KR100479988B1 - 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법 - Google Patents

반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100479988B1
KR100479988B1 KR10-2002-0043677A KR20020043677A KR100479988B1 KR 100479988 B1 KR100479988 B1 KR 100479988B1 KR 20020043677 A KR20020043677 A KR 20020043677A KR 100479988 B1 KR100479988 B1 KR 100479988B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cooling fluid
test
semiconductor device
supply means
temperature
Prior art date
Application number
KR10-2002-0043677A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040009663A (ko
Inventor
송재명
함철호
박찬호
이병기
Original Assignee
미래산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미래산업 주식회사 filed Critical 미래산업 주식회사
Priority to KR10-2002-0043677A priority Critical patent/KR100479988B1/ko
Priority to US10/366,576 priority patent/US7008804B2/en
Priority to JP2003055938A priority patent/JP3916574B2/ja
Priority to CNB031218431A priority patent/CN1198189C/zh
Priority to CNB2004100956100A priority patent/CN100489720C/zh
Publication of KR20040009663A publication Critical patent/KR20040009663A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100479988B1 publication Critical patent/KR100479988B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K15/00—Testing or calibrating of thermometers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/44—Modifications of instruments for temperature compensation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2875—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to heating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 온도테스트 도중 반도체 소자의 자체 발열에 의한 온도 편차를 보상하여 줌으로써 정확한 온도하에서 테스트를 수행할 수 있도록 한 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법에 관한 것으로, 반도체 소자를 소켓에 장착하여 테스트를 시작하는 단계와, 온도센서의 측정값을 실시간으로 피드백받아 그 변화량을 검출하고 설정값과 비교하는 단계와, 그 비교결과 측정값 변화량이 설정값 이상이면 상기 냉각유체 공급수단을 제어하여 반도체 소자로 냉각유체가 분사되도록 하는 단계와, 그 비교결과 측정값 변화량이 설정값 미만이면 냉각유체 공급수단을 제어하여 반도체 소자로의 냉각유체 분사를 중지시키는 단계를 포함하므로 테스트 환경을 최적화하여 테스트 수율을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법{Method for compensating temperature in semiconductor test handler}
본 발명은 반도체 소자를 테스트하는 핸들러에 관한 것으로, 특히 반도체 소자를 테스트 소켓에 전기적으로 접속하여 소정의 온도 하에서 테스트하는 도중 반도체 소자의 자체 발열에 의한 온도 편차를 보상하여 줌으로써 정확한 온도하에서 반도체 소자의 테스트를 수행할 수 있도록 한 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법에 관한 것이다.
일반적으로, 메모리 혹은 비메모리 반도체 소자 및 이들을 적절히 하나의 기판상에 회로적으로 구성한 모듈(Module)들은 생산 후 여러 가지 테스트과정을 거친 후 출하되는데, 핸들러는 이러한 테스트 공정에서 반도체 소자 및 모듈을 자동으로 이송하며 테스트하는데 사용되고 있는 장치로서, 로딩스택커에 반도체 소자 또는 모듈이 수납된 트레이가 적재되면 픽커로봇이 테스트할 반도체 소자 또는 모듈을 테스트 사이트로 이송하여 테스트 소켓에 접속시켜 소정의 테스트를 수행하고, 다시 픽커로봇이 테스트 완료된 반도체 소자 또는 모듈들을 언로딩스택커로 이송하여 지정된 트레이에 테스트 결과별로 분류하는 과정을 수행한다.
통상, 이러한 핸들러 중 많은 것들이 상온 상태에서의 일반적인 성능 테스트 뿐만 아니라, 밀폐된 챔버 내에 전열히터 및 액화질소 분사시스템을 통해 고온 및 저온의 극한 온도상태의 환경을 조성하여 반도체 소자 및 모듈이 이러한 극한 온도 조건에서도 정상적인 기능을 수행할 수 있는지의 여부를 테스트하는 고온 테스트 및 저온 테스트도 수행할 수 있도록 구성되어 있다.
그런데, 상기와 같이 반도체 소자의 온도테스트가 가능한 핸들러에서 테스트를 수행함에 있어서, 반도체 소자를 테스트소켓에 전기적으로 접속시켜 테스트를 수행하는 도중 반도체 소자 자체에서 소정의 열이 발생하는 발열 현상이 있게 되고, 이에 따라 사용자가 원하는 정확한 온도에서 테스트가 이루어지지 못하는 경우가 발생하게 된다. 이러한 현상은 최근의 반도체 소자의 소형화 및 고집적화 추세에 따라 심화되며, 테스트 및 실제 사용환경에서 반드시 해결해야 될 문제로 대두되고 있다.
