KR100822242B1

KR100822242B1 - 반사방지막

Info

Publication number: KR100822242B1
Application number: KR1020000001362A
Authority: KR
Inventors: 구라따노부유끼; 히시누마다까히로; 시미즈아끼꼬; 하또리데쓰지
Original assignee: 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤
Priority date: 1999-01-14
Filing date: 2000-01-12
Publication date: 2008-04-16
Also published as: CN1153070C; SG97831A1; KR20000071241A; EP1020738B1; EP1020738A1; DE60038136D1; TWI246460B; DE60038136T2; CN1264840A

Abstract

투광성기재의 표면에 설치되며, 상기 투광성기재측으로부터 공기층측으로 순서대로, 굴절율이 1.70 ∼ 1.80 이고 광학막두께가 0.21 λ ∼ 0.29 λ 인 제 1 층과, 굴절율이 2.20 이상이고 광학막두께가 0.41 λ ∼ 0.54 λ인 제 2 층과, 굴절율이 1.44 ∼ 1.49 이고 광학막두께가 0.22 λ ∼ 0.27 λ인 제 3 층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 반사방지막을 제공하는 것으로, 이 반사방지막은 가시광의 전파장영역에 걸쳐 반사율이 낮아 저비용으로 제조할 수 있다.

Description

반사방지막{ANTI-REFLECTION FILM}

도 1 은 본 발명의 반사방지막의 단면을 나타내는 모식도이다.

도 2 는 실시예 1 에서 얻은 반사방지막의 반사방지기재측의 면의 반사스펙트럼을 나타내는 도면이다.

도 3 은 실시예 2 에서 얻은 반사방지막의 반사방지기재측의 면의 반사스펙트럼을 나타내는 도면이다.

도 4 는 실시예 3 에서 얻은 반사방지막의 반사방지기재측의 면의 반사스펙트럼을 나타내는 도면이다.

도 5 는 실시예 4 에서 얻은 반사방지막의 반사방지기재측의 면의 반사스펙트럼을 나타내는 도면이다.

도 6 은 실시예 5 에서 얻은 반사방지막의 반사방지기재측의 면의 반사스펙트럼을 나타내는 도면이다.

도 7 은 비교예 1 에서 얻은 반사방지막의 반사방지기재측의 면의 반사스펙트럼을 나타내는 도면이다.

도 8 은 비교예 2 에서 얻은 반사방지막의 반사방지기재측의 면의 반사스펙트럼을 나타내는 도면이다.

본 발명은 표시장치 등에 이용되는 반사방지막에 관한 것이다.

종래부터 음극선관 (CRT), 액정표시장치, 플라즈마디스플레이패널 (PDP), 유기엘렉트로루미넷센스 (EL) 및 무기 EL 표시장치 등의 대부분은 실내외를 불문하고, 외광이 표시장치의 화면상에 입사되는 것과 같은 환경하에서 사용되고 있다. 이 입사광이 표면에서 반사됨으로써, 표시가 보기 어려워진다는 문제점이 있었다.

이 문제에 대한 대책의 한 수법으로서 투광성기재의 표면에 반사방지막을 설치함으로써 표시화질을 향상시키는 것이 행해지고 있다.

예를 들면, 일본공개특허공보 평5-173001 호에는 CeO₂ 및 MgO 로 이루어지는 굴절율 1.63 ∼ 1.75 인 제 1 층, TiO₂ 또는 TiO 로 이루어지는 제 2 층 및 MgF₂ 또는 SiO₂ 로 이루어지는 제 3 층을 순차적으로 적층한 반사방지막이 개시되어 있다.

일본 공개특허공보 평10-300902 호에는 굴절율이 1.40 ∼ 2.20 의 범위에서 선택되는 3 층으로 이루어지는 반사방지막이 개시되어 있다.

그러나, 일본 공개특허공보 평5-173001 호에 개시되어 있는 반사방지막은 반사방지효과를 나타내는 파장영역이 좁고, 또 효과도 충분하지 않다. 또, 일본 공개특허공보 평10-300902 호에 개시되어 있는 반사방지막은 반사방지효과를 나타내는 파장영역이 비교적 넓지만 제 1 층에 요철을 부가한 것으로, 일반적으로 요철 이 없으면 실시예에 나타낼 정도의 반사방지효과를 나타내지 않는다. 또, 요철이 부가되어 있음에도 불구하고, 가장 가시성에 영향을 미치는 파장 550 ㎚ 전후의 반사방지효과가 충분하다고는 할 수 없다.

즉, 가시광의 전파장영역에 걸쳐 충분한 반사방지효과를 나타내는 반사방지막은 지금까지 알려져 있지 않다.

따라서, 본 발명자들은, 넓은 파장영역에 걸쳐 반사율이 낮은 반사방지막을 개발하기 위해 예의검토한 결과, 반사방지막의 반사방지기재를 3 층 구성으로 하여, 제 1 층을 굴절율이 1.70 ∼ 1.80 이고 광학막두께가 0.21 λ∼ 0.29 λ 인 층, 제 2 층을 굴절율이 2.20 이상이고 광학막두께가 0.41 λ∼ 0.54 λ 인 층, 제 3 층을 굴절율이 1.44 ∼ 1.49 이고 광학막두께가 0.22 λ ∼ 0.27λ 인 층으로 하고, 이들을 순서대로 투광성기재 상에 적층함으로서, 가시광의 전영역에서 유효한 반사방지효과를 얻을 수 있는 것을 발견하고 본 발명에 이르렀다.

즉, 본 발명은, 투광성기재의 표면에 설치되며, 이 투광성기재측으로부터 공기층측으로 순서대로 굴절율이 1.70 ∼ 1.80 이고 광학막두께가 0.21 λ∼ 0.29 λ 인 제 1 층과, 굴절율이 2.20 이상이고 광학막두께가 0.41 λ∼ 0.54 λ인 제 2 층과, 굴절율이 1.44 ∼ 1.49 이고 광학막두께가 0.22 λ ∼ 0.27 λ인 제 3 층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 반사방지막을 제공하는 것이다.

