (20)의 길이 방향(도 1 도 3중 Y방향)의 웨이퍼 (W)의 반송로 (L)과 교차하는 방향(도 1, 도 3중 X방향)으로 연장하고 웨이퍼 (W)를 재치해 반송하는 복수 라인 예를 들면 2개의 와이어 (51, 51A; 51B)을 구비하고 있다. 이 와이어 (51)은 예를 들면 아라미드 섬유(예를 들면 듀퐁사제조 케플러등 ) 등의 합성 섬유나 탄화 규소 섬유(예를 들면 일본 카본사제조 니카론등 ) 탄소섬유(예를 들면 토오레사 제조 등 ) 등의 세라믹 섬유 등의 23˚C~250˚C에서 웨이퍼 (W)를 열처리 해도 열에 의해 변성하지 않는 내열성의 재질에 의해 구성되어 예를 들면 직경이 0.5 mm정도의 굵기의 것이 이용된다.
이러한 와이어 (51A, 51B)는 웨이퍼 (W)나 냉각 플레이트 (3)의 직경보다 긴 길이를 가지고 있어 각각의 양단부를 한 쌍의 와이어 지지부 (52, 52A ;52B); (53, 53A; 53B)에서 지지를 받고 있어 이 와이어 지지부 (52,53)은 이동 기구 (54)에 의해 웨이퍼 (W)를 냉각 플레이트 (3)의 윗쪽 위치와 가열실 (4)내의 사이를 반송 이동하도록 구성되고 있다. 여기서 도 1~도 3에 나타나는 바와 같이 와이어 (51)이 냉각 플레이트 (3) 측에 위치하는 위치를 홈 위치로 한다.
상기 이동 기구 (54)는 도 1~도 3에 나타나는 바와 같이 기초대 (22)의 상부에 설치되어 프레임체 (20)의 상기 Y방향으로 늘어나는 한 쌍의 가이드 레일 (55A, 55B)와 상기 반송구 (21)으로부터 볼때 웨이퍼 (W)의 좌우 방향의 한쪽측(우측)의 와이어 지지부 (52A,53A)가 일체적으로 장착되어 상기 가이드 레일 (55A)를 따라 이동하는 제1의 와이어 이동 부재 (56A)와 상기 반송구 (21)으로부터 볼 때 웨이퍼 (W)의 좌우 방향의 다른측(좌측)의 와이어 지지부 (52B, 53B)가 일체적으로 장착되고 상기 가이드 레일 (55B)를 따라 이동하는 제2의 와이어 이동 부재 (56B)와 이들 제 1 및 제2의 와이어 이동 부재 (56A, 56B)를 일체적으로 상기 가이드 레일 (55A 55B)를 따라 이동시키는 구동부 (57)을 구비하고 있다. 이 구동부 (57)은 후술 하는 제어부로부터의 지령에 근거해 구동이 제어되게 되어 있다.
또 상기 와이어 (51)에는 도 4에 나타나는 바와 같이 웨이퍼 (W)의 재치 위치를 규제하기 위한 비즈 부재 (58)이 예를 들면 와이어 (51A, 51B)에 각각 2개씩 설치되고 있다. 이 비즈 부재 (58)은 웨이퍼 (W)의 주변의 4곳의 위치에 대응하도록 와이어 (51A, 51B)에 설치되고 있고 웨이퍼 (W)를 비즈 부재 (58)의 내측에 재치함으로써 웨이퍼 (W)의 주변의 4곳의 위치가 비즈 부재 (58)에 의해 위치 결정되어 와이어 (51)에 의해 이동 할 경우에도 이동중의 웨이퍼 (W)의 재치 위치가 어긋나지 않게 되어 있다. 또한 도 1~도 3에서는 도시의 편의상 비즈 부재 (58)은 생략 되어 있다.
또한 상기 냉각 플레이트 (3)에는 상기 와이어 (51)이 잠입하기 위한 홈부 (31)이 반송 수단 (5)가 상기 홈 위치에 있는 2개의 와이어 (51A, 51B)에 대응하는 위치에 형성되고 이 홈부 (31)은 와이어 (51)에 설치된 비즈 부재 (58)도 잠입하는 크기로 설정되어 있다. 또 기초대 (22)의 내부의 냉각 플레이트 (3)의 아래측에는 상기 냉각 플레이트 (3)을 승강시키기 위한 승강기구 (32)가 설치되고 있다. 승강기구 (32)에는 예를 들면 복수 라인의 지지 핀 (33)이 접속되고 있고 상기 지지 핀 (33)은 승강기구 (32)에 의해 기초대 (22)상에 천공된 구멍을 개재하여 기초대 (22)상에 수직으로 돌출할 수 있도록 구성되고 있다.
그리고 이 승강기구 (32)에 의해 냉각 플레이트 (3)은 와이어 (51)에 대해서 상대적으로 승강 자유롭게 구성되고 있다. 이것에 의해 냉각 플레이트 (3)을 와이어 (51)에 대해서 상대적으로 승강시켜 와이어 (51)이 홈부 (31)에 잠입하는 것에 의해 와이어 (51)상의 웨이퍼 (W)를 냉각 플레이트 (3)에 수수하고 와이어 (51)이 냉각 플레이트 (3)의 홈부 (31)으로부터 윗쪽으로 빠져 나가는 것에 의해 냉각 플레이트 (3)상의 기판을 와이어 (51)에 수수하도록 되어 있다. 또한 냉각 플레이트 (3)을 승강시키지 않고 와이어 (51)을 승강시키는 것으로 냉각 플레이트 (3)을 와이어 (51)에 대해서 상대적으로 승강 자유롭게 구성하도록 해도 괜찮다.
또한 냉각 플레이트 (3)의 주변부의 예를 들면 4곳에는 도 1 및 도 3에 나타나는 바와 같이 상기 냉각 플레이트 (3)의 중심부로 향해 노치부(냉각 플레이트 노치부,34)가 형성되고 있다. 또한 이 노치부 (34)는 후술 하는 바와 같이 외부의 반송 기구와 냉각 플레이트 (3)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행할 때 필요한 것이다. 또한 도 1에서는 이 노치부 (34)를 나타내기 위해서 냉각 플레이트 (3)은 웨이퍼 (W)보다 크게 그리고 있다.
여기서 와이어 (51)에 의한 웨이퍼 (W)의 보지 위치에 대해서는 적당히 선택되는 것이지만 이 예에서는 후술하는 외부의 반송 기구가 웨이퍼 (W)를 보지하는 위치의 근방에서 와이어 (51)이 웨이퍼 (W)를 보지하도록 설정되고 이 때문에 냉각 플레이트 (3)에서는 반송구 (21)측에서 볼때 앞측의 2개의 노치부 (34)를 연결하도록 와이어 (51A)에 대응하는 홈부 (31)이 형성되고 안측의 2개의 노치부 (34)를 연 결하도록 와이어 (51B)에 대응하는 홈부 (31)이 형성되고 있다.
상기 가열실 (4)는 그 내부에서 웨이퍼 (W)의 가열 처리를 행하는 것이고 웨이퍼 (W)보다 큰 내부 공간을 가지고 있다. 이 가열실 (4)는 예를 들면 두께가 3 mm정도의 알루미늄(Al)이나 스텐레스 등의 전열성의 재료에 의해 종단면이 コ자형으로 형성되고 있다. 상기 개구부 (41)의 양측의 측벽부 (42, 42A ; 42B)에는 각각 예를 들면 3 mm정도의 간격 (43, 43A;43B)이 형성되어 이 간격 (43)에 상기 와이어 (51A, 51B)가 들어가게 되어 있다. 또 상기 개구부 (41)의 상하 방향의 크기는 6 mm이하의 크기로 설정되어 그 내부에는 편평한 공간이 형성되고 있다.
이 가열실 (4)의 상부측 및 하부측에는 예를 들면 질화 알루미늄(AlN)이나 탄화 규소(SiC)제의 열판 (44,45)가 설치되고 있고 열판 (44,45)는 예를 들면 웨이퍼 (W)와 대략 같은 크기의 원판형상으로 형성되고 있다. 그리고 이 열판 (44,45)에 의해 가열함으로써 이 가열실 (4)의 내부가 가열되게 되어 있다.
또 기초대 (22)의 가열실 (4)의 앞측에는 가스 토출부 (23)가 설치되고 가열실 (4)의 내부의 안측에는 배기부 (46)이 설치되고 있다. 또한 도 1에서는 가스 토출부 (23)과 배기부 (46)을 생략하고 있다. 이 가스 토출부 (23)과 배기부 (46)이라는 것은 웨이퍼 (W)가 가열실 (4)내에 있을 때 웨이퍼 (W)를 사이에 두어 앞측과 안측에 설치되고 있다. 이것에 의해 웨이퍼 (W)의 직경(폭)을 커버하고 또한 가열실 (4)의 천정판 (4A)와 바닥판 (4B)의 사이를 앞측으로부터 안측에 즉 웨이퍼 (W)의 일단측으로부터 타단측으로 흐르는 말하자면 한방향 흐름이라고 하는 기류를 형성할 수 있도록 각각 설치되고 있다.
상기 가스 토출부 (23)은 도 5에 나타나는 바와 같이 프레임체 (20)의 가열실 (4)의 개구부 (41)로 향하는 경사면부를 구비하고 있고 상기 경사면부에는 예를 들면 다수의 작은 구멍이 토출구 (23a)로서 프레임체 (20)의 폭방향(도중 X방향)을 따라 각각 일정한 간격을 두고 설치되고 있다. 상기 토출구 (23a)의 일단으로부터 타단까지의 길이는 가열실 (4)내에 재치되는 웨이퍼 (W)의 직경을 커버 하도록 구성되고 있다. 가스 토출부 (23)에는 가스 공급관 (24a)· 밸브 (V1)을 개재하여 예를 들면 프레임체 (20)의 외부로 설치된 깨끗한 퍼지용 가스 예를 들면 질소 가스등의 불활성 가스가 저장되고 있는 가스 공급원 (24)에 접속되고 있다.
또 상기 가스 토출부 (23)의 내부에는 폭방향을 따라 전열판 (25)가 설치되고 이 전열판 (25)에는 예를 들면 폭방향을 따라 간격을 두고 복수의 히트 파이프 (25a)의 일단이 접속되고 있다. 각 히트파이프 (25a)의 타단은 열판 (45)에 접속되고 있고 가스 공급원 (24)로부터 가스 공급관 (24a)를 개재시켜 가스 토출부 (23)의 내부 공간에 공급된 퍼지용 가스는 전열판 (25)에 의해 웨이퍼 (W)의 가열 온도(가열시의 웨이퍼 (W)의 표면 온도)와 같은 온도로 온조되어 토출구 (23a)로부터 토출되게 되어 있다. 또한 퍼지 가스를 가열하는 수단은 예를 들면 가스 공급관 (24a)의 출구 부근에 설치한 히터로서도 좋다.
웨이퍼 (W)는 가열실 (4)내에 와이어 (51)에 의해 보지된 상태로 지지를 받아 열판 (44,45)와는 직접 접촉하고 있지 않지만 열판 (44,45)에 의해 전열성 재료에 의해 구성된 가열실 (4)를 개재시켜 상하 방향으로부터 가열된다. 동시에 가열된 퍼지 가스나 웨이퍼 (W)의 표면을 따라 흐르는 것으로 웨이퍼 (W)를 미리 설정 한 프로세스 온도로 가열할 수 있도록 구성되고 있다.
배기부 (46)은 가열실 (4)의 하부 측에 설치된 열판 (45)를 사이에 두어 상기 가스 토출부 (23)과 대향하도록 설치되고 가열실 (4)의 바닥판 (4B)로부터 가열실 (4)내로 향하는 경사면부를 구비하고 있다. 상기 경사면부에는 예를 들면 다수의 작은 구멍이 배기구 (46a)로 하여 가열실 (4)의 폭방향을 따라 각각 일정한 간격을 두고 설치되고 있고 상기 배기구 (46a)의 일단으로부터 타단까지의 길이는 예를 들면 웨이퍼 (W)의 직경을 커버 하도록 구성되고 있다. 배기부 (46)에는 배기관 (47)이 접속되고 있고 이 배기관 (47)은 프레임체 (20)의 외부로 연장하고 그 단부는 예를 들면 공장의 배기로에 접속되고 있다. 또 배기관 (47)에는 팬 (48)이 설치되고 있고 상기 팬 (48)의 회전수가 제어되는 것으로 배기부 (46)은 예를 들면 미리 설정된 배기량으로 배기구 (46a)로부터 가열실 (20)내의 배기를 행할 수가 있도록 구성되고 있다. 또한 도중 V2는 배기관 (47)에 설치된 밸브이다.
그런데 본 발명에 있어서는 가스 토출부 (23) 및 배기부 (46)에 의해 기술의 한방향 흐름을 형성할 수 있으면 좋으므로 가스 토출부 (23) 및 배기부 (46)은 이 실시의 형태의 구성으로 한정되는 것은 아니다. 또 토출구 (23a) 및 배기구 (46a)의 형상도 이 예에 한정하지 않고 예를 들면 폭방향을 따른 슬릿 형상으로 설치되고 있어도 괜찮다.
이어서 냉각 플레이트 (3)에 웨이퍼 (W)를 수수하는 외부의 반송 기구 (6)에 대해서 설명해 두면 이 반송 기구 (6)은 예를 들면 도 6에 나타나는 바와 같은 수평한 편자형 형상의 반송 아암 (61)과 반송 아암을 지지하는 반송 기체 (62)를 가 지고 있고 반송 아암 (61)의 전방에는 노치부(반송 아암 노치부, 63)이 형성되고 있다. 반송 아암 (61)의 내주의 크기는 냉각 플레이트 (3)의 직경보다 약간 크게 형성되고 있고 이 내주에 있어서의 하부에는 안쪽을 향하는 4개의 돌기 (64)가 설치되고 도 6b에 나타나는 바와 같이 이들의 돌기 (64)상에 웨이퍼 (W)가 보지된다. 또한 도 6b의 냉각 플레이트 (3)에서는 홈부 (31)이 생략되고 있다.
반송 아암 (61)은 예를 들면 도시하지 않는 구동 기구에 의해 반송 기체 (62)를 개재시켜 승강 자유 또한 진퇴 자유롭게 구성되어 냉각 플레이트 (3)에 웨이퍼 (W)를 수수할 때에는 먼저 반송 수단 (5)를 홈 위치에 위치시켜 냉각 플레이트 (3)과 와이어 (51)의 사이로부터 반송 아암 (61)을 퇴각할 수 있도록 냉각 플레이트 (3)을 와이어 (51)의 윗쪽 측에 위치시킨다. 그리고 웨이퍼 (W)를 보지한 반송 아암 (61)을 상기 반송구 (21)을 개재시켜 프레임체 (20)내의 냉각 플레이트 (3)의 윗쪽 측에 진입시킨다. 여기서 냉각 플레이트 (3)의 외주의 노치부(냉각 플레이트 노치부, 34)는 각각 반송 아암 (61)의 돌기 (64)와 대응하는 위치에 설치되고 있는 것으로부터 반송 아암 (61)이 도 6b에 나타나는 바와 같이 냉각 플레이트 (3)에 대해서 윗쪽으로부터 덮어지도록 하강하는 것으로 반송 아암 (61)이 냉각 플레이트 (3)의 아래측에 통과해 반송 아암 (61)상의 웨이퍼 (W)가 냉각 플레이트 (3)에 수수된다. 웨이퍼 (W)를 수수한 반송 아암 (61)은 와이어 (51)의 윗쪽측까지 하강해 전방의 노치부 (63)이 홈부 (31)의 외측을 빠져 나가도록 앞측으로 후퇴해 프레임체 (20)내로부터 퇴거하도록 되어 있다.
이어서 가열 장치 (2)의 구성 부재의 위치 관계에 대해서 설명하면 본 실시의 형태에서는 와이어 (51)은 승강하지 않고 냉각 플레이트 (3)이 승강하도록 설치되고 있으므로 상기 가열실 (4)의 높이 위치는 웨이퍼 (W)를 보지한 와이어 (51)이그대로 침입하고 웨이퍼 (W)가 와이어 (51)에 의해 보지된 상태로 열처리를 실시할 수가 있도록 설정되어 예를 들면 와이어 (51)에 보지된 웨이퍼 (W)가 가열실 (4)에 위치 할 경우에는 웨이퍼 (W)가 가열실 (4)의 천정판 (4A)와 바닥판 (4B)로부터 같은 간격의 위치가 되도록 설정되어 있다. 또 기술과 같이 와이어 (51)은 가열실 (4)의 측벽부 (42A, 42B)의 간격 (43A, 43B)에 들어가게 되어 있다.
또 냉각 플레이트 (3)과 외부의 반송 기구 (6)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행할 때는 기술과 같이 반송 아암 (61)이 냉각 플레이트 (3)의 윗쪽 측에 진입하여 냉각 플레이트 (3)과 와이어 (51)의 사이부터 퇴거하므로 홈부 (31)의 깊이나 반입출구 (21)의 크기가 설정된다. 즉 홈부 (31)의 깊이는 냉각 플레이트 (3)과 와이어 (51)의 사이를 반송 아암 (61)을 이동할 수 있는 정도로 형성된다.
또한 반송 아암 (61)의 노치부 (63)이나 돌기 (64)가 냉각 플레이트 (3)의 홈부 (31)의 외측을 빠져 나갈 수 있도록 상기 노치부 (63)이나 돌기 (64)의 크기나 냉각 플레이트 (3)의 홈부 (31)의 위치(웨이퍼 (W)의 와이어 (51)의 보지 위치)가 설정된다. 여기서 도 6a에 나타나는 바와 같이 이 예에서는 기술과 같이 홈부 (31)을 냉각 플레이트 (3)의 반송 아암 (61)의 진퇴 방향으로 교차하는 방향으로 설치된 2개의 노치부 (34) 끼리를 연결하도록 설치해 냉각 플레이트 (3)의 노치부 (34)의 약간 외측을 반송 아암 (61)의 돌기 (64)나 노치부 (63)이 이동하도록 구성했으므로 반송 아암 (61)은 홈부 (31)과 간섭하지 않고 냉각 플레이트 (3)의 하면 과 와이어 (51)의 사이를 통과해 퇴거 할 수 있다.
또 이 예에서는 와이어 (51)의 와이어 지지부 (52A,53A)의 사이와 와이어 지지부 (52B, 53B)의 사이에는 각각 가열실 (4)의 측벽부 (42A, 42B)의 간격 (43A, 43B)를 막기 위한 차폐판 (58A, 58B)가 설치되고 있어 도 7에 나타나는 바와 같이 와이어 (51)가 가열실 (4)측으로 이동했을 때에 상기 차폐판 (58A,58B)에 의해 가열실 (41)의 측벽부 (42A, 42B)의 간격 (43A, 43B)를 덮도록 되어 있다. 이 차폐판 (58A,58B)는 예를 들면 스텐레스· 알루미늄 ·세라믹스등의 재료에 의해 상기 간격 (43A, 43B)를 덮는 크기로 형성되고 있다.
다음에 상기 가열 장치 (4)에 구비된 제어부에 대해서 설명한다. 이 제어부는 예를 들면 컴퓨터로부터 이루어지는 프로그램 격납부를 가지고 있어 프로그램 격납부에는 후술하는 바와 같은 상기 가열 장치의 작용 즉 웨이퍼 (W)의 처리; 웨이퍼 (W)의 수수; 웨이퍼 (W)의 가열 및 기류의 제어등이 실시되도록 명령이 짜여진 예를 들면 소프트웨어로부터 이루어지는 프로그램이 격납된다. 그리고 상기 프로그램이 제어부에 독출되는 것으로 제어부는 상기 반도체 제조 장치의 작용을 제어한다. 또한 이 프로그램은 예를 들면 하드 디스크· 콤팩트 디스크 ·마그넷 옵티컬 디스크 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 격납부에 격납된다.