예컨대, 고온테스트시 사용자가 챔버 내부의 온도를 80℃로 설정하여 테스트를 수행할 경우 반도체 소자 자체에 발열 현상이 없다면 설정된 테스트 온도인 80℃에서 테스트가 가능하지만, 테스트 도중 반도체 소자에서 열이 발생하여 온도 편차가 15℃정도 발생하면 실제 테스트는 95℃에서 이루어지게 되는 것이다.
따라서, 반도체 소자들은 설정된 테스트 온도보다 높은 온도에서 테스트가 이루어지게 되고, 이에 따라 정확한 온도범위 내에서 테스트가 이루어지지 못하여 수율(yield) 및 신뢰성이 저하되는 문제가 발생하게 된다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 반도체 소자를 핸들러의 테스트 소켓에 접속하여 테스트하는 도중 각 반도체 소자에서 발생하는 자체 발열에 의한 온도 상승을 억제하여 사용자가 원하는 정확한 온도 범위에서 테스트가 이루어질 수 있도록 한 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 밀폐된 챔버와, 상기 챔버 내부를 저온 및 고온의 소정의 온도 상태로 만들어주기 위한 온도 조성 수단과, 상기 챔버의 일측벽에 설치되며 반도체 소자가 접속되며 테스트되는 복수개의 테스트 소켓이 연설된 테스트보드와, 상기 챔버 내부에 설치되어 반도체 소자를 상기 테스트보드의 각 테스트 소켓에 접속시키는 푸싱유니트를 포함하여 구성된 핸들러에 있어서, 액화질소를 공급하는 액화질소 공급원과, 건조공기를 공급하는 건조공기 공급원과, 상기 액화질소 공급원으로부터 공급되는 액화질소와 건조공기 공급원으로부터 공급되는 건조공기를 혼합하는 혼합기와, 상기 혼합기에 연결되도록 상기 푸싱유니트에 설치되어 상기 혼합기로부터 공급되는 건조공기와 액화질소의 혼합 냉각유체를 각 테스트 소켓에 접속된 반도체 소자로 분사하는 노즐 어셈블리와, 상기 테스트보드의 각 테스트 소켓에 설치되어 반도체 소자의 면과 접촉하여 반도체 소자를 냉각시키는 히트싱크를 포함하여 구성된 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상장치를 제공한다.
또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 반도체 소자를 소켓에 장착하여 테스트를 시작하는 단계와, 온도센서의 측정값을 실시간으로 피드백받아 그 변화량을 검출하고 설정값과 비교하는 단계와, 그 비교결과 측정값 변화량이 설정값 이상이면 상기 냉각유체 공급수단을 제어하여 반도체 소자로 냉각유체가 분사되도록 하는 단계와, 그 비교결과 측정값 변화량이 설정값 미만이면 냉각유체 공급수단을 제어하여 반도체 소자로의 냉각유체 분사를 중지시키는 단계를 포함하는 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법을 제공한다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상장치의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1과 도 2는 본 발명에 따른 발열 보상장치가 적용된 핸들러의 구성의 일례를 나타낸 것으로, 먼저 핸들러의 구성 및 작동에 대해 간단히 설명하면, 핸들러의 전방부에는 테스트할 반도체 소자들이 다수개 수납되어 있는 고객용 트레이들이 적재되는 로딩부(10)가 설치되고, 이 로딩부(10)의 일측부에는 테스트 완료된 반도체 소자들이 테스트결과에 따라 분류되어 고객용 트레이에 수납되는 언로딩부(20)가 설치된다.
그리고, 핸들러의 중간부분의 양측부에는 상기 로딩부(10)로부터 이송되어 온 반도체 소자들을 일시적으로 장착하는 버퍼부(40)가 전후진가능하게 설치되어 있으며, 이들 버퍼부(40) 사이에는 버퍼부(40)의 테스트할 반도체 소자를 이송하여 테스트 트레이(T)에 재장착하는 작업과 테스트 트레이의 테스트 완료된 반도체 소자를 버퍼부(40)에 장착하는 작업이 이루어지게 되는 교환부(50)가 배치되어 있다.
상기 로딩부(10) 및 언로딩부(20)가 배치된 핸들러 전방부와, 상기 교환부(50) 및 버퍼부(40)가 배치된 핸들러 중간부 사이에는 X-Y축으로 선형 운동하며 반도체 소자들을 파지 이송하는 제 1픽커로봇(31)(picker)과 제 2픽커로봇(32)이 각각 설치되는 바, 상기 제 1픽커로봇(31)은 로딩부(10) 및 언로딩부(20)와 버퍼부(40) 사이를 이동하며 반도체 소자를 이송하여 주는 역할을 하고, 상기 제 2픽커로봇(32)은 버퍼부(40)와 교환부(50) 사이를 이동하며 반도체 소자들을 이송하여 준다.
