JP3916574B2 - 半導体素子テストハンドラの発熱補償方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子をテストするためのハンドラ装置に関するもので、特に、半導体素子を電気的に接続して所定の温度下でテストする間、半導体素子の自己発熱による温度偏差を補償することによって正確な温度下で半導体素子のテストを行うことができるようにした半導体素子テストハンドラの発熱補償方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
メモリ又は非メモリ半導体素子及びそれらを適切に一つの基板上に回路的に構成したモジュールは、通常、製造後に各種テスト過程を経てから出荷される。ハンドラは、斯かるテスト工程において半導体素子及びモジュールの自動移送及びテストに用いられる装置であって、ローディングスタッカに半導体素子又はモジュールを収納したトレイが積載されると、ピッカロボットがテストする半導体素子又はモジュールをテストサイトに移送しテストソケットに接続させて所定のテストを行い、更にピッカロボットがテスト済みの半導体素子又はモジュールをアンローディングスタッカに移送して、指定されたトレイにテストの結果別に分類する過程を行う。
【0003】
通常、斯かるハンドラのうち大部分が常温状態における一般的な性能テストのみならず、密閉されたチャンバ内に電熱ヒータ及び液体窒素噴射システムにより高温及び低温の極限の温度状態の環境を造成して半導体素子及びモジュールがそのような極限温度条件でも正常に機能するかどうかをテストする高温テスト及び低温テストも、行うことができるように構成されている。
【0004】
ところが、上述のように半導体素子の温度テストが可能なハンドラでテストを行うとき、半導体素子をテストソケットに電気的に接続してテストを行う間に、半導体素子自体から所定の熱が発生する発熱現象があり、これによってユーザの所望する正確な温度でのテストがなされない場合が発生する。斯かる現象は、最近の半導体素子の小型化及び高集積化の傾向に従って深刻化しつつあり、テスト及び実際の使用環境において解決することが必要な問題となっている。
【0005】
例えば、高温テスト時に、ユーザがチャンバ内部の温度を80℃に設定してテストを行う場合、半導体素子自体の発熱現象がなかったら、設定テスト温度の80℃でテストが可能であるが、テストの間、半導体素子から熱が発生して温度偏差が15℃程度発生すると、実際のテストは95℃で行われる。
【0006】
従って、半導体素子は設定テスト温度より高い温度でテストがなされ、これによって正確な温度範囲内でのテストが行われず、歩留まり及び信頼性が低下するという問題があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためのもので、半導体素子をハンドラのテストソケットに接続してテストする間、各半導体素子から発生する自己発熱による温度上昇を抑制してユーザが所望する正確な温度範囲でテストを行うことができるようにした半導体素子テスト用ハンドラの発熱補償方法を提供することが目的である。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明によると、冷却流体供給装置と、上記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、半導体素子をソケットに装着する前に、前記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、テスト前に測定した温度変化率に基づき、噴射した冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階と、少なくとも一つの半導体素子をテストソケットに装着してテストを開始する段階と、半導体素子の温度変化をリアルタイムに測定する段階と、上記測定した温度変化を既に設定した温度変化と比較する段階と、比較の結果、測定した温度変化が設定値以上であるときは、上記冷却流体供給装置を制御して上記半導体素子へ冷却流体が噴射されるようにする段階と、比較の結果、測定した温度変化が設定値未満であるときは、上記冷却流体供給装置を制御して上記半導体素子への冷却流体の噴射を中断する段階と、を含むことを特徴とする。
【0009】
また、本発明の他の一実施形態によると、冷却流体供給装置と、上記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、半導体素子のモデル別にテストを行って温度変化特性を検出し、該検出した温度変化特性による冷却期間をテーブル化して上記制御部に蓄積する段階と、半導体素子をソケットに装着する前に、前記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、テスト前に測定した温度変化率に基づき、噴射した冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階と、半導体素子をソケットに装着してテストを開始する段階と、上記テーブルにおいて半導体素子に対応する冷却期間の間、上記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、を含むことを特徴とする。