또, 투광성기재의 표면에 설치되며, 이 투광성기재측으로부터 공기층측으로 순서대로 Si, Al 및 W 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 원소와, Bi, Mo, Ta, Zn, Ti, Nb, In, Zr 및 Sn 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 원소의 산화물의 혼합물 또는 복합산화물의 층으로 이루어지고 그 두께가 60 ㎚ ∼ 95 ㎚ 인 제 1 층과, Ti 및 Nb 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 원소의 산화물의 층으로 이루어지고 그 두께가 90 ㎚ ∼ 125 ㎚ 인 제 2 층과, Si 의 산화물로 이루어지고 그 두께가 80 ㎚ ∼ 100 ㎚ 인 제 3 층이 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지막을 제공하는 것이다.

또한, 투광성기재의 표면에 설치되며, 상기 투광성기재측으로부터 공기층측으로 순서대로 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자와의 층으로 이루어지고 그 두께가 60 ㎚ ∼ 95 ㎚ 인 제 1 층과, Ti 및 Nb 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 원소의 산화물의 층으로 이루어지고 그 두께가 90 ㎚ ∼ 125 ㎚ 인 제 2 층과, Si 의 산화물로 이루어지고 그 두께가 80 ㎚ ∼ 100 ㎚ 인 제 3 층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 반사방지막을 제공하는 것이다.

또한, 이들의 반사방지막의 형성방법 및 이들의 반사방지막이 설치된 편광막, 광학필터 및 액정표시장치를 제공하는 것이다.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.

본 발명의 반사방지막 (7) 은, 투광성기재 (5) 의 표면에 상기 투광성기재측으로부터 공기층 (6) 측으로 순서대로 제 1 층 (1), 제 2 층 (2) 및 제 3 층 (3) 이 적층되어 이루어지는 반사방지기재 (4) 가 형성되어 있다.

본 발명의 반사방지막에 사용되는 투광성기재 (5) 는 그 형상이 판형상, 필 름형상, 시트형상 등과 같은 평면형상이어도 되고, 렌즈 등과 같이 곡면을 갖는 것이어도 된다.

이와 같은 투광성기재로서는 공지의 투명고분자필름이나 시트, 무기투광성기재 등을 사용할 수 있다. 그 구체예로서는, 셀룰로스계 고분자 (예를 들면, 디아세틸셀룰로스, 트리아세틸셀룰로스 (TAC), 프로피오닐셀룰로스, 부티릴셀룰로스, 아세틸프로피오닐셀룰로스, 니트로셀룰로스, 아세테이트부틸레이트셀룰로스의 필름 등), 폴리카보네이트계 고분자, 폴리아릴레이트계 고분자, 폴리에스테르계 고분자 (예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리-1,4-시클로헥산디메틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-1,2-디페녹시에탄-4,4'-디카르복시레이트 등), 아크릴계 고분자 (예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트, (메타)아크릴로니트릴 등), 작용성 (functional) 노르보르넨계 고분자 (JSR사 제조의 ARTON 등), 폴리올레핀계 고분자 (폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐, 비정질폴리올레핀, 니뽄제온사 제조의 ZEONEX 등), 폴리우레탄계 고분자, 폴리아미드계 고분자 (예를 들면 방향족 폴리아미드 등), 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리에테르케톤, 폴리에테르이미드, 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리옥시에틸렌, 폴리에테르필름, 폴리비닐알코올, 불소계 고분자 (폴리-4-불화에틸렌, 폴리불화비닐 등), 폴리염화비닐, 폴리비닐아세탈 등의 투명고분자필름이나 시트, 석영유리, 알칼리유리, 사파이어 등의 무기투광성기재를 들 수 있다. 또 플라스틱렌즈나 유리렌즈 등도 기재로 활용할 수 있다. 특별히 한정되는 것은 아니지만, 사용하는 투광성기재의 굴절율은 1.48 ∼ 1.60 인 것이 바람직하다. 또, 편광판, CRT 등을 비롯한 표시장치용의 광학필터, 터치패널 등과 같은 광학부품이어도 된다.

투광성기재는 그 표면에 제 1 층 (1) 과의 밀착성을 향상시키기 위해서나 경도를 향상시키기 위해 중간층을 갖고 있어도 된다. 이 중간층으로서는, 예를 들면 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 컬드수지, 폴리실라잔 등의 고분자로 이루어지는 고분자막을 들 수 있다.

또, 두께가 3 ㎚ (30Å) ∼ 20 ㎚ (200 Å) 정도의 SiO_x, Al₂O₃ 등으로 이루어지는 층이나 Cr 등으로 이루어지는 층을 사용할 수도 있다.

또, 투광성기재의 표면에 요철이 형성되어 있어 눈부심 방지성이 부여되어 있어도 된다. 눈부심 방지성을 부여하기 위해서는, 예를 들면 실리카겔, 수지비드, 유리비드 등을 수지에 분산시킨 층을 형성하여도 되고, 기재표면에 에칭처리, 매트처리 등을 하여도 된다.

투광성기재는 그 표면에, 예를 들면 밀착성을 부여하는 것 등을 위해 표면처리가 실시되어 있어도 된다. 표면처리로서는 예를 들면 진공중에서의 가열처리, 코로나처리, 이온본디드 처리, 플라즈마처리, 자외선조사처리, 전자선조사처리 등을 들 수 있다.

제 1 층 (1) 은 그 굴절율이 약 1.70 ∼ 1.80 인 것이 필요하지만, 바람직하게는 약 1.72 ∼ 1.80, 더욱 바람직하게는 1.73 ∼ 1.78 이다. 여기에서, 굴절율이란 파장 632.8 ㎚ 에서 측정한 값이다 (이하 동일).