그리고, 핸들러의 후방부에는 다수개로 분할된 밀폐 챔버들 내에 전열히터 또는 액화질소 분사시스템(미도시) 등을 이용하여 고온 또는 저온의 환경을 조성한 뒤 반도체 소자가 장착된 테스트 트레이(T)들을 순차적으로 이송하며 반도체 소자를 소정의 온도 조건하에서 테스트하는 챔버부(70)가 설치된다.
여기서, 상기 챔버부(70)는, 상기 교환부(50)에서 이송되어 온 테스트 트레이(T)를 전방에서부터 후방으로 한 스텝(step)씩 단계적으로 이송시키며 반도체 소자들을 소정의 온도로 가열 또는 냉각시킬 수 있도록 된 예열챔버(71)와; 상기 예열챔버(71)의 일측에 연접하게 설치되어, 예열챔버(71)를 통해 이송된 테스트 트레이(T)의 반도체 소자들을 외부의 테스트장비(80)에 연결된 소위 하이픽스(Hi-Fix)라 하는 테스트보드(85) 상의 테스트소켓(86)에 장착하여 소정의 온도하에서 테스트를 수행하는 테스트챔버(72)와; 상기 테스트챔버(72)의 일측에 설치되어, 테스트챔버(72)를 통해 이송된 테스트 트레이를 후방에서부터 전방으로 한 스텝(step)씩 단계적으로 이송시키면서 테스트 완료된 반도체 소자를 초기의 상온 상태로 복귀시키는 디프로스팅챔버(defrosting chamber)(73)로 구성된다.
상기 테스트챔버(72)에는 테스트 트레이(T)의 캐리어(C) 상에 장착된 반도체 소자를 테스트보드(85) 쪽으로 밀어 테스트 소켓(86)에 장착 및 해제하여 주는 푸싱유니트(90)가 설치되어 있으며, 이 푸싱유니트(90)에는 테스트중인 반도체 소자의 발열을 억제하는 발열보상장치로서 건조공기와 액화질소의 혼합 냉각유체를 분사하는 노즐 어셈블리(170)가 고정되게 설치되어 있다.
또한, 상기 테스트보드(85)의 각 테스트 소켓(86)에는 반도체 소자(S)와 면접촉하며 반도체 소자를 냉각시킴으로써 상기 노즐 어셈블리(170)와 함께 발열 보상작용을 하는 알루미늄 재질의 히트싱크(180)가 부착되어 있으며, 상기 히트싱크(180)에는 온도를 실시간으로 검출하여 핸들러의 제어부(190)(도 3참조)로 전달하는 온도센서(181)가 내장된다.
상기 히트싱크(180)는 내부에 냉매가 채워진 히트파이프(미도시)가 부착되어 방열작용을 하게 된다.
도 3은 상기와 같은 발열보상장치의 구성을 상세히 설명하는 도면으로, 발열보상장치는 액화질소(LN2)를 공급하는 액화질소 공급원(110)과, 건조공기(Dry Air)를 공급하는 건조공기 공급원(120)과, 상기 액화질소 공급원(110)과 건조공기 공급원(120)과 연결되어 액화질소와 건조공기를 균일하게 혼합하여 상기 노즐 어셈블리(170)로 공급하는 혼합기(130) 및, 상기 노즐 어셈블리(170)와 히트싱크(180)로 구성된다.
그리고, 상기 액화질소 공급원(110)과 혼합기(130)를 연결하는 유로 상에는 혼합기(130)로 공급되는 액화질소의 양을 제어하는 제 1솔레노이드밸브(150)가 설치되고, 상기 건조공기 공급원(120)과 혼합기(130)를 연결하는 유로 상에는 혼합기(130)로 공급되는 건조공기의 양을 제어하는 제 2솔레노이드밸브(160)가 설치되는데, 상기 제 1솔레노이드밸브(150)와 제 2솔레노이드밸브(160)는 핸들러의 작동을 제어하는 제어부(190)에 의해 전기적으로 작동하도록 되어 있다.
또한, 상기 혼합기(130)와 노즐 어셈블리(170)를 연결하는 유로 상에는 필터 어셈블리(140)가 설치되어 있는데, 이 필터 어셈블리(140)는 액상의 액화질소를 미립자화시킴으로써 입자가 큰 액상의 액화질소가 노즐 어셈블리(170)를 통해 분사되어 반도체 소자에 부착되는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기와 같이 구성된 발열보상장치의 발열 보상방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 발열 보상방법은 폐쇄(closed) 모드, 개방(open)모드, 모델 레퍼런스(model reference)모드의 세가지로 구부되는데, 상기 세가지 모드중 일부 또는 전부가 적용될 수 있다.
따라서 작업자는 먼저, 상기 세가지 모드중 현재 테스트할 반도체 소자를 고려하여 하나를 선택하고 테스트를 수행한다.
먼저, 폐쇄모드에 대하여 도 4를 참조하여 설명하기로 한다.
작업자의 선택에 따라 폐쇄모드에 진입하고 핸들러의 작동이 개시되면, 상기 테스트챔버(72) 내부는 별도의 전열히터 또는 액화질소 분사시스템과 같은 온도 조성 수단에 의해 소정의 온도상태로 된다.
한편, 컨트롤 유닛(190)은 제 1솔레노이드밸브(150)와 제 2솔레노이드밸브(160)를 제어하여 액화질소 공급원(110)과 건조공기 공급원(120)으로부터 혼합기(130)에 액화질소 및 건조공기가 공급되어 혼합되고, 이 혼합기(130)에서 혼합된 액화질소와 건조공기의 혼합 냉각유체는 필터 어셈블리(140)를 거친 다음 노즐 어셈블리(170)를 통해 온도센서(181)로 분사되도록 한다(S41).
그리고 혼합 냉각유체가 기체 상태인지 판단한다(S42).
이때 혼합 냉각유체를 분사하고 상기 온도센서(181)를 통해 온도변화를 체크하여 온도변화 기울기가 즉, 온도변화폭이 일정값 이상일 경우 기체로 판단하고 그렇지 않을 경우 액체로 판단하는 것이다. 이는 액화질소의 특성상 액체인 경우 냉각능력이 저하되는 특성을 이용한 것으로 혼합기(130)에서 공급되는 혼합 냉각유체가 초기에는 액체상태일 경우가 있기 때문이다.
이어서 컨트롤 유닛(190)은 혼합 냉각유체가 기체로 판단되면 혼합 냉각유체 분사를 중지하고 기설정된 순서에 따라 핸들러가 반도체 소자(S)를 테스트 소켓(86)에 접속시켜 테스트를 시작한다(S43).
이때 반도체 소자(S)들이 장착된 테스트 트레이(T)가 테스트챔버(72)로 이송되어 푸싱유니트(90)와 테스트보드(85) 사이에 위치하게 되면, 푸싱유니트(90)가 테스트보드(85) 쪽으로 이동하여 테스트 트레이(T)의 캐리어(C)에 장착된 반도체 소자(S)들을 테스트 소켓(86)에 접속된다.
그리고 컨트롤 유닛(190)은 실시간으로 온도센서(181)에서 측정된 반도체 소자 온도의 변화량을 체크하여 설정값이상인지 판단한다(S44).
이어서 상기 판단결과(S44), 반도체 소자 온도 변화량이 설정값 이상이면 상기 노즐 어셈블리(170)를 통해 반도체 소자(S)에 혼합 냉각유체가 분사되도록 한다(S45).
그리고 상기 단계(S45)와 같이 혼합 냉각유체가 반도체 소자(S)에 분사되도록 한뒤 반도체 소자 온도를 계속 체크하여 반도체 소자 온도 변화량이 설정값 미만으로 줄어드는지 판단하고(S46), 반도체 소자 온도 변화량이 설정값 미만으로 줄어들면 혼합 냉각유체 분사가 중지되도록 한다(S47).
상기 단계(S44 ~ S47)와 같이, 컨트롤 유닛(190)은 반도체 소자 온도변화를 실시간으로 체크하여 혼합 냉각유체를 분사하는 방식으로 테스트가 완료될 때까지(S48), 반도체 소자 온도를 원하는 수준으로 유지시킨다.
다음으로, 개방(open) 모드에 대하여 도 5를 참조하여 설명하기로 한다.
개방모드는 각 종류별 반도체 소자에 대해 발열 테스트를 수행하여 각 반도체 소자별로 발열시간에 상응하는 냉각시간을 설정한 데이터 테이블이 시스템에 저장되어 있다.
따라서 작업자의 선택에 따라 개방모드에 진입하고 핸들러의 작동이 개시되면, 상기 테스트챔버(72) 내부는 별도의 전열히터 또는 액화질소 분사시스템과 같은 온도 조성 수단에 의해 소정의 온도상태로 된다.
한편, 컨트롤 유닛(190)은 상술한 데이터 테이블로부터 현재 테스트할 반도체 소자에 해당하는 냉각시간을 설정한다(S51).