다음에 상기 가열 장치 (2)의 작용에 대해서 설명한다. 먼저 외부의 반송 기구 (6)에 의해 반송구 (21)을 개재시켜 프레임체 (20)내에 표면에 레지스트액이 도포된 웨이퍼 (W)를 반입해 웨이퍼 (W)를 냉각 플레이트 (3)을 개재시켜 와이어 (51A, 51B)로부터 이루어지는 와이어 (51)에 수수한다. 즉 도 8a에 나타나는 바와 같이 먼저 반송 수단 (5)를 상기 홈 위치에 위치시키고 나서 냉각 플레이트 (3)을 상승시켜 냉각 플레이트 (3)의 하면과 와이어 (51)의 사이에 외부의 반송 기구의 반송 아암 (61)의 통로를 형성한다. 그 다음에 도 8b· 도 8c에 나타나는 바와 같이 웨이퍼 (W)를 보지한 반송 아암 (61)을 냉각 플레이트 (3)의 윗쪽 측에 진입시켜 그 다음에 하강시키는 것으로 웨이퍼 (W)를 냉각 플레이트 (3)에 수수한다. 계속하여 반송 아암 (61)을 냉각 플레이트 (3)의 하면과 와이어 (51)의 사이의 위치에서 퇴각시킨다. 이 후 도 8d·도 9a에 나타나는 바와 같이 냉각 플레이트 (3)을 하강시켜 냉각 플레이트 (3)상의 웨이퍼 (W)를 와이어 (51)에 수수한다. 이 때 웨이퍼 (W)는 와이어 (51)에 설치된 비즈 부재 (58)의 내측에 주변부가 위치 하도록 재치되어 이렇게 해 비즈 부재 (58)에서 위치 결정된 상태로 와이어 (51)상에 보지된다.
그 다음에 도 9b·도 9c에 나타나는 바와 같이 냉각 플레이트 (3)을 한층 더 하강시킨 후 웨이퍼 (W)를 보지하는 와이어 (51)을 가열실 (4)측에 이동시켜 웨이퍼 (W)를 가열실 (4)내에 반송한다. 가열실 (4)내는 웨이퍼 (W)가 와이어 (51)에 의해 반송 될 때까지 열판 (44,45)에 의해 가열되어 예를 들면 100˚C정도가 되어 있다.
이렇게 해 가열실 (4)내에 웨이퍼 (W)가 와이어 (51)에 의해 보지된 상태로 반입되면 밸브 (V1)이 열려 가스 공급원 (24)로부터 가스 공급관 (24a)에 퍼지용 가스가 공급된다. 상기 퍼지용 가스는 토출부 (23)으로 대략 100˚C에 가열되어 토출구 (23a)로부터 가열실 (4)의 천정판 (4A)로 향하여 토출된다. 이 토출구 (23a) 로부터 퍼지용 가스의 토출이 개시되는 것과 대략 동시에 밸브 (V2)가 열려 팬 (48)이 회전하는 것으로 배기부 (46)으로부터의 배기가 행해진다. 이렇게 해 도 5중 화살표로 나타나는 바와 같이 토출부 (23)으로부터 공급된 퍼지용 가스는 가열실 (4)의 천정판 (4A)와 바닥판 (4B)의 사이를 앞측으로부터 안측으로 흘러 웨이퍼 (W)의 주위를 통과한 후에 배기부 (46)에 유입하고 가열실 (4)·프레임체 (20)의 밖으로 제거된다. 즉 웨이퍼 (W)의 주위에 도중 화살표로 나타나는 바와 같은 한방향 흐름이 형성된다. 이와 같이 열판 (44,45)의 열과 한방향 흐름에 의해 웨이퍼 (W)에 도포된 레지스트액의 가열 건조가 행해져 웨이퍼 (W)에 레지스트막이 형성된다. 이와 같이 하여 웨이퍼 (W)로의 퍼지용 가스의 공급이 예를 들면 일정시간 행해진 후에 가스 공급원 (24)로부터의 퍼지용 가스의 공급과 배기부 (46)에 의한 배기를 정지한다.
그 다음에 와이어 (51)에 의해 웨이퍼 (W)를 상기 홈 위치에 반송하고 나서 냉각 플레이트 (3)을 상승시켜 냉각 플레이트 (3)과 웨이퍼 (W) 하면을 접촉시키든지, 냉각 플레이트 (3) 상면과 웨이퍼 (W) 하면의 사이에 예를 들면 0. 1 mm정도의 간격을 형성한 상태로 냉각 플레이트 (3)에 의해 웨이퍼 (W)를 냉각해 웨이퍼 (W)의 조열 제거를 행한다. 그리고 조열 제거가 종료한 후 냉각 플레이트 (3)을 통하여 외부의 반송 기구 (6)에 웨이퍼 (W)를 수수하고 프레임체 (20)의 밖으로 반송한다.
여기서 냉각 플레이트 (3)으로부터 반송 기구 (6)으로의 웨이퍼 (W)의 수수는 반송 기구 (6)으로부터 냉각 플레이트 (3)으로의 웨이퍼 (W)의 수수와 역의 동작으로 행해지고 예를 들면 웨이퍼 (W)를 보지하는 냉각 플레이트 (3)의 하면과 와 이어 (51)의 사이에 반송 기구 (6)의 반송 아암 (61)을 진입시켜 그 다음에 반송 아암 (61)을 냉각 플레이트 (3)의 윗쪽측까지 상승시키는 것으로 반송 아암 (61)상에 냉각 플레이트 (3)으로부터 웨이퍼 (W)를 수취하고 그 다음에 냉각 플레이트 (3)의 윗쪽측으로 웨이퍼 (W)를 보지한 반송 아암 (61)을 퇴각시키는 것으로 행해진다.
이러한 가열 장치 (2)에서는 와이어 (51)상에 웨이퍼 (W)를 보지시킨 상태로 편평한 공간을 가지는 가열실 (4)에 반입해 웨이퍼 (W)의 열처리를 행하고 있고 가열실 (4)에는 승강 자유로운 덮개가 설치되고 있지 않고 또 열판에 수수하지 않고 웨이퍼 (W)를 열판으로부터 이격하여 열처리를 실시하고 있으므로 웨이퍼 (W)를 열판에 수수하는 동작이 불필요해진다.
이 때문에 덮개의 승강 동작이나 열판의 사이의 웨이퍼 (W)의 수수 동작에 필요로 하는 작업시간이 불필요해져 그만큼 오버헤드 타임을 삭감 할 수 있어 수율의 향상을 도모할 수 있다. 여기서 열판으로의 반송 수단으로부터의 웨이퍼 (W)의 수수 동작은 승강 자유롭게 구성된 지지 핀을 열판표면에 대해서 돌출 자유롭게 설치해 지지 핀을 열판상에 돌출하게 해 이 지지 핀 위에 반송 수단으로부터 웨이퍼 (W)를 주고 받고 나서 지지 핀을 하강시키는 것으로 지지 핀상의 웨이퍼 (W)를 열판에 수수하는 것으로 행한다. 따라서 동작 공정이 많아 이 공정을 불필요로 하는 것에 의해 오버헤드 타임의 상당한 삭감이 전망된다.
또 이 예에서는 가열실 (4)의 상부측과 하부측에 열판 (44,45)를 설치하고 있으므로 가열실 (4)내의 웨이퍼 (W)에 대해서 가열실 (4)의 상하로부터 가열할 수 있어 이 때 가열실 (4)가 편평하여 상하의 열판 (44,45)와 웨이퍼 (W)의 거리가 작기 때문에 웨이퍼 (W)의 온도상승이 빠르고 이것에 의해 웨이퍼 (W)나 소정의 온도에 가열될 때까지 필요로 하는 시간이 짧아져 그 만큼 오버헤드 타임을 저감 할 수가 있다.
또 와이어 (51)상에 웨이퍼 (W)를 보지한 상태로 열판 (45)에 수수하지 않고 웨이퍼 (W)를 열판 (45)로부터 부상시킨 상태로 열처리를 실시한다. 이 때문에 웨이퍼 (W)에 휘어진 상태가 발생하고 있어도 젖혀진 웨이퍼 (W)를 열판 (45)상에 재치하는 동작이 불필요하고 웨이퍼 (W)의 휘어진 상태의 원인이 되는 웨이퍼 (W)의 반송 미스가 발생할 우려가 없고 안정된 상태로 열처리를 실시할 수가 있다.
또한 열판으로의 웨이퍼 (W)의 수수 동작이 불필요하기 때문에 가열실 (4)내의 상하 방향의 크기에 수수를 위한 클리어 런스를 설치할 필요가 없고 가열실 (4)내는 웨이퍼 (W)를 보지한 와이어 (51)이 들어가는 분량의 높이가 있으면 좋다. 이것에 의해 가열실 (4)내의 내부 공간을 편평하게 설치해 상기 개구부 (41)의 간격을 작게 할 수가 있다.
또 이러한 가열 장치 (2)에서는 기술과 같이 가열실 (4)에는 승강 자유로운 덮개가 설치되고 있지 않기 때문에 덮개의 승강이 원인이 되는 가열 장치 (2)내의 기류의 혼란의 발생이 일어날 우려가 없다. 이 때문에 가열 장치 (2)내의 기류가 흐트러지기 어렵고 상기 기류의 제어를 양호하게 행할 수가 있다. 이것에 의해 상술과 같은 한방향 흐름을 형성하는 가열 장치에 있어서는 기류의 혼란을 억제해 상기 한방향 흐름을 형성할 수 있으므로 결과적으로 상기 승화물이 기류를 따라 비산 해 배출구로부터 배출된다. 이와 같이 승화물이 기류의 흐름에 따라서 충분히 배출되므로 웨이퍼 (W)로의 파티클 부착을 억제할 수가 있다. 이 때 가열실 (4)의 개구부 (41)은 상시 개방하고 있지만 이 개구부 (41)은 상하 방향의 크기가 6 mm이하로 간격이 얇기 때문에 기류의 혼란이 발생하기 어렵고 소정의 기류를 형성할 수 있다.
또 반송 수단으로부터 열판으로의 웨이퍼 (W)의 수수를 행하지 않기 때문에 이 점으로부터도 가열실 (4)내의 기류의 혼란의 발생을 방지할 수가 있다. 즉 기술과 같이 반송 수단으로부터 열판으로의 웨이퍼 (W)의 수수에는 지지 핀의 승강 등의 일련의 동작으로 행해지고 이 동작에 의해도 기류의 혼란이 발생하지만 이러한 수수 동작을 행하지 않는 것에 의해서도 기류의 혼란의 발생을 방지할 수가 있다.
또 덮개의 승강이나 열판으로의 웨이퍼 (W)의 수수를 위한 구동 기구가 불필요해지므로 덮개를 승강시키거나 열판으로의 웨이퍼 (W)의 수수를 행하는 경우에 비해 구동계가 적게 되어 제어가 용이한 위 공간절약화를 도모 할 수 있다. 또한 이 때 냉각 플레이트 (3)에 외부의 반송 아암 (61)의 형상에 대응하는 노치부 (34)를 형성해 웨이퍼 (W)를 실은 외부의 반송 아암 (61)을 상기 냉각 플레이트 (3)의 윗쪽 측에 진입시켜 그 다음에 이 냉각 플레이트의 윗쪽측으로부터 하부 측에 빠져 나가 웨이퍼 (W)를 냉각 플레이트 (3)에 수수하도록 구성했다. 이 때문에 외부의 반송 기구 (6)과 냉각 플레이트 (3)의 사이의 웨이퍼 (W)의 수수를 위한 승강 가능한 지지 핀을 설치하는 경우에 비해 구동계를 한층 더 삭감할 수 있어 공간절약화를 도모할 수가 있다.