또, 가시광영역에서의 투과율은 통상 80% 이상이다.

이와 같은 제 1 층으로서는, 예를 들면 무기유전체로 이루어지는 층을 들 수 있다. 무기유전체로서는, 예를 들면 저굴절율재료를 부여하는 원소와 고굴절율재료를 부여하는 원소로 이루어지는 산화물 등을 들 수 있고, 구체적으로는 저굴절율재료와 고굴절율재료의 혼합물, 저굴절율재료를 부여하는 원소와 고굴절율재료를 부여하는 원소의 복합산화물 등을 들 수 있다.

저굴절율재료를 부여하는 원소로서는, 예를 들면 Si, Al, W 등을 들 수 있고, 이들의 원소는 1 종이어도 되고, 2 종 이상이어도 된다. 고굴절율재료를 부여하는 원소로서는, 예를 들면 Bi, Mo, Ta, Zn, Ti, Nb, In, Zr, Sn 등을 들 수 있고, 이들의 원소는 1 종이어도 되고, 2 종 이상이어도 된다. 저굴절율재료로서는, 예를 들면 SiO₂, Al₂O₃, WO₃ 등의 산화물이, 고굴절율재료로서는, 예를 들면 TiO₂, Nb₂O₅, Ta₂O₅등의 산화물을 들 수 있다. 저굴절율재료와 고굴절율재료의 혼합물로서 바람직하게는, SiO₂ 와 Nb₂O₅ 의 혼합물, Al₂O₃ 와 Nb₂O₅ 의 혼합물, Al₂O₃ 와 TiO₂ 의 혼합물, SiO₂ 와 TiO₂ 의 혼합물 등을 들 수 있다. 저굴절율재료 및 고굴절율재료는 결정성이어도 되고 비정질이어도 된다. 저굴절율재료와 고굴절율재료의 사용량비를 적당히 선택함으로써, 목적으로 하는 굴절율로 할 수 있다.

저굴절율재료를 부여하는 원소와 고굴절율재료를 부여하는 원소의 복합산화물로서는, 예를 들면 Si 또는/및 Al 과 Ti 및/또는 Nb 의 복합산화물을 들 수 있고, 구체적으로는 Si 와 Nb 의 복합산화물, Al 과 Nb 의 복합산화물, Al 과 Ti 의 복합산화물, Si 와 Ti 의 복합산화물 등을 들 수 있다. 이들의 복합산화물은 결정성이어도 되고 비정질이어도 된다. 저굴절율재료를 부여하는 원소와 고굴절율재료를 부여하는 원소의 원자수의 비를 적당히 선택함으로써 목적으로 하는 굴절율로 할 수 있다.

또, 이와 같은 제 1 층으로서는, 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅하여 형성한 것이어도 된다. 이 바인더로서는 열경화형수지나 전리방사선 경화형 수지 등을 들 수 있다.

상기 바인더로서는, 아크릴레이트계 관능기를 갖는 것이 바람직하고, 예를 들면, 비교적 저분자량의 폴리에스테르, 폴리에테르, 아크릴계 수지, 에폭시수지, 폴리우레탄, 알키드수지, 스피로아세탈수지, 폴리부타디엔, 폴리티올폴리엔계 수지, 다가알코올 등의 다관능화합물의 (메타)아크릴레이트 (이하, 아크릴레이트와 메타크릴레이트를 (메타)아크리레이트로 표시함) 등의 올리고머 또는 프레올리고머 및 반응성의 희석제인 에틸(메타)아크릴레이트, 에틸헥실(메타)아크릴레이트, 스티렌, 비닐톨루엔, N-비닐피롤리돈 등의 단관능 폴리머 및 다관능 폴리머, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올에탄트리(메타)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 헥산디올(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,2,4-시클로헥산테트라메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, UV- 6300B (니혼고우세이카가구 제조) 등을 비교적 다량으로 함유하는 것을 사용한다.

또, 스티렌 유도체 (1,4-디비닐벤젠, 4-비닐벤조산-2-아크릴로일에틸에스테르, 1,4-디비닐시클로헥사논 등), 비닐술폰류 (디비닐술폰 등), 아크릴아미드류 (메틸렌비스아크릴아미드 등), 메타크릴아미드류 등 이외에, 다관능 에폭시화합물 (데나콜 EX-313, 데나콜 EX-521 (모두 나가세카세이 제조) 등이 바람직하게 사용되는데 특별히 이것에 한정되지 않는다. 또는, 일 분자중에 예를 들면 이소시아나이트기를 갖는 2 관능 아크릴레이트 화합물 (UV-8000B ; 니혼고우세이카가구 제조) 등도 바람직하게 사용할 수 있다.

또한, 상기의 전리방사선 경화형수지를 자외선을 사용하여 효과시킬 때는, 이들 중에 광중합개시제로서 아세토페논류, 벤조페논류, 미히라벤조일벤조에이트, α-아미록심에스테르, 티옥산톤류나, 광증감제로서 n-부틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-부틸포스핀 등을 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.

상기의 전리방사선 경화형수지에는 다음의 반응성 유기규소 화합물을 함유시킬 수도 있다.

R_mSi(OR')_n로 표시되는 화합물로 여기에서 R, R' 는 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기를 나타내고, m+n=4 이고 m 및 n 은 각각 정수이다. 또한 구체적으로는 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-iso-프로폭시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라-sec-부톡시실란, 테트라-tert-부톡시실란, 테트라펜타에톡시실란, 테트라펜타-iso-프로폭시실란, 테트라펜타-n-프로폭시실란, 테트라펜타-n-부톡시실란, 테트라펜타-sec-부톡시실란, 테트라펜타-tert-부톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 메틸트리부톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디메틸메톡시실란, 디메틸에톡시실란, 디메틸프로폭시실란, 디메틸부톡시실란, 메틸디메톡시실란, 메틸디에톡시실란, 헥실트리메톡시실란 등을 들 수 있다.