【0010】
また、本発明の他の一実施形態によると、冷却流体供給装置と、上記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、半導体素子をソケットに装着する前に、前記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、テスト前に測定した温度変化率に基づき、噴射した冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階と、所定タイプの半導体素子をテストソケットに装着する段階と、上記半導体素子の初テスト時に決定される半導体素子の時間による温度変化特性を検出して蓄積する段階と、以降の半導体素子のテスト時に、上記蓄積した半導体素子の時間による温度変化特性に相応するように、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の噴射を制御する段階と、を含むことを特徴とする。
【0011】
また、本発明の他の一実施形態によると、冷却流体供給装置と、上記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続された半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、上記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、半導体素子をソケットに装着する前に、前記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、テスト前に測定した温度変化率に基づき、噴射した冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階と、少なくとも一つの半導体素子をテストソケットに装着してテストを開始する段階と、テスト中に半導体素子により生成する熱を補償するために、テスト中に発生する半導体素子の温度変化に基づいて冷却流体の噴射を制御するようにする段階と、を含むことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図1,図2A及び図2Bは、本発明に係る発熱補償方法を実施する発熱補償装置が適用されたハンドラの構成の一例を示したものである。まず、ハンドラの構成及び動作について簡単に説明する。
【0013】
ハンドラの前方部には、テストする半導体素子を多数個収納している顧客用トレイを積載するローディング部10が取り付けられ、該ローディング部10の一方には、テスト済みの半導体素子がテスト結果に応じて分類されて顧客用トレイに収納されるアンローディング部20が取り付けられる。
【0014】
また、ハンドラの中間部分の両側部には、上記ローディング部10から移送されてきた半導体素子を一時的に装着するバッファ部40が前後進可能に取り付けられており、それらのバッファ部40の間には、バッファ部40の、テストする半導体素子を移送してテストトレイTに再装着する作業と、テストトレイのテスト済みの半導体素子をバッファ部40に装着する作業とがなされるように交換部50が配設されている。
【0015】
上記ローディング部10及びアンローディング部20が配置されたハンドラの前方部と、上記交換部50及びバッファ部40が配置されたハンドラ中間部の間には、X−Y軸に沿って線形運動しながら半導体素子をピックアップして移送する第1ピッカロボット31と第2ピッカロボット32とが各々取り付けられ、上記第1ピッカロボット31は、ローディング部10及びアンローディング部20とバッファ部40との間を移動し半導体素子を移送する役割を担い、上記第2ピッカロボット32は、バッファ部40と交換部50との間を移動し半導体素子を移送する。
【0016】
また、ハンドラの後方部には、多数個に分割した密閉チャンバの中に、電熱ヒータ又は液体窒素噴射システム(図示せず)等を用いて高温又は低温の環境を造成した半導体素子が装着されたテストトレイTを順次に移送し、半導体素子を所定の温度条件下でテストするチャンバ部70が取り付けられている。
【0017】
ここで、上記チャンバ部70は、上記交換部50から移送されてきたテストトレイTを前方から後方に一ステップずつ段階的に移送し半導体素子を所定の温度に加熱又は冷却させるようになっている予熱チャンバ71と、上記予熱チャンバの片側に連接して取り付けられ、予熱チャンバ71を介して移送したテストトレイTの半導体素子を、外部のテスト装備80に連結した、いわゆるハイフィックス(Hi-Fix)というテストボード85上のテストソケット86に装着して所定の温度下でテストを行うテストチャンバ72と、上記テストチャンバ72の片側に取り付けられ、テストチャンバ72を介して移送されたテストトレイを後方から前方に一ステップずつ段階的に移送させながらテスト済みの半導体素子を初期の常温状態に復帰させるディフロスティング(defrosting)チャンバ73とからなる。