이어서 본 발명의 다른 실시의 형태에 대해서 설명한다. 본 발명의 반송 수단은 예를 들면 웨이퍼 (W)의 주변부를 보지하는 두께 3 mm이하의 얇은 판자 부재를 구비하는 것도 좋고 예를 들면 이 예에서는 상기 얇은 판자 부재로서 도 10에 나타내는 것 같은 아암 플레이트 (7)을 이용하고 있다. 이 아암 플레이트 (7)은 예를 들면 세라믹스나 카본재 등으로 이루어지는 23˚C~250˚C의 온도로 가열 처리를 실시해 변형하지 않는 강성인 재료에 의해 구성되고 있다. 이 아암플레이트 (7)은 웨이퍼 (W)의 주변부를 따른 원호를 가지는 플레이트 부재 (71)과 이 플레이트 부재 (71)의 내주에 있어서의 하부에서 안쪽을 향해 돌출하고 웨이퍼 (W)의 주변부의 이면측의 일부를 보지하는 복수의 보지부 (72)를 구비하고 있다.
상기 플레이트 부재 (71)은 도 10에 나타나는 바와 같이 상기 홈 위치에 위치했을 때에 원호상의 내면이 웨이퍼 (W) 및 냉각 플레이트 (3)의 주변부보다 외측에 위치 하도록 상기 플레이트 부재 (71)의 내주의 크기는 냉각 플레이트 (3)의 직경보다 약간 크게 형성되고 있다. 이 예에서는 상기 보지부 (72)는 예를 들면 기술의 실시의 형태의 와이어 (51)과 거의 같은 위치에 상기 홈 위치에 위치했을 때의 냉각 플레이트 (3)에 형성된 4개의 노치부 (34)에 대응하는 위치에 설치되고 있다. 이 아암 플레이트 (7)은 예를 들면 도 11에 나타나는 바와 같이 플레이트 부재 (71)의 두께가 1 mm정도, 보지부 (72)의 두께가 0.5 mm정도로 설정되어 보지부 (72)에 재치된 웨이퍼 (W)가 플레이트 부재 (71)의 내주면에 의해 위치가 규제되게 되어 있다.
또 냉각 플레이트 (3)에는 상기 보지부 (72)가 잠입 할 수 있는 크기의 홈부 (70)이 형성되고 있다. 냉각 플레이트 (3)은 상술의 실시의 형태와 같은 승강기구 (32)에 의해 아암 플레이트 (7)에 대해서 상대적으로 승강 자유롭게 구성되고 있다. 보지부 (72)나 홈부 (70)에 잠입하는 것으로 보지부 (72)상의 웨이퍼 (W)를 냉각 플레이트 (3)에 수수하고 보지부 (72)나 홈부 (70)으로부터 윗쪽으로 빠져 나가는 것으로 냉각 플레이트 (3)상의 웨이퍼 (W)를 보지부 (72)에 수수할 수가 있다. 또 냉각 플레이트 (3)에 형성되는 홈부 (70)은 냉각 플레이트 (3)의 하면과 보지부 (72)의 사이에 반송 아암 (61)이 통과할 수 있는 정도의 깊이로 설정된다.
또한 아암 플레이트 (7)은 와이어 (51)과 거의 같은 기구에 의해 냉각 플레이트 (3)의 윗쪽측과 가열실 (4)의 사이에 이동할 수 있도록 구성되고 있다. 즉 도 10b에 이동 기구의 일부를 나타나는 바와 같이 구동부 (57)에 의해 각각 가이드 레일 (55A, 55B)를 따라 이동하는 한 쌍의 이동 부재 (73A,73B (73B는 도시하지 않음))를 일체적으로 이동시키게 되어 있다. 또한 도중 (58A,58B)는 차폐 부재이고 아암 플레이트 (7)이나 가열실 (4)로 이동했을 때에 가열실 (4)의 측벽부 (42A, 42B)의 간격 (43A, 43B)를 가리게 되어 있다. 또한 이 예에서는 상기 간격 (43A, 43B)는 아암 플레이트 (7)의 플레이트 부재 (71)가 들어가는 정도의 크기로 형성되고 있다. 그 이외의 부분에 대해서는 상술의 실시의 형태와 같다.
또 이 예에 있어서도 외부의 반송 기구 (6)과 냉각 플레이트 (3)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수가 행해지도록 냉각 플레이트 (3)의 주변부에는 반송 아암 (61)의 형상에 맞춘 노치부 (34)가 형성되고 있다. 웨이퍼 (W)를 실은 반송 아암 (61)로부터 냉각 플레이트 (3)에 기판을 수수할 때는 반송 아암 (61)이 상기 냉각 플레 이트 (3)의 윗쪽측에 진입하고 그 다음에 반송 아암 (61)이 이 냉각 플레이트 (3)의 윗쪽측으로부터 하부 측에 빠져 나가 웨이퍼 (W)를 냉각 플레이트 (3)에 수수하고 냉각 플레이트 (3)과 아암 플레이트 (7)의 사이부터 퇴각하도록 구성된다. 즉 반송 아암 (61)의 노치부 (63)이나 돌기 (64)가 냉각 플레이트 (3)의 홈부 (70)의 외측을 빠져 나갈 수 있도록 상기 노치부 (63)이나 돌기 (64)의 크기나 냉각 플레이트 (3)의 홈부 (70)의 위치(보지부 (72)의 위치나 크기)가 설정된다.
그리고 이 예에 있어서 웨이퍼 (W)의 열처리를 실시하는 경우에는 먼저 외부의 반송 기구 (6)에 의해 열처리의 대상이 되는 웨이퍼 (W)를 냉각 플레이트 (3)을 개재시켜 아암 플레이트 (7)에 수수한다. 즉 먼저 아암 플레이트 (7)을 상기 홈 위치에 위치시켜 냉각 플레이트 (3)을 상승시켜 냉각 플레이트 (3)과 보지부 (72)의 사이에 외부의 반송 기구의 반송 아암 (61)의 통로를 형성한다. 그 다음에 웨이퍼 (W)를 보지한 반송 아암 (61)을 냉각 플레이트 (3)의 윗쪽측에 진입시키고 나서 하강시키는 것으로 웨이퍼 (W)를 냉각 플레이트 (3)에 수수한다. 그 다음에 반송 아암 (61)을 냉각 플레이트 (3)의 하면과 보지부 (72)의 사이의 위치에서 퇴각시키는 것에 의해 반송 기구 (6)으로부터 냉각 플레이트 (3)에 웨이퍼 (W)를 수수한다.
이 후 냉각 플레이트 (3)을 더 하강시켜 냉각 플레이트 (3)상의 웨이퍼 (W)를 보지부 (72)에 수수한다. 그리고 냉각 플레이트 (3)을 더 하강시킨 상태로 웨이퍼 (W)를 보지하는 아암 플레이트 (7)을 가열실 (4)측에 이동시켜 웨이퍼 (W)를 가열실 (4)내에 반송한다. 이렇게 해 가열실 (4)내에 웨이퍼 (W)를 아암 플레이트 (7)에서 보지한 상태로 소정의 열처리를 실시해 열처리가 종료한 후 아암 플레이트 (7)에 의해 웨이퍼 (W)를 냉각 플레이트 (3)의 윗쪽측의 상기 홈 위치로 반송한다. 냉각 플레이트 (3)을 상승시켜 냉각 플레이트 (3)과 웨이퍼 (W) 하면을 접촉시키거나 냉각 플레이트 (3) 상면과 웨이퍼 (W) 하면의 사이에 예를 들면 0. 1 mm정도의 간격을 형성한 상태로 냉각 플레이트 (3)에 의해 웨이퍼 (W)를 냉각해 웨이퍼 (W)의 조열 제거를 행한다. 그리고 조열 제거가 종료한 후 냉각 플레이트 (3)을 개재시켜 외부의 반송 기구 (6)에 웨이퍼 (W)를 수수하고 프레임체 (20)의 밖으로 반송한다. 여기서 냉각 플레이트 (3)으로부터 반송 기구 (6)으로의 웨이퍼 (W)의 수수는 반송 기구 (6)으로부터 냉각 플레이트 (3)으로의 웨이퍼 (W)의 수수와 역의 동작으로 행한다.
이 예에 있어서도 웨이퍼 (W)를 아암 플레이트 (7)상에 보지된 상태로 가열실 (4)내에서 열처리를 실시하고 있으므로 상술의 실시의 형태와 동일하게 덮개의 승강이나 열판으로의 웨이퍼 (W)의 수수 작업이 불필요해진다. 이들 덮개의 승강이나 열판으로의 수수 동작에 필요로 하는 시간이 불필요해지는 것으로부터 오버헤드 타임이 삭감되어 결과적으로 수율의 향상을 도모할 수가 있다.
또 열판에 수수하지 않고 웨이퍼 (W)를 열판으로부터 부상시킨 상태로 열처리를 실시하는 것으로부터 웨이퍼 (W)에 휘어진 상태가 발생하고 있어도 안정된 상태로 열처리를 실시할 수가 있다. 또한 웨이퍼 (W)의 열처리를 실시할 때의 덮개의 승강이나 열판으로의 웨이퍼 (W)의 수수 동작이 불필요하기 때문에 이들이 원인이 되는 가열 장치 (2)내의 기류의 혼란의 발생이 억제되고 승화물이 충분히 배출되어 웨이퍼 (W)로의 파티클 부착을 억제 할 수 있다.
이상에 있어서 본 발명의 가열 장치에서는 예를 들면 가열실 (4)와 냉각 플레이트 (3)을 교대로 설치해 예를 들면 공통의 반송 수단에 의해 웨이퍼 (W)를 가열실 (4)→냉각 플레이트 (3)→가열실 (4)의 순서로 교대로 반송하도록 해도 괜찮다. 이 경우 가열실 (4)내에서는 반송 수단에서 보지된 상태로 가열 처리가 행해지고 냉각 플레이트 (3)에서는 반송 수단에서 보지된 상태로 웨이퍼 (W)의 조열 제거를 한다. 이와 같이 하면 웨이퍼 (W)내의 열이력을 보다 균일하게 할 수가 있다.