상기의 초미립자로서는, ZnO, TiO₂, Sb₂O₅, SnO₂, ITO, Y₂O₃, La₂O₃, Al₂O₃, Hf₂O₃, Nb₂O₅, Bi₂O₃, Ta₂O ₅, MoO₃, CeO₂, ZrO₂ 에서 선택된 1 종 이상의 초미립자에서 선택된다. 초미립자의 입경은 약 5 ∼ 50 ㎚ 인 것이 바람직하다.

또, 바인더 1 중량부에 대하여 초미립자는 약 0.1 ∼ 20- 중량부 사용된다.

또, 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅함으로써 형성되는 제 1 층의 표면에 요철이 형성되어 있어도 된다. 요철의 형성방법에는 여러가지 방법을 활용할 수 있다. 이하, 요철 형성방법의 예를 나타내는데 이것에 한정되는 것은 아니다.

(1) 상기와 같이 투광성기재의 표면에 요철이 설치되어 있는 기재 상에 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅함으로써, 표면요철을 갖는 제 1 층을 투광성기재 상에 형성하는 방법.

(2) 고분자로 이루어지는 중간층을 표면에 갖는 투광성기재 상에 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅하여 제 1 층을 형성하는데 있어, 미경화의 중간층을 형성하고, 그 위에 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅하여 형성되는 미경화의 제 1 층에 미세한 요철을 갖는 매트형상의 부형필름을 적층하여, 상기 제 1 층의 표면을 부형하고, 얻어진 적층물을 가열처리 및/또는 전리방사선처리에 의해 경화하고, 경화된 적층물로부터 상기 부형필름을 제거하여 미세한 표면요철을 갖는 제 1 층을 투광성기재 상에 형성하는 방법.

(3) 투광성기재 상에 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅하여 제 1 층을 형성하는데 있어, 투광성기재 상에 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅하여 형성되는 미경화의 제 1 층에 미세한 요철을 갖는 매트형상의 부형필름을 적층하여, 상기 제 1 층의 표면을 부형하고, 얻어진 적층물을 가열처리 및/또는 전리방사선처리에 의해 경화하고, 경화된 적층물로부터 상기 부형필름을 제거하여 미세한 표면 요철을 갖는 제 1 층을 투광성기재 상에 형성하는 방법.

(4) 표면에 요철이 있는 매트형상의 부형필름에 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅하여 미경화의 제 1 층을 형성하고, 상기 미경화의 제 1 층과 투광성기재를 적층하고, 얻어진 적층물을 가열처리 및/또는 전리방사선처리에 의해 경화하고, 경화된 적층물로부터 상기 부형필름을 제거하여 미세한 표면요철을 갖는 제 1 층을 투광성기재 상에 형성하는 방법.

(5) 표면에 요철이 있는 매트형상의 부형필름에 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅하여 미경화의 제 1 층을 형성하고, 상기 미경화의 제 1 층과 미경화의 고분자로 이루어지는 중간층을 갖는 투광성기재를 적층하고, 얻어진 적층물을 가열처리 및/또는 전리방사선처리에 의해 경화하고, 경화된 적층물로부터 상기 부형필름을 제거하여 미세한 표면요철을 갖는 제 1 층을 투광성기재 상에 형성하는 방법.

(6) 표면에 요철이 있는 매트형상의 부형필름에 순차적으로, 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅하여 미경화의 제 1 층, 미경화의 고분자로 이루어지는 중간층을 형성하고, 가열처리 및/또는 전리방사선처리에 의해 경화하고, 또한 투광성기재 상에 반응형 접착제층을 도포하고, 미경화의 상태면과 상기 경화한 제 1 층과 중간층을 적층하고, 얻어진 적층물을 가열처리 및/또는 전리방사선처리에 의해 경화하고, 경화된 적층물로부터 상기 부형필름을 제거하여 미세한 표면요철을 갖는 제 1 층을 투광성기재 상에 형성하는 방법.

제 1 층은 그 광학막두께가 약 0.21 λ∼ 0.29 λ인 것이 필요하고, 바람직하게는 약 0.22 λ∼0.28 λ, 더욱 바람직하게는 약 0.23 λ∼ 0.27 λ이다. 여기에서 λ 란 설계파장으로 액정표시장치 등을 비롯한 표시장치에 사용하는 경우에는 통상적으로 가시광의 파장범위에서 임의로 설정되고 일반적으로는 550 ㎚ 에 설정된다 (이하 동일).

또, 광학막두께란 층의 두께와 굴절율과의 곱이다.

제 1 층의 두께는 통상 약 60 ㎚ ∼ 95 ㎚ 의 범위이다.

제 2 층 (2) 는 그 굴절율이 약 2.20 이상인 것이 필요하고, 바람직하게는 2.25 이상이다.

또, 가시광영역에서의 투과율은 통상 80 % 이상이다.

이와 같은 제 2 층으로서는, 예를 들면 무기유전체로 이루어지는 층을 들 수 있고, 재료의 가격, 막형성비 등의 점에서 Nb 산화물, Ti 산화물을 주성분으로 하는 것이 바람직하다.

제 2 층은 광학막두께가 약 0.41 λ∼0.54 λ인 것이 필요하고, 바람직하게는 약 0.43 λ∼ 0.53 λ, 더욱 바람직하게는 약 0.45 ∼ 0.52 λ이다.

제 2 층의 두께는 통상 90 ㎚ ∼ 125 ㎚ 정도의 범위이다.

제 3 층 (3) 은 그 굴절율이 약 1.44 ∼ 1.49 인 것이 필요하다.

또, 가시광영역에서의 투과율은 통상 80% 이상이다.

이와 같은 제 3 층으로서는 예를 들면 무기유전체로 이루어지는 층을 들 수 있고, 표면경도의 점, 발수·발유성을 용이하게 부여할 수 있는 점으로부터 Si 의 산화물을 주성분으로 하는 것이 바람직하다.

