JP2004061488A - 半導体素子テストハンドラの発熱補償方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子の温度テスト中、半導体素子自体の発熱による温度偏差を補償することによって、正確な温度下でテストを遂行できるようにした半導体素子テストハンドラの発熱補償方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体素子をソケットに装着してテストを開始する段階と、温度センサの測定値をリアルタイムにフィードバックしてその変化量を検出し、設定値と比較する段階と、その比較の結果、測定値の変化量が設定値以上であるときは、冷却流体供給手段を制御して半導体素子に冷却流体を噴射するようにする段階と、その比較の結果、測定値の変化量が設定値未満であるときは、冷却流体供給手段を制御して半導体素子への冷却流体噴射を中断する段階とを含むので、テスト環境を最適化してテスト歩留まりを向上させることができる。
【選択図】 図３
【解決手段】本発明は、半導体素子をソケットに装着してテストを開始する段階と、温度センサの測定値をリアルタイムにフィードバックしてその変化量を検出し、設定値と比較する段階と、その比較の結果、測定値の変化量が設定値以上であるときは、冷却流体供給手段を制御して半導体素子に冷却流体を噴射するようにする段階と、その比較の結果、測定値の変化量が設定値未満であるときは、冷却流体供給手段を制御して半導体素子への冷却流体噴射を中断する段階とを含むので、テスト環境を最適化してテスト歩留まりを向上させることができる。
【選択図】 図３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子をテストするためのハンドラ装置に関するもので、特に、半導体素子を電気的に接続して所定の温度下でテストする間、半導体素子の自己発熱による温度偏差を補償することによって正確な温度下で半導体素子のテストを行うことができるようにした半導体素子テストハンドラの発熱補償方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
メモリ又は非メモリ半導体素子及びそれらを適切に一つの基板上に回路的に構成したモジュールは、通常、製造後に各種テスト過程を経てから出荷される。ハンドラは、斯かるテスト工程において半導体素子及びモジュールの自動移送及びテストに用いられる装置であって、ローディングスタッカに半導体素子又はモジュールを収納したトレイが積載されると、ピッカロボットがテストする半導体素子又はモジュールをテストサイトに移送しテストソケットに接続させて所定のテストを行い、更にピッカロボットがテスト済みの半導体素子又はモジュールをアンローディングスタッカに移送して、指定されたトレイにテストの結果別に分類する過程を行う。
【０００３】
通常、斯かるハンドラのうち大部分が常温状態における一般的な性能テストのみならず、密閉されたチャンバ内に電熱ヒータ及び液体窒素噴射システムにより高温及び低温の極限の温度状態の環境を造成して半導体素子及びモジュールがそのような極限温度条件でも正常に機能するかどうかをテストする高温テスト及び低温テストも、行うことができるように構成されている。
【０００４】
ところが、上述のように半導体素子の温度テストが可能なハンドラでテストを行うとき、半導体素子をテストソケットに電気的に接続してテストを行う間に、半導体素子自体から所定の熱が発生する発熱現象があり、これによってユーザの所望する正確な温度でのテストがなされない場合が発生する。斯かる現象は、最近の半導体素子の小型化及び高集積化の傾向に従って深刻化しつつあり、テスト及び実際の使用環境において解決することが必要な問題となっている。
【０００５】
例えば、高温テスト時に、ユーザがチャンバ内部の温度を８０℃に設定してテストを行う場合、半導体素子自体の発熱現象がなかったら、設定テスト温度の８０℃でテストが可能であるが、テストの間、半導体素子から熱が発生して温度偏差が１５℃程度発生すると、実際のテストは９５℃で行われる。
【０００６】
従って、半導体素子は設定テスト温度より高い温度でテストがなされ、これによって正確な温度範囲内でのテストが行われず、歩留まり及び信頼性が低下するという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためのもので、半導体素子をハンドラのテストソケットに接続してテストする間、各半導体素子から発生する自己発熱による温度上昇を抑制してユーザが所望する正確な温度範囲でテストを行うことができるようにした半導体素子テスト用ハンドラの発熱補償方法を提供することが目的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明によると、冷却流体供給装置と、上記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、少なくとも一つの半導体素子をテストソケットに装着してテストを開始する段階と、半導体素子の温度変化をリアルタイムに測定する段階と、上記測定した温度変化を既に設定した温度変化と比較する段階と、比較の結果、測定した温度変化が設定値以上であるときは、上記冷却流体供給装置を制御して上記半導体素子へ冷却流体が噴射されるようにする段階と、比較の結果、測定した温度変化が設定値未満であるときは、上記冷却流体供給装置を制御して上記半導体素子への冷却流体の噴射を中断する段階と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の他の一実施形態によると、冷却流体供給装置と、上記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、半導体素子のモデル別にテストを行って温度変化特性を検出し、該検出した温度変化特性による冷却期間をテーブル化して上記制御部に蓄積する段階と、半導体素子をソケットに装着してテストを開始する段階と、上記テーブルにおいて半導体素子に対応する冷却期間の間、上記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の他の一実施形態によると、冷却流体供給装置と、上記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、所定タイプの半導体素子をテストソケットに装着する段階と、上記半導体素子の初テスト時に決定される半導体素子の時間による温度変化特性を検出して蓄積する段階と、以降の半導体素子のテスト時に、上記蓄積した半導体素子の時間による温度変化特性に相応するように、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の噴射を制御する段階と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の他の一実施形態によると、冷却流体供給装置と、上記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続された半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、少なくとも一つの半導体素子をテストソケットに装着してテストを開始する段階と、テスト中に半導体素子により生成する熱を補償するために、テスト中に発生する半導体素子の温度変化に基づいて冷却流体の噴射を制御するようにする段階と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図１，図２Ａ及び図２Ｂは、本発明に係る発熱補償方法を実施する発熱補償装置が適用されたハンドラの構成の一例を示したものである。まず、ハンドラの構成及び動作について簡単に説明する。
【００１３】
ハンドラの前方部には、テストする半導体素子を多数個収納している顧客用トレイを積載するローディング部１０が取り付けられ、該ローディング部１０の一方には、テスト済みの半導体素子がテスト結果に応じて分類されて顧客用トレイに収納されるアンローディング部２０が取り付けられる。
【００１４】
また、ハンドラの中間部分の両側部には、上記ローディング部１０から移送されてきた半導体素子を一時的に装着するバッファ部４０が前後進可能に取り付けられており、それらのバッファ部４０の間には、バッファ部４０の、テストする半導体素子を移送してテストトレイＴに再装着する作業と、テストトレイのテスト済みの半導体素子をバッファ部４０に装着する作業とがなされるように交換部５０が配設されている。
【００１５】
上記ローディング部１０及びアンローディング部２０が配置されたハンドラの前方部と、上記交換部５０及びバッファ部４０が配置されたハンドラ中間部の間には、Ｘ−Ｙ軸に沿って線形運動しながら半導体素子をピックアップして移送する第１ピッカロボット３１と第２ピッカロボット３２とが各々取り付けられ、上記第１ピッカロボット３１は、ローディング部１０及びアンローディング部２０とバッファ部４０との間を移動し半導体素子を移送する役割を担い、上記第２ピッカロボット３２は、バッファ部４０と交換部５０との間を移動し半導体素子を移送する。
【００１６】
また、ハンドラの後方部には、多数個に分割した密閉チャンバの中に、電熱ヒータ又は液体窒素噴射システム（図示せず）等を用いて高温又は低温の環境を造成した半導体素子が装着されたテストトレイＴを順次に移送し、半導体素子を所定の温度条件下でテストするチャンバ部７０が取り付けられている。
【００１７】
ここで、上記チャンバ部７０は、上記交換部５０から移送されてきたテストトレイＴを前方から後方に一ステップずつ段階的に移送し半導体素子を所定の温度に加熱又は冷却させるようになっている予熱チャンバ７１と、上記予熱チャンバの片側に連接して取り付けられ、予熱チャンバ７１を介して移送したテストトレイＴの半導体素子を、外部のテスト装備８０に連結した、いわゆるハイフィックス（Ｈｉ−Ｆｉｘ）というテストボード８５上のテストソケット８６に装着して所定の温度下でテストを行うテストチャンバ７２と、上記テストチャンバ７２の片側に取り付けられ、テストチャンバ７２を介して移送されたテストトレイを後方から前方に一ステップずつ段階的に移送させながらテスト済みの半導体素子を初期の常温状態に復帰させるディフロスティング（ｄｅｆｒｏｓｔｉｎｇ）チャンバ７３とからなる。
【００１８】
上記テストチャンバ７２には、テストトレイＴのキャリアＣ上に装着した半導体素子をテストボード８５側に押圧してテストソケット８６に装着及び脱去するプッシングユニット９０が取り付けられ、該プッシングユニット９０には、テスト中の半導体素子の発熱を抑制する発熱補償装置として、乾燥空気と液体窒素との混合冷却流体を噴射するノズルアセンブリ１７０が固設されている。
【００１９】
また、上記テストボード８５の各テストソケット８６には、半導体素子Ｓと面接触して半導体素子を冷却することによって上記ノズルアセンブリ１７０と共に発熱補償作用をするアルミニウム材質のヒートシンク１８０が付着され、上記ヒートシンク１８０には、温度をリアルタイムに検出してハンドラの制御部１９０（図３参照）に伝える温度センサ１８１が内蔵されている。
【００２０】
上記ヒートシンク１８０は、内部に冷媒が満たされたヒートパイプ（図示せず）を付着して放熱作用を行う。
【００２１】
図３は、上記のような発熱補償装置１００の構成を詳細に説明する図である。
【００２２】
発熱補償装置１００は、液体窒素（ＬＮ２）を供給する液体窒素供給源１１０と、乾燥空気を供給する乾燥空気供給源１２０と、上記液体窒素供給源１１０と乾燥空気供給源１２０とに連結して液体窒素と乾燥空気とを均一に混合して上記ノズルアセンブリ１７０に供給する混合機１３０と、上記ノズルアセンブリ１７０と、ヒートシンク１８０とから構成されている。
【００２３】
また、上記液体窒素供給源１１０と混合機１３０とを連結する流路上には、混合機１３０に供給される液体窒素の量を制御する第１ソレノイドバルブ１５０が取り付けられ、上記乾燥空気供給源１２０と混合機１３０とを連結する流路上には、混合機１３０に供給される乾燥空気の量を制御する第２ソレノイドバルブ１６０が取り付けられ、上記第１ソレノイドバルブ１５０及び第２ソレノイドバルブ１６０は、ハンドラの動作を制御する制御部１９０によって電気的に動作するようになっている。
【００２４】
また、上記混合機１３０とノズルアセンブリ１７０とを連結する流路上には、フィルタアセンブリ１４０が取り付けられ、該フィルタアセンブリ１４０は、液状の液体窒素を微粒子化することにより、粒子の大きい液状の液体窒素がノズルアセンブリ１７０のノズル１７０Ａを通じて噴射されて半導体素子に付着することを防止する役割を果たしている。
【００２５】
以下、上記のように構成した発熱補償装置を用いて発熱補償を行う方法に対して説明する。