이상에 있어서 본 발명의 가열 장치 (2)에서는 반송 수단 (5)는 냉각 플레이트 (3)의 사이에 상대적으로 승강 가능하게 설치되고 냉각 플레이트 (3)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 행할 수 있고 또 냉각 플레이트 (3)과 가열실 (4)의 사이에 웨이퍼 (W)를 반송할 수 있고 또한 가열실 (4)내에서 웨이퍼 (W)를 보지한 상태로 열처리를 실시 할 수 있고 냉각 플레이트 (3)과 외부의 반송 기구 (6)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행할 수가 있는 것이면 반송 수단 (5)의 형상은 상술의 형상으로 한정되지 않는다. 즉 반송 수단 (5)가 와이어 (51)을 구비하는 경우에는 와이어 (51)은 2개 이상으로서도 좋고 반송 수단 (5)가 아암 플레이트 (7)을 구비하는 경우에는 플레이트 부재 (71)이나 보지부 (72)의 형상이나 보지부 (72)의 수는 적당히 선택된다.
또 냉각 플레이트 (3)과 외부의 반송 기구 (6)의 사이의 웨이퍼 (W)의 수수는 도 12a, 도 12b에 나타나는 바와 같이 승강기구 (75)에 의해 승강 자유로운 지지 핀 (75a)를 이용해 와이어 (51)이나 보지부 (72)를 냉각 플레이트 (3) 표면으로부터 돌출하지 않는 상태로 상기 지지 핀 (75a)를 냉각 플레이트 (3)의 표면으로부 터 돌출시켜 행하도록 해도 괜찮다. 도 12중 76은 냉각 플레이트 (3)의 승강기구이다.
이 경우 반송 수단 (5)가 상기 홈 위치에 위치했을 때에 반송 수단 (5)의 웨이퍼 (W)를 보지하는 부재 예를 들면 와이어 (51)이나 아암 플레이트 (7)의 보지부 (72)와 지지 핀 (75a)의 승강이 간섭하지 않는 구성이면 도 12c에 나타나는 바와 같이 와이어 (51)이나 보지부 (72)의 하부 측에 냉각 플레이트 (3)을 위치시킨 상태로 지지 핀 (75a)를 와이어 (51)이나 아암 플레이트 (7)로부터 돌출 시키는 것으로 직접 외부의 반송 기구 (6)과 와이어 (51)이나 아암 플레이트 (7)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하도록 해도 괜찮다.
또 이와 같이 냉각 플레이트 (3)과 외부의 반송 기구 (6)의 사이의 웨이퍼 (W)의 수수를 승강기구 (75)에 의해 승강 자유로운 지지 핀 (75a)를 이용해 행하는 경우에는 반송 수단으로서 웨이퍼 (W)의 이면측 전체를 보지하는 얇은 판자 부재를 구비한 구성의 것을 이용할 수가 있다.
또한 냉각 플레이트 (3)에 홈부 (31,70)을 설치하는 대신에 도 13에 나타나는 바와 같이 냉각 플레이트 (3)에 와이어 (51)이나 보지부 (72)가 통과하는 구멍부 (77)을 설치해 이 구멍부 (77)을 개재시켜 와이어 (51)이나 보지부 (72)를 냉각 플레이트 (3)에 대해서 승강시키는 것으로 냉각 플레이트 (3)과 반송 수단 (5)의 사이로 웨이퍼 (W)의 수수를 행하도록 해도 괜찮다.
또한 본 발명의 가열 장치에서는 가열실 (4)에 설치되는 열판은 가열실 (4)의 윗쪽측 및 아래쪽측의 어느쪽이든 한쪽에 설치하도록 해도 괜찮다. 또 본 발명 은 한방향 흐름의 기류를 형성하는 가열 장치 이외의 냉각 플레이트와 가열실을 갖추어 이들의 사이에 웨이퍼 (W)의 반송을 행하는 가열 장치에 대해서도 적용할 수 있다.
이어서 상기 도포 장치를 짜넣은 도포 현상 장치에 노광부(노광 장치)를 접속한 레지스트 패턴 형성 시스템의 전체 구성에 대해서 도 14 및 도 15를 참조하면서 간단하게 설명한다. 도중 B1은 기판 예를 들면 웨이퍼 (W)가 예를 들면 13매 밀폐 수납된 캐리어 (8)을 반입출하기 위한 캐리어 재치부이고 캐리어 (8)의 재치부 (80a)를 복수 나열하여 재치 가능한 캐리어 스테이션 (80)과 이 캐리어 스테이션 (80)으로부터 볼때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부 (81)과 상기 개폐부 (81)을 캐리어 (8)로부터 웨이퍼 (W)를 꺼내기 위한 수수 수단 (A1)이 설치되고 있다.
상기 캐리어 재치부 (B1)의 안측에는 프레임체 (82)에서 주위를 둘러싸는 처리부 (B2)가 접속되고 있고 이 처리부 (B2)에는 앞측으로부터 차례로 가열·냉각계의 유니트를 다단화한 선반 유니트 (U1, U2, U3)과 이들선반 유니트 (U1~U3) 및 액처리 유니트 (U4,U5)의 각 유니트간의 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하는 주반송 수단 (A2, A3)가 교대로 배열해 설치되고 있다. 즉 선반 유니트 (U1, U2, U3) 및 주반송 수단 (A2, A3)은 캐리어 재치부 (B1)측에서 볼때 전후 일렬로 배열되고 있어 각각의 접속 부위에는 도시하지 않는 웨이퍼 반송용의 개구부가 형성되고 있고 웨이퍼 (W)는 처리부 (B2)내를 일단측의 선반 유니트 (U1)로부터 타단측의 선반 유니트 (U3)까지 자유롭게 이동할 수 있게 되어 있다.
상기 선반 유니트 (U1, U2, U3)는 액처리 유니트 (U4,U5)에서 행해지는 처리 의 사전 처리 및 후 처리를 행하기 위한 각종 유니트를 복수단 예를 들면 10단으로 적층한 구성으로 되고 있고 그 조합은 수수 유니트·소수화 처리 유니트(ADH)· 웨이퍼 (W)를 소정 온도로 조정하기 위한 온조유니트(CPL)· 레지스트액의 도포전에 웨이퍼 (W)의 가열 처리를 행하기 위한 가열 유니트(BAKE)· 레지스트액의 도포 후에 웨이퍼 (W)의 가열 처리를 행하기 위한 프리베이킹 유니트등으로 불리고 있는 가열 유니트(PAB)· 현상 처리 후의 웨이퍼 (W)를 가열 처리하는 포스트베이킹 유니트등으로 불리고 있는 가열 유니트(POST) 등이 포함되어 있다. 본 발명의 가열 장치 (2)는 가열 유니트(PAB)로서 조립되어져 있다.
또 액처리 유니트 (U4,U5)는 예를 들면 도 15에 나타나는 바와 같이 반사 방지막 도포 유니트(BARC)· 웨이퍼 (W)에 레지스트액을 도포하는 도포 유니트(COT) ·웨이퍼 (W)에 현상액을 공급해 현상 처리하는 현상 유니트(DEV) 등을 복수단 예를 들면 5단으로 적층해 구성되고 있다.
상기 처리부 (B2)에 있어서의 선반 유니트 (U3)의 안측에는 인터페이스부 (B3)을 개재시켜 노광부 (B4)가 접속되고 있다. 이 인터페이스부 (B3)은 처리부 (B2)와 노광부 (B4)의 사이에 전후에 설치되는 제1의 반송실 (83) 및 제2의 반송실 (84)에 의해 구성되고 있고 각각에 승강 자유 및 수직축 주위에 회전 자유 또한 진퇴 자유로운 제1의 반송 아암 (85) 및 제2의 반송 아암 (86)을 구비하고 있다. 또 제1의 반송실 (83)에는 예를 들면 수수 유니트나 고정밀도 온조유니트(CPL) 및 웨이퍼 (W)를 포스트 익스포져 베이크 처리하는 가열·냉각 유니트(PEB) 등이나 상하에 적층해 설치된 선반 유니트 (U6)가 설치되고 있다.
이러한 레지스트 패턴 형성 시스템에 있어서의 웨이퍼 (W)의 흐름의 일례에 대해서 설명하면 캐리어 재치부 (B1)에 재치된 캐리어 (8)내의 웨이퍼 (W)는 온조유니트(CPL)→반사 방지막 형성 유니트(BARC)→가열 유니트(BAKE)→온조유니트(CPL)→도포 유니트(COT)→가열 유니트(PAB)→노광부 (B4)의 경로로 반송되어 여기서 노광 처리를 한다. 노광 처리 후의 웨이퍼 (W)는 가열 유니트(PEB)→고정밀도온조유니트(CPL)→현상 유니트(DEV)→가열 유니트(POST)→온조유니트(CPL)→캐리어 재치부 (B1)의 캐리어 (8)의 경로로 반송된다.
본 발명은 레지스트액의 도포된 웨이퍼 (W)의 가열 처리(베이킹 처리) 이외로 노광 처리 후의 가열(PEB)이나 현상 처리 후의 가열 처리등에 적용 할 수 있다. 또 본 발명은 반도체 웨이퍼 (W) 이외로 예를 들면 LCD 기판 마스크 기판등의 처리에도 적용할 수 있다.