이어서 컨트롤 유닛(190)은 제 1솔레노이드밸브(150)와 제 2솔레노이드밸브(160)를 제어하여 액화질소 공급원(110)과 건조공기 공급원(120)으로부터 혼합기(130)에 액화질소 및 건조공기가 공급되어 혼합되고, 이 혼합기(130)에서 혼합된 액화질소와 건조공기의 혼합 냉각유체는 필터 어셈블리(140)를 거친 다음 노즐 어셈블리(170)를 통해 온도센서(181)로 분사되도록 한다(S52).
그리고 혼합 냉각유체가 기체 상태인지 판단한다(S53).
이때 혼합 냉각유체를 분사하고 상기 온도센서(181)를 통해 온도변화를 체크하여 온도변화 기울기가 즉, 온도변화폭이 일정값 이상일 경우 기체로 판단하고 그렇지 않을 경우 액체로 판단하는 것이다. 이는 액화질소의 특성상 액체인 경우 냉각능력이 저하되는 특성을 이용한 것으로 혼합기(130)에서 공급되는 혼합 냉각유체가 초기에는 액체상태일 경우가 있기 때문이다.
이어서 컨트롤 유닛(190)은 혼합 냉각유체가 기체로 판단되면 혼합 냉각유체 분사를 중지하고 기설정된 순서에 따라 핸들러가 반도체 소자(S)를 테스트 소켓(86)에 접속시켜 테스트를 시작한다(S54).
이때 반도체 소자(S)들이 장착된 테스트 트레이(T)가 테스트챔버(72)로 이송되어 푸싱유니트(90)와 테스트보드(85) 사이에 위치하게 되면, 푸싱유니트(90)가 테스트보드(85) 쪽으로 이동하여 테스트 트레이(T)의 캐리어(C)에 장착된 반도체 소자(S)들을 테스트 소켓(86)에 접속된다.
그리고 컨트롤 유닛(190)은 상기 제 1솔레노이드밸브(150)와 제 2솔레노이드밸브(160)를 제어하여 상기 설정된 냉각시간동안 반도체 소자(S)에 혼합 냉각유체가 분사되도록 한다(S55). 이어서 테스트가 완료되면(S56) 종료한다.
다음으로, 모델 레퍼런스 모드에 대하여 설명하기로 한다.
모델 레퍼런스 모드는 폐쇄모드와 개방모드를 혼합한 것이다.
즉, 폐쇄모드는 실시간 온도체크 및 피드백을 통해 반도체 소자(S)의 온도변화 특성에 상관없이 항상 일정한 온도수준으로 유지되도록 혼합 냉각유체 분사가 조절되는 방식이며, 개방모드는 설정시간동안 일정하게 혼합 냉각유체를 반도체 소자(S)에 분사하므로 반도체 소자 자체의 온도변화 특성은 그대로 유지되는 방식인데 반하여, 모델 레퍼런스 모드는 실시간 온도체크 및 피드백은 수행되지 않지만 반도체 소자(S)의 온도변화 특성에 따라 혼합 냉각유체 분사가 조절되는 방식이다.
따라서 컨트롤 유닛(190)은 각 종류별 반도체 소자에 대한 초기 테스트시 상술한 온도센서(181)를 통해 시간에 따른 온도변화 특성을 검출하여 저장한다.
이후 동일 종류의 반도체 소자 테스트시 기저장된 시간에 따른 온도변화 특성에 맞도록 시간별로 혼합 냉각유체 분사를 조절하므로 반도체 소자 자체의 발열특성을 그대로 유지하고 그 온도값만 허용범위 이내를 유지하도록 한다.
그리고 다른 종류의 반도체 소자가 적용될 경우 상술한 방식을 반복한다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 발열보상 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 반도체 소자에 직접 냉각유체를 분사하고 그 온도변화를 실시간 체크하여 원하는 온도로 유지시키므로 테스트 환경을 최적화할 수 있고 결국, 테스트 수율을 향상시킬 수 있다.
둘째, 폐쇄 모드, 개방 모드, 모델 레퍼런스 모드 등 다양한 모드를 선택적으로 또는 동시에 적용하여 선택사용 가능하므로 사용자의 편의를 극대화시킬 수 있다.