【００２６】
本発明に係る発熱補償方法は、閉鎖モード、開放モード、モデル参照モードの三つに区分されるが、上記三つのモードのうちの一部を選択的に適用するか又はこれらの全部を適用することができる。
【００２７】
従って、作業者はまず、現在テストする半導体素子を考慮して上記三つのモードの中から一つを選択しテストを行う。
【００２８】
まず、閉鎖モードについて図４を参照して説明する。
作業者の選択によって閉鎖モードに進入し、ハンドラの動作が開始すると、上記テストチャンバ７２の内部は、別の電熱ヒータ又は液体窒素噴射システムのような温度造成手段によって所定の温度状態になる。
【００２９】
尚、制御部１９０は、第１ソレノイドバルブ１５０と第２ソレノイドバルブ１６０とを制御して液体窒素供給源１１０と乾燥空気供給源１２０とから混合機１３０に液体窒素及び乾燥空気を供給しつつ混合し、該混合機１３０で混合した液体窒素と乾燥空気との混合冷却流体は、フィルタアセンブリ１４０を経た後ノズルアセンブリ１７０を通じて温度センサ１８１に噴射されるようにする（Ｓ４１）。
【００３０】
このとき、管路上に液状の液体窒素が残っている場合には、噴射初期に液状の液体窒素がそのまま外部に噴射されて半導体素子に付着することになり、このように液体窒素が気体状態で噴射されずに液体状態で噴射される場合には、温度低下能力が低下するので、半導体素子を短時間内に所望の温度に低下させることができなくなる。
【００３１】
従って、半導体素子をテストソケットに接続してテストを行う前に、上記温度センサ１８１によって感知した温度変化率を用いて制御部１９０で混合冷却流体が気体状態であるか又は液体状態であるかを判断するようになっている（Ｓ４２）。
【００３２】
斯かる混合冷却流体の状態判断段階（Ｓ４２）では、温度変化率が一定値以下の場合には液体状態の液体窒素が含まれたものと判断して、気体状態の混合冷却流体だけを噴射するものと判断されるまで継続して混合冷却流体を噴射する。
【００３３】
また、温度変化率が一定値以上の場合には、噴射する混合冷却流体の状態が気体であると判断して制御部１９０が混合冷却流体の噴射を一時的に中断した後、既に設定した順序によってハンドラがテストトレイを進行して半導体素子Ｓをテストチャンバ７２側に進行させる（Ｓ４３）。
【００３４】
また、前述したように、半導体素子が装着されたテストトレイＴがテストチャンバ７２に移送されてプッシングユニット９０とテストボード８５との間に位置するようになると、プッシングユニット９０がテストボード８５側に移動してテストトレイＴのキャリアＣに装着された半導体素子をテストソケットに接続してテストを行う。
【００３５】
このとき、制御部１９０は、リアルタイムに温度センサ１８１で測定した半導体素子の温度の変化量をチェックして設定値以上であるかを判断する（Ｓ４４）。
【００３６】
次に、上記判断の結果（Ｓ４４）、半導体素子の温度変化量が設置値以上であれば、上記ノズルアセンブリ１７０を通じて半導体素子Ｓに混合冷却流体を噴射する（Ｓ４５）。
【００３７】
また、上記段階（Ｓ４５）のように混合冷却流体が半導体素子に噴射されるようにした後、半導体素子の温度をチェックし続けて半導体素子の温度変化量が設定値未満に低減しているかを判断し（Ｓ４６）、半導体素子の温度変化量が設定値未満に低減しているときは混合冷却流体の噴射を中断する（Ｓ４７）。
【００３８】
上記段階（Ｓ４４乃至Ｓ４７）のように、制御部１９０は、半導体素子の温度変化をリアルタイムにチェックして混合冷却流体を噴射する方式でテストが完了するまで（Ｓ４８）、半導体素子の温度を所望のレベルに維持する。
【００３９】
次に、開放モードについて図５を参照して説明する。
開放モードは、各種類別に半導体素子について発熱テストを行って各半導体素子別に発熱時間に相応する冷却時間を設定したデータテーブルをシステムに蓄積して該蓄積されたデータを用いる。
【００４０】
従って、作業者が開放モードを選択してハンドラの動作を開示すると、制御部１９０は、既に蓄積していたテーブルから現在テストする半導体素子に対応する冷却時間を設定しテストを進行する（Ｓ５１）。
【００４１】
次に、上記テストチャンバ７２の内部は、別の電熱ヒータ又は液体窒素噴射システムのような温度造成手段によって所定の温度状態になり、制御部１９０は、第１ソレノイドバルブ１５０と第２ソレノイドバルブ１６０とを制御して液体窒素供給源１１０と乾燥空気供給源１２０とから混合機１３０に液体窒素及び乾燥空気を供給する。上記混合機１３０で混合した液体窒素と乾燥空気との混合冷却流体は、フィルタアセンブリ１４０を経てノズルアセンブリ１７０を通じて温度センサ１８１に噴射される（Ｓ５２）。
【００４２】
このとき、前述した閉鎖モードのように同一の方式で温度センサ１８１によって感知された温度変化率を用いて噴射される混合冷却流体が気体状態であるか又は液体状態であるかを判断し（Ｓ５３）、もし混合冷却流体が液体状態であると判断されたときは、気体状態の混合冷却流体が噴射されていると判断されるまで継続して混合冷却流体を噴射して、液状の液体窒素が半導体素子に直接噴射されることを防止する。
【００４３】
また、噴射される混合冷却流体が気体であると判断されると、制御部１９０は、混合冷却流体の噴射を一時的に中断した後、既に設定された順序によってハンドラがテストトレイを進行させて半導体素子をテストチャンバ７２側に進行した後、テストソケット８６に半導体素子を接続させてテストを行う（Ｓ５４）。
【００４４】
このような半導体素子Ｓのテストがなされる間、制御部１９０は、上記第１ソレノイドバルブ１５０と第２ソレノイドバルブ１６０とを制御して上記設定した冷却時間の間、半導体素子に混合冷却流体が噴射されるようにする（Ｓ５５）。続いてテストが完了すると（Ｓ５６）、終了させる。
【００４５】
次に、モデル参照モードについて説明する。
モデル参照モードは、前述した閉鎖モードと開放モードとを組み合わせたものである。
【００４６】
即ち、閉鎖モードは、リアルタイム温度チェック及びフィードバックを通じて半導体素子の温度変化の特性に拘らず、常に一定した温度レベルに維持されるように混合冷却流体噴射を調節する方式であり、開放モードは、設定時間の間、混合冷却流体を一定に半導体素子に噴射するので、半導体素子自体の温度変化の特性はそのまま維持される方式であるのに対して、モデル参照モードは、リアルタイム温度チェック及びフィードバックは遂行せず、半導体素子の温度変化特性に沿って混合冷却流体の噴射を調節する方式である。