【0018】
上記テストチャンバ72には、テストトレイTのキャリアC上に装着した半導体素子をテストボード85側に押圧してテストソケット86に装着及び脱去するプッシングユニット90が取り付けられ、該プッシングユニット90には、テスト中の半導体素子の発熱を抑制する発熱補償装置として、乾燥空気と液体窒素との混合冷却流体を噴射するノズルアセンブリ170が固設されている。
【0019】
また、上記テストボード85の各テストソケット86には、半導体素子Sと面接触して半導体素子を冷却することによって上記ノズルアセンブリ170と共に発熱補償作用をするアルミニウム材質のヒートシンク180が付着され、上記ヒートシンク180には、温度をリアルタイムに検出してハンドラの制御部190(図3参照)に伝える温度センサ181が内蔵されている。
【0020】
上記ヒートシンク180は、内部に冷媒が満たされたヒートパイプ(図示せず)を付着して放熱作用を行う。
【0021】
図3は、上記のような発熱補償装置100の構成を詳細に説明する図である。
【0022】
発熱補償装置100は、液体窒素(LN2)を供給する液体窒素供給源110と、乾燥空気を供給する乾燥空気供給源120と、上記液体窒素供給源110と乾燥空気供給源120とに連結して液体窒素と乾燥空気とを均一に混合して上記ノズルアセンブリ170に供給する混合機130と、上記ノズルアセンブリ170と、ヒートシンク180とから構成されている。
【0023】
また、上記液体窒素供給源110と混合機130とを連結する流路上には、混合機130に供給される液体窒素の量を制御する第1ソレノイドバルブ150が取り付けられ、上記乾燥空気供給源120と混合機130とを連結する流路上には、混合機130に供給される乾燥空気の量を制御する第2ソレノイドバルブ160が取り付けられ、上記第1ソレノイドバルブ150及び第2ソレノイドバルブ160は、ハンドラの動作を制御する制御部190によって電気的に動作するようになっている。
【0024】
また、上記混合機130とノズルアセンブリ170とを連結する流路上には、フィルタアセンブリ140が取り付けられ、該フィルタアセンブリ140は、液状の液体窒素を微粒子化することにより、粒子の大きい液状の液体窒素がノズルアセンブリ170のノズル170Aを通じて噴射されて半導体素子に付着することを防止する役割を果たしている。
【0025】
以下、上記のように構成した発熱補償装置を用いて発熱補償を行う方法に対して説明する。
【0026】
本発明に係る発熱補償方法は、閉鎖モード、開放モード、モデル参照モードの三つに区分されるが、上記三つのモードのうちの一部を選択的に適用するか又はこれらの全部を適用することができる。
【0027】
従って、作業者はまず、現在テストする半導体素子を考慮して上記三つのモードの中から一つを選択しテストを行う。
【0028】
まず、閉鎖モードについて図4を参照して説明する。
作業者の選択によって閉鎖モードに進入し、ハンドラの動作が開始すると、上記テストチャンバ72の内部は、別の電熱ヒータ又は液体窒素噴射システムのような温度造成手段によって所定の温度状態になる。
【0029】
尚、制御部190は、第1ソレノイドバルブ150と第2ソレノイドバルブ160とを制御して液体窒素供給源110と乾燥空気供給源120とから混合機130に液体窒素及び乾燥空気を供給しつつ混合し、該混合機130で混合した液体窒素と乾燥空気との混合冷却流体は、フィルタアセンブリ140を経た後ノズルアセンブリ170を通じて温度センサ181に噴射されるようにする(S41)。
【0030】
このとき、管路上に液状の液体窒素が残っている場合には、噴射初期に液状の液体窒素がそのまま外部に噴射されて半導体素子に付着することになり、このように液体窒素が気体状態で噴射されずに液体状態で噴射される場合には、温度低下能力が低下するので、半導体素子を短時間内に所望の温度に低下させることができなくなる。
【0031】
従って、半導体素子をテストソケットに接続してテストを行う前に、上記温度センサ181によって感知した温度変化率を用いて制御部190で混合冷却流体が気体状態であるか又は液体状態であるかを判断するようになっている(S42)。
【0032】
斯かる混合冷却流体の状態判断段階(S42)では、温度変化率が一定値以下の場合には液体状態の液体窒素が含まれたものと判断して、気体状態の混合冷却流体だけを噴射するものと判断されるまで継続して混合冷却流体を噴射する。
【0033】
また、温度変化率が一定値以上の場合には、噴射する混合冷却流体の状態が気体であると判断して制御部190が混合冷却流体の噴射を一時的に中断した後、既に設定した順序によってハンドラがテストトレイを進行して半導体素子Sをテストチャンバ72側に進行させる(S43)。
【0034】