Claims (10)

  1. 처리 용기내에 설치되고 한쪽측이 기판을 반입출하기 위해 개구하는 개구부를 갖는 편평한 가열실과,
    상기 기판을 상방측 또는 하방측으로부터 가열하도록 상기 가열실에 배치된 열판과,
    상기 가열실의 개구부측에 인접하도록 설치되고, 상기 가열실에서 가열된 기판을 냉각하기 위한 냉각 플레이트와,
    상기 기판을 보지하는 보지 부재와,
    상기 보지 부재를 냉각 플레이트의 상방측의 위치와 가열실의 내부 사이에서 반송하는 반송부를 구비하고,
    상기 가열실내에서 상기 열판으로부터 이격된 위치에서 기판을 상기 보지 부재로 보지한 상태로 기판의 가열 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 보지 부재는 기판의 반송로와 교차하는 방향으로 연장하고 기판을 재치해 반송하는 복수개의 와이어를 가지는 것을 특징으로 가열 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 반송부는 상기 와이어의 양단부를 지지하는 와이어 지지부와, 기판을 냉각 플레이트의 상방 위치와 가열실내의 사이의 반송로를 반송하도록 와이어 지지부를 이동시키는 이동 기구를 더 가지는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  4. 청구항 2 또는 3에 있어서,
    상기 냉각 플레이트에 상기 와이어가 잠입하기 위한 홈부를 형성하고,
    냉각 플레이트를 와이어에 대해서 승강 장치에 의해 상대적으로 승강시켜 와이어가 홈부에 잠입함으로써 와이어상의 기판을 냉각 플레이트에 수수하고 와이어가 홈부로부터 상방으로 빠져나감으로써 냉각 플레이트상의 기판을 와이어로 수수하는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 보지 부재는 기판의 주변부를 보지하는 두께 3 mm이하의 얇은 판자 부재를 가지는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 얇은 판자 부재는 기판의 주변부의 일부를 따른 내주면을 가지는 플레이트 부재와, 이 플레이트 부재로부터 안쪽을 향해 돌출하고 기판의 이면측의 주변부의 일부를 보지하는 복수의 보지부를 가지는 것을 특징으로 하는 가열장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 냉각플레이트에 상기 보지부가 잠입하기 위한 홈부를 형성하고,
    냉각플레이트를 보지부에 대해서 승강장치에 의해 상대적으로 승강시키고, 보지부가 홈부에 잠입함으로써 보지부상의 기판을 냉각플레이트에 수수하고, 보지부가 홈부로부터 위쪽으로 빠져나감으로써 냉각플레이트상의 기판을 보지부로 수수하는 것을 특징으로 하는 가열장치.
  8. 청구항 1 내지 3 또는 5 내지 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각 플레이트의 주변에는 외부의 반송 기구의 형상에 대응하는 냉각 플레이트 노치부가 형성되고,
    기판을 실은 외부의 반송 기구로부터 냉각 플레이트에 기판을 수수할 때는 상기 기판을 실은 외부의 반송 기구가 상기 냉각 플레이트의 상방측으로 진입하고 이 냉각 플레이트의 상방측으로부터 냉각 플레이트 노치부를 통하여 하방측으로 빠져 나가 기판을 냉각 플레이트에 수수하고 냉각 플레이트와 보지 부재의 사이로부터 퇴각하는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  9. 청구항 1 내지 3 또는 5 내지 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열실의 한쪽측에 형성된, 상기 기판의 반입출을 위한 개구의 상하 방향의 높이는 6 mm이하인 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  10. 기판을 수납하고, 캐리어가 반입출되는 캐리어 블럭과,
    상기 캐리어로부터 꺼내진 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포부와, 레지스트가 도포된 기판을 가열하는 가열 장치와, 가열된 기판을 냉각하는 냉각부와, 노광 후의 기판을 현상하는 현상 처리부를 포함한 처리 블럭과,
    상기 처리블럭과 노광장치의 사이에서 기판의 수수를 행하는 인터페이스부를 구비한 도포 현상 장치에 있어서,
    상기 가열 장치로서, 청구항 1 내지 3 또는 5 내지 7 중 어느 한 항에 기재된 가열 장치를 이용한 것을 특징으로 하는 도포 현상 장치.
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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
JP4527670B2 (ja) * 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
DE102006026331B4 (de) * 2006-06-02 2019-09-26 Erich Thallner Transportable Einheit zum Transport von Wafern und Verwendung einer Gelfolie in einer transportablen Einheit
JP4859229B2 (ja) 2006-12-08 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP5109376B2 (ja) * 2007-01-22 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
JP4752782B2 (ja) * 2007-02-02 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び加熱方法
JP4826544B2 (ja) * 2007-05-23 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法及び記憶媒体
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP4499147B2 (ja) * 2007-11-21 2010-07-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP2012174819A (ja) * 2011-02-21 2012-09-10 Sokudo Co Ltd 熱処理装置および熱処理方法
JP5490741B2 (ja) * 2011-03-02 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置の位置調整方法、及び基板処理装置
JP5568495B2 (ja) * 2011-03-15 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US20120251964A1 (en) * 2011-04-01 2012-10-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for selective substrate support and alignment in a thermal treatment chamber
JP5618425B2 (ja) * 2012-02-23 2014-11-05 東京エレクトロン株式会社 周辺露光方法及び周辺露光装置
WO2013162638A1 (en) * 2012-04-26 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Vapor dryer module with reduced particle generation
JP5964654B2 (ja) * 2012-05-24 2016-08-03 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理方法
WO2014005780A1 (en) 2012-07-06 2014-01-09 Asml Netherlands B.V. A lithographic apparatus
CN103871928B (zh) * 2012-12-14 2017-02-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体设备及其加热器
CN104536268A (zh) * 2014-12-26 2015-04-22 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种光刻胶厚胶坚膜方法
TWI544973B (zh) * 2015-03-20 2016-08-11 家登精密工業股份有限公司 半導體容器清洗機的運作方法
JP6209554B2 (ja) * 2015-04-15 2017-10-04 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理方法
KR101860631B1 (ko) * 2015-04-30 2018-05-23 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN105080803B (zh) * 2015-08-21 2018-08-07 京东方科技集团股份有限公司 基板承载结构、减压干燥设备及减压干燥方法
CN106546088A (zh) * 2015-09-16 2017-03-29 泰科电子(上海)有限公司 风干***
JP6049929B2 (ja) * 2016-03-11 2016-12-21 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理方法
JP6849368B2 (ja) * 2016-09-30 2021-03-24 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
CN106842836A (zh) * 2017-04-05 2017-06-13 武汉华星光电技术有限公司 干燥装置以及具有该干燥装置的曝光显影设备
JP6863041B2 (ja) * 2017-04-21 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置
CN112119482B (zh) * 2018-05-21 2023-09-05 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP7015219B2 (ja) * 2018-06-29 2022-02-02 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN111221226A (zh) * 2018-11-27 2020-06-02 上海微电子装备(集团)股份有限公司 光刻胶层的曝光后烘烤方法及装置
US11633833B2 (en) * 2019-05-29 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Use of steam for pre-heating of CMP components
TW202110575A (zh) 2019-05-29 2021-03-16 美商應用材料股份有限公司 用於化學機械研磨系統的蒸氣處置站
US11628478B2 (en) 2019-05-29 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Steam cleaning of CMP components
CN110787974A (zh) * 2019-10-15 2020-02-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基片烘烤处理装置
TWI717246B (zh) * 2020-03-30 2021-01-21 群翊工業股份有限公司 具有溫控模組的烤箱

Family Cites Families (226)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3026628A (en) * 1956-08-07 1962-03-27 Whirlpool Co Drying system for dishwashers
CH466206A (de) * 1966-08-26 1969-01-31 Traitex Internat Ag Fuer Texti Verfahren zur Veredelung von cellulosehaltigen Textilien
US3609876A (en) * 1967-09-13 1971-10-05 Alpine Western Inc Method for drying a wet coating on a surface
US3686822A (en) * 1970-09-14 1972-08-29 Young William E Apparatus and method for skin packaging
US3710450A (en) * 1971-02-01 1973-01-16 Allied Chem Process and apparatus for removing liquids from solid surfaces
US3919379A (en) * 1971-12-29 1975-11-11 Union Carbide Corp Forming a multicell container from a blank of a thermoformable material
US4079522A (en) * 1976-09-23 1978-03-21 Rca Corporation Apparatus and method for cleaning and drying semiconductors
AU532022B2 (en) * 1979-08-23 1983-09-15 K.K. Toshiba Dryer
US4330946A (en) * 1980-09-23 1982-05-25 Ralph S. Tillitt High efficiency material drying
US4694779A (en) * 1984-10-19 1987-09-22 Tetron, Inc. Reactor apparatus for semiconductor wafer processing
JPS6217133U (ko) * 1985-07-15 1987-02-02
JPS6217133A (ja) 1985-07-15 1987-01-26 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 溶接変形修正法
JPS6218028A (ja) * 1985-07-16 1987-01-27 Toshiba Corp デイスカム装置
US4735001A (en) * 1986-04-25 1988-04-05 Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. Vapor reflow type soldering apparatus
US4785552A (en) * 1987-07-08 1988-11-22 Best Willie H Convection stabilized radiant oven
US5105556A (en) * 1987-08-12 1992-04-21 Hitachi, Ltd. Vapor washing process and apparatus
US4957432A (en) * 1987-09-01 1990-09-18 Phillips Petroleum Company Forced jet convection oven for vacuum bagging
US4841645A (en) * 1987-12-08 1989-06-27 Micro Contamination Components Industries Vapor dryer
EP0334615B1 (en) * 1988-03-22 1994-11-17 Erik Nieman Electrophoresis apparatus
JP2559617B2 (ja) * 1988-03-24 1996-12-04 キヤノン株式会社 基板処理装置
AU627804B2 (en) * 1989-05-26 1992-09-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Clothes dryer
US5099586A (en) * 1989-09-08 1992-03-31 W. R. Grace & Co.-Conn. Reflector assembly for heating a substrate
US5115576A (en) * 1989-10-27 1992-05-26 Semifab Incorporated Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol
US4977688A (en) * 1989-10-27 1990-12-18 Semifab Incorporated Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol
US5371950A (en) * 1990-02-23 1994-12-13 S & K Products International, Inc. Isopropyl alcohol vapor dryer system
JPH03276624A (ja) 1990-03-26 1991-12-06 Fujitsu Ltd 感光性ポリイミド膜のパターン形成方法
US5052126A (en) * 1990-06-21 1991-10-01 Rolf Moe Vapor drier for semiconductor wafers and the like
AU650045B2 (en) * 1990-09-12 1994-06-09 Lifecell Corporation Method and apparatus for cryopreparation dry stabilization and rehydration of biological suspensions
BR9004909A (pt) * 1990-10-01 1992-04-07 Clover Eletronica Ltda. Processo,instalacao e camara para reduzir a atividade biologica em recinto,particularmente para um local de armazenagem
JPH04243119A (ja) 1991-01-17 1992-08-31 Sharp Corp レジスト加熱装置
US5243768A (en) * 1991-02-18 1993-09-14 Mitsubishi Kasei Corporation Vapor drier
DE69224544T2 (de) * 1991-04-18 1998-10-15 Alltrista Corp Verfahren und Vorrichtung zur Trocknung und Härtung einer Beschichtung eines metallischen Substrats
BR9107026A (pt) * 1991-05-08 1994-04-19 Tom Ao Zakrytogo N Proizv Processo de secagem de um revestimento de polimero protetor em uma superficie de um artigo, a partir de uma solucao e dispositivo para preparacao do mesmo
US6095083A (en) * 1991-06-27 2000-08-01 Applied Materiels, Inc. Vacuum processing chamber having multi-mode access
US5226242A (en) * 1992-02-18 1993-07-13 Santa Clara Plastics, Division Of Preco, Inc. Vapor jet dryer apparatus and method
US5267455A (en) * 1992-07-13 1993-12-07 The Clorox Company Liquid/supercritical carbon dioxide dry cleaning system
JP2902222B2 (ja) * 1992-08-24 1999-06-07 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置
JP3003016B2 (ja) * 1992-12-25 2000-01-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
TW241375B (ko) * 1993-07-26 1995-02-21 Air Prod & Chem
US5596912A (en) * 1993-08-12 1997-01-28 Formica Technology, Inc. Press plate having textured surface formed by simultaneous shot peening
US5575079A (en) * 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
US5565034A (en) * 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US5731157A (en) * 1993-12-30 1998-03-24 The Procter And Gamble Company Two-site allergen immunoassay
US5544421A (en) * 1994-04-28 1996-08-13 Semitool, Inc. Semiconductor wafer processing system
JPH07333864A (ja) * 1994-06-08 1995-12-22 Fuji Photo Film Co Ltd 印刷版の乾燥装置
US5620560A (en) * 1994-10-05 1997-04-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for heat-treating substrate
JPH08189768A (ja) * 1994-11-07 1996-07-23 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 蒸気乾燥装置、それを組込んだ洗浄装置および蒸気乾燥方法
US5752532A (en) * 1995-08-17 1998-05-19 Schwenkler; Robert S. Method for the precision cleaning and drying surfaces
US5954911A (en) * 1995-10-12 1999-09-21 Semitool, Inc. Semiconductor processing using vapor mixtures
US5735962A (en) * 1996-01-11 1998-04-07 S3 Service Support Specialties, Inc. Silicon substrate cleaning method and apparatus
KR980012044A (ko) * 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
US5862605A (en) * 1996-05-24 1999-01-26 Ebara Corporation Vaporizer apparatus
ES2175466T3 (es) * 1996-09-27 2002-11-16 Avery Dennison Corp Construcciones de adhesivo sensible a la presion.