【００４７】
該モデル参照モードを更に詳しく説明すると、図６に示すように、モデル参照モードでは、段階Ｓ６１及びＳ６２は、図４に示す段階Ｓ４１及びＳ４２と同様である。
【００４８】
また、段階Ｓ６３で第一番目のテストトレイの半導体素子は、テストソケット８６に接続してテストが行われる。このとき、第一番目のテストの遂行中、制御部１９０は、温度センサ１８１を通じて時間に応じた半導体素子Ｓの温度変化特性を検出して蓄積する（Ｓ６４）。
【００４９】
また、制御部１９０は、上記テスト初期に蓄積された温度変化特性をその種類の半導体素子の温度変化のモデルとして仮定し、それ以降に進行する半導体素子のテスト時に、既に蓄積された、時間に応じた温度変化特性に相応するように時間帯別に混合冷却流体噴射量を調節し（Ｓ６５）、これによって半導体素子自体の発熱特性をそのまま維持し、その温度値だけ許容範囲内に維持されるようにする。
【００５０】
また、他の種類の半導体素子が適用される場合にも上述した方式を繰り返す。
【００５１】
以上、本発明の好適な一実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態のものに限定されるわけではなく、本発明の技術思想に基づいて種々の変形又は変更が可能である。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、次のような効果がある。
即ち、正確な温度範囲でテストが可能になりテストの正確性が向上する。
【００５３】
また、半導体素子に直接冷却流体を噴射し、その温度変化をリアルタイムチェックして所望の温度に維持するので、テスト環境を最適化することができ、テスト歩留まりを向上させることができる。
【００５４】
閉鎖モード、開放モード、モデル参照モード等、多様なモードを選択的に又は同時に適用して選択使用することにより、ユーザの便宜の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】テストハンドラ構成の一例を概略的に示した平面図。
【図２Ａ】図１におけるテストサイトの主要部分を概略的に示した要部断面図。
【図２Ｂ】図２Ａにおけるテストサイトの主要部分の一部を拡大して概略的に示した要部断面図。
【図３】本発明に係る発熱補償装置の構成図。
【図４】本発明に係る発熱補償方法の第１の実施の形態を示すフローチャート。
【図５】本発明に係る発熱補償方法の第２の実施の形態を示すフローチャート。
【図６】本発明に係る発熱補償方法の第２実施例を示すフローチャート。
【符号の説明】
７０ チャンバ部
７２ テストチャンバ
８５ テストボード
８６ テストソケット
９０ プッシングユニット
１１０ 液体窒素供給源
１２０ 乾燥空気供給源
１３０ 混合機
１４０ フィルタアセンブリ
１５０，１６０ 第１，第２ソレノイドバルブ
１７０ ノズルアセンブリ
１８０ ヒートシンク
１８１ 温度センサ
１９０ 制御部
Ｃ キャリア
Ｓ 半導体素子
Ｔ テストトレイ
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子をテストするためのハンドラ装置に関するもので、特に、半導体素子を電気的に接続して所定の温度下でテストする間、半導体素子の自己発熱による温度偏差を補償することによって正確な温度下で半導体素子のテストを行うことができるようにした半導体素子テストハンドラの発熱補償方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
メモリ又は非メモリ半導体素子及びそれらを適切に一つの基板上に回路的に構成したモジュールは、通常、製造後に各種テスト過程を経てから出荷される。ハンドラは、斯かるテスト工程において半導体素子及びモジュールの自動移送及びテストに用いられる装置であって、ローディングスタッカに半導体素子又はモジュールを収納したトレイが積載されると、ピッカロボットがテストする半導体素子又はモジュールをテストサイトに移送しテストソケットに接続させて所定のテストを行い、更にピッカロボットがテスト済みの半導体素子又はモジュールをアンローディングスタッカに移送して、指定されたトレイにテストの結果別に分類する過程を行う。
【０００３】
通常、斯かるハンドラのうち大部分が常温状態における一般的な性能テストのみならず、密閉されたチャンバ内に電熱ヒータ及び液体窒素噴射システムにより高温及び低温の極限の温度状態の環境を造成して半導体素子及びモジュールがそのような極限温度条件でも正常に機能するかどうかをテストする高温テスト及び低温テストも、行うことができるように構成されている。
【０００４】
ところが、上述のように半導体素子の温度テストが可能なハンドラでテストを行うとき、半導体素子をテストソケットに電気的に接続してテストを行う間に、半導体素子自体から所定の熱が発生する発熱現象があり、これによってユーザの所望する正確な温度でのテストがなされない場合が発生する。斯かる現象は、最近の半導体素子の小型化及び高集積化の傾向に従って深刻化しつつあり、テスト及び実際の使用環境において解決することが必要な問題となっている。
【０００５】
例えば、高温テスト時に、ユーザがチャンバ内部の温度を８０℃に設定してテストを行う場合、半導体素子自体の発熱現象がなかったら、設定テスト温度の８０℃でテストが可能であるが、テストの間、半導体素子から熱が発生して温度偏差が１５℃程度発生すると、実際のテストは９５℃で行われる。
【０００６】