また、前述したように、半導体素子が装着されたテストトレイTがテストチャンバ72に移送されてプッシングユニット90とテストボード85との間に位置するようになると、プッシングユニット90がテストボード85側に移動してテストトレイTのキャリアCに装着された半導体素子をテストソケットに接続してテストを行う。
【0035】
このとき、制御部190は、リアルタイムに温度センサ181で測定した半導体素子の温度の変化量をチェックして設定値以上であるかを判断する(S44)。
【0036】
次に、上記判断の結果(S44)、半導体素子の温度変化量が設置値以上であれば、上記ノズルアセンブリ170を通じて半導体素子Sに混合冷却流体を噴射する(S45)。
【0037】
また、上記段階(S45)のように混合冷却流体が半導体素子に噴射されるようにした後、半導体素子の温度をチェックし続けて半導体素子の温度変化量が設定値未満に低減しているかを判断し(S46)、半導体素子の温度変化量が設定値未満に低減しているときは混合冷却流体の噴射を中断する(S47)。
【0038】
上記段階(S44乃至S47)のように、制御部190は、半導体素子の温度変化をリアルタイムにチェックして混合冷却流体を噴射する方式でテストが完了するまで(S48)、半導体素子の温度を所望のレベルに維持する。
【0039】
次に、開放モードについて図5を参照して説明する。
開放モードは、各種類別に半導体素子について発熱テストを行って各半導体素子別に発熱時間に相応する冷却時間を設定したデータテーブルをシステムに蓄積して該蓄積されたデータを用いる。
【0040】
従って、作業者が開放モードを選択してハンドラの動作を開示すると、制御部190は、既に蓄積していたテーブルから現在テストする半導体素子に対応する冷却時間を設定しテストを進行する(S51)。
【0041】
次に、上記テストチャンバ72の内部は、別の電熱ヒータ又は液体窒素噴射システムのような温度造成手段によって所定の温度状態になり、制御部190は、第1ソレノイドバルブ150と第2ソレノイドバルブ160とを制御して液体窒素供給源110と乾燥空気供給源120とから混合機130に液体窒素及び乾燥空気を供給する。上記混合機130で混合した液体窒素と乾燥空気との混合冷却流体は、フィルタアセンブリ140を経てノズルアセンブリ170を通じて温度センサ181に噴射される(S52)。
【0042】
このとき、前述した閉鎖モードのように同一の方式で温度センサ181によって感知された温度変化率を用いて噴射される混合冷却流体が気体状態であるか又は液体状態であるかを判断し(S53)、もし混合冷却流体が液体状態であると判断されたときは、気体状態の混合冷却流体が噴射されていると判断されるまで継続して混合冷却流体を噴射して、液状の液体窒素が半導体素子に直接噴射されることを防止する。
【0043】
また、噴射される混合冷却流体が気体であると判断されると、制御部190は、混合冷却流体の噴射を一時的に中断した後、既に設定された順序によってハンドラがテストトレイを進行させて半導体素子をテストチャンバ72側に進行した後、テストソケット86に半導体素子を接続させてテストを行う(S54)。
【0044】
このような半導体素子Sのテストがなされる間、制御部190は、上記第1ソレノイドバルブ150と第2ソレノイドバルブ160とを制御して上記設定した冷却時間の間、半導体素子に混合冷却流体が噴射されるようにする(S55)。続いてテストが完了すると(S56)、終了させる。
【0045】
次に、モデル参照モードについて説明する。
モデル参照モードは、前述した閉鎖モードと開放モードとを組み合わせたものである。
【0046】
即ち、閉鎖モードは、リアルタイム温度チェック及びフィードバックを通じて半導体素子の温度変化の特性に拘らず、常に一定した温度レベルに維持されるように混合冷却流体噴射を調節する方式であり、開放モードは、設定時間の間、混合冷却流体を一定に半導体素子に噴射するので、半導体素子自体の温度変化の特性はそのまま維持される方式であるのに対して、モデル参照モードは、リアルタイム温度チェック及びフィードバックは遂行せず、半導体素子の温度変化特性に沿って混合冷却流体の噴射を調節する方式である。
【0047】
該モデル参照モードを更に詳しく説明すると、図6に示すように、モデル参照モードでは、段階S61及びS62は、図4に示す段階S41及びS42と同様である。
【0048】
また、段階S63で第一番目のテストトレイの半導体素子は、テストソケット86に接続してテストが行われる。このとき、第一番目のテストの遂行中、制御部190は、温度センサ181を通じて時間に応じた半導体素子Sの温度変化特性を検出して蓄積する(S64)。
【0049】
また、制御部190は、上記テスト初期に蓄積された温度変化特性をその種類の半導体素子の温度変化のモデルとして仮定し、それ以降に進行する半導体素子のテスト時に、既に蓄積された、時間に応じた温度変化特性に相応するように時間帯別に混合冷却流体噴射量を調節し(S65)、これによって半導体素子自体の発熱特性をそのまま維持し、その温度値だけ許容範囲内に維持されるようにする。