도 1은 테스트 핸들러 구성의 일례를 개략적으로 나타낸 평면도
도 2의 도 1의 테스트 사이트의 주요 부분을 개략적으로 나타낸 요부 단면도
도 3은 본 발명에 따른 발열 보상장치의 구성도
도 4는 본 발명에 따른 발열 보상방법의 제1 실시예를 나타낸 플로우챠트
도 5는 본 발명에 따른 발열 보상방법의 제2 실시예를 나타낸 플로우챠트
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
70 : 챔버부 72 : 테스트챔버
85 : 테스트보드 86 : 테스트소켓
90 : 푸싱유니트 110 : 액화질소 공급원
120 : 건조공기 공급원 130 : 혼합기
140 : 필터 어셈블리 150, 160 : 제 1,2솔레노이드밸브
170 : 노즐 어셈블리 180 : 히트싱크
181 : 온도센서 190 : 제어부
C : 캐리어 S : 반도체 소자
T : 테스트 트레이

Claims (5)

  1. 냉각유체 공급수단과, 상기 냉각유체 공급수단에서 공급되는 유체를 각 테스트 소켓에 접속된 반도체 소자로 분사하는 노즐 어셈블리, 상기 냉각유체 공급수단을 제어하는 제어수단 및 상기 반도체 소자의 온도를 실시간으로 측정하여 상기 제어수단에 출력하는 온도센서를 구비한 핸들러에 있어서,
    테스트 대상이되는 반도체 소자를 소켓에 장착하기 전에 상기 냉각유체 공급수단을 제어하여 냉각유체가 분사되도록 하여 상기 냉각 유체가 기체상태인 것으로 판단되면 반도체 소자를 소켓에 장착하여 테스트를 시작하는 단계,
    상기 온도센서의 측정값을 실시간으로 피드백받아 그 변화량을 검출하고 설정값과 비교하는 단계,
    상기 비교결과 측정값 변화량이 설정값 이상이면 상기 냉각유체 공급수단을 제어하여 상기 반도체 소자로 냉각유체가 분사되도록 하는 단계,
    상기 비교결과 측정값 변화량이 설정값 미만이면 상기 냉각유체 공급수단을 제어하여 상기 반도체 소자로의 냉각유체 분사를 중지시키는 단계를 포함하는 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법.
  2. 제1 항에 있어서, 냉각 유체가 기체상태인가를 판단하는 단계는 온도센서의 온도측정값 변화에 따라 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법.
  3. 냉각유체 공급수단과, 상기 냉각유체 공급수단에서 공급되는 냉각유체를 각 테스트 소켓에 접속된 반도체 소자로 분사하는 노즐 어셈블리, 상기 냉각유체 공급수단을 제어하는 제어수단을 구비하는 핸들러에 있어서,
    반도체 소자 모델별로 테스트를 수행하여 온도변화특성을 검출하고 상기 검출된 온도변화특성에 따른 냉각구간을 테이블화하는 단계,
    테스트 대상이되는 반도체 소자를 소켓에 장착하기 전에 상기 냉각유체 공급수단을 제어하여 냉각유체가 분사되도록 하여 상기 냉각 유체가 기체상태인 것으로 판단되면 반도체 소자를 소켓에 장착하여 테스트를 시작하는 단계,
    상기 테이블값을 기준으로 상기 반도체 소자에 해당하는 냉각구간동안 상기 냉각유체 공급수단을 제어하여 상기 반도체 소자에 냉각유체가 분사되도록 하는 단계를 포함하는 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법.
  4. 삭제
  5. 냉각유체 공급수단과, 상기 냉각유체 공급수단에서 공급되는 냉각유체를 각 테스트 소켓에 접속된 반도체 소자로 분사하는 노즐 어셈블리, 상기 냉각유체 공급수단을 제어하는 제어수단 및 상기 반도체 소자의 온도를 실시간으로 측정하여 상기 제어수단에 출력하는 온도센서를 구비한 핸들러에 있어서,
    모델별 반도체 소자의 초기 테스트시 상기 온도센서를 이용하여 시간에 따른 온도변화특성을 검출하여 저장하는 단계,
    이후 소정 반도체 소자 테스트시 기저장된 상기 반도체 소자에 해당하는 온도변화특성이 기설정된 테스트 온도범위 이내로 되도록 상기 냉각유체 공급수단을 제어하여 해당 반도체 소자에 냉각유체가 분사되도록 하는 단계를 포함하고,
    테스트 대상이되는 반도체 소자를 소켓에 장착하기 전에 상기 냉각유체 공급수단을 제어하여 냉각유체가 분사되도록 하여 상기 냉각 유체가 기체상태인 것으로 판단되면 테스트를 시작하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법.