従って、半導体素子は設定テスト温度より高い温度でテストがなされ、これによって正確な温度範囲内でのテストが行われず、歩留まり及び信頼性が低下するという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためのもので、半導体素子をハンドラのテストソケットに接続してテストする間、各半導体素子から発生する自己発熱による温度上昇を抑制してユーザが所望する正確な温度範囲でテストを行うことができるようにした半導体素子テスト用ハンドラの発熱補償方法を提供することが目的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明によると、冷却流体供給装置と、上記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、少なくとも一つの半導体素子をテストソケットに装着してテストを開始する段階と、半導体素子の温度変化をリアルタイムに測定する段階と、上記測定した温度変化を既に設定した温度変化と比較する段階と、比較の結果、測定した温度変化が設定値以上であるときは、上記冷却流体供給装置を制御して上記半導体素子へ冷却流体が噴射されるようにする段階と、比較の結果、測定した温度変化が設定値未満であるときは、上記冷却流体供給装置を制御して上記半導体素子への冷却流体の噴射を中断する段階と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の他の一実施形態によると、冷却流体供給装置と、上記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、半導体素子のモデル別にテストを行って温度変化特性を検出し、該検出した温度変化特性による冷却期間をテーブル化して上記制御部に蓄積する段階と、半導体素子をソケットに装着してテストを開始する段階と、上記テーブルにおいて半導体素子に対応する冷却期間の間、上記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の他の一実施形態によると、冷却流体供給装置と、上記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、所定タイプの半導体素子をテストソケットに装着する段階と、上記半導体素子の初テスト時に決定される半導体素子の時間による温度変化特性を検出して蓄積する段階と、以降の半導体素子のテスト時に、上記蓄積した半導体素子の時間による温度変化特性に相応するように、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の噴射を制御する段階と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の他の一実施形態によると、冷却流体供給装置と、上記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続された半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、少なくとも一つの半導体素子をテストソケットに装着してテストを開始する段階と、テスト中に半導体素子により生成する熱を補償するために、テスト中に発生する半導体素子の温度変化に基づいて冷却流体の噴射を制御するようにする段階と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図１，図２Ａ及び図２Ｂは、本発明に係る発熱補償方法を実施する発熱補償装置が適用されたハンドラの構成の一例を示したものである。まず、ハンドラの構成及び動作について簡単に説明する。
【００１３】
ハンドラの前方部には、テストする半導体素子を多数個収納している顧客用トレイを積載するローディング部１０が取り付けられ、該ローディング部１０の一方には、テスト済みの半導体素子がテスト結果に応じて分類されて顧客用トレイに収納されるアンローディング部２０が取り付けられる。
【００１４】
また、ハンドラの中間部分の両側部には、上記ローディング部１０から移送されてきた半導体素子を一時的に装着するバッファ部４０が前後進可能に取り付けられており、それらのバッファ部４０の間には、バッファ部４０の、テストする半導体素子を移送してテストトレイＴに再装着する作業と、テストトレイのテスト済みの半導体素子をバッファ部４０に装着する作業とがなされるように交換部５０が配設されている。
【００１５】
上記ローディング部１０及びアンローディング部２０が配置されたハンドラの前方部と、上記交換部５０及びバッファ部４０が配置されたハンドラ中間部の間には、Ｘ−Ｙ軸に沿って線形運動しながら半導体素子をピックアップして移送する第１ピッカロボット３１と第２ピッカロボット３２とが各々取り付けられ、上記第１ピッカロボット３１は、ローディング部１０及びアンローディング部２０とバッファ部４０との間を移動し半導体素子を移送する役割を担い、上記第２ピッカロボット３２は、バッファ部４０と交換部５０との間を移動し半導体素子を移送する。
【００１６】
また、ハンドラの後方部には、多数個に分割した密閉チャンバの中に、電熱ヒータ又は液体窒素噴射システム（図示せず）等を用いて高温又は低温の環境を造成した半導体素子が装着されたテストトレイＴを順次に移送し、半導体素子を所定の温度条件下でテストするチャンバ部７０が取り付けられている。
【００１７】
ここで、上記チャンバ部７０は、上記交換部５０から移送されてきたテストトレイＴを前方から後方に一ステップずつ段階的に移送し半導体素子を所定の温度に加熱又は冷却させるようになっている予熱チャンバ７１と、上記予熱チャンバの片側に連接して取り付けられ、予熱チャンバ７１を介して移送したテストトレイＴの半導体素子を、外部のテスト装備８０に連結した、いわゆるハイフィックス（Ｈｉ−Ｆｉｘ）というテストボード８５上のテストソケット８６に装着して所定の温度下でテストを行うテストチャンバ７２と、上記テストチャンバ７２の片側に取り付けられ、テストチャンバ７２を介して移送されたテストトレイを後方から前方に一ステップずつ段階的に移送させながらテスト済みの半導体素子を初期の常温状態に復帰させるディフロスティング（ｄｅｆｒｏｓｔｉｎｇ）チャンバ７３とからなる。
【００１８】
上記テストチャンバ７２には、テストトレイＴのキャリアＣ上に装着した半導体素子をテストボード８５側に押圧してテストソケット８６に装着及び脱去するプッシングユニット９０が取り付けられ、該プッシングユニット９０には、テスト中の半導体素子の発熱を抑制する発熱補償装置として、乾燥空気と液体窒素との混合冷却流体を噴射するノズルアセンブリ１７０が固設されている。
【００１９】
また、上記テストボード８５の各テストソケット８６には、半導体素子Ｓと面接触して半導体素子を冷却することによって上記ノズルアセンブリ１７０と共に発熱補償作用をするアルミニウム材質のヒートシンク１８０が付着され、上記ヒートシンク１８０には、温度をリアルタイムに検出してハンドラの制御部１９０（図３参照）に伝える温度センサ１８１が内蔵されている。
【００２０】
上記ヒートシンク１８０は、内部に冷媒が満たされたヒートパイプ（図示せず）を付着して放熱作用を行う。
【００２１】
図３は、上記のような発熱補償装置１００の構成を詳細に説明する図である。