【0050】
また、他の種類の半導体素子が適用される場合にも上述した方式を繰り返す。
【0051】
以上、本発明の好適な一実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態のものに限定されるわけではなく、本発明の技術思想に基づいて種々の変形又は変更が可能である。
【0052】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、次のような効果がある。
即ち、正確な温度範囲でテストが可能になりテストの正確性が向上する。
【0053】
また、半導体素子に直接冷却流体を噴射し、その温度変化をリアルタイムチェックして所望の温度に維持するので、テスト環境を最適化することができ、テスト歩留まりを向上させることができる。
【0054】
閉鎖モード、開放モード、モデル参照モード等、多様なモードを選択的に又は同時に適用して選択使用することにより、ユーザの便宜の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】テストハンドラ構成の一例を概略的に示した平面図。
【図2A】図1におけるテストサイトの主要部分を概略的に示した要部断面図。
【図2B】図2Aにおけるテストサイトの主要部分の一部を拡大して概略的に示した要部断面図。
【図3】本発明に係る発熱補償装置の構成図。
【図4】本発明に係る発熱補償方法の第1の実施の形態を示すフローチャート。
【図5】本発明に係る発熱補償方法の第2の実施の形態を示すフローチャート。
【図6】本発明に係る発熱補償方法の第2実施例を示すフローチャート。
【符号の説明】
70 チャンバ部
72 テストチャンバ
85 テストボード
86 テストソケット
90 プッシングユニット
110 液体窒素供給源
120 乾燥空気供給源
130 混合機
140 フィルタアセンブリ
150,160 第1,第2ソレノイドバルブ
170 ノズルアセンブリ
180 ヒートシンク
181 温度センサ
190 制御部
C キャリア
S 半導体素子
T テストトレイ
Claims (16)
- 冷却流体供給装置と、前記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、前記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、
半導体素子をソケットに装着する前に、前記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、
テスト前に測定した温度変化率に基づき、噴射した冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階と、
少なくとも一つの半導体素子をテストソケットに装着してテストを開始する段階と、
半導体素子の温度変化をリアルタイムに測定する段階と、
前記測定した温度変化を既に設定した温度変化と比較する段階と、
比較の結果、測定した温度変化が設定値以上であるときは、前記冷却流体供給装置を制御して前記半導体素子へ冷却流体が噴射されるようにする段階と、
比較の結果、測定した温度変化が設定値未満であるときは、前記冷却流体供給装置を制御して前記半導体素子への冷却流体の噴射を中断する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 冷却流体供給装置と、前記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、前記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、
半導体素子のモデル別にテストを行って温度変化特性を検出し、該検出した温度変化特性による冷却期間をテーブル化して前記制御部に蓄積する段階と、
半導体素子をソケットに装着する前に、前記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、
テスト前に測定した温度変化率に基づき、噴射した冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階と、
半導体素子をソケットに装着してテストを開始する段階と、
前記テーブルにおいて半導体素子に対応する冷却期間の間、前記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 前記冷却期間は、テスト時に所定の半導体素子の温度が、設定したテスト温度範囲を超過する期間であることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 冷却流体供給装置と、前記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続した半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、前記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、