KR10-2002-0043677A 2002-07-24 2002-07-24 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법 KR100479988B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0043677A KR100479988B1 (ko) 2002-07-24 2002-07-24 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법
US10/366,576 US7008804B2 (en) 2002-07-24 2003-02-14 Methods for compensating for a test temperature deviation
JP2003055938A JP3916574B2 (ja) 2002-07-24 2003-03-03 半導体素子テストハンドラの発熱補償方法
CNB031218431A CN1198189C (zh) 2002-07-24 2003-04-21 用于补偿测试温度偏差的方法
CNB2004100956100A CN100489720C (zh) 2002-07-24 2003-04-21 用于补偿测试温度偏差的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0043677A KR100479988B1 (ko) 2002-07-24 2002-07-24 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040009663A KR20040009663A (ko) 2004-01-31
KR100479988B1 true KR100479988B1 (ko) 2005-03-30

Family

ID=30439392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0043677A KR100479988B1 (ko) 2002-07-24 2002-07-24 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7008804B2 (ko)
JP (1) JP3916574B2 (ko)
KR (1) KR100479988B1 (ko)
CN (2) CN1198189C (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2404009B (en) * 2003-07-17 2005-06-15 Enfis Ltd Cooling method and apparatus
JP3850413B2 (ja) * 2004-02-16 2006-11-29 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント 電子デバイス冷却装置、電子デバイス冷却方法、電子デバイス冷却制御プログラム及びそれを格納した記録媒体
JP4512815B2 (ja) * 2004-07-30 2010-07-28 エスペック株式会社 バーンイン装置
JP4426396B2 (ja) * 2004-07-30 2010-03-03 エスペック株式会社 冷却装置
CN100520660C (zh) * 2005-05-19 2009-07-29 南京大学 基于特征信息的快速稳定温度控制方法
US20070030019A1 (en) 2005-08-04 2007-02-08 Micron Technology, Inc. Power sink for IC temperature control
US20090314607A1 (en) * 2006-07-27 2009-12-24 Advantest Corporation Electronic device conveying method and electronic device handling apparatus
EP1959262A1 (en) * 2007-02-19 2008-08-20 Eles Semiconductor Equipment S.P.A. Test of electronic devices using boards without sockets
MY152599A (en) * 2007-02-14 2014-10-31 Eles Semiconductor Equipment S P A Test of electronic devices at package level using test boards without sockets
EP1959265A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-20 Eles Semiconductor Equipment S.P.A. Testing integrated circuits on a wafer with a cartridge leaving exposed a surface thereof
CN101650374B (zh) * 2008-08-12 2011-07-20 中茂电子(深圳)有限公司 具变温装置的半导体组件测试座及测试机台
JP2012525002A (ja) * 2009-04-21 2012-10-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板冷却制御
FR2948766B1 (fr) * 2009-07-31 2012-05-04 Peugeot Citroen Automobiles Sa Procede d'analyse de la robustesse d'equipement(s) en fonction des conditions pouvant regner dans leur futur environnement
JP5375745B2 (ja) * 2010-06-02 2013-12-25 富士電機株式会社 試験装置および試験方法
JP5734081B2 (ja) * 2010-10-18 2015-06-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理装置の温度制御方法、及び基板処理装置の加熱方法
CN102520336A (zh) * 2011-12-20 2012-06-27 西安炬光科技有限公司 半导体激光器老化及寿命测试保护***
KR20140065507A (ko) * 2012-11-15 2014-05-30 삼성전기주식회사 반도체 소자의 시험 장치 및 반도체 소자의 시험 방법
EP2808652B1 (en) * 2013-05-31 2016-11-16 Sensirion AG Portable electronic device with integrated temperature sensor being compensated by other sensing data
US9482464B1 (en) 2013-10-18 2016-11-01 EMC IP Holding Company, LLC Controlling temperature of a test chamber which is equipped with a refrigerant cooling subsystem and a liquid nitrogen cooling subsystem
CN103885408B (zh) * 2014-03-11 2016-08-17 潍柴动力股份有限公司 一种控制被测样件运行的方法和装置
KR102390982B1 (ko) * 2015-01-30 2022-04-28 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그 구동 장치 및 방법
CN108254598B (zh) * 2016-12-29 2021-08-17 深圳开阳电子股份有限公司 一种测量信号的温度补偿电路
CN110877523B (zh) * 2018-09-06 2021-02-23 郑州宇通客车股份有限公司 一种车辆冷却控制方法及装置