【００２２】
発熱補償装置１００は、液体窒素（ＬＮ２）を供給する液体窒素供給源１１０と、乾燥空気を供給する乾燥空気供給源１２０と、上記液体窒素供給源１１０と乾燥空気供給源１２０とに連結して液体窒素と乾燥空気とを均一に混合して上記ノズルアセンブリ１７０に供給する混合機１３０と、上記ノズルアセンブリ１７０と、ヒートシンク１８０とから構成されている。
【００２３】
また、上記液体窒素供給源１１０と混合機１３０とを連結する流路上には、混合機１３０に供給される液体窒素の量を制御する第１ソレノイドバルブ１５０が取り付けられ、上記乾燥空気供給源１２０と混合機１３０とを連結する流路上には、混合機１３０に供給される乾燥空気の量を制御する第２ソレノイドバルブ１６０が取り付けられ、上記第１ソレノイドバルブ１５０及び第２ソレノイドバルブ１６０は、ハンドラの動作を制御する制御部１９０によって電気的に動作するようになっている。
【００２４】
また、上記混合機１３０とノズルアセンブリ１７０とを連結する流路上には、フィルタアセンブリ１４０が取り付けられ、該フィルタアセンブリ１４０は、液状の液体窒素を微粒子化することにより、粒子の大きい液状の液体窒素がノズルアセンブリ１７０のノズル１７０Ａを通じて噴射されて半導体素子に付着することを防止する役割を果たしている。
【００２５】
以下、上記のように構成した発熱補償装置を用いて発熱補償を行う方法に対して説明する。
【００２６】
本発明に係る発熱補償方法は、閉鎖モード、開放モード、モデル参照モードの三つに区分されるが、上記三つのモードのうちの一部を選択的に適用するか又はこれらの全部を適用することができる。
【００２７】
従って、作業者はまず、現在テストする半導体素子を考慮して上記三つのモードの中から一つを選択しテストを行う。
【００２８】
まず、閉鎖モードについて図４を参照して説明する。
作業者の選択によって閉鎖モードに進入し、ハンドラの動作が開始すると、上記テストチャンバ７２の内部は、別の電熱ヒータ又は液体窒素噴射システムのような温度造成手段によって所定の温度状態になる。
【００２９】
尚、制御部１９０は、第１ソレノイドバルブ１５０と第２ソレノイドバルブ１６０とを制御して液体窒素供給源１１０と乾燥空気供給源１２０とから混合機１３０に液体窒素及び乾燥空気を供給しつつ混合し、該混合機１３０で混合した液体窒素と乾燥空気との混合冷却流体は、フィルタアセンブリ１４０を経た後ノズルアセンブリ１７０を通じて温度センサ１８１に噴射されるようにする（Ｓ４１）。
【００３０】
このとき、管路上に液状の液体窒素が残っている場合には、噴射初期に液状の液体窒素がそのまま外部に噴射されて半導体素子に付着することになり、このように液体窒素が気体状態で噴射されずに液体状態で噴射される場合には、温度低下能力が低下するので、半導体素子を短時間内に所望の温度に低下させることができなくなる。
【００３１】
従って、半導体素子をテストソケットに接続してテストを行う前に、上記温度センサ１８１によって感知した温度変化率を用いて制御部１９０で混合冷却流体が気体状態であるか又は液体状態であるかを判断するようになっている（Ｓ４２）。
【００３２】
斯かる混合冷却流体の状態判断段階（Ｓ４２）では、温度変化率が一定値以下の場合には液体状態の液体窒素が含まれたものと判断して、気体状態の混合冷却流体だけを噴射するものと判断されるまで継続して混合冷却流体を噴射する。
【００３３】
また、温度変化率が一定値以上の場合には、噴射する混合冷却流体の状態が気体であると判断して制御部１９０が混合冷却流体の噴射を一時的に中断した後、既に設定した順序によってハンドラがテストトレイを進行して半導体素子Ｓをテストチャンバ７２側に進行させる（Ｓ４３）。
【００３４】
また、前述したように、半導体素子が装着されたテストトレイＴがテストチャンバ７２に移送されてプッシングユニット９０とテストボード８５との間に位置するようになると、プッシングユニット９０がテストボード８５側に移動してテストトレイＴのキャリアＣに装着された半導体素子をテストソケットに接続してテストを行う。
【００３５】
このとき、制御部１９０は、リアルタイムに温度センサ１８１で測定した半導体素子の温度の変化量をチェックして設定値以上であるかを判断する（Ｓ４４）。
【００３６】
次に、上記判断の結果（Ｓ４４）、半導体素子の温度変化量が設置値以上であれば、上記ノズルアセンブリ１７０を通じて半導体素子Ｓに混合冷却流体を噴射する（Ｓ４５）。
【００３７】
また、上記段階（Ｓ４５）のように混合冷却流体が半導体素子に噴射されるようにした後、半導体素子の温度をチェックし続けて半導体素子の温度変化量が設定値未満に低減しているかを判断し（Ｓ４６）、半導体素子の温度変化量が設定値未満に低減しているときは混合冷却流体の噴射を中断する（Ｓ４７）。
【００３８】
上記段階（Ｓ４４乃至Ｓ４７）のように、制御部１９０は、半導体素子の温度変化をリアルタイムにチェックして混合冷却流体を噴射する方式でテストが完了するまで（Ｓ４８）、半導体素子の温度を所望のレベルに維持する。
【００３９】
次に、開放モードについて図５を参照して説明する。
開放モードは、各種類別に半導体素子について発熱テストを行って各半導体素子別に発熱時間に相応する冷却時間を設定したデータテーブルをシステムに蓄積して該蓄積されたデータを用いる。
【００４０】
従って、作業者が開放モードを選択してハンドラの動作を開示すると、制御部１９０は、既に蓄積していたテーブルから現在テストする半導体素子に対応する冷却時間を設定しテストを進行する（Ｓ５１）。
【００４１】
次に、上記テストチャンバ７２の内部は、別の電熱ヒータ又は液体窒素噴射システムのような温度造成手段によって所定の温度状態になり、制御部１９０は、第１ソレノイドバルブ１５０と第２ソレノイドバルブ１６０とを制御して液体窒素供給源１１０と乾燥空気供給源１２０とから混合機１３０に液体窒素及び乾燥空気を供給する。上記混合機１３０で混合した液体窒素と乾燥空気との混合冷却流体は、フィルタアセンブリ１４０を経てノズルアセンブリ１７０を通じて温度センサ１８１に噴射される（Ｓ５２）。
【００４２】
このとき、前述した閉鎖モードのように同一の方式で温度センサ１８１によって感知された温度変化率を用いて噴射される混合冷却流体が気体状態であるか又は液体状態であるかを判断し（Ｓ５３）、もし混合冷却流体が液体状態であると判断されたときは、気体状態の混合冷却流体が噴射されていると判断されるまで継続して混合冷却流体を噴射して、液状の液体窒素が半導体素子に直接噴射されることを防止する。
【００４３】
また、噴射される混合冷却流体が気体であると判断されると、制御部１９０は、混合冷却流体の噴射を一時的に中断した後、既に設定された順序によってハンドラがテストトレイを進行させて半導体素子をテストチャンバ７２側に進行した後、テストソケット８６に半導体素子を接続させてテストを行う（Ｓ５４）。
【００４４】
このような半導体素子Ｓのテストがなされる間、制御部１９０は、上記第１ソレノイドバルブ１５０と第２ソレノイドバルブ１６０とを制御して上記設定した冷却時間の間、半導体素子に混合冷却流体が噴射されるようにする（Ｓ５５）。続いてテストが完了すると（Ｓ５６）、終了させる。
【００４５】
次に、モデル参照モードについて説明する。
モデル参照モードは、前述した閉鎖モードと開放モードとを組み合わせたものである。
【００４６】
即ち、閉鎖モードは、リアルタイム温度チェック及びフィードバックを通じて半導体素子の温度変化の特性に拘らず、常に一定した温度レベルに維持されるように混合冷却流体噴射を調節する方式であり、開放モードは、設定時間の間、混合冷却流体を一定に半導体素子に噴射するので、半導体素子自体の温度変化の特性はそのまま維持される方式であるのに対して、モデル参照モードは、リアルタイム温度チェック及びフィードバックは遂行せず、半導体素子の温度変化特性に沿って混合冷却流体の噴射を調節する方式である。
【００４７】
該モデル参照モードを更に詳しく説明すると、図６に示すように、モデル参照モードでは、段階Ｓ６１及びＳ６２は、図４に示す段階Ｓ４１及びＳ４２と同様である。
【００４８】
また、段階Ｓ６３で第一番目のテストトレイの半導体素子は、テストソケット８６に接続してテストが行われる。このとき、第一番目のテストの遂行中、制御部１９０は、温度センサ１８１を通じて時間に応じた半導体素子Ｓの温度変化特性を検出して蓄積する（Ｓ６４）。
【００４９】
また、制御部１９０は、上記テスト初期に蓄積された温度変化特性をその種類の半導体素子の温度変化のモデルとして仮定し、それ以降に進行する半導体素子のテスト時に、既に蓄積された、時間に応じた温度変化特性に相応するように時間帯別に混合冷却流体噴射量を調節し（Ｓ６５）、これによって半導体素子自体の発熱特性をそのまま維持し、その温度値だけ許容範囲内に維持されるようにする。
【００５０】
また、他の種類の半導体素子が適用される場合にも上述した方式を繰り返す。
【００５１】
以上、本発明の好適な一実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態のものに限定されるわけではなく、本発明の技術思想に基づいて種々の変形又は変更が可能である。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、次のような効果がある。
即ち、正確な温度範囲でテストが可能になりテストの正確性が向上する。
【００５３】
また、半導体素子に直接冷却流体を噴射し、その温度変化をリアルタイムチェックして所望の温度に維持するので、テスト環境を最適化することができ、テスト歩留まりを向上させることができる。
【００５４】
閉鎖モード、開放モード、モデル参照モード等、多様なモードを選択的に又は同時に適用して選択使用することにより、ユーザの便宜の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】テストハンドラ構成の一例を概略的に示した平面図。
【図２Ａ】図１におけるテストサイトの主要部分を概略的に示した要部断面図。
【図２Ｂ】図２Ａにおけるテストサイトの主要部分の一部を拡大して概略的に示した要部断面図。
【図３】本発明に係る発熱補償装置の構成図。
【図４】本発明に係る発熱補償方法の第１の実施の形態を示すフローチャート。
【図５】本発明に係る発熱補償方法の第２の実施の形態を示すフローチャート。
【図６】本発明に係る発熱補償方法の第２実施例を示すフローチャート。
【符号の説明】
７０ チャンバ部
７２ テストチャンバ
８５ テストボード
８６ テストソケット
９０ プッシングユニット
１１０ 液体窒素供給源
１２０ 乾燥空気供給源
１３０ 混合機
１４０ フィルタアセンブリ
１５０，１６０ 第１，第２ソレノイドバルブ
１７０ ノズルアセンブリ
１８０ ヒートシンク
１８１ 温度センサ
１９０ 制御部
Ｃ キャリア
Ｓ 半導体素子
Ｔ テストトレイ
Claims (22)
- 冷却流体供給装置と、前記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、前記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、
少なくとも一つの半導体素子をテストソケットに装着してテストを開始する段階と、
半導体素子の温度変化をリアルタイムに測定する段階と、
前記測定した温度変化を既に設定した温度変化と比較する段階と、
比較の結果、測定した温度変化が設定値以上であるときは、前記冷却流体供給装置を制御して前記半導体素子へ冷却流体が噴射されるようにする段階と、
比較の結果、測定した温度変化が設定値未満であるときは、前記冷却流体供給装置を制御して前記半導体素子への冷却流体の噴射を中断する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 前記半導体素子をソケットに装着する前に、前記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、
テスト前に測定した温度変化率に基づき、噴射した冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 冷却流体供給装置と、前記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、前記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、
半導体素子のモデル別にテストを行って温度変化特性を検出し、該検出した温度変化特性による冷却期間をテーブル化して前記制御部に蓄積する段階と、
半導体素子をソケットに装着してテストを開始する段階と、