半導体素子をソケットに装着する前に、前記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、
テスト前に測定した温度変化率に基づき、噴射した冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階と、
所定タイプの半導体素子をテストソケットに装着する段階と、
前記半導体素子の初テスト時に決定される半導体素子の時間による温度変化特性を検出して蓄積する段階と、
以降の半導体素子のテスト時に、前記蓄積した半導体素子の時間による温度変化特性に相応するように、前記冷却流体供給装置を介した冷却流体の噴射を制御する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、噴射比率を制御するようにしたことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、冷却流体が噴射される時間周期を制御するようにしたことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、冷却流体に含まれているガスの比率を制御するようにしたことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 冷却流体供給装置と、前記冷却流体供給装置から供給される冷却流体を各テストソケットに接続された半導体素子へ噴射するノズルアセンブリと、前記冷却流体供給装置を介した冷却流体の供給を制御する制御部とを含むハンドラにより発熱補償を行う方法において、
半導体素子をソケットに装着する前に、前記冷却流体供給装置を制御して冷却流体を噴射する段階と、
テスト前に測定した温度変化率に基づき、噴射した冷却流体が気体状態であるかどうかを判断する段階と、
少なくとも一つの半導体素子をテストソケットに装着してテストを開始する段階と、
テスト中に半導体素子により生成する熱を補償するために、テスト中に発生する半導体素子の温度変化に基づいて冷却流体の噴射を制御するようにする段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、
温度センサを用いてテスト中に発生する半導体素子の温度変化を測定し、前記制御部に伝える段階と、
測定された温度変化を、設定した温度変化値と比較する段階と、
測定された温度変化が、設定した温度変化値より大きい場合にのみ半導体素子に冷却流体を噴射する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。 - 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、測定された温度変化が、設定した温度変化値より小さい場合に半導体素子への冷却流体の噴射を中断するようにしたことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 他のモデルの半導体素子の温度変化特性に必要な冷却期間を含むテーブルを蓄積する段階を更に含み、前記冷却流体の噴射を制御する段階は、テスト中のモデルに対する前記テーブルから選択された冷却期間について冷却流体を噴射することを特徴とする請求項8に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 前記テーブルは、他のモデルの半導体素子の温度変化特性に応じた適切な冷却期間を決定するために、相異なるモデルの半導体素子のテストを経て作成されることを特徴とする請求項11に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 温度センサを用いて所定タイプの半導体素子をテストする間に発生する半導体素子の温度変化特性を検出して蓄積し、測定された温度変化特性を前記制御部に伝える段階を更に含み、前記冷却流体の噴射を制御する段階は、前記蓄積した温度変化特性に基づいて、以降の半導体素子のテストのための冷却流体の噴射を制御することを特徴とする請求項11に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、噴射比率を制御することを特徴とする請求項13に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、冷却流体が噴射される時間周期を制御することを特徴とする請求項13に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
- 前記冷却流体の噴射を制御する段階は、冷却流体内に含まれているガスの比率を制御することを特徴とする請求項13に記載の半導体素子テストハンドラの発熱補償方法。
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