US5937535A (en) * 1996-10-15 1999-08-17 M&R Printing Equipment, Inc. Dryer assembly for curing substrates
KR200160545Y1 (ko) * 1997-01-23 1999-11-15 김재형 알콜 증기건조기
JP3346716B2 (ja) * 1997-02-14 2002-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板冷却方法および基板冷却装置
EP0963545B1 (en) * 1997-02-28 2011-05-11 Cepheid Heat exchanging, optically interrogated chemical reaction assembly, and reaction vessel
US5908292A (en) * 1997-03-07 1999-06-01 Semitool, Inc. Semiconductor processing furnace outflow cooling system
JP3693783B2 (ja) * 1997-03-21 2005-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
WO1998045090A1 (en) * 1997-04-04 1998-10-15 Obsidian, Inc. Polishing media magazine for improved polishing
JP3230051B2 (ja) * 1997-05-16 2001-11-19 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理方法及びその装置
DE19721689C2 (de) * 1997-05-23 1999-06-10 Steag Hama Tech Gmbh Machines Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
US6276072B1 (en) * 1997-07-10 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for heating and cooling substrates
JP3897404B2 (ja) * 1997-07-22 2007-03-22 オメガセミコン電子株式会社 ベーパ乾燥装置及び乾燥方法
US6026588A (en) * 1997-08-14 2000-02-22 Forward Technology Industries, Inc. Superheated vapor dryer system
US6231732B1 (en) * 1997-08-26 2001-05-15 Scivac Cylindrical carriage sputtering system
US20040099061A1 (en) * 1997-12-22 2004-05-27 Mks Instruments Pressure sensor for detecting small pressure differences and low pressures
JP3909944B2 (ja) * 1998-01-12 2007-04-25 キヤノンアネルバ株式会社 情報記録ディスク用基板の冷却機構及びこの冷却機構を備えた基板処理装置
US6067728A (en) * 1998-02-13 2000-05-30 G.T. Equipment Technologies, Inc. Supercritical phase wafer drying/cleaning system
US6108932A (en) * 1998-05-05 2000-08-29 Steag Microtech Gmbh Method and apparatus for thermocapillary drying
US6517303B1 (en) * 1998-05-20 2003-02-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle
US6213704B1 (en) * 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for substrate transfer and processing
US6185839B1 (en) * 1998-05-28 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor process chamber having improved gas distributor
JP2000021869A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JP2000056474A (ja) * 1998-08-05 2000-02-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法
US6900413B2 (en) * 1998-08-12 2005-05-31 Aviza Technology, Inc. Hot wall rapid thermal processor
US6462310B1 (en) * 1998-08-12 2002-10-08 Asml Us, Inc Hot wall rapid thermal processor
US6300600B1 (en) * 1998-08-12 2001-10-09 Silicon Valley Group, Inc. Hot wall rapid thermal processor
US6344084B1 (en) * 1998-09-11 2002-02-05 Japan Science And Technology Corporation Combinatorial molecular layer epitaxy device
JP2000124195A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Tokyo Electron Ltd 表面処理方法及びその装置
US6143078A (en) * 1998-11-13 2000-11-07 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for a CVD processing chamber
US6486081B1 (en) * 1998-11-13 2002-11-26 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for a CVD processing chamber
US6660422B2 (en) * 1998-12-11 2003-12-09 Utc Fuel Cells, Llc Proton exchange membrane fuel cell external manifold seal
US6332751B1 (en) * 1999-04-02 2001-12-25 Tokyo Electron Limited Transfer device centering method and substrate processing apparatus
US6551488B1 (en) * 1999-04-08 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Segmenting of processing system into wet and dry areas
JP4556329B2 (ja) * 1999-04-20 2010-10-06 ソニー株式会社 薄膜形成装置
CA2270807A1 (en) * 1999-05-03 2000-11-03 Ibm Canada Limited-Ibm Canada Limitee Closed chamber method and apparatus for the coating of liquid films
US6128830A (en) * 1999-05-15 2000-10-10 Dean Bettcher Apparatus and method for drying solid articles
US6312612B1 (en) * 1999-06-09 2001-11-06 The Procter & Gamble Company Apparatus and method for manufacturing an intracutaneous microneedle array
US6379324B1 (en) * 1999-06-09 2002-04-30 The Procter & Gamble Company Intracutaneous microneedle array apparatus
US6256533B1 (en) * 1999-06-09 2001-07-03 The Procter & Gamble Company Apparatus and method for using an intracutaneous microneedle array
US6811744B2 (en) * 1999-07-07 2004-11-02 Optomec Design Company Forming structures from CAD solid models
US6391251B1 (en) * 1999-07-07 2002-05-21 Optomec Design Company Forming structures from CAD solid models
US6602349B2 (en) * 1999-08-05 2003-08-05 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces
US6334266B1 (en) * 1999-09-20 2002-01-01 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid drying system and method of use
US6474986B2 (en) * 1999-08-11 2002-11-05 Tokyo Electron Limited Hot plate cooling method and heat processing apparatus
US7090743B2 (en) * 1999-09-20 2006-08-15 Hunter Douglas Inc. Pressure laminator apparatus
US6740853B1 (en) * 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
JP2001189368A (ja) * 1999-10-19 2001-07-10 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP4021138B2 (ja) * 1999-10-19 2007-12-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6949143B1 (en) * 1999-12-15 2005-09-27 Applied Materials, Inc. Dual substrate loadlock process equipment
EP1174912A4 (en) * 1999-12-24 2009-11-25 Ebara Corp SEMICONDUCTOR DISC GENERATING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD
NL1013989C2 (nl) * 1999-12-29 2001-07-02 Asm Int Werkwijze en inrichting voor het behandelen van een wafer.