KR102536180B1 (ko) * 2018-11-13 2023-05-24 세메스 주식회사 테스트 챔버의 내부 온도 측정 장치 및 이를 이용하여 테스트 챔버의 내부 온도를 교정하는 방법
CN112177757A (zh) * 2020-09-18 2021-01-05 广州联优科技有限公司 一种船舶发动机的防护装置
CN112098814B (zh) * 2020-11-04 2021-02-19 上海菲莱测试技术有限公司 一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1090348A (ja) * 1996-09-19 1998-04-10 Nec Corp 低温試験方法および低温試験装置
KR19980066300A (ko) * 1997-01-22 1998-10-15 김광호 웨이퍼 온도 제어 장치
JP2000017519A (ja) * 1998-04-30 2000-01-18 Teijin Ltd 多分割性中空ポリエステル繊維並びにこの繊維を用いてなる織編物、人工皮革及び不織布
KR20030058234A (ko) * 2001-12-29 2003-07-07 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 프로버 척의 온도조절용 냉각 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5992159A (en) * 1995-05-25 1999-11-30 Edwards; Christopher Francis Method and apparatus for heat extraction by controlled spray cooling
US5943211A (en) * 1997-04-18 1999-08-24 Raytheon Company Heat spreader system for cooling heat generating components
US6091062A (en) * 1998-01-27 2000-07-18 Kinetrix, Inc. Method and apparatus for temperature control of a semiconductor electrical-test contractor assembly
SG98373A1 (en) * 1998-11-25 2003-09-19 Advantest Corp Device testing apparatus
US6108201A (en) * 1999-02-22 2000-08-22 Tilton; Charles L Fluid control apparatus and method for spray cooling
US6552561B2 (en) * 2000-07-10 2003-04-22 Temptronic Corporation Apparatus and method for controlling temperature in a device under test using integrated temperature sensitive diode
US6550263B2 (en) * 2001-02-22 2003-04-22 Hp Development Company L.L.P. Spray cooling system for a device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1090348A (ja) * 1996-09-19 1998-04-10 Nec Corp 低温試験方法および低温試験装置
KR19980066300A (ko) * 1997-01-22 1998-10-15 김광호 웨이퍼 온도 제어 장치
JP2000017519A (ja) * 1998-04-30 2000-01-18 Teijin Ltd 多分割性中空ポリエステル繊維並びにこの繊維を用いてなる織編物、人工皮革及び不織布
KR20030058234A (ko) * 2001-12-29 2003-07-07 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 프로버 척의 온도조절용 냉각 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN100489720C (zh) 2009-05-20
KR20040009663A (ko) 2004-01-31
US7008804B2 (en) 2006-03-07
JP2004061488A (ja) 2004-02-26
CN1652052A (zh) 2005-08-10
CN1198189C (zh) 2005-04-20
CN1470966A (zh) 2004-01-28
JP3916574B2 (ja) 2007-05-16
US20040019452A1 (en) 2004-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100479988B1 (ko) 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상방법
KR100542126B1 (ko) 반도체 소자 테스트 핸들러
US20060244472A1 (en) Temperature control apparatus
KR100432628B1 (ko) 전자부품 시험장치 및 전자부품 시험방법
KR100875527B1 (ko) 온도 제어 장치 및 온도 제어 방법
US10627441B2 (en) Apparatus for testing semiconductor package
US6970007B2 (en) Semiconductor device low temperature test apparatus using electronic cooling element
JPH08340030A (ja) バーンイン装置およびバーンイン用ウエハトレイ
KR100380963B1 (ko) 모듈램 테스트 핸들러
KR102123244B1 (ko) 반도체소자 테스트용 핸들러와 테스터용 인터페이스보드
JP3435410B2 (ja) 低温試験装置及び低温試験方法
KR100476243B1 (ko) 반도체 소자 테스트 핸들러의 발열 보상장치
JPH11345870A (ja) 多段容器の温度管理装置
US6144215A (en) Setup for testing an integrated circuit in a semiconductor chip wherein the temperature of the semiconductor chip is controlled
JPH11142469A (ja) 低高温電気特性測定方法および装置
KR20180012972A (ko) 반도체 소자 검사 장치
KR100505070B1 (ko) 반도체 소자 테스트 핸들러의 소자 온도 측정장치
KR100428031B1 (ko) 반도체 소자 테스트 핸들러
KR100505071B1 (ko) 반도체 소자 테스트 핸들러의 소자 온도 측정장치
KR100505072B1 (ko) 반도체 소자 테스트 핸들러의 소자 온도 측정장치
JP2001051012A (ja) 半導体試験システムおよび試験温度安定制御方法
US20230083489A1 (en) Coolant supplying apparatus, and temperature controlling apparatus and test handler including the same
JP4947467B2 (ja) 電子部品試験装置および電子部品の試験方法
KR100888054B1 (ko) 냉각장치를 포함한 웨이퍼 검사 시스템
KR20050052836A (ko) 질소 공급부를 갖는 반도체 패키지 테스트 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100304

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee