JP4271095B2 - 基板加熱装置及び基板加熱方法 - Google Patents
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Description
基板を水平に載置する基板載置部と、
この基板の表面に、レジストの酸触媒反応を促進させるためのレジスト改質流体を供給する流体供給手段と、
このレジスト改質流体が供給された基板を前記基板載置部に載置した状態で当該基板を加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする。
基板を基板載置台に水平に載置する工程と、
この基板の表面に、レジストの酸触媒反応を促進させるためのレジスト改質流体を供給する工程と、
このレジスト改質流体が供給された基板を前記基板載置部に載置した状態で当該基板を加熱する工程と、を含むことを特徴とする。
(実施例1)
本例は、レジスト改質流体としてグリセリンを露光後のウエハの表面に液盛りした状態でウエハの加熱処理を行った実施例である。詳しい試験条件を以下に記載する。所定時間ウエハを加熱した後、純水でレジスト改質流体を洗い流し、更にウエハの表面に現像液を供給してパターンを形成した。形成されたパターンを電子顕微鏡を用いて撮像した結果を図9に示す。
・レジスト;ポジ型
・レジスト膜厚;100nm
・線幅目標値;250nm
・電子ビーム照射量;6mJ/cm2
・加熱温度及び加熱時間;90℃,90秒
・純水供給時間;30秒
・現像液及び現像時間;TMAH=2.38重量%,60秒
本例はレジスト改質流体を用いなかったことを除いて実施例1と同じ処理を行った比較例である。形成されたパターンを電子顕微鏡を用いて撮像した結果を図10に示す。
図9及び図10の結果からも明らかなように、レジスト改質流体であるグリセリンを載せた状態で加熱した実施例の場合、描画した領域(電子ビームを当てた領域)が現像液に溶解し、描画しなかった領域にあるレジストが残ってパターンが形成されている。パターンの線幅も目標値を満足するものが形成されている。これに対し、グリセリンを用いなかった比較例は描画した領域のレジストが溶解せずに残ってしまってパターンが全くといっていいほど形成されていない。以上の結果からレジスト改質流体としてグリセリンを用いれば、電子ビームを低加速に設定したとしても、加熱時において酸触媒反応を促進させることができることが確認された。
33 ヒータ
34 給気口
36 基板支持ピン
4 蓋体
41 排気口
5 流体規制板
51 ヒータ
52 流体供給口
55 流体吸引口
7 移載プレート(冷却プレート)
Claims (16)
- 化学増幅型のレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を現像する前に加熱処理する基板加熱装置において、
基板を水平に載置する基板載置部と、
この基板の表面に、レジストの酸触媒反応を促進させるためのレジスト改質流体を供給する流体供給手段と、
このレジスト改質流体が供給された基板を前記基板載置部に載置した状態で当該基板を加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする基板加熱装置。 - 基板の表面に対し所定の隙間を介して対向する流体規制部が設けられ、前記レジスト改質流体は基板の表面と流体規制部との隙間に供給されることを特徴とする請求項1記載の基板加熱装置。
- 流体規制部における基板と対向する部位には、レジスト改質流体である液体を供給するための流体供給口が設けられ、
前記隙間は前記液体が毛細管現象により広がる大きさに設定されていることを特徴とする請求項2記載の基板加熱装置。 - 流体規制部における基板と対向する部位には、加熱後の基板の表面に冷却液を供給するための流体供給口が更に設けられたことを特徴とする請求項2又は3記載の基板加熱装置。
- 流体規制部における基板と対向する部位には、基板の表面と流体規制部の表面との間の隙間にある流体を吸引するための流体吸引口が更に設けられたことを特徴とする請求項2ないし4のいずれか一つに記載の基板加熱装置。
- 流体規制部は、レジスト改質流体を加熱する加熱手段が設けられていることを特徴とする請求項2ないし5のいずれか一つに記載の基板加熱装置。
- 前記流体規制部を昇降させる昇降機構を備えたことを特徴とする請求項2ないし6のいずれか一つに記載の基板加熱装置。
- 前記露光は、低加速の電子ビームにより基板の表面にパターンを描画する電子ビーム露光であることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の基板加熱装置。
- レジスト改質流体は、グリセリンを含む液体か又はグリセリンを含む蒸気であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載の基板加熱装置。
- 化学増幅型のレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を現像する前に加熱処理する基板加熱方法において、
基板を基板載置台に水平に載置する工程と、
この基板の表面に、レジストの酸触媒反応を促進させるためのレジスト改質流体を供給する工程と、
このレジスト改質流体が供給された基板を前記基板載置部に載置した状態で当該基板を加熱する工程と、を含むことを特徴とする基板加熱方法。 - 基板の表面と、この基板の表面に対し所定の隙間を介して対向する流体規制部の表面との間の隙間にレジスト改質流体を供給することを特徴とする請求項10記載の基板加熱方法。
- 加熱後の基板の表面と、この基板の表面に対し所定の隙間を介して対向する流体規制部の表面との間の隙間にある流体を流体吸引手段により吸引する工程を更に含むことを特徴とする請求項11記載の基板加熱方法。
- 前記流体吸引手段により流体を吸引する工程を行っているときに、流体規制部を基板に向かって移動させて基板との間の隙間を狭くしていくことを特徴とする請求項12記載の基板加熱方法。
- 加熱後の基板の表面に冷却液を供給する工程と、を更に含むことを特徴とする請求項10ないし13のいずれか一つに記載の基板加熱方法。
- 前記露光は、低加速の電子ビームにより基板の表面にパターンを描画する電子ビーム露光であることを特徴とする請求項10ないし14のいずれか一つに記載の基板加熱方法。
- レジスト改質流体は、グリセリンを含む液体か又はグリセリンを含む蒸気であることを特徴とする請求項10ないし15のいずれか一つに記載の基板加熱方法。
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