제 3 층은 그 광학막두께가 약 0.22 λ∼ 0.27 λ인 것이 필요하고, 바람직하게는 0.23 λ∼ 0.26 λ이다.

제 3 층의 두께는 통상 80 ㎚ ∼ 100 ㎚ 정도의 범위이다.

이와 같은 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층이 무기유전체로 이루어지는 경우, 이들의 층은 예를 들면 전자빔증착법, 유도가열방식 증착법, 저항가열증착법, 이온플레이팅법, 스패터링법 등 물리기상퇴적법 [PVD (Physical Vapor Deposition)법], 플라즈마 CVD 법, 알콕시드용액 등을 도포하는 코팅법 등의 공지된 방법을 사용하여 투광성기재 상에 형성할 수 있다. 혼합물로 이루어지는 층의 경우에는, 2 종류의 증착재료를 별개의 증착원으로부터 증발시켜 혼합막을 형성하는 2 원 증착법이나, 2 종류의 무기유전체의 혼합재료를 사용한 진공증착법이나 스패터링법 등 의 방법으로 투광성기재의 표면에 형성할 수 있다.

또, 2 종의 금속의 합금 타겟을 사용한 스패터링법으로 투광성기재의 표면에 설치할 수도 있다. 구체적으로는, 제 1 층을 형성하는 경우이면, 예를 들면 Si, Al 및 W 에서 선택되는 적어도 하나의 원소와, Bi, Mo, Ta, Zn, Ti, Nb, In, Zr 및 Sn 등에서 선택되는 적어도 하나의 원소를 함유하는 스패터링 타겟을 사용하여 스패터링법으로 형성할 수 있다. 스패터링 타겟은 합금타겟이어도 되고, 산화물의 타겟이어도 되지만, DC 마그네트론 스패터링에 의해 제 1 층을 형성할 수 있는 점에서는 합금타겟인 것이 바람직하다.

스패터링 타겟으로서 Si 와 Ti 를 함유하는 합금타겟을 사용하는 경우, 합금타겟에서의 Si/(Si+Ti) 로 표시되는 Si 원자수와 Ti 원자수의 합에 대한 Si 원자수의 비는 통상적으로 0.41 ∼ 0.55 의 범위이다.

제 1 층이 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅하는 경우, 이 제 1 층은 에어닥터 코팅, 블레이드 코팅, 나이프 코팅, 리버스 코팅, 트랜스퍼롤 코팅, 그라비아롤 코팅, 키스 코팅, 캐스트 코팅, 스프레이 코팅, 스롯트 올리피스 코팅, 카렌더 코팅, 전착 코팅, 딥 코팅, 다이코팅 등의 코팅이나 프레키소 인쇄 등의 볼록판 인쇄, 다이렉트 그라비아 인쇄, 오프셋 그라비아 인쇄 등의 오목판 인쇄, 오프셋인쇄 등의 평판인쇄, 스크린인쇄 등의 공판인쇄 등의 인쇄수법에 의해 투광성기재 상에 형성하고, 용매를 함유하고 있는 경우에는, 열건조공정을 거쳐 방사선 (자외선의 경우, 광중합개시제를 첨가) 조사 등으로 도공층 또는 인쇄층을 경화시킴으로써 얻는 방법을 들 수 있다. 또한, 방사선이 전자선인 경우에는 콕크로프트 월튼형, 반데그래프형, 공진변압형, 절연코어변압기형, 직선형, 다이나미트론형, 고주파형 등의 각종 전자선 가속기로부터 방출되는 50 ∼ 1000 KeV 의 에너지를 갖는 전자선 등이 사용되고, 자외선의 경우에는 초고압수은등, 고압수은등, 저압수은등, 카본아크, 크세논아크, 메탈할라이드램프 등의 광선으로부터 발하는 자외선 등을 이용할 수 있다.

이 반사방지막은 투광성기재의 편면에 설치하여도 되고, 양면에 설치하여도 된다.

필요에 따라서는 반사방지막 상에 방오피복층을 형성하여도 된다.

제 1 층, 2 층 및 3 층을 제조하는 장치로서는 투광성기재가 판형상, 시트형상인 경우나 렌즈인 경우에는 배치식, 인라인식 등의 제조장치가 사용된다. 투광성기재가 필름형상인 경우에는 권취식의 진공막형성장치를 사용할 수도 있다.

이 반사방지막의 용도로서는 편광판, 위상차판, 터치패널, 광학필터, VDT 필터, PDP 전면판, 프로젝션 텔레비젼 전면판, 안경, 선그라스, 렌즈 (카메라, 망원경, 현미경, 프로젝션 텔레비젼용 렌즈 등), 광학제품 (프리즘 등), CRT (CRT 에 직접부착, 필름접합형식 등), 유기 EL 및 무기 EL 표시장치 (필름접합형식, 기판에 직접부착 등), 거울 등을 들 수 있으나 이것에 한정되는 것은 아니다. 또, 투광성기재가 편광판인 경우에는 통상적인 편광판과 동일하게 액정표시장치에 사용할 수 있다. 또, 투광성기재가 광학필터나 터치패널인 경우에는 CRT, PDP, 액정디스플레이, 유기 EL 및 무기 EL 표시장치 등의 각종 표시장치의 전면에 배치하여 사용할 수 있다.

편광판, 광학필터 및 터치패널 등에 상기 반사방지막을 설치하는 방법으로서는 편광판, 광학필터, 터치패널 등에 직접 형성하는 방법 외에, 반사방지막을 설치한 투광성기재를 점착층을 통하여 편광판, 광학필터, 터치패널 등에 적층하는 방법도 있다. 여기에서, 투광성기재로서는 투명한 고분자필름을 사용할 수 있다.

본 발명의 반사방지막은 가시광의 전파장영역에 걸쳐 반사방지효과가 우수하여 저비용으로 제조할 수 있다.