前記テーブルにおいて半導体素子に対応する冷却期間の間、前記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 前記冷却期間は、テスト時に所定の半導体素子の温度が、設定したテスト温度範囲を超過する期間であることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 前記半導体素子をテストソケットに装着する前に前記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、
テスト開始前に測定した温度変化率に基づき、冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 冷却流体供給装置と、前記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、前記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、
所定タイプの半導体素子をテストソケットに装着する段階と、
前記半導体素子の初テスト時に決定される半導体素子の時間による温度変化特性を検出して蓄積する段階と、
以降の半導体素子のテスト時に、前記蓄積した半導体素子の時間による温度変化特性に相応するように、前記冷却流体供給装置を介した冷却流体の噴射を制御する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、噴射比率を制御するようにしたことを特徴とする請求項６に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、冷却流体が噴射される時間周期を制御するようにしたことを特徴とする請求項６に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、冷却流体に含まれているガスの比率を制御するようにしたことを特徴とする請求項６に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 冷却流体供給装置と、前記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続された半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、前記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、
少なくとも一つの半導体素子をテストソケットに装着してテストを開始する段階と、
テスト中に半導体素子により生成する熱を補償するために、テスト中に発生する半導体素子の温度変化に基づいて冷却流体の噴射を制御するようにする段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、
温度センサを用いてテスト中に発生する半導体素子の温度変化を測定し、前記制御部に伝える段階と、
測定された温度変化を、設定した温度変化値と比較する段階と、
測定された温度変化が、設定した温度変化値より大きい場合にのみ半導体素子に冷却流体を噴射する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、測定された温度変化が、設定した温度変化値より小さい場合に半導体素子への冷却流体の噴射を中断するようにしたことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 半導体素子をテストソケットに装着する前に冷却流体を噴射する段階と、
噴射された冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 前記冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階は、半導体素子をテストソケットに装着しない状態において測定された温度変化率に基づいて冷却流体が気体状態であるかどうかを判断するようにしたことを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 他のモデルの半導体素子の温度変化特性に必要な冷却期間を含むテーブルを蓄積する段階を更に含み、前記冷却流体の噴射を制御する段階は、テスト中のモデルに対する前記テーブルから選択された冷却期間について冷却流体を噴射することを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 前記テーブルは、他のモデルの半導体素子の温度変化特性に応じた適切な冷却期間を決定するために、相異なるモデルの半導体素子のテストを経て作成されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 半導体素子をテストソケットに装着する前に冷却流体を噴射する段階と、
噴射された冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 温度センサを用いて所定タイプの半導体素子をテストする間に発生する半導体素子の温度変化特性を検出して蓄積し、測定された温度変化特性を前記制御部に伝える段階を更に含み、前記冷却流体の噴射を制御する段階は、前記蓄積した温度変化特性に基づいて、以降の半導体素子のテストのための冷却流体の噴射を制御することを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、噴射比率を制御することを特徴とする請求項１８に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、冷却流体が噴射される時間周期を制御することを特徴とする請求項１８に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、冷却流体内に含まれているガスの比率を制御することを特徴とする請求項１８に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 半導体素子をテストソケットに装着する前に冷却流体を噴射する段階と、
噴射された冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１８に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
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