US6381870B1 (en) * 2000-01-07 2002-05-07 Milliken & Company Bag for home dry cleaning process
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
US6559070B1 (en) * 2000-04-11 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Mesoporous silica films with mobile ion gettering and accelerated processing
US20040003831A1 (en) * 2000-04-18 2004-01-08 Mount David J. Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces
WO2001084621A1 (en) * 2000-04-27 2001-11-08 Ebara Corporation Rotation holding device and semiconductor substrate processing device
US6493964B1 (en) * 2000-05-25 2002-12-17 Tousimis Research Corp. Supercritical point drying apparatus for semiconductor device manufacturing and bio-medical sample processing
US6565532B1 (en) * 2000-07-12 2003-05-20 The Procter & Gamble Company Microneedle apparatus used for marking skin and for dispensing semi-permanent subcutaneous makeup
US7255833B2 (en) * 2000-07-25 2007-08-14 Cepheid Apparatus and reaction vessel for controlling the temperature of a sample
DE10043597A1 (de) * 2000-09-01 2002-03-14 Aixtron Ag Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesonder e kristallinen Substraten
DE10043601A1 (de) * 2000-09-01 2002-03-14 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten
US6370796B1 (en) * 2000-09-29 2002-04-16 Sony Corporation Heater block cooling system for wafer processing apparatus
EP1330306A2 (en) * 2000-10-10 2003-07-30 BioTrove, Inc. Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof
US6550988B2 (en) * 2000-10-30 2003-04-22 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6403491B1 (en) * 2000-11-01 2002-06-11 Applied Materials, Inc. Etch method using a dielectric etch chamber with expanded process window
US6716302B2 (en) * 2000-11-01 2004-04-06 Applied Materials Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
US8062098B2 (en) * 2000-11-17 2011-11-22 Duescher Wayne O High speed flat lapping platen
US6483081B1 (en) * 2000-11-27 2002-11-19 Novellus Systems, Inc. In-line cure furnace and method for using the same
US6790763B2 (en) * 2000-12-04 2004-09-14 Ebara Corporation Substrate processing method
JP3897582B2 (ja) * 2000-12-12 2007-03-28 キヤノン株式会社 真空処理方法、真空処理装置、半導体装置の製造方法および半導体装置
US20080172047A1 (en) * 2000-12-28 2008-07-17 Palomar Medical Technologies, Inc. Methods And Devices For Fractional Ablation Of Tissue
WO2002054463A1 (fr) * 2000-12-28 2002-07-11 Nikon Corporation Dispositif d'exposition
JP2002212786A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Ebara Corp 基板処理装置
JP2002220692A (ja) * 2001-01-24 2002-08-09 Ebara Corp めっき装置及び方法
JP3404023B2 (ja) * 2001-02-13 2003-05-06 株式会社半導体先端テクノロジーズ ウエハ熱処理装置及びウエハ熱処理方法
US6531214B2 (en) * 2001-02-14 2003-03-11 3M Innovative Properties Company Replacement for plasticized polyvinyl chloride
US6531212B2 (en) * 2001-02-14 2003-03-11 3M Innovative Properties Company Retroreflective article and method
JP2004519557A (ja) * 2001-02-23 2004-07-02 株式会社荏原製作所 銅めっき液、めっき方法及びめっき装置
US6998005B2 (en) * 2001-03-29 2006-02-14 Fresco Plastics Llc Method and apparatus for forming dye sublimation images in solid plastic
US6701637B2 (en) * 2001-04-20 2004-03-09 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Systems for tissue dried with metal bands
JP3664669B2 (ja) * 2001-06-27 2005-06-29 株式会社荏原製作所 電解めっき装置
JP2003027280A (ja) * 2001-07-18 2003-01-29 Ebara Corp めっき装置
TW554069B (en) * 2001-08-10 2003-09-21 Ebara Corp Plating device and method
EP1418619A4 (en) * 2001-08-13 2010-09-08 Ebara Corp SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND PLATING SOLUTION
US7220365B2 (en) * 2001-08-13 2007-05-22 New Qu Energy Ltd. Devices using a medium having a high heat transfer rate
JP2003179025A (ja) * 2001-09-27 2003-06-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3998455B2 (ja) * 2001-11-02 2007-10-24 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置及び無電解めっき方法
JP3960774B2 (ja) * 2001-11-07 2007-08-15 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置及び方法
JP3979464B2 (ja) * 2001-12-27 2007-09-19 株式会社荏原製作所 無電解めっき前処理装置及び方法
JP3902027B2 (ja) * 2002-03-01 2007-04-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6749655B2 (en) * 2002-04-17 2004-06-15 Speedline Technologies, Inc. Filtration of flux contaminants
US7043855B2 (en) * 2002-04-22 2006-05-16 The Procter & Gamble Company Fabric article treating device comprising more than one housing
US20030206256A1 (en) * 2002-05-06 2003-11-06 Drain Kieran F. Display device with backlight
US6658764B2 (en) * 2002-05-10 2003-12-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Apparatus and method for preventing droplets on wafers during solvent drying process
US7074298B2 (en) * 2002-05-17 2006-07-11 Applied Materials High density plasma CVD chamber
US7354501B2 (en) * 2002-05-17 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Upper chamber for high density plasma CVD
US20060234508A1 (en) * 2002-05-17 2006-10-19 Mitsuhiko Shirakashi Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2003338499A (ja) * 2002-05-20 2003-11-28 Tokyo Electron Ltd 膜形成方法及び膜形成装置
US7267933B2 (en) * 2002-06-03 2007-09-11 Fujifilm Corporation Image forming method using photothermographic material
GB0214412D0 (en) * 2002-06-21 2002-07-31 Svonja George Method and apparatus for drying
US7105282B2 (en) * 2002-08-26 2006-09-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming method using photothermographic material
US6908512B2 (en) * 2002-09-20 2005-06-21 Blue29, Llc Temperature-controlled substrate holder for processing in fluids
JP2004128249A (ja) 2002-10-03 2004-04-22 Sendai Nikon:Kk 基板保持搬送方法、基板ホルダ、基板搬送装置、基板保持搬送装置及び露光装置
US7681521B2 (en) * 2002-11-18 2010-03-23 Tokyo Electron Limited Insulation film formation device
KR100935291B1 (ko) * 2002-11-28 2010-01-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템 및 도포 현상 장치
JP3967677B2 (ja) * 2002-12-25 2007-08-29 大日本スクリーン製造株式会社 乾燥処理装置および基板処理装置
KR20050092130A (ko) * 2003-01-23 2005-09-20 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금장치 및 도금방법
JP2004235469A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Tokyo Electron Ltd 熱的処理方法および熱的処理装置
US7520936B2 (en) * 2003-02-12 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Hardening processing apparatus, hardening processing method, and coating film forming apparatus
WO2004072332A1 (ja) * 2003-02-12 2004-08-26 Ebara Corporation 研磨液、研磨方法及び研磨装置
US7399681B2 (en) * 2003-02-18 2008-07-15 Corning Incorporated Glass-based SOI structures
JP3890026B2 (ja) * 2003-03-10 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US7501155B2 (en) * 2003-03-20 2009-03-10 Agfa Healthcare Manufacturing method of phosphor or scintillator sheets and panels suitable for use in a scanning apparatus
JP2004327561A (ja) * 2003-04-22 2004-11-18 Ebara Corp 基板処理方法及び基板処理装置
US20050023149A1 (en) * 2003-06-05 2005-02-03 Tsutomu Nakada Plating apparatus, plating method and substrate processing apparatus
JP4494840B2 (ja) * 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
JP3592702B1 (ja) * 2003-08-12 2004-11-24 エス・イー・エス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2005091345A (ja) * 2003-08-13 2005-04-07 Fuji Photo Film Co Ltd 蒸着型蛍光体シートの製造方法および装置並びに蒸着型蛍光体シート
US20050051437A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-10 Keiichi Kurashina Plating apparatus and plating method
US7654221B2 (en) * 2003-10-06 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US20070111519A1 (en) * 2003-10-15 2007-05-17 Applied Materials, Inc. Integrated electroless deposition system
US6928748B2 (en) * 2003-10-16 2005-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method to improve post wafer etch cleaning process
US7479213B2 (en) * 2003-12-25 2009-01-20 Ebara Corporation Plating method and plating apparatus
JP4194495B2 (ja) * 2004-01-07 2008-12-10 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
US7736474B2 (en) * 2004-01-29 2010-06-15 Ebara Corporation Plating apparatus and plating method
US7191033B2 (en) * 2004-03-03 2007-03-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2005294460A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置
JP4535489B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
US20090069741A1 (en) * 2004-04-09 2009-03-12 Palomar Medical Technologies, Inc. Methods And Devices For Fractional Ablation Of Tissue For Substance Delivery
WO2005099369A2 (en) * 2004-04-09 2005-10-27 Palomar Medical Technologies, Inc. Emr treated islets
JP4271095B2 (ja) * 2004-07-15 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置及び基板加熱方法
US20060011296A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer program
JP4955976B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4955977B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
US8529738B2 (en) * 2005-02-08 2013-09-10 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York In situ plating and etching of materials covered with a surface film
JP4414910B2 (ja) * 2005-02-17 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP4397836B2 (ja) * 2005-03-02 2010-01-13 東京エレクトロン株式会社 フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定方法,フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置,プログラム及びプログラムを読み取り可能な記録媒体
US7403260B2 (en) * 2005-03-11 2008-07-22 Tokyo Electron Limited Coating and developing system
JP4685584B2 (ja) * 2005-03-11 2011-05-18 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP4860167B2 (ja) * 2005-03-30 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置,処理システム及び処理方法
JP4619854B2 (ja) * 2005-04-18 2011-01-26 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置及び処理方法
CA2609075A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-30 Cardinal Cg Company Deposition chamber desiccation systems and methods of use thereof
US7503710B2 (en) * 2005-05-30 2009-03-17 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
WO2007008939A2 (en) * 2005-07-11 2007-01-18 Brooks Automation, Inc. Apparatus with on-the-fly workpiece centering
JP4440178B2 (ja) * 2005-07-25 2010-03-24 東京エレクトロン株式会社 基板の搬送装置
US7615970B1 (en) * 2005-08-24 2009-11-10 Gideon Gimlan Energy invest and profit recovery systems
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
JP4450784B2 (ja) * 2005-10-19 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4755498B2 (ja) * 2006-01-06 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び加熱方法
JP4670677B2 (ja) * 2006-02-17 2011-04-13 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法、塗布装置及び記憶媒体
US20070193056A1 (en) * 2006-02-21 2007-08-23 Marius Switalski Dryer assembly
JP2007242648A (ja) * 2006-03-04 2007-09-20 Masato Toshima 基板の処理装置
US7745079B2 (en) * 2006-03-09 2010-06-29 Nikon Corporation Apparatus for and method of thermophoretic protection of an object in a high-vacuum environment
US20070249098A1 (en) * 2006-04-21 2007-10-25 Raymond Charles Cady Bonding plate mechanism for use in anodic bonding
JP4965925B2 (ja) * 2006-07-26 2012-07-04 東京エレクトロン株式会社 基板の処理システム
US20080025823A1 (en) * 2006-07-31 2008-01-31 Masahiko Harumoto Load lock device, and substrate processing apparatus and substrate processing system including the same
US7534627B2 (en) * 2006-08-07 2009-05-19 Sokudo Co., Ltd. Methods and systems for controlling critical dimensions in track lithography tools
US8450193B2 (en) * 2006-08-15 2013-05-28 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for temperature-controlled ion implantation
US7655933B2 (en) * 2006-08-15 2010-02-02 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for temperature-controlled ion implantation
WO2008022227A2 (en) * 2006-08-15 2008-02-21 Cytyc Corporation Cell block embedding system and methods
JP4884180B2 (ja) * 2006-11-21 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5023679B2 (ja) * 2006-12-05 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP4859229B2 (ja) * 2006-12-08 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP4788610B2 (ja) * 2007-01-17 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、塗布、現像装置、加熱方法及び記憶媒体
JP4840168B2 (ja) * 2007-01-31 2011-12-21 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
JP4752782B2 (ja) * 2007-02-02 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び加熱方法
JP2008198879A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Sokudo:Kk 基板処理装置
US20080212643A1 (en) * 2007-03-02 2008-09-04 Mcgahhey D David Temperature monitoring device
JP4979079B2 (ja) * 2007-07-09 2012-07-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR101365405B1 (ko) * 2007-10-12 2014-02-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리장치, 열처리방법 및 기억매체
JP5151383B2 (ja) * 2007-10-12 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
US20090120584A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Applied Materials, Inc. Counter-balanced substrate support
US20090179366A1 (en) * 2008-01-16 2009-07-16 Sokudo Co., Ltd. Apparatus for supporting a substrate during semiconductor processing operations

Also Published As

Publication number Publication date
CN1924709A (zh) 2007-03-07
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