실시예

본 발명을 실시예에서 더욱 상세히 설명하는데, 본 발명은 이들의 실시예에 한정되는 것은 아니다.

또한, 굴절율은 상기와 같이 파장 632.8 ㎚ 에서 측정한 값이다.

실시예 1

트리아세틸셀룰로스필름 (상품명 "후지TAC SH-80" 후지샤신필름(주) 제조) 상에 두께 약 5 ㎛ 의 아크릴계 수지막을 형성한 투명고분자필름을 투광성기재 (5) 로 사용하고, 이 기재 상에 Al₂O₃ 가 83% 와 TiO₂ 가 17% 인 혼합물층 [굴절율 : 1.74, 두께 : 76 ㎚(760Å)](1), Nb₂O₅층 [굴절율 : 2.34, 두께 : 113 ㎚ (1130Å)](2), SiO₂층 [굴절율 : 1.47, 두께 : 90㎚(900Å)](3) 을 순차적으로 형성하여 얻어지는 반사방지기재 (4) 를 갖는 반사방지막 (7) 의 반사방지기재측의 면의 반사스펙트럼을 도 2 에 나타낸다.

실시예 2

도쿠다세이사꾸쇼 제조의 스패터링장치 (CFS-8EP-55형) 를 사용하여, 트리아세틸셀룰로스필름 (상품명 "후지TAC SH-80", 후지샤신필름(주) 제조) 상에 두께 약 5 ㎛ 의 아크릴계 수지막을 형성한 투명고분자필름을 투광성기재 (5) 로 하였다. 이 투광성기재 상에 Si 와 Ti 로 이루어져 Si/(Si+Ti) 로 표시되는 원자비가 0.48 인 합금타겟을 사용하여, 막제조시의 계내의 압력이 0.666 ㎩ (5×10^-3 Torr) 이 되도록 조절하면서 아르곤과 산소의 혼합가스 (산소농도는 혼합가스의 용적 100 용량부당 2 용량부) 를 도입하여, 출력 640W 의 조건에서 DC 마그네트론 스패터링법으로 제 1 층 (1) 을 형성하였다. 제 1 층을 형성할 때에는 투광성기재와 함께 계내에 표면을 경면연마한 Si 기판을 배치하고, 그 연마면에도 제 1 층과 동일한 층을 형성하였다. 이 Si 기판상의 층의 굴절율을 에립소미터로 측정한 바, 굴절율은 1.77 이었다. 또, 이 층의 두께를 촉침식 막두께계로 측정한 바, 그 두께는 73 ㎚ (730 Å) 이었다. 따라서, 투광성 기재상에 형성된 제 1 층의 굴절율은 1.77 로, 두께는 73 ㎚(730 Å) 이 된다.

다음으로, 이 제 1 층 상에, Nb 타겟을 사용하여 막제조시의 계내의 압력이 0.666㎩ (5×10^-3 Torr) 가 되도록 아르곤과 산소의 혼합가스 (산소농도는 혼합가스의 용적 100 용량부당 5.5 용량부) 를 도입하여 출력 750W 의 조건에서 DC 마그네트론 스패터링법으로 제 2 층 (2) 을 형성하였다. 제 2 층을 형성할 때에는 제 1 층을 형성한 투광성기재와 함께 계내에 표면을 경면연마한 Si 기판을 배치하고, 그 연마면에는 제 2 층과 동일한 층을 형성하였다. 이 제 2 층만이 제막된 Si 기판을 사용하여 굴절율과 막두께를 측정하였다. 제 2 층의 굴절율을 에립소미터로 측정한 바 이 층의 굴절율은 2.28 이었다. 또, 제 2 층의 두께를 촉침식 막두께계로 측정한 바 그 두께는 111 ㎚ (1110Å) 이었다. 따라서, 제 1 층상에 형성된 제 2 층의 굴절율은 2.28 이고, 두께는 111 ㎚ (1110Å) 으로 된다.

이어서, 이 제 2 층 상에, SiO₂ 타겟을 사용하여 제막가스로서 아르곤을 도입하여 제막시의 압력이 0.266 ㎩ (2×10^-3 Torr) 이 되도록 조절하고 출력 500 W 의 조건에서 RF마그네트론 스패터링법으로 제 3 층 (3) 을 형성하고, 반사방지기재 (4) 를 설치하였다. 제 3 층을 형성할 때에는 제 2 층을 형성한 투광성기재와 함게 계내에 표면을 경면연마한 Si 기판을 배치하고, 그 연마면에도 제 3 층과 동일한 층을 형성하였다. 이 제 3 층만이 제막된 Si 기판을 사용하여 굴절율과 막두께를 측정하였다. 제 3 층의 굴절율을 에립소미터로 측정한 바 그 층의 굴절율은 1.47 이었다. 또, 이 제 3 층의 두께를 촉침식 막두께계로 측정한 바 그 두께는 90 ㎚ (900 Å) 이었다. 따라서, 제 2 층 상에 형성된 제 3 층의 굴절율은 1.47 이고, 두께는 90 ㎚(900 Å) 이 된다.

이와 같은 방법으로 형성된 반사방지막 (7) 은 투명하였다.

도 3 에 상기 반사방지막 (7) 의 반사방지기재 (4) 측의 면의 반사스펙트럼을 나타낸다.

실시예 3

트리아세틸셀룰로스필름 (상품명 "후지TAC SH-80", 후지샤신필름(주) 제조) 상에 아크릴계수지가 베이스재료인 두께가 약 3 ㎛ 의 안티그레어층을 형성한 투명고분자 필름을 투광성기재 (5) 로 사용한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 방법으로 조작하여 반사방지기재 (4) 를 형성하였다.

이와 같이 하여 형성된 반사방지막 (7) 은 투명하였다.

도 4 에 상기 반사방지막 (7) 의 반사방지기재 (4) 측의 면의 반사스펙트럼을 나타낸다.

실시예 4

투광성기재상 (5) 에 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅하여 제 1 층 (1) 이 형성되어 있는 필름 (PET5 ; 다이니뽕인사츠 제조) 을 사용하였다. 이 필름은 고분자로 이루어지는 중간층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 상에 바인더와 ZrO₂ 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅하여 형성된 제 1 층을 갖고 있는 것이다. 또, 제 1 층의 두께는 약 64 ㎚ (640Å) 이고 굴절율은 1.75 이며, 표면에 요철은 형성되어 있지 않다. 도쿠다세이사쿠쇼 제조의 스패터링장치 (CFS-8EP-55형) 를 사용하여, 이 필름의 제 1 층 상에 제 2 층, 제 3 층을 형성하였다.

이 필름의 제 1 층 상에, Nb 타겟을 사용하여 제막시의 계내의 압력이 0.666 ㎩ (5 ×10^-3 Torr) 이 되도록 아르곤과 산소의 혼합가스 (산소농도는 혼합가스의 용적 100 용량부당 5.5 용량부) 를 도입하여 출력 750 W 의 조건에서 DC 마그네트론 스패터링법으로 제 2 층을 형성하였다.

제 2 층의 굴절율 및 막두께를 실시예 2 와 동일한 방법으로 측정하였다. 제 2 층의 굴절율은 2,30, 두께는 115 ㎚ (1150 Å) 이 된다.

이어서, 상기 제 2 층 상에, SiO₂ 타겟을 사용하여 제막가스로서 아르곤을 도입하여 제막시의 압력이 0.266 ㎩ (2×10^-3 Torr) 이 되도록 조절하고 출력 500W 의 조건에서 RF 마그네트론 스패터링법으로 제 3 층을 형성하여, 반사방지기재 (4) 를 설치하였다.

제 3 층의 굴절율 및 막두께를 실시예 2 와 동일한 방법으로 측정하였다. 제 3 층의 굴절율은 1.48, 두께는 94 ㎚(940Å) 이 된다.

이와 같은 방법으로 형성된 반사방지막 (7) 은 투명하였다.

도 5 에 이 반사방지막 (7) 의 반사방지기재측의 면의 반사스펙트럼을 나타낸다.

실시예 5

투광성기재상 (5) 에 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 코팅하여 제 1 층 (1) 이 형성되어 있는 필름 (PET5 ; 다이니뽕인사츠 제조) 를 사용하였다. 이 필름은 제 1 층의 막두께가 약 87 ㎚ (870Å) 인 것 이외에는 실시예 4 에 기재된 필름과 동일한 것이다.

니혼신쿠우기쥬츠가부시키가이샤 제조의 권취식 스패터링장치 (SPW-130) 를 사용하여, 이 필름의 제 1 층에 제 2 층, 제 3 층을 형성하였다.

이 제 1 층을 갖는 투광성기재 상에, Ti 타겟을 사용하여 막제조시의 계내의 압력이 0.133 ㎩ (1.0 ×10^-3 Torr) 이 되도록 아르곤과 산소의 혼합가스 (산소농도는 혼합가스의 용적 100 용량부당 6.2 용량부) 를 도입하여 출력 30 ㎾ 의 조건에서 DC 마그네트론 스페터링법으로 제 2 층을 형성하였다.

제 2 층의 굴절율 및 막두께를 실시예 2 와 동일한 방법으로 측정하였다. 제 2 층의 굴절율은 2.35, 두께는 112 ㎚ (1120 Å) 이 된다.

이어서, 이 제 2 층 상에, Si 타겟을 사용하여 막제조시의 계내의 압력이 0.042 ㎩ (3.2 ×10^-4 Torr) 이 되도록 아르곤과 산소의 혼합가스 (산소농도는 혼합가스의 용적 100 용량부당 20 용량부) 을 도입하여 출력 10 ㎾ 의 조건에서 AC 마그네트론 스패터링법으로 제 3 층을 형성하고, 반사방지기재 (4) 를 설치하였다.

제 3 층의 굴절율 및 막두께를 실시예 2 와 동일한 방법으로 측정하였다. 제 3 층의 굴절율은 1.46, 두께는 89 ㎚ (890 Å) 으로 된다.

이와 같이 하여 형성된 반사방지막 (7) 은 투명하였다.

도 6 에 상기 반사방지막 (7) 의 반사방지기재 (4) 측의 면의 반사스펙트럼을 나타낸다.

비교예 1

트리아세틸셀룰로스필름 (상품명 "후지TAC SH-80", 후지샤신필름(주) 제조) 상에 두께 약 5 ㎛ 의 아크릴계 수지막을 형성한 투명고분자필름을 투광성기재로 사용하고, 이 기재 상에 Si 와 Ti 로 이루어지는 산화물로 Si/(Si+Ti) 로 표시되는 원자비가 0.48 인 제 1 층 [굴절율 : 1.74, 두께 : 50 ㎚(500 Å)], Nb₂O₅ 로 이루 어지는 제 2 층 [굴절율 : 2.34, 두께 : 125 ㎚(1250 Å)], SiO₂ 로 이루어지는 제 3층 [굴절율 : 1.47, 두께 : 90㎚(900 Å)] 을 순차적으로 형성하여 얻어지는 반사방지막의 반사방지기재측의 면의 반사스펙트럼을 도 7 에 나타낸다.

비교예 2

트리아세틸셀룰로스필름 (상품명 "후지TAC SH-80", 후지샤신필름(주) 제조) 상에 두께 약 5 ㎛ 의 아크릴계 수지막을 형성한 투명고분자필름을 투광성기재로 사용하고, 기재에 Si 와 Ti 로 이루어지는 산화물로 Si/(Si+Ti) 로 표시되는 원자비가 0.48 인 제 1 층 [굴절율 : 1.74, 두께 : 73 ㎚(730 Å)], La₂O₃ 로 이루어지는 제 2 층 [굴절율 : 1.90, 두께 : 111 ㎚(1110 Å)], SiO₂ 로 이루어지는 제 3층 [굴절율 : 1.47, 두께 : 90㎚(900 Å)] 을 순차적으로 형성하여 얻어지는 반사방지막의 반사방지기재측의 면의 반사스펙트럼을 도 8 에 나타낸다.

본 발명은 투광성기재의 표면에 설치되며, 상기 투광성기재측으로부터 공기층측으로 순서대로, 굴절율이 1.70 ∼ 1.80 이고 광학막두께가 0.21 λ ∼ 0.29 λ 인 제 1 층과, 굴절율이 2.20 이상이고 광학막두께가 0.41 λ ∼ 0.54 λ인 제 2 층과, 굴절율이 1.44 ∼ 1.49 이고 광학막두께가 0.22 λ ∼ 0.27 λ인 제 3 층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 반사방지막을 제공하는 것으로, 이 반사방지막은 가시광의 전파장영역에 걸쳐 반사율이 낮아 저비용으로 제조할 수 있다.

Claims

투광성기재의 표면에 설치되며, 상기 투광성기재측으로부터 공기층측으로 순서대로, 굴절율이 1.70 ∼ 1.80 이고 광학막두께가 0.21 λ ∼ 0.29 λ인 제 1 층과,

굴절율이 2.20 이상이고 광학막두께가 0.41 λ ∼ 0.54 λ인 제 2 층과,

굴절율이 1.44 ∼ 1.49 이고 광학막두께가 0.22 λ ∼ 0.27 λ인 제 3 층이 적층되어 있고,

상기 제 1 층은 Si, Al 및 W로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소와 Bi, Mo, Ta, Zn, Ti, Nb, In, Zr 및 Sn으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소의 산화물의 혼합물 또는 복합 산화물의 층 또는,

바인더가 열경화형수지 및/또는 전리방사선경화형수지이고, 굴절율이 1.5 이상의 초미립자가 ZnO, TiO₂, Sb₂O₅, SnO₂, ITO, Y₂O₃, La₂O₃, Al₂O₃, Hf₂O₃, Nb₂O₅, Bi₂O₃, Ta₂O₅, CeO₂, ZrO₂ 및 MoO₃ 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 초미립자와의 층으로 이루어지고,

제 2 층은 Ti 및 Nb로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소의 산화물의 층으로 이루어지며,

제 3 층은 Si의 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지막.
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제 1 항에 있어서, 제 1 층에 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사방지막.
투광성기재의 표면에 설치되며, 이 투광성기재측으로부터 공기층측으로 순서대로, Si, Al 및 W 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 원소와 Bi, Mo, Ta, Zn, Ti, Nb, In, Zr 및 Sn 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 원소의 산화물의 혼합물 또는 복합산화물의 층으로 이루어지고, 그 두께가 60 ㎚ ∼ 95 ㎚ 인 제 1 층과, Ti 및 Nb 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 원소의 산화물의 층으로 이루어지고 그 두께가 90 ㎚ ∼ 125 ㎚ 인 제 2 층과, Si 의 산화물로 이루어지고 그 두께가 80 ㎚ ∼ 100 ㎚ 인 제 3 층이 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지막.
투광성기재의 표면에 설치되며, 상기 투광성기재측으로부터 공기층측으로 순서대로, 바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자와의 층으로 이루어지고 그 두께가 60 ㎚ ∼ 95 ㎚ 인 제 1 층과, Ti 및 Nb 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 원소의 산화물의 층으로 이루어지고 그 두께가 90 ㎚ ∼ 125 ㎚ 인 제 2 층과, Si 의 산화물로 이루어지고 그 두께가 80 ㎚ ∼ 100 ㎚ 인 제 3 층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 반사방지막.
제 7 항에 있어서, 제 1 층의 바인더가 열경화형수지 및/또는 전리방사선경화형수지이고, 초미립자가 ZnO, TiO₂, Sb₂O₅, SnO₂, ITO, Y ₂O₃, La₂O₃, Al₂O₃, Hf₂O ₃, Nb₂O₅, Bi₂O₃, Ta₂O₅, CeO₂, ZrO₂ 및 MoO₃ 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 초미립자인 것을 특징으로 하는 반사방지막.
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 제 1 층에 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사방지막.
진공코팅법으로 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 제 1 항 또는 제 6 항에 기재된 반사방지막의 형성방법.
Si, Al 및 W 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 원소와, Bi, Mo, Ta, Zn, Ti, Nb, In, Zr 및 Sn 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 원소를 함유하는 스패터링 타겟을 사용하여 스패터링법으로 제 1 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 제 1 항 또는 제 6 항에 기재된 반사방지막의 형성방법.
Si 와 Ti 를 함유하고, Si/(Si+Ti) 로 표시되는 원자비가 0.41 ∼ 0.55 의 범위인 스패터링 타겟을 사용하여 스패터링법으로 제 1 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 제 1 항 또는 제 6 항에 기재된 반사방지막의 형성방법.
바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 사용하여 코팅법 또는 인쇄법을 사용하여 제 1 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 제 1 항, 제 7 항 및 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 반사방지막의 형성방법.
바인더와 굴절율이 1.5 이상인 초미립자로 이루어지는 도료를 사용하여 코팅법 또는 인쇄법을 사용하여 제 1 층을 형성하고, 진공코팅법으로 제 2 층 및 제 3 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 제 1 항, 제 7 항 및 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 반사방지막의 형성방법.
제 1 항, 제 6 항, 제 7 항 및 제 8 항 중의 어느 한 항에 기재된 반사방지막이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 편광판.
제 1 항, 제 6 항, 제 7 항 및 제 8 항 중의 어느 한 항에 기재된 반사방지막이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 광학필터.
제 1 항, 제 6 항, 제 7 항 및 제 8 항 중의 어느 한 항에 기재된 반사방지